DE602005001097T2

DE602005001097T2 - Trennwandstruktur zur Bildung von Leiterbahnen im Tintenstrahldruckverfahren

Info

Publication number: DE602005001097T2
Application number: DE602005001097T
Authority: DE
Inventors: Toshimitsu Seiko Epson Corporation Hirai; Toshihiro Seiko Epson Corporation Ushiyama
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-09-30
Filing date: 2005-09-15
Publication date: 2008-01-10
Anticipated expiration: 2025-09-16
Also published as: EP1643301A1; EP1739475A3; US20060065897A1; US7732817B2; JP3922280B2; TWI278904B; JP2006108148A; TW200620393A; EP1643301B1; KR100726272B1; KR20060051228A; CN1756456A; DE602005001097D1; DE602005018471D1; EP1739475B1; EP1739475A2; CN100477881C

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine gebildete Musterstruktur, ein Verfahren zum Bilden eines Musters, eine Vorrichtung, eine elektrooptische Vorrichtung und elektronische Apparatur.
2. Zugehörige Technik
Als ein Verfahren zum Bilden eines Musters, so wie einer Verdrahtung, die für elektronische Schaltkreise, integrierte Schaltkreise und dergleichen verwendet wird, wurde beispielsweise weitgehend Fotolithographie verwendet. Jedoch benötigt die Fotolithographie Großapparaturen, umfassend einer Vakuumvorrichtung und einer Belichtungsvorrichtung, und komplizierte Prozesse werden durchgeführt, um die Verdrahtung zu bilden, die ein vorbestimmtes Muster in den Apparaturen aufweist. Zusätzlich liegt die Effizienz der Verwendung des Materials lediglich bei einigen % und das meiste des Materials muss entsorgt werden, was in hohen Produktionskosten resultiert.
Zwischenzeitlich wurde ein Tropfenausstoßverfahren vorgeschlagen, in dem ein flüssiges Material in Form von Tropfen von einem Flüssigkeitsausstoßkopf ausgestoßen wird, um Muster zu bilden. Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 11-274671 ist ein erstes Beispiel von verwandter Technik, und die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2000-216330 ist ein zweites Beispiel von verwandter Technik. Sogenannte Tintenstrahlverfahren wurden verwendet zum Bilden der Verdrahtung, die ein vorbestimmtes Muster auf einem Substrat aufweist (siehe z. B. das erste und zweite Beispiel). In dem Tintenstrahlverfahren ist ein flüssiges Material zum Gestalten (eine funktionale Flüssigkeit) in einem Muster direkt auf einem Substrat bereitgestellt, und dann wird eine Hitzebehandlung oder Laserbestrahlung für das Substrat durchgeführt, um dieses in ein Muster zu transformieren. Daher benötigt dieses Verfahren nicht die Lithographie, und die Prozesse können beträchtlich vereinfacht werden. Gemäß diesem Verfahren wird zusätzlich das Material direkt an der Position des Musters bereitgestellt. Daher besteht der Vorteil, dass die Menge des Materials, das verbraucht wird zum Bilden des Musters, reduziert werden kann.
In den letzten Jahren wurden Schaltkreise in Vorrichtungen stark verdichtet. Folglich gibt es einen Bedarf für eine extrem feine und dünne Verdrahtung. Jedoch war es schwierig, stabil solche feine Muster durch das oben erwähnte Flüssigkeitsausstoßverfahren zu bilden, da ausgestoßene Tröpfchen sich auf einem Substrat ausgebreitet haben, nachdem diese auf dem Substrat gelandet sind. Wenn das Muster eine leitende Schicht ist, wird speziell eine flüssige Aufwölbung erzeugt durch die oben erwähnte Ausbreitung der Tropfen, und diese könnte Defekte, so wie ein Brechen eines Drahtes oder einen Kurzschluss, verursachen.
Eine Technik zum Bewältigen dieses Problems in dem Flüssigkeitsausstoßverfahren wurde vorgeschlagen. In der Technik wird eine lösungsmittelabstoßende bzw. lyophobe Qualität einer Fläche eines Walls verliehen, der eine Bildungsregion einer Verdrahtung auslegt, wobei die funktionale Flüssigkeit in Richtung der Bildungsregion der Verdrahtung ausgestoßen wird, und dann wird die Verdrahtung, deren Breite schmaler ist als der Durchmesser der funktionalen Flüssigkeit im Flug, die ausgestoßen wird durch das Tropfenausstoßverfahren, gebildet. Gemäß dieser Technik wird die Wallaufteilung der Verdrahtungsbildungsregion ausgeformt. Selbst wenn ein Teil der funktionalen Flüssigkeit auf der Oberfläche des Walls ausgestoßen wird, fließt deshalb die gesamte funktionale Flüssigkeit in die Verdrahtungsbildungsregion.
US 2005/0022374A1 , veröffentlicht nach dem Prioritätsdatum der vorliegenden Anmeldung, beschreibt ein Verfahren zum Bilden eines vorbestimmten Musters durch Anordnen einer funktionalen Flüssigkeit auf einem Substrat. Das Verfahren umfasst die Schritte des Bildens von Wällen auf dem Substrat und des Anordnens der funktionalen Flüssigkeit auf einer Region, die durch die Wälle aufgeteilt ist, wobei eine Breite der Region teilweise groß gebildet ist. Ein Verdrahtungsmuster ist illustriert, wo die Ausdehnungsrichtungen eines ersten und eines zweiten Grabenabschnittes einander kreuzen. In der Nähe des zweiten Grabenabschnittes ist der erste Grabenabschnitt lokal schmaler gestaltet.
JP 11-274671 , die die Basis des Oberbegriffs von Anspruch 1 bildet, beschreibt eine nichtkompatible Schicht zum Begrenzen des Adhäsionsfeldes eines Musters auf beiden Seiten eines Musterbildungsfeldes eines elektrischen Leitungsfilmes. Die nichtkompatible Schicht ist definiert als eine Schicht, die die Eigenschaft aufweist, dass ein Kontaktwinkel, der zwischen der Flüssigkeit und der Schicht auftritt, groß ist.
Das oben erwähnte feine Drahtmuster kann gebildet werden unter Verwendung eines Kapillarphänomens. Jedoch hat das feine Drahtmuster, das gebildet ist durch das Kapillarphänomen, eine relativ dünne Filmdicke verglichen mit anderen Verdrahtungsmustern. Daher wird eine Stufe, die eine Differenz in dem Niveau ist, auf der oberen Fläche des feinen Verdrahtungsmusters und der anderen Verdrahtungsmuster gebildet aufgrund der Differenz der Filmdicken. Dies könnte ein Problem darstellen, wenn ein anderes Dünnfilmmuster und dergleichen weiter auf der oberen Oberfläche des Walls gebildet wird, der das andere Verdrahtungsmuster beinhaltet, so dass die Stufe eine Trennung, einen Kurzschluss und dergleichen verursachen könnte.
ZUSAMMENFASSUNG
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Wallstruktur, in der ein flaches Gebiet bzw. eine Abflachung auf der oberen Fläche eines Gebiets gebildet wird, das die Muster umfasst, durch Angleichen der Filmdicken des feinen Musters und der der anderen Muster, ein Musterbildungsverfahren davon, eine elektrooptische Vorrichtung und elektronische Apparatur.
Die Erfindung betrifft eine Trennwandstruktur zum Bilden von leitenden Drahtmustern durch Mittel von Tintenstrahldruckern, wie in Anspruch 1 definiert, und ein Verfahren des Herstellens der Trennwandstruktur, wie in Anspruch 5 definiert.
Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung umfasst eine Trennwandstruktur, die einen konkaven Abschnitt aufweist, der zu einem Muster gehört, das durch eine funktionelle Flüssigkeit gebildet ist, einen ersten konkaven Abschnitt, der bereitgestellt ist, der zu einem ersten Muster gehört, einem zweiten konkaven Abschnitt, der bereitgestellt ist, der zu einem zweiten Muster gehört, das mit dem ersten Muster gekoppelt ist, und dessen Breite kleiner ist als eine Breite des ersten Musters, und einen konvexen Abschnitt, der in dem ersten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist.
Hier ist die Breite des ersten Musters eine Länge von einem Ende zu dem anderen Ende des ersten Musters in einer Richtung orthogonal zu der Richtung, in der sich das erste Muster erstreckt. Die Breite des zweiten Musters ist eine Länge von einem Ende zu dem anderen Ende des zweiten Musters in einer Richtung orthogonal zu der Richtung, die sich von dem Verbindungspunkt des ersten Musters und des zweiten Musters zu dem zweiten Muster erstreckt.
Gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung kontaktiert die funktionale Flüssigkeit, die in dem ersten konkaven Abschnitt angeordnet ist, den konvexen Abschnitt, der in dem ersten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist. Der konvexe Abschnitt dient als Blockierung und sperrt die funktionale Flüssigkeit ab, die dazu neigt, sich in den ersten konkaven Abschnitt auszubreiten. Mit anderen Worten steuert der konvexe Abschnitt, der auf einem Ende des ersten konkaven Abschnitts bereitgestellt ist, die Fließbewegung der funktionalen Flüssigkeit. Die funktionale Flüssigkeit, die durch den konvexen Abschnitt eingedämmt ist, der an einem Ende des ersten konkaven Abschnitts bereitgestellt ist, fließt dann in den zweiten konkaven Abschnitt durch das Kapillarphänomen. Auf diese Art und Weise kann der Zufluss der funktionalen Flüssigkeit in den zweiten konkaven Abschnitt erhöht werden, und dies kann die Höhe der funktionalen Flüssigkeit ausgleichen, die in dem ersten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist, mit der Höhe der funktionalen Flüssigkeit (Muster), die in dem zweiten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist. Folglich sind die oberen Flächen der funktionalen Flüssigkeit L, die in dem ersten konkaven Abschnitt und dem zweiten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist, angeglichen, und dies verhindert, dass eine Verdrahtung und dergleichen, die auf den oberen Oberflächen bzw. Flächen gebildet sind, brechen oder kurz geschlossen werden.
Der konvexe Abschnitt wird an einer Endregion des ersten konkaven Abschnitts bereitgestellt, um eine Verbindungsregion des ersten konkaven Abschnitts und des zweiten konkaven Abschnitts zu umgeben.
Auf diese Weise kann die funktionale Flüssigkeit, die durch den konvexen Abschnitt abgesperrt ist, direkt in den zweiten konkaven Abschnitt fließen, da der konvexe Abschnitt in dem ersten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist, umfassend die Region, wo der erste konkave Abschnitt mit dem zweiten konkaven Abschnitt verbunden ist.
Es ist vorzuziehen, dass der konvexe Abschnitt eine Vielzahl von konvexen Abschnitten aufweist, und ein Intervall zwischen angrenzenden konvexen Abschnitten ist kleiner als die Breite des zweiten Musters.
Auf diese Art und Weise wird die Breite des zweiten konkaven Abschnittes breiter als die Breite des konvexen Abschnittes, der an dem Ende des ersten konkaven Abschnittes bereitgestellt ist. Dadurch ist es möglich, einen internen Druck des zweiten konkaven Abschnittes kleiner zu gestalten als einen internen Druck der zwei angrenzenden konvexen Abschnitte. Folglich kann die funktionale Flüssigkeit, die an dem Ende des ersten konkaven Abschnittes angeordnet ist, in den konkaven Abschnitt fließen, wo der interne Druck niedrig ist. Auf diese Art und Weise wird das Kapillarphänomen gefördert, und der Zufluss der funktionalen Flüssigkeit in den zweiten konkaven Abschnitt kann erhöht werden. Dies kann die Höhe der funktionalen Flüssigkeit, die in dem ersten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist, mit der Höhe der funktionalen Flüssigkeit, die in dem zweiten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist, angleichen.
Ferner ist es vorzuziehen, dass eine Höhe des konvexen Abschnitts kleiner ist als eine Höhe einer oberen Fläche der Trennwandstruktur.
Generell ist Lyophopie bzw. Lösungsmittelabstoßung gegeben an der oberen Fläche der Trennwand, um die darauf ausgestoßene funktionale Flüssigkeit abzustoßen. Der konvexe Abschnitt, der in der Erfindung gebildet ist, kann aus einem Teil der Trennwand oder anderem Material durch einen anderen Prozess gebildet sein. Beispielsweise in einem Fall, wo der konvexe Abschnitt aus einem Teil der Trennwand gebildet ist, wenn die Höhe des konvexen Abschnittes so hoch ist wie die Höhe der Trennwand, wird die obere Fläche des konvexen Abschnittes lyophob. Dadurch werden Tropfen auf der oberen Fläche des konvexen Abschnittes abgestoßen, und ein Muster wird in diesem Gebiet nicht gebildet, da die Tropfen sich nicht in dem Gebiet anlagern. Auf diese Art und Weise vermindert sich ein Querschnitt des Musters, und der Widerstand wird groß, wenn dieses als ein Leitungsmuster verwendet wird. Andererseits, gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung, wird die lyophobe obere Fläche des konvexen Abschnitts entfernt durch Entwicklung nach einer Halbtonbelichtung, und die Höhe des konvexen Abschnittes wird niedriger als die Trennwand. Dadurch kann die funktionale Flüssigkeit auf der oberen Fläche des konvexen Abschnittes angeordnet werden, und der Querschnitt des Musters wird vergrößert. Folglich wird es möglich, den Widerstand des Musters zu erniedrigen.
Es ist auch vorzuziehen, dass der konvexe Abschnitt entlang einer längeren Seite des zweiten Musters bereitgestellt wird.
In diesem Fall, wenn der konvexe Abschnitt in einer breiten Richtung des ersten konkaven Abschnittes bereitgestellt ist, wird der konvexe Abschnitt entlang der längeren Seite des zweiten Musters gebildet. Dabei kann die blockierende Wand die funktionale Flüssigkeit in der Breitenrichtung des ersten konkaven Abschnittes mit einer kleineren Anzahl von konvexen Abschnitten absperren.
Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung enthält ein Verfahren zum Herstellen einer Trennwandstruktur, die konkave Abschnitte aufweist, die zu einer Vielzahl von Mustern auf einem Substrat gehören, einen Schritt des Auftragens eines Trennwandmaterials auf dem Substrat, und einen Schritt des Bildens einer Trennwand, die einen ersten konkaven Abschnitt aufweist, der zu einem ersten Muster gehört, und eines zweiten konkaven Abschnittes, der zu einem zweiten Muster gehört, das an das erste Muster gekoppelt ist, und dessen Breite kleiner ist als eine Breite des ersten Musters, und einen Schritt des Bildens eines konvexen Abschnittes in dem ersten konkaven Abschnitt.
Gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung kontaktiert die funktionale Flüssigkeit, die in dem ersten konkaven Abschnitt angeordnet ist, den konvexen Abschnitt, der in dem ersten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist. Der konvexe Abschnitt dient als Blockierung und sperrt die funktionale Flüssigkeit ab, die dazu tendiert, sich in den ersten konkaven Abschnitt auszubreiten. Die funktionale Flüssigkeit, die durch den konvexen Abschnitt, der an einem Ende des ersten konkaven Abschnittes bereitgestellt ist, eingedämmt wird, fließt dann in den zweiten konkaven Abschnitt durch das Kapillarphänomen. Auf diese Art und Weise kann der Zufluss der funktionalen Flüssigkeit in den zweiten konkaven Abschnitt erhöht werden, und diese kann die Höhe des ersten Musters, das in dem ersten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist, mit der Höhe des zweiten Musters, das in dem zweiten konkaven Abschnitt bereitgestellt ist, angleichen. Folglich sind die oberen Flächen der funktionalen Flüssigkeit, die in dem ersten konkaven Abschnitt und den zweiten konkaven Abschnitt bereitgestellt sind, ausgeglichen, und dies vermeidet, dass eine Verdrahtung und dergleichen, die an den oberen Flächen gebildet sind, gebrochen werden oder kurzgeschlossen werden.
Eine Vorrichtung gemäß einem dritten Aspekt der Erfindung umfasst die oben beschriebene Trennwandstruktur und ein Musters, das in dem ersten konkaven Abschnitt und dem zweiten konkaven Abschnitt platziert ist.
Gemäß dem dritten Aspekt der Erfindung ist ein Muster im Inneren der oben erwähnten Trennwandstruktur gebildet, so dass die oberen Flächen der funktionalen Flüssigkeit, die in dem ersten konkaven Abschnitt und dem zweiten konkaven Abschnitt angeordnet sind, ausgeglichen werden können. Daher ist es möglich, eine Vorrichtung mit einer feinen bzw. genauen elektrischen Eigenschaft bereitzustellen, in der eine Verdrahtung und dergleichen, die auf den oberen Flächen gebildet sind, davor bewahrt werden, gebrochen oder kurzgeschlossen zu werden.
Es ist vorzuziehen, dass das erste Muster eine Gatterverdrahtung und das zweite Muster eine Gatterelektrode ist.
Durch Verwenden der oben erwähnten Trennwandstruktur kann eine Filmdicke der Gatterverdrahtung mit einer Filmdicke der Gatterelektrode angeglichen werden. Daher kann ein flaches Gebiet auf der Gatterverdrahtung, der Gatterelektrode und der Trennwand gebildet werden, und dies kann eine Verdrahtung und dergleichen, die auf den oberen Flächen gebildet sind, davor bewahren, gebrochen oder kurzgeschlossen zu werden. Folglich ist es möglich, eine Vorrichtung mit einer genauen elektrischen Eigenschaft zu realisieren.
Es ist vorzuziehen, dass das erste Muster eine Quellenverdrahtung und das zweite Muster eine Quellenelektrode ist.
Durch Verwenden der oben erwähnten Trennwandstruktur kann eine Filmdicke der Quellenverdrahtung mit einer Filmdicke der Quellenelektrode angeglichen werden. Daher kann ein flaches Gebiet auf der Quellenverdrahtung, der Quellenelektrode und der Trennwand gebildet werden, und dies kann eine Verdrahtung und dergleichen, die auf den oberen Flächen gebildet sind, davor bewahren, gebrochen oder kurzgeschlossen zu werden. Folglich ist es möglich, eine Vorrichtung mit einer genauen elektrischen Eigenschaft zu realisieren.
Eine elektrooptische Vorrichtung gemäß einem vierten Aspekt der Erfindung beinhaltet die oben erwähnte Vorrichtung. Ferner enthält eine elektronische Apparatur gemäß einem fünften Aspekt der Erfindung die oben erwähnte elektrooptische Vorrichtung.
Gemäß diesen Aspekten der Erfindung ist es möglich, eine elektrooptische Vorrichtung und eine elektronische Apparatur bereitzustellen, deren Qualität und Leistungsfähigkeit verbessert sind, da diese mit der Vorrichtung ausgestattet sind, die eine genaue elektrische Eigenschaft aufweist.
In den Aspekten der Erfindung umfasst die elektrooptische Vorrichtung eine Vorrichtung, die einen elektrooptischen Effekt aufweist, in dem ein Brechungsindex eines Materials verändert wird durch ein elektrisches Feld, und eine Lichtdurchlässigkeit wird verändert, und eine Vorrichtung, in der elektrische Energie in Lichtenergie umgewandelt wird. Im Genaueren enthält solch eine elektrooptische Vorrichtung eine Flüssigkristallanzeige, in der der Flüssigkristall verwendet wird als das elektrooptische Material, eine organische Elektrolumineszenz (EL) Vorrichtung, in der die EL als das elektrooptische Material verwendet wird, eine anorganische EL Vorrichtung, die die anorganische EL verwendet, und eine Plasmaanzeigevorrichtung, in der das Plasma als das elektrooptische Material verwendet wird, zusätzlich zu einer Elektrophoreseanzeige (EPD) Vorrichtung und einer Feldemissionsanzeige (FED).
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die Erfindung wird mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen erklärt, wobei die Zahlen sich auf gleiche Elemente beziehen, und wobei:
1 eine perspektivische Ansicht einer Tropfenausstoßvorrichtung gemäß der Erfindung ist, die schematisch die Struktur darstellt;
2 ein Diagramm zum Erklären des Mechanismus der Flüssigkeitsausstoßung durch ein Piezo-Verfahren ist;
3A eine schematische Draufsicht einer Wallstruktur ist, und 3B eine Schnittansicht der Wallstruktur ist;
4A bis 4C Schnittansichten sind, die ein Bildungsverfahren des Verdrahtungsmusters zeigen;
5A und 5B Schnittansichten sind, die ein Bildungsverfahren des Verdrahtungsmusters zeigen;
6 eine schematische Draufsicht eines Pixels in einer Anzeigenregion ist;
7A bis 7E Schnittansichten sind, die einen Bildungsprozess eines Pixels zeigen;
8A eine schematische Schnittansicht einer Wallstruktur ist, und 8B eine Schnittansicht der Wallstruktur ist;
9A eine schematische Schnittansicht einer Wallstruktur ist, und 9B eine Schnittansicht der Wallstruktur ist;
10A eine schematische Schnittansicht einer Wallstruktur ist, und 10B eine Schnittansicht der Wallstruktur ist;
11 ist eine Draufsicht auf eine Flüssigkristallanzeige, betrachtet von der Seite eines gegenüberliegenden Substrats;
12 eine Schnittansicht entlang der Linie H-H' in 9 ist.
13 ein Äquivalentschaltkreisdiagramm der Flüssigkristallanzeige ist;
14 eine vergrößerte Teilschnittansicht einer organischen Elektrolumineszenz (EL) Vorrichtung ist;
15 ein spezifisches Beispiel einer elektronischen Apparatur gemäß der Erfindung zeigt; und
16 eine perspektivische Explosionsansicht eines kontaktlosen Kartenmediums ist.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Erste Ausführungsform
Die folgende Beschreibung wird anhand von Beispielen gegeben, und sie wird von einem Fachmann so verstanden, dass Modifizierungen durchgeführt werden können, ohne sich von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu entfernen. In den Zeichnungen, auf denen sich in der folgenden Beschreibung bezogen wird, kann eine Anzeigengröße für jedes Bauteil oder Schicht unterschiedlich sein, um jedes Bauteil oder Schicht erkennbar zu machen.
(Tropfenausstoßvorrichtung)
Zuerst wird eine Tropfenausstoßvorrichtung zum Bilden eines Verdrahtungsmusters in dieser Ausführungsform mit Bezug auf 1 beschrieben.
1 ist eine perspektivische Ansicht einer Tropfenausstoßvorrichtung oder einer Tintenstrahlvorrichtung (die im folgenden als IJ bezeichnet wird), welche ein flüssiges Material auf einem Substrat durch ein Tropfenausstoßverfahren anordnet, als ein Beispiel einer Vorrichtung, die verwendet wird für das Musterbildungsverfahren der Vorrichtung, schematisch dessen Struktur anzeigenden.
Die Tropfenausstoßvorrichtung IJ hat einen Tropfenausstoßkopf 1, eine X-Richtungs-Antriebsachse 4, eine Y-Richtungs-Führungsachse 5, eine Steuerungseinheit CONT, ein Gestell 7, einen mechanischen Säuberungsabschnitt 8, einen Tisch 9 und ein Heizelement 15.
Das Gestell 7 überragt ein Substrat P, auf dem Tinte (flüssiges Material) ausgestoßen wird durch die Tropfenausstoßvorrichtung IJ. Das Gestell 7 hat eine nicht gezeigte Eigenschaft, das Substrat P in einer Referenzposition zu fixieren.
Der Tropfenausstoßkopf 1 ist ein Mehrfachdüsentypkopf, der mit einer Vielzahl von Ausstoßdüsen ausgestattet ist. Eine Y-Achsenrichtung entspricht einer longitudinalen Richtung des Tropfenausstoßkopfes 1. Eine Düse ist in der Vielzahl an einer unteren Fläche des Tropfenausstoßkopfes 1 bereitgestellt. Die Düsen sind in der Y-Achsenrichtung ausgerichtet und sind mit einem gleichmäßigen Abstand zwischen diesen bereitgestellt. Von der Düse des Tropfenausstoßkopfes 1 wird die Tinte, die das oben erwähnte Farbmittel enthält, auf das Substrat auf dem Gestell 7 ausgestoßen.
Ein X-Richtungs-Antriebsmotor 2 ist mit der X-Richtungs-Antriebsachse 4 gekoppelt. Der X-Richtungs-Antriebsmotor 2 ist ein Schrittmotor und dergleichen, und lässt die X-Richtungs-Antriebsachse 4 rotieren, wenn ein x-Richtungs-Antriebssignal von der Steuerungseinheit CONT bereitgestellt wird. Wenn die X-Richtungs-Antriebsachse 4 gedreht wird, bewegt sich der Tropfenausstoßkopf 1 in eine X-Achsenrichtung.
Die Y-Richtungs-Führungsachse 5 ist fixiert, um sich nicht gegen den Tisch 9 zu bewegen. Das Gestell 7 weist einen Y-Richtungs-Antriebsmotor 3 auf. Der Y-Richtungs-Antriebsmotor 3 ist ein Schrittmotor und dergleichen. Wenn ein Y-Richtungs-Antriebssignal von der Steuerungseinheit CONT bereitgestellt wird, bewegt der Y-Richtungs-Antriebsmotor 3 das Gestell 7 in die Y-Achsenrichtung.
Die Steuerungseinheit CONT führt eine Spannung, die den Ausstoß des Tropfens steuert, dem Tropfenausstoßkopf 1 zu. Die Steuerungseinheit CONT führt auch ein Antriebspulssignal, das eine X-Achsenrichtungsbewegung des Tropfenausstoßkopfes 1 steuert, dem X-Richtungs-Antriebsmotor 2 zu. Die Steuerungseinheit CONT führt auch ein Antriebspulssignal zum Steuern einer Y-Achsenrichtungsbewegung des Gestells 7 dem Y-Richtungs-Antriebsmotor 3 zu.
Der mechanische Reinigungsabschnitt 8 reinigt den Tropfenausstoßkopf 1. Der mechanische Reinigungsabschnitt 8 hat einen nicht dargestellten Y-Richtungs-Antriebsmotor. Der mechanische Antriebsabschnitt 8 wird angetrieben durch den Antriebsmotor und bewegt sich zusammen mit der Y-Richtungs-Führungsachse 5. Diese Bewegung des mechanischen Reinigungsabschnitts 8 wird auch durch die Steuerungseinheit CONT gesteuert.
Die Heizeinheit 15 wird verwendet zum Durchführen einer Hitzebehandlung des Substrats P durch ein Lampenglühen. Lösungsmittel, das in dem flüssigen Material enthalten ist, das auf das Substrat P aufgebracht wird, wird verdampfen und durch die Heizeinheit 15 getrocknet. Leistung zu und von der Heizeinheit wird auch von der Steuerungseinheit CONT gesteuert.
Die Tropfenausstoßvorrichtung IJ stößt einen Tropfen auf das Substrat P aus, während der Tropfenausstoßkopf 1 und das Gestell 7, das das Substrat P trägt, relativ bewegt werden. Hier ist die X-Achsenrichtung eine Abtastrichtung, und die Y-Achsenrichtung, die senkrecht zu der X-Achsenrichtung ist, ist eine Nicht-Abtastrichtung in der folgenden Beschreibung. Folglich sind die Ausstoßdüsen des Tropfenausstoßkopfes 1 in der Y-Achsenrichtung oder der Nicht-Abtastrichtung mit dem regelmäßigen Abstand zwischen zwei benachbarten Ausstoßdüsen ausgerichtet. Obwohl der Tropfenausstoßkopf 1 orthogonal zu einer Bewegungsrichtung des Substrats P in 3 platziert ist, kann dieser so platziert sein, dass dieser die Bewegungsrichtung des Substrats P durch Anpassen eines Winkels des Tropfenausstoßkopfes 1 kreuzt. Durch Anpassen des Winkels des Tropfenausstoßkopfes 1 kann ein Abstand zwischen den Düsen verändert werden. Ferner kann eine Distanz zwischen dem Substrat P und einer Düsenfläche diskret angepasst werden.
2 ist eine exemplarische Zeichnung zum Erklären eines Ausstoßmechanismus des flüssigen Materials durch ein Piezo-Verfahren.
In 2 ist ein Piezo-Element 22 angrenzend zu einem Flüssigkeitsraum 21 bereitgestellt, in dem das flüssige Material (Tinte), die für das Verdrahtungsmuster verwendet wird, (funktionale Flüssigkeit) aufbewahrt wird.
Das flüssige Material wird dem Flüssigkeitsraum 21 über ein Flüssigkeitsmaterialzuführungssystem 23 zugeführt, das einen Materialtank umfasst, der das flüssige Material speichert. Das Piezo-Element 22 ist an einen Antriebsschaltkreis 24 gekoppelt. Spannung wird an das Piezo-Element 22 über den Antriebsschaltkreis 24 angelegt, und das Piezo-Element 22 wird deformiert. Der Flüssigkeitsraum 21 wird durch die Deformierung des Piezo-Elements 22 deformiert, und das flüssige Material wird von einer Düse 25 ausgestoßen. In diesem Fall wird ein Grad der Verformung des Piezo-Elements 22 gesteuert durch Verändern eines Wertes der angelegten Spannung. Eine Verformungsgeschwindigkeit des Piezo-Elements 22 wird gesteuert durch Verwenden einer Frequenz der angelegten Spannung.
Als ein Verfahren zum Ausstoßen von Tropfen ist ein Blasenverfahren und andere bisher bekannte Techniken adaptierbar zusätzlich zu dem oben erwähnten Piezo-Verfahren, das die Tinte ausstößt durch Verwenden des piezoelektrischen Elements. In dem Blasenverfahren wird das flüssige Material aufgeheizt, um Blasen zu erzeugen, und das flüssige Material wird durch die Blasen ausgestoßen. In dem Piezo-Verfahren wird das Material nicht aufgeheizt. Daher hat das Piezo-Verfahren einen Vorteil, dass die Zusammensetzung des Materials nur schwerlich beeinflusst wird.
Eine funktionale Flüssigkeit L ist eine Dispersionsflüssigkeit, in der leitende Partikel, die in einem Dispersionsmedium oder einer Lösung verteilt sind, in der organische Silberverbindungen oder Silberoxidnanopartikel in einem Lösungsmittel (Dispersionsmedium) verteilt sind. Als leitende Partikel werden beispielsweise Metallpartikel, die Gold, Silber, Kupfer, Palladium oder Nickel und oxidierte Substanzen davon enthalten, ein leitendes Polymer oder supraleitende Partikel verwendet.
Um die Dispergierbarkeit dieser leitenden Partikel zu erhöhen, kann die Oberfläche des Partikels mit einem organischen Material beschichtet sein. Beispiele des Beschichtungsmaterials, das auf der Oberfläche der leitenden Partikel aufzubringen ist, beinhalten organische Lösungsmittel, so wie Xylol und Toluol und Zitronensäure und dergleichen.
Der Durchmesser der leitenden Partikel ist vorzugsweise oberhalb von 1 nm und unterhalb von 0,1 μm. Wenn dieser größer ist als 0,1 μm, gibt es ein Bedenken über die Verstopfung an der Düse des Flüssigkeitsausstoßkopf es, wie später beschrieben wird. Wenn dieser kleiner ist als 1 μm, wird das Volumenverhältnis des Beschichtungsmaterials zu dem Partikel groß, und das Verhältnis des organischen Materials, das in dem Film enthalten sein kann, wird übermäßig groß bzw. exzessiv.
Das Dispersionsmedium ist nicht speziell begrenzt, so lange es die oben erwähnten leitenden Partikel darin ohne Kondensierung verteilen kann. Beispielsweise enthalten die Beispiele zusätzlich zu Wasser Alkohol, so wie Methanol, Ethanol, Propanol, und Butanol, Hydrokarbonverbindungen so wie N-Heptan, N-Oktan, Dekan, Dekan, Dodekan, Tetradekan, Toluol, Xylol, Cymol, Dulen, Indent, Dipenten, Tetrahydronaphtalin, Decahydronaphthalin, Zyclohexylbenzol, Etherverbindungen, so wie Ethylenglycoldimethyl-Ether, Ethylenglycoldiethyl-Ether, Ethylenglycolmethylethyl-Ether, Diethylenglycoldimethyl-Ether, Diethylenglycoldiethyl-Ether, Diethylenglycolmethylethyl-Ether, 1,2-Dimethoxyethan, bis (2-Methoxyethyl)Ether und p-Dioxan, und polare Verbindungen, so wie Propylencarbonat, [gamma]-Butyrolazton, N-Methyl-2-Pyrolidone, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid und Zyclohexan. Unter diesen sind Wasser, Alkohol, Hydrokarbonverbindungen und Etherverbindungen vorzuziehen aus Gründen der Dispergierbarkeit der Partikel, Stabilität der Dispersionsflüssigkeit und einfache Anwendung auf das Tropfenausstoßverfahren (Tintenstrahlverfahren). Wasser und Hydrokarbonverbindungen sind besonders vorzuziehen als das Dispersionsmedium.
Es ist vorzuziehen, dass die Oberflächenspannung der Dispersionsflüssigkeit der oben erwähnten leitenden Partikeln in dem Bereich von 0,02 N/m bis 0,07 N/m ist. Dies ist so, da wenn die Flüssigkeit durch das Tropfenausstoßverfahren ausgestoßen wird, wenn die Oberflächenspannung weniger als 0,02 N/m ist, die Benetzbarkeit der Tintenzusammensetzung mit Bezug auf die Düsenfläche vergrößert wird, so dass die Ausstoßrichtung dazu tendiert, abgelenkt zu werden. Wenn die Oberflächenspannung 0,07 N/m übersteigt, wird die Form des Meniskus an der Spitze der Düse instabil, wodurch es schwierig wird, die Ausstoßmenge und die Ausstoßzeitsteuerung zu steuern. Ein guter Weg zum Anpassen der Oberflächenspannung ist es, einen kleinen Betrag eines Oberflächenspannungsmodifizierers, so wie eine Fluorgruppe, Silikongruppe, nichtionische Gruppe in die oben erwähnte Dispersionsflüssigkeit bis zu einem Maße hinzu zu geben, so dass der Kontaktwinkel mit dem Substrat nicht stark verkleinert wird. Der nichtionische Oberflächenspannungsmodifizierer erhöht die Benetzbarkeit der Flüssigkeit auf dem Substrat, verbessert die Ausgleicheigenschaft des Films, und hilft das Auftreten der exakten Rauheit auf dem Film zu vermeiden. Der oben erwähnte Oberflächenspannungsmodifizierer kann organische Verbindungen, so wie Alkohol, Ether, Ester, Keton und dergleichen gemäß dem Bedarf enthalten.
Die Viskosität der oben erwähnten Dispersionsflüssigkeit ist vorzugsweise oberhalb von 1 mPa·s und unterhalb von 50 mPa·s. Dies ist so, da wenn das flüssige Material in Tropfenform durch das Tropfenausstoßverfahren ausgestoßen wird, wenn die Viskosität kleiner ist als 1 mPa·s, das Gebiet um die Düse leicht mit ausgestoßener Tinte kontaminiert wird. Wenn die Viskosität höher ist als 50 mPa·s, wird die Frequenz der Verstopfung, die an der Düse auftritt, erhöht, wodurch es schwierig wird, Tropfen gleichmäßig auszustoßen.
(Wallstruktur)
Als nächstes wird eine Wallstruktur, auf der die funktionale Flüssigkeit (Tinte) bereitgestellt wird, gemäß dieser Ausführungsform mit Bezug auf die 3A und 3B erklärt.
3A ist eine schematische Draufsicht einer Wallstruktur, und 3B ist eine Schnittansicht der Wallstruktur.
Wie in 3 gezeigt, besteht die Wallstruktur in dieser Ausführungsform aus einem Wall 34, der auf einem Substrat 48 gebildet ist, und einer Fuge, die auf dem Wall 34 entsprechend einem vorbestimmten Verdrahtungsmuster gebildet ist.
Die Fuge, die auf dem Wall 34 entsprechend dem vorbestimmten Verdrahtungsmuster gebildet ist, beinhaltet einen ersten Fugenabschnitt 55 und einen zweiten Fugenabschnitt 56. Der erste Fugenabschnitt 55 ist so gebildet, dass sich dieser in die X-Achsenrichtung in 1 erstreckt und eine Breite H1 aufweist. Die Breite H1 dieses ersten Fugenabschnitts 55 ist hier gleich oder größer als der Flugdurchmesser der funktionalen Flüssigkeit, die von der oben erwähnten Tropfenausstoßvorrichtung IJ ausgestoßen wird.
Der zweite Fugenabschnitt 56 ist mit dem ersten Fugenabschnitt 55 auf eine im Wesentlichen orthogonale Richtung verbunden und so gebildet, dass sich dieser in die Y-Achsenrichtung in 1 erstreckt. Der zweite Fugenabschnitt 56 weist eine Breite H2 auf, die kleiner ist als die Breite H1 des ersten Fugenabschnittes 55. Mit einer solchen Struktur kann die funktionale Flüssigkeit L in den zweiten Fugenabschnitt 56 von dem ersten Fugenabschnitt 55 durch Verwenden des Kapillarphänomens fließen.
Als nächstes wird eine Struktur eines konvexen Abschnitts 35, der in dem ersten Fugenabschnitt 55 in dieser Ausführungsform gebildet ist, mit Bezug auf die 3A und 3B beschrieben. Ein Einlass in dem zweiten Fugenabschnitt 56, wo die funktionale Flüssigkeit einfließt, wird im folgenden als Funktionalflüssigkeits-Zuflusstor 37 bezeichnet.
Wie in den 3A und 3B gezeigt, ist der konvexe Abschnitt 35 auf dem Grund bzw. Boden des ersten Fugenabschnittes 55 in einer Vielzahl bereitgestellt. Jeder konvexe Abschnitt 35 hat eine vorbestimmte Dicke (Höhe) und eine rechteckige Form, wenn von oben betrachtet. Die konvexen Abschnitte sind auf dem Grund des ersten Fugenabschnitts 55 gemäß einem vorbestimmten Anordnungsmuster angeordnet. Im Genaueren ist der konvexe Abschnitt 55 auf dem Grund des ersten Fugenabschnitt 55 so gebildet, dass dieser eine Region S, die auf dem Grund des ersten Fugenabschnitts 55 wie in 3A gezeigt ist, umgibt. Die Region S ist dort, wo sich der erste Fugenabschnitt 55 und der zweite Fugenabschnitt 56 vereinen, und um genauer zu sein ist es die Region, wo sich eine Achse, die einen Mittelpunkt der Breite H2 des zweiten Fugenabschnitts 56 in der Y-Achsenrichtung und eine Achse, die einen Mittelpunkt der Breite H1 des ersten Fugenabschnitts 55 in der X-Achsenrichtung durchläuft, einander kreuzen. Mit anderen Worten ist die Region S, die auf dem Grund des ersten Fugenabschnitts 55 bereitgestellt ist, so platziert, dass diese koaxial das Funktionalflüssigkeits-Einflusstor 37 des zweiten Fugenabschnittes 56 überlappt. Darüber hinaus ist die Region S eine hypothetische Region, die auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 bereitgestellt ist.
In einem Fall, wo die Region S ein Kreis ist, wenn von oben betrachtet, ist der Durchmesser des Kreises mindestens größer als die Breite H2 des zweiten Fugenabschnittes 56. Dies bedeutet, dass der Durchmesser im Wesentlichen so groß oder größer ist als der Flugdurchmesser der funktionalen Flüssigkeit L. Dadurch ist die funktionale Flüssigkeit L, die in der Region S bereitgestellt ist, umgeben von dem konvexen Abschnitt 35. Der konvexe Abschnitt 35 kann temporär die funktionale Flüssigkeit absperren, in den ersten Fugenabschnitt 55 zu fließen, und dann fließt die temporär überhöhte funktionale Flüssigkeit in den zweiten Fugenabschnitt 56.
Als nächstes wird das Anordnungsmuster des konvexen Abschnittes 35 beschrieben.
Der konvexe Abschnitt 35 ist in zwei Linien in der Y-Achsenrichtung auf der rechten Seite und der linken Seite von der Region S, wie in 3 gezeigt, angeordnet. Der konvexe Abschnitt 35, der auf der linken Seite der Region S angeordnet ist, und der andere konvexe Abschnitt 35, der auf der rechten Seite der Region S platziert ist, sind mit einer Distanz so groß wie der Durchmesser der Region S dazwischen bereitgestellt. Jeder konvexe Abschnitt 35 hat eine rechteckige Form, und dessen längere Seite ist parallel mit der Y-Achsenrichtung platziert, und dessen kürzere Seite ist parallel mit der X-Achsenrichtung platziert. Der konvexe Abschnitt 35 kann auch so angeordnet sein, dass dieser geneigt ist und einen bestimmten Winkel von der X-Achse und der Y-Achse aufweist.
Ein Intervall H3 zwischen den zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35 in der Y-Achsenrichtung ist kleiner als die Breite H2 des zweiten Fugenabschnittes 56, wie in 3A gezeigt. Dadurch ist es möglich, einen internen Druck des zweiten Fugenabschnittes 56 kleiner zu gestalten als einen internen Druck der zwei benachbarten konvexen Abschnitte 35. Folglich kann die funktionale Flüssigkeit L, die temporär auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 überhöht ist, in den zweiten Fugenabschnitt 56 fließen, wo der interne Druck niedrig ist. Darüber hinaus ist es vorzuziehen, dass ein Intervall zwischen den konvexen Abschnitten 35 und dem Wall 34 auch kleiner ist als die Breite H2 des zweiten Fugenabschnittes 56 zusätzlich zu dem oben erwähnten Intervall zwischen den zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35.
Der konvexe Abschnitt, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, hat eine Höhe H14, die kleiner ist als eine Höhe H15 des Walls 34, wie in 3B gezeigt. In dieser Ausführungsform wird eine Behandlung, um eine lyophobe Qualität zu verleihen, auch auf die obere Fläche des Walls 34 angewendet. Jedoch ist der konvexe Abschnitt 35 gebildet durch Modifizieren eines Teils des Walls 34, wie später beschrieben wird, und dessen obere Fläche wird entfernt durch eine Halbtonbelichtung und Entwicklung, und die Höhe des konvexen Abschnitts 35 wird kleiner als ein Trennwall. Dabei wird eine lyophobe Qualität der oberen Fläche des konvexen Abschnittes 35 nicht verliehen, und die funktionale Flüssigkeit L kann auf der oberen Fläche des konvexen Abschnittes 35 bereitgestellt werden. Auf diese Art und Weise ist es möglich, die Querschnittsfläche des Musters zu erhöhen, wodurch der Widerstand des Musters verringert wird.
Gemäß dieser Ausführungsform werden die Vielzahl der konvexen Abschnitte 35 und der Wall 34 so gebildet, dass diese die Region S wie in 3A gezeigt, umgeben. Dadurch kann das Funktionalflüssigkeits-Zuflusstor 37 des zweiten Fugenabschnittes 56 geöffnet werden, und die Region S kann durch die konvexen Abschnitte 35 und den Wall 34 aufgeteilt werden. Wenn die funktionale Flüssigkeit L in der Region S bereitgestellt wird, wird daher die funktionale Flüssigkeit L eingedämmt durch den konvexen Abschnitt 35 und den Wall 34. Die eingedämmte funktionale Flüssigkeit L fließt dann in Richtung des geöffneten zweiten Fugenabschnittes 56. Auf dieser Art und Weise kann der Zufluss der funktionalen Flüssigkeit in den zweiten Fugenabschnitt 56 erhöht werden, und dies kann die Filmdicke des Verdrahtungsmusters, das in dem ersten Fugenabschnitt 55 gebildet ist, mit der Filmdicke des Verdrahtungsmusters, das in dem zweiten Fugenabschnitt 56 gebildet ist, angleichen. Folglich sind die oberen Flächen der funktionalen Flüssigkeit L, die in dem ersten Fugenabschnitt 55 und dem zweiten Fugenabschnitt 56 angeordnet sind, angeglichen, und dies verhindert, dass die Verdrahtung und dergleichen, die auf der oberen Fläche gebildet ist, bricht oder kurzgeschlossen wird.
(Wallstruktur und Musterbildungsverfahren)
4 ist eine Schnittansicht, die einen Bildungsprozess eines Musters und der Wallstruktur zeigt. Die linken Figuren in 4 sind Schnittansichten entlang der Linie D-D' in 3, die Schritte des Bildens eines Verdrahtungsmusters 40 in dem ersten Fugenabschnitt 55 zeigen. Die mittleren Figuren in 4 sind Schnittansichten entlang der Linie B-B' in 3, die Schritte des Bildens eines Verdrahtungsmusters 41 in dem zweiten Fugenabschnitt 56 zeigen. Die rechten Figuren in 4 sind Schnittansichten entlang der Linie C-C' in 3, die Schritte des Bildens des Verdrahtungsmusters 40 und 41 in dem ersten Fugenabschnitt 55 und dem zweiten Fugenabschnitt 56 zeigen. Die 5A und 5B sind Schnittansichten, die ein Bildungsverfahren des Verdrahtungsmusters zeigen.
(Wallmaterialaufbringungsprozess)
Als erstes wird ein Wallmaterial auf die gesamte Fläche des Substrats durch ein Rotationsbeschichtungsverfahren, wie in 4A gezeigt, aufgebracht. Das Substrat 48 kann aus verschiedenen Materialien gebildet sein, so wie Glas, Quarzglas, Si-Wafer, Plastikfilm, Metallplatte und dergleichen. Das Wallmaterial enthält photosensitives Acrylharz oder isolierendes Material, so wie Polymidharz und lyophiles Material. Daher kann das Wallmaterial auch als ein Fotolack dienen, so dass ein Schritt des Aufbringens eines Fotolacks weggelassen werden kann. Ferner, wenn eine Fuge in dem Wallmaterial gebildet wird, kann die innere Fläche der Fuge im Voraus lyophil sein. Ferner ist es auch vorzuziehen, dass eine Basisschicht, die aus einem Halbleiterfilm, einem Metallfilm, einem dielektrischen Film, einem organischen Film und dergleichen gebildet ist, auf der Fläche des Substrats 48 gebildet wird. Für das Verfahren des Aufbringens des oben erwähnten Wallmaterials können verschiedene Verfahren, so wie Rotationsbeschichtung, Sprühbeschichtung, Rollenbeschichtung, Farbstoffbeschichtung, Eintauchbeschichtung und dergleichen angepasst werden.
(Lyophober Behandlungsprozess)
Eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines fluorhaltigen Gases, so wie CF₄, SF₆, CHF₃ und dergleichen wird für die Fläche des Wallmaterials durchgeführt, das auf der gesamten Fläche des Substrats 48 aufgebracht ist. Diese Plasmabehandlung verleiht der Oberfläche des Wallmaterials eine lyophobe Qualität. Als ein Verfahren zum Verleihen der lyophoben Qualität kann beispielsweise die Plasmabehandlung (CF₄ Plasmabehandlung) unter Verwendung von Tetrafluormethan als ein Behandlungsgas in einer Raumatmosphäre angepasst werden. Bedingungen der CF₄ Plasmabehandlung in dieser Ausführungsform sind beispielsweise wie folgt eingestellt: 50–1000 W Plasmaleistung, 50–100 ml/min Tetrafluormethan Gasflussrate, 0,5–1020 mm/sec Substrattransportgeschwindigkeit gegenüber einer Plasmaentladungselektrode, und 70–90°C Substrattemperatur.
Als ein Behandlungsgas kann zusätzlich zu Tetrafluormethan ein anderes Fluorkarbon basiertes Gas verwendet werden. Es ist auch vorzuziehen, dass die oben erwähnte lyophobe Behandlung durchgeführt wird, nachdem eine Fuge, die ein vorbestimmtes Muster aufweist, auf dem Wallmaterial gebildet ist, wie später beschrieben wird. In diesem Fall kann ein Mikrokontaktdruckverfahren angewendet werden. Ferner, anstelle des Durchführens einer solchen Behandlung, kann eine lyophobe Verbindung (Fluorgruppe und dergleichen) in das Wallmaterial an sich im Voraus gefüllt werden. In diesem Fall muss die CF₄ Plasmabehandlung und dergleichen nicht durchgeführt werden.
Darüber hinaus können selbst angepasste Monoschichten (SAMs, Englisch: self-assembled monolayers), in denen Verbindungen orientiert sind, so dass Fluoralkylgruppen in der Fläche der Schicht positioniert sind, gebildet werden unter Verwendung von Fluoralkylsilan (FAS). In diesem Fall wird die Lyophobie der Fläche des Wallmaterials gleichmäßig verliehen.
Als die chemischen Verbindungen, die die SAMs bilden können, können Fluoralkylsilane (im Folgenden als „FAS" bezeichnet) verwendet werden, so wie Heptadecafluor-1,1,2,2Tetrahydrodecil-Triethoxysilan, Heptadecafluor-1,1,2,2Tetrahydrodecil-Trimethoxysilan, Heptadecafluor-1,1,2,2Tetrahydrodecil-Trichlorsilan, Heptadecafluor-1,1,2,2Tetrahydrooctyl-Triethoxylsilan, Heptadecalfluor-1,1,2,2Tetrahydrooctyl-Trimethoxysilan, Heptadecalfuoro-1,1,2,2Tetrahydrooctyl-Trichlorsilan und Trifluoropropyltrimethoxysilan. Diese Verbindungen können allein oder in Kombination verwendet werden. Die SAMs, die aus organischen molekularen Film und dergleichen gebildet sind, sind auf einem Substrat gebildet durch Bereitstellen der oben erwähnten chemischen Verbindung und des Substrats in einen gleichen, hermetisch abgedichteten Behälter und Belassen dieser bei Raumtemperatur für einige Tage. Dies ist ein Bildungsverfahren in der Dampfphase. Die SAMs können auch gebildet werden durch ein Bildungsverfahren in der Flüssigkeitsphase. Beispielsweise können die SAMs gebildet werden auf einem Substrat durch Eintauchen des Substrats in eine Lösung, die die Verbindungen enthält, und anschließende Säuberung und Trocknung des Substrats.
Als nächstes werden die konvexen Abschnitte 35 in dem ersten Fugenabschnitt 55, dem zweiten Fugenabschnitt 56 und dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 durch eine Lithographie unter Verwendung einer Halbtonmaske, wie in 4B gezeigt, gebildet. Die Halbtonmaske ist eine Fotomaske, die einen blockierenden Abschnitt aufweist, der das Belichtungslicht von einer Fotolithographiemaschine abschirmt, einen Übertragungsabschnitt, der das Belichtungslicht komplett überträgt, und einen teildurchlässigen Abschnitt, der das Belichtungslicht teilweise durchlässt. Ein Muster des Brechungsgitters besteht aus einem Gitter und dergleichen, und ist auf dem teildurchlässigen Abschnitt der Fotomaske angeordnet, so dass die Intensität des Belichtungslichtes, das die Maske penetriert, gesteuert werden kann. Als fotochemische Reaktion, die in dem Entwicklungsprozess in der folgenden Fotolithographie verwendet wird, wird ein Fotolack vom positiven Typ verwendet.
Die Wallregion, die sich auf den konvexen Abschnitt 35 bezieht, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, wird belichtet durch den teildurchlässigen Fotomaskenabschnitt der Halbtonmaske. Im Genaueren ist der teildurchlässige Fotomaskenabschnitt ausgerichtet durch Verwenden der Region S, die hypothetisch bereitgestellt ist auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 als ein Referenzpunkt, und dann wird die Belichtung und der Entwicklungsprozess ausgeführt. Auf diese Art und Weise kann das Belichtungslicht, das die Wallregion belichtet, die sich auf den konvexen Abschnitt 35 bezieht, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, gesteuert werden, und das Wallmaterial 34 kann weniger durch die Belichtung geschmolzen werden.
Die Wallregion, die sich auf den ersten Fugenabschnitt 55 und den zweiten Fugenabschnitt 56 bezieht, wird simultan belichtet durch Verwenden des durchlässigen Fotomaskenabschnitts der Halbtonmaske, der das Belichtungslicht komplett durchlässt. Dadurch wird die Region (Wallmaterial), die sich auf den ersten Fugenabschnitt 55 und den zweiten Fugenabschnitt 56 bezieht, mit dem Belichtungslicht bestrahlt, das die Maske komplett penetriert.
Ferner wird eine Wallregion, die unterschiedlich ist zu der Region, die sich auf den ersten Fugenabschnitt 55 und den zweiten Fugenabschnitt 56 bezieht, simultan exponiert durch Verwenden des blockierenden Abschnitts der Halbtonmaske, der das Belichtungslicht blockiert. Dadurch wird die oben erwähnte Region nicht mit dem Belichtungslicht bestrahlt, und der Wall 34 wird in dem Entwicklungsprozess nicht geschmolzen.
Anschließend wird der Entwicklungsprozess gemäß dem oben beschriebenen Maskenmuster durchgeführt. In dem teildurchlässigen Fotomaskenabschnitt wird der konvexe Abschnitt 35, der an dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 angeordnet ist, in dem oben beschriebenen Anordnungsmuster gebildet. Hier sind die konvexen Abschnitte 35 so gebildet, um ein Intervall H3 zwischen den zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35 in der Y-Achsenrichtung kleiner als die Breite H2 des zweiten Fugenabschnittes 56 zu bilden. Auf diese Art und Weise ist es möglich, den internen Druck des zweiten Fugenabschnittes 56 kleiner zu gestalten als den internen Druck der zwei benachbarten konvexen Abschnitte 35, und als ein Ergebnis kann die funktionale Flüssigkeit L in den zweiten Fugenabschnitt 56 fließen, wo der interne Druck niedrig ist. Ferner ist der Wall 34 belichtet und entwickelt, so dass der konvexe Abschnitt 35, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, die Höhe aufweist, die kleiner ist als die Höhe des Walls 34, wie oben beschrieben. Auf diese Art und Weise kann die obere Fläche des konvexen Abschnittes 35, wo die lyophobe Behandlung durchgeführt wird, entfernt werden durch die Belichtung und die Entwicklung. Auf die oben beschriebene Art und Weise wird der Wall 34 in die Vielzahl der konvexen Abschnitte 35 transformiert durch Belichten und Entwickeln des Walls 34.
Darüber hinaus werden in dem durchlässigen Fotomaskenabschnitt der Halbtonmaske, der das Belichtungslicht komplett durchlässt, der erste Fugenabschnitt 55, der die Höhe H1 aufweist, und der zweite Fugenabschnitt 56, der die Höhe H2 aufweist, gebildet. Hier wird die lyophile Qualität den Oberflächen des ersten Fugenabschnitts 55, des zweiten Fugenabschnitts 56 und des konvexen Abschnitts 35 verliehen, da das Wallmaterial das lyophile Material, wie oben beschrieben, ist. Eine obere Fläche 34A des ersten Fugenabschnittes 55 und des zweiten Fugenabschnittes 56 hat die lyophobe Qualität, da die lyophobe Behandlung wie oben beschrieben durchgeführt wurde.
(Funktionalflüssigkeitsaufbringungsprozess)
Wie in den 4C und 5A gezeigt, ist die funktionale Flüssigkeit L, die das Material ist, das verwendet wird zum Bilden des Verdrahtungsmusters, in dem ersten Fugenabschnitt 35 durch die Tropfenausstoßvorrichtung IJ angeordnet. In dieser Ausführungsform ist der zweite Fugenabschnitt 56 in einer zweiten Region das genaue Verdrahtungsmuster. Die Breite H3 des zweiten Fugenabschnitts 56, der in dem Wallmaterial 34 gebildet ist, ist so schmal, dass es schwierig ist, die funktionale Flüssigkeit L dort direkt durch die Tropfenausstoßvorrichtung IJ anzuordnen. Aus diesem Grund wird die funktionale Flüssigkeit L in dem zweiten Fugenabschnitt 56 angeordnet durch Verwenden des Kapillarphänomens, wobei die funktionale Flüssigkeit L, die in dem ersten Fugenabschnitt 55 bereitgestellt ist, in den zweiten Fugenabschnitt 56 fließen gelassen wird.
Die funktionale Flüssigkeit L, die in dem ersten Fugenabschnitt 55 durch die Tropfenausstoßvorrichtung IJ bereitgestellt ist, breitet sich flüssig in dem ersten Fugenabschnitt 55, wie in den 4C und 5A gezeigt, aus. Hier ist die funktionale Flüssigkeit L in der Region platziert, die die Region S umfasst, die an dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 bereitgestellt ist.
Die funktionale Flüssigkeit L, die in dem ersten Fugenabschnitt 55 bereitgestellt wird, wird temporär durch den konvexen Abschnitt 35, der in dem ersten Fugenabschnitt 55 gebildet ist, und der Wand des Walls 34 überhöht, und dann fließt die temporär überhöhte funktionale Flüssigkeit in Richtung des zweiten Fugenabschnitts 56, wo die Behinderung, so wie der konvexe Abschnitt, nicht gebildet ist. Auf diese Art und Weise wird das Kapillarphänomen unterstützt bzw. gefördert, was bewirkt, dass die funktionale Flüssigkeit in den zweiten Fugenabschnitt 56 fließt. Folglich wird das Verdrahtungsmuster 40 (erstes Muster) in dem ersten Fugenabschnitt 55 gebildet, und das Verdrahtungsmuster 41 (zweites Muster) wird in dem zweiten Fugenabschnitt 56 gebildet.
Gemäß der Ausführungsform wird eine Vielzahl von konvexen Abschnitten 35 an dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet. Dabei kann der Zufluss der funktionalen Flüssigkeit L in den zweiten Fugenabschnitt 56 erhöht werden, und dies kann die Filmdicke des ersten Verdrahtungsmusters, das in dem ersten Fugenabschnitt 55 gebildet ist, mit der Filmdicke des zweiten Verdrahtungsmusters, das in dem zweiten Fugenabschnitt 56 gebildet ist, ausgleichen, wie in 4D gezeigt. Folglich sind die oberen Flächen der funktionalen Flüssigkeit L, die in dem ersten Fugenabschnitt 55 und dem zweiten Fugenabschnitt 56 angeordnet sind, angeglichen, und dies schützt die Verdrahtung und dergleichen, die auf der oberen Fläche gebildet sind, davor gebrochen oder kurzgeschlossen zu werden.
(Zwischentrocknungsprozess)
Nachdem die funktionale Flüssigkeit L in dem ersten Fugenabschnitt 55 und dem zweiten Fugenabschnitt 56 angeordnet ist und die Verdrahtungsmuster 40 und 41 gebildet sind, wird, wenn notwendig, ein Trocknungsprozess durchgeführt. Dadurch wird das Dispersionsmedium der funktionalen Flüssigkeit L entfernt, und die Filmdicke des Musters kann gesichert werden. Der Trocknungsprozess kann durchgeführt werden durch ein üblicherweise verwendetes Heizverfahren zum Heizen des Substrats 48, z. B. eine heiße Platte, ein elektrischer Ofen, Lampenglühen und dergleichen. Die Lichtquelle des Lampenglühens ist nicht speziell begrenzt, obwohl eine Infrarotlampe, eine Xenonlampe, ein YAG-Laser, ein Argonlaser, ein Kohlendioxidgaslaser, ein Excimerlaser so wie XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF und ArCl als die Lichtquelle verwendet werden können. Diese Lichtquellen werden im Allgemeinen in einem Ausgabebereich von oberhalb von 10 W und unterhalb von 5000 W verwendet. Jedoch ist einer in einem Bereich von oberhalb von 100 W und unterhalb von 1000 W ausreichend für diese Ausführungsform. Ferner kann, wenn notwendig, der Funktionalflüssigkeitsanordnungsprozess wiederholt durchgeführt werden nach dem Zwischentrocknungsprozess, um eine gewünschte Filmdicke zu erhalten.
(Backprozess)
Wenn ein leitendes Material in der funktionalen Flüssigkeit L beispielsweise die organische Silberverbindung ist, ist es notwendig, das organische Material von der organischen Silberverbindung zu entfernen und es zu einem Silberpartikel zu machen, um elektrische Leitfähigkeit zu erzielen. Aus diesem Grund ist es vorzuziehen, dass das Substrat, auf dem die funktionale Flüssigkeit angeordnet ist, mit Hitze und/oder Licht behandelt wird. Die Hitzebehandlung und die Lichtbehandlung werden normalerweise in Luft durchgeführt. Jedoch können diese auch in einer Inertgas-Atmosphäre so wie Wasserstoff, Stickstoff, Argon und Helium durchgeführt werden. Die Temperatur der Hitzebehandlung und der Lichtbehandlung wird bestimmt unter Berücksichtigung des Kochpunktes (Dampfdruck) des Dispersionsmediums, der Art und des Drucks der Gasatmosphäre, dem thermischen Verhalten, so wie der Dispergierbarkeit oder der Oxidierbarkeit der Partikel der Anwesenheit/Abwesenheit von Beschichtungen, und der Hitzebeständigkeitstemperatur des Substrats.
Beispielsweise ist es notwendig bei einer Temperatur von etwa 200°C zu Backen, um das organische Material aus der organischen Silberverbindung zu entfernen. In einem Fall eines Plastiksubstrats ist es vorzuziehen, bei einem Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 100°C zu Backen.
Durch den oben beschriebenen Prozess verbleibt das Silberpartikel, das das leitende Material (organische Silberverbindung) in der funktionalen Flüssigkeit L ist, und die funktionale Flüssigkeit L wird in den leitenden Film transformiert. Dadurch kann das leitende Muster als ein kontinuierlicher Film, der das Leitungsmuster 40 und 41 ist, wie in 4D gezeigt, gebildet werden.
Als nächstes wird ein Pixel, das gebildet wird durch Verwenden der Wallstruktur der oben beschriebenen Ausführungsform, und ein Verfahren zum Bilden des Pixels mit Bezug auf die 6 bis 8 beschrieben.
(Pixelstruktur)
6 zeigt eine Struktur des Pixels gemäß dieser Ausführungsform. Das Pixel enthält eine Gatterverdrahtung 40 (das erste Muster), eine Gatterelektrode 41 (das zweite Muster), die gebildet ist, um sich von der Gatterverdrahtung 40 zu erstrecken, eine Quellenverdrahtung 42 (das erste Muster) eine Quellenelektrode 43 (das zweite Muster), die gebildet ist, um sich von der Quellenverdrahtung 42 zu erstrecken, eine Drain-Elektrode 44 und eine Pixelelektrode 45, die elektrisch mit der Drain-Elektrode 44 gekoppelt ist. Die Gatterverdrahtung 40 ist gebildet, um sich in die X-Achsenrichtung zu erstrecken, und die Quellenverdrahtung 42 ist gebildet, um sich in die Y-Achsenrichtung zu erstrecken, die Gatterverdrahtung kreuzend. Ein Dünnfilmtransistor (TFT, Englisch: thin film transistor), der ein Schaltelement ist, ist in der Nähe der Kreuzung der Gatterverdrahtung 40 und der Quellenverdrahtung 42 gebildet. Ein Antriebsstrom wird der Pixelelektrode 45, die elektrisch mit dem TFT gekoppelt ist, durch Schalten des TFTs in den AN-Zustand zugeführt.
Wie in 6 gezeigt, ist hier die Breite H2 der Gatterelektrode 41 kleiner als die Breite H1 der Gatterverdrahtung 40. Beispielsweise ist die Breite H2 der Gatterelektrode 41 10 μm und die Breite H1 der Gatterverdrahtung 40 ist 20 μm. Darüber hinaus ist die Breite H5 der Quellenelektrode 43 kleiner als die Breite H6 der Quellenverdrahtung 42. Beispielsweise ist die Breite H5 der Quellenelektrode 43 10 μm und die Breite H6 der Quellenverdrahtung 42 ist 20 μm. Durch Bilden der Verdrahtungen und der Elektroden auf diese Art und Weise kann die funktionale Flüssigkeit L in das genaue Muster durch das Kapillarphänomen fließen, selbst wenn das genaue Muster (die Gatterelektrode 41 und die Quellenelektrode 42) so schmal ist, dass die funktionale Flüssigkeit L nicht direkt ausgestoßen werden kann.
(Verfahren zum Bilden von Pixel)
7A bis 7E sind Querschnitte entlang der Linie E-E' in 6, die einen Bildungsprozess des Pixels zeigen.
In dieser Ausführungsform wird das Pixel, das die Gatterelektrode, die Quellenelektrode und die Drain-Elektrode eines Grund-Gattertyp TFT 30 enthält, gebildet durch Verwenden des oben erwähnten Verfahrens zum Bilden der Wallstruktur und des Musters. Der gleiche Prozess wie der oben beschriebene Musterbildungsprozess, der in den 4A bis 4D und 5A bis 5B gezeigt ist, wird in der folgenden Beschreibung durchgeführt. Daher wird die Beschreibung dieser Prozesse weggelassen. Ferner wird das Muster 41, das in dem oben beschriebenen Prozess gebildet wird, als die Gatterelektrode in der folgenden Beschreibung des Verfahrens zum Bilden eines Pixels bezeichnet. Die identischen Bezugszeichen werden den gleichen Strukturen und Elementen wie denen der oben beschriebenen Ausführungsform gegeben.
Wie in 7A gezeigt, wird ein Gatterisolationsfilm 39 auf einer flachen Seite des Walls gebildet, der die Verdrahtungsmuster enthält, die in den in den 4A bis 4D gezeigten Prozessen durch ein plasmachemisches Aufdampfungs-(CVD: Englisch: plamsa chemical vapor desposition) Verfahren und dergleichen gebildet sind. Hier wird Siliziumnitrid für den Gatterisolationsfilm 39 verwendet. Anschließend wird ein aktiver Film auf dem Gatterisolationsfilm 39 gebildet. Dann wird, wie in 7A gezeigt, ein amorpher Silikonfilm 48 durch Fotolithographie und Ätzen gestaltet, so dass dieser eine vorbestimmte Form aufweist.
Als nächstes wird eine Kontaktschicht 47 auf dem amorphen Silikonfilm 46 gebildet. Anschließend wird das Gestalten zum Bilden eines vorbestimmten Musters durch die Fotolithographie und das Ätzen, wie in 7A gezeigt, durchgeführt. Die Kontaktschicht 47 wird gebildet durch Verwenden eines n⁺-Typ-Silikonfilms und Verändern des Materialgases und der Plasmabedingungen.
Wie in 6B gezeigt, wird als nächstes das Wallmaterial auf der gesamten Fläche, die die Fläche der Kontaktschicht 47 beinhaltet, durch das Rotationsbeschichten aufgebracht. Der Wall sollte optisch transparent und lyophob sein. Daher können als das Wallmaterial polymere Materialien, so wie ein Acrylharz, Polymidharz, Olefinharz und Melaminharz geeignet verwendet werden. Im Genaueren wird Polysilazan, das eine anorganische Struktur aufweist, aus Gründen der Hitzeresistenz und Durchlässigkeit verwendet. Um dem Wallmaterial die lyophobe Qualität zu verleihen, wird die CF₄-Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases durchgeführt (das eine Fluorkomponente enthält). Anstelle des Durchführens einer solchen Behandlung kann die lyophobe Komponente (Fluorgruppe und dergleichen) vorzugsweise in das Wallmaterial an sich direkt im Voraus gefüllt werden. In diesem Fall muss die CF₄ Plasmabehandlung und dergleichen nicht durchgeführt werden. Vorzugsweise ist zu gewährleisten, dass der Kontaktwinkel der funktionalen Flüssigkeit L mit Bezug auf das Wallmaterial, das in der oben beschriebenen Art und Weise lyophob zu gestalten ist, oberhalb von 40° ist.
Als nächstes wird ein Quelle/Drain-Elektrodenwall 34b gebildet, dessen Größe 1/20 bis 1/10 der eines Pixels ist. Im Genaueren wird ein Quellenelektrodenfugenabschnitt 43a an einer Position gebildet, die mit der Quellenelektrode in dem Bankmaterial 34 korrespondiert, das auf der oberen Fläche des Gatterisolierungsfilms 39 durch den fotolithographischen Prozess aufgebracht wird. Ein Drain-Elektrodenfugenabschnitt 44a wird auch an einer Position gebildet, die mit der Drain-Elektrode 44 korrespondiert. Zur gleichen Zeit wird die Vielzahl der konvexen Abschnitte 35, die das vorbestimmte Anordnungsmuster aufweisen, in einem Quellenverdrahtungsfugenabschnitt (nicht dargestellt in den Figuren) auf die gleiche Art und Weise gebildet, wie diejenigen an dem Grund des Gatterverdrahtungsfugenabschnitts 55.
Als nächstes wird die funktionale Flüssigkeit L in dem Quellenelektrodenfugenabschnitt 43a und dem Drain-Elektrodenfugenabschnitt 44a, der in dem Quelle/Drain-Elektrodenwall 34b gebildet ist, angeordnet, um die Quellenelektrode 43 und die Drain-Elektrode 44 zu bilden. Um genauer zu sein, wird erstens die funktionale Flüssigkeit L in dem Quellenverdrahtungsfugenabschnitt angeordnet durch die Tropfenausstoßvorrichtung IJ (nicht in den Figuren gezeigt). Die Breite H5 der Quellenelektrode 43 ist kleiner als die Breite H6 der Quellenverdrahtung 42, wie in 6 gezeigt. Dadurch schließt der konvexe Abschnitt temporär die funktionale Flüssigkeit L ab, die in dem Quellenverdrahtungsfugenabschnitt bereitgestellt ist, und dann fließt die temporär überhöhte funktionale Flüssigkeit L in den Quellenelektrodenfugenabschnitt 43a durch das Kapillarphänomen. Auf diese Art und Weise ist die Quellenelektrode 43 wie in 7C gezeigt gebildet. Auf die gleiche Art und Weise wird die Drain-Elektrode 44 auch gebildet.
Als nächstes wird der Quellen/Drain-Elektrodenwall 34b entfernt, nachdem die Quelleelektrode 43 und die Drain-Elektrode 44, wie in 7C gezeigt, gebildet sind. Im Wesentlichen wird der N⁺-Siliziumfilm der Kontaktschicht 47, die zwischen der Quellenelektrode 43 und der Drain-Elektrode 44 gebildet ist, geätzt durch Verwenden der Quellenelektrode 43 und der Drain-Elektrode 44, die auf der Kontaktschicht 47 als eine Maske verbleiben. Durch diesen Ätzprozess wird der N⁺-Siliziumfilm der Kontaktschicht 47 entfernt, die zwischen der Quellenelektrode 43 und der Drain-Elektrode 44 gebildet ist, und ein Teil des amorphen Siliziumfilms 46, der unter dem N⁺-Siliziumfilm gebildet ist, wird belichtet. Auf diese Art und Weise wird eine Quellenregion 32, die aus N⁺-Silizium besteht, unter der Quellenelektrode 43 gebildet, und eine Drain-Region 43, die aus dem N⁺-Silizium besteht, wird unter der Drain-Elektrode 44 gebildet. Ferner wird eine Kanalregion, die aus dem amorphen Silizium (amorpher Siliziumfilm 46) besteht, unter der Quellenregion 32 und der Drain-Region 33 gebildet.
Der TFT des Grundgattertyps 30 wird durch den oben beschriebenen Prozess gebildet.
Mit dem Musterbildungsverfahren gemäß der Ausführungsform kann die Filmdicke der Quellenverdrahtung 42 mit der Filmdicke der Quellenelektrode 43 angeglichen werden, und die oberen Flächen dieser Regionen können also angeglichen werden. Folglich, selbst wenn ein vorbestimmtes Muster weiter auf der angeglichenen Region gebildet wird, kann das Brechen des Musters, Kurzschließen und dergleichen, die durch den Schritt verursacht werden, vermieden werden. Darüber hinaus wird die lyophobe Behandlung auf der oberen Fläche des Quellen/Drain-Elektrodenwalls 34b durchgeführt, und die inneren Flächen des oben erwähnten Quellenelektrodenfugenabschnitts 43a und des Drain-Elektrodenfugenabschnitts 44a sind lyophob. Daher wird die funktionale Flüssigkeit L nicht aus der Fuge fließen, und das genaue Verdrahtungsmuster kann gebildet werden.
Als nächstes wird, wie in 7b gezeigt, ein Passivierungsfilm 38 (Schutzfilm) auf der Quellenelektrode 43, der Drain-Elektrode 44, der Quellenregion 32, der Drain-Region 33 und der belichteten Siliziumschicht durch Abscheidung oder Bespritzen und dergleichen gebildet. Anschließend wird der Passivierungsfilm 38, der auf dem Gatterisolierungsfilm 39 positioniert ist, wo die nachfolgend erwähnte Pixelelektrode 45 gebildet ist, entfernt durch die Fotolithographie und durch das Ätzen. Zur gleichen Zeit wird ein Kontaktloch 49 in dem Passivierungsfilm 38 gebildet, der sich auf der Drain-Elektrode 44 befindet, um die Pixelelektrode 45 und die Quellenelektrode 43 elektrisch zu koppeln.
Wie in 7E gezeigt, wird als nächstes das Wallmeterial auf der Region angebracht, die den Gatterisolierungsfilm 39 umfasst, wo die anschließend erwähnte Pixelelektrode 45 gebildet wird. Hier umfasst, wie oben beschrieben, das Wallmaterial beispielsweise das Acrylharz, das Polymidharz und das Polysilan. Anschließend wird der oberen Fläche des Wallmaterials (Pixelelektrodenwall 34c) die lyophobe Qualität durch die Plasmabehandlung und dergleichen verliehen. Anschließend wird ein Pixelelektrodenfugenabschnitt durch die Fotolithographie in der Region gebildet, wo die Pixelelektrode 45 gebildet ist, und der Pixelelektrodenwall 34c ist gebildet.
Als Nächstes wird die Pixelelektrode 45, die aus Indium-Zinn-Oxid (ITO, Englisch: indium tin oxide) besteht, in der Region gebildet, die durch den Pixelelektrodenwall 34c aufgeteilt ist, durch das Tintenstrahlverfahren oder die Abscheidung und dergleichen. Die elektrische Verbindung zwischen der Pixelelektrode 45 und der Drain-Elektrode 44 wird gesichert durch Füllen der Pixelelektrode 45 in das Kontaktloch 49. In dieser Ausführungsform wird die lyophobe Behandlung auf der oberen Fläche des Pixelelektrodenwalls 34c durchgeführt, und die lyophile Behandlung wird auf dem Pixelelektrodenfugenabschnitt durchgeführt. Daher kann die Pixelelektrode 45 gebildet werden, ohne aus dem Pixelelektrodenfugenabschnitt herauszuragen.
Durch den oben beschriebenen Prozess kann die Pixelelektrode der Ausführungsform, wie in 6 gezeigt, gebildet werden.
(Zweite Ausführungsform)
In dieser Ausführungsform wird ein unterschiedliches Anordnungsmuster des konvexen Abschnittes, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, der sich von der ersten Ausführungsform unterscheidet, beschrieben. Andere grundlegende Strukturen, die die Wallstruktur und das Musterbildungsverfahren umfassen, sind die gleichen wie diese aus der ersten Ausführungsform. Daher werden diesen identischen Bezugszeichen verliehen, und detaillierte Beschreibungen werden weggelassen.
Die 8A und 8B zeigen ein Anordnungsmuster des konvexen Abschnittes, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist.
Wie in den 8A und 8B gezeigt ist der konvexe Abschnitt 35 auf dem Grund der Vielzahl der ersten Fugenabschnitte 55 gebildet. Jeder konvexe Abschnitt 35 hat eine rechteckige Form, wenn dieser von oben betrachtet wird. Die konvexen Abschnitte sind auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gemäß einem vorbestimmten Anordnungsmuster angeordnet. Im Genaueren sind die konvexen Abschnitte 35 auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 in den drei Leitungen auf der rechten und linken Seite der Region S in der Y-Achsenrichtung angeordnet, wie in den 8A und 8B gezeigt. Mit anderen Worten sind die konvexen Abschnitte 35 so angeordnet, dass diese die Region S in zwei Reihen und drei Spalten auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 umgeben.
Jeder konvexe Abschnitt 35 hat eine längere Seite von der rechteckigen Form, die parallel mit der X-Achsenrichtung angeordnet ist, und eine kürzere Seite, die parallel mit der Y-Achsenrichtung angeordnet ist. Darüber hinaus ist das Intervall H6 zwischen den zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35 in der Y-Achse kleiner als die Breite H5 der zwei Fugenabschnitte 56, wie in 8A gezeigt, auf die gleiche Art und Weise wie in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform. Ferner ist es vorzuziehen, dass der konvexe Abschnitt 35, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, die Höhe aufweist, die kleiner ist als die Höhe des Walls 34, wie in 8B gezeigt.
Gemäß dieser Ausführungsform und ungleich der oben beschriebenen ersten Ausführungsform kann die lange Seite des konvexen Abschnittes 35 länger gestaltet werden verglichen mit der ersten Ausführungsform, und die Distanz auf der langen Seite des Raums zwischen den zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35 in der Y-Achsenrichtung kann auch länger gestaltet werden als der aus der ersten Ausführungsform. Dabei wird der Widerstand (interner Druck) zwischen zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35 erhöht, und die funktionale Flüssigkeit L kann gleichmäßig in den zweiten Fugenabschnitt 56 fließen, wo der Widerstand (interner Druck) relativ niedrig ist verglichen mit dem der zwei angrenzenden konvexen Abschnitte 35. Es ist anzumerken, dass diese Ausführungsform den gleichen vorteilhaften Effekt wie der aus der ersten Ausführungsform aufweist.
(Dritte Ausführungsform)
In dieser Ausführungsform wird ein unterschiedliches Anordnungsmuster des konvexen Abschnittes, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnitts 55 gebildet ist, der unterschiedlich ist zu denen aus der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform, beschrieben. Andere grundlegende Strukturen, umfassend die Wallstruktur und das Musterbildungsverfahren, sind die gleichen wie diese aus der ersten Ausführungsform. Daher werden diesen die gleichen Bezugszeichen verliehen, und die detaillierten Beschreibungen werden weggelassen.
Die 9A und 9B zeigen ein Anordnungsmuster des konvexen Abschnittes, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist.
Wie in den 9A und 9B gezeigt, ist der konvexe Abschnitt 35 auf dem Grund der Vielzahl der ersten Fugenabschnitte 55 gebildet. Jeder konvexe Abschnitt 35 hat eine rechteckige Form, wenn dieser von oben betrachtet wird. Die konvexen Abschnitte sind auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gemäß einem vorbestimmten Anordnungsmuster angeordnet. Im Genaueren sind die konvexen Abschnitte 35 auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 in den drei Leitungen auf der rechten und linken Seite der Region S in der Y-Achsenrichtung angeordnet, wie in den 9A und 9B gezeigt. Zusätzlich ist der andere konvexe Abschnitt 35 zwischen der unteren Seite der Region S und dem gegenüberliegenden Wall 34 bereitgestellt. Mit anderen Worten sind die konvexen Abschnitte 35 in dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet, um die Region S zu umgeben.
Jeder konvexe Abschnitt 35 hat eine längere Seite von der rechteckigen Form, die parallel mit der X-Achsenrichtung angeordnet ist, und eine kürzere Seite, die parallel mit der Y-Achsenrichtung angeordnet ist. Darüber hinaus ist das Intervall H6 zwischen den zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35 in der Y-Achse kleiner als die Breite H5 der zwei Fugenabschnitte 56, wie in 9A gezeigt, auf die gleiche Art und Weise wie in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform. Ferner ist es vorzuziehen, dass der konvexe Abschnitt 35, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, die Höhe aufweist, die kleiner ist als die Höhe des Walls 34, wie in 9B gezeigt.
Gemäß dieser Ausführungsform, selbst wenn der Flugdurchmesser der bereitgestellten funktionalen Flüssigkeit L kleiner ist als der aus der ersten Ausführungsform oder der zweiten Ausführungsform, ist es möglich, zuverlässig die funktionale Flüssigkeit L einzudämmen. Es ist auch anzumerken, dass diese Ausführungsform den gleichen vorteilhaften Effekt wie der aus der ersten Ausführungsform aufweist.
(Vierte Ausführungsform)
In dieser Ausführungsform wird ein unterschiedliches Anordnungsmuster des konvexen Abschnittes, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnitts 55 gebildet ist, der unterschiedlich ist zu denen aus der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform, beschrieben. Andere grundlegende Strukturen, umfassend die Wallstruktur und das Musterbildungsverfahren, sind die gleichen wie diese aus der ersten Ausführungsform. Daher werden die gleichen Bezugszeichen diesen verliehen, und die detaillierten Beschreibungen werden weggelassen.
Die 10A und 10B zeigen ein Anordnungsmuster des konvexen Abschnittes, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist.
Wie in den 10A und 10B gezeigt, ist der konvexe Abschnitt 35 auf dem Grund der Vielzahl der ersten Fugenabschnitte 55 gebildet. Jeder konvexe Abschnitt 35 hat eine rechteckige Form, wenn dieser von oben betrachtet wird. Die konvexen Abschnitte sind auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gemäß einem vorbestimmten Anordnungsmuster angeordnet. Im Genaueren sind die konvexen Abschnitte 35 auf dem Grund des ersten Fugenabschnitts 55 in drei Leitungen in der Y-Achsenrichtung mit einem vorbestimmten Intervall H12 dazwischen angeordnet, und diese konvexen Abschnitte 35 in den drei Leitungen sind auch in der X-Achsenrichtung mit einem vorbestimmten Intervall H13 dazwischen angeordnet, wie in den 10A und 10B gezeigt. Mit anderen Worten sind diese konvexen Abschnitte in einem Treppenmuster angeordnet. Diese konvexen Abschnitte 35, die in dem vorbestimmten Anordnungsmuster angeordnet sind, sind entsprechend auf der linken und rechten Seite von jeder Region S bereitgestellt.
Jeder konvexe Abschnitt 35 hat zwei gegenüberliegende Seiten von der rechteckigen Form, die parallel mit der X-Achsenrichtung angeordnet sind, und die anderen zwei gegenüberliegenden Seiten, die parallel mit der Y-Achsenrichtung angeordnet sind. Darüber hinaus ist das Intervall H6 zwischen den zwei angrenzenden konvexen Abschnitten 35 in der Y-Achse kleiner als die Breite H5 des zweiten Fugenabschnittes 56, wie in 10A gezeigt, auf die gleiche Art und Weise wie die oben beschriebene erste Ausführungsform. Darüber hinaus ist es vorzuziehen, dass der konvexe Abschnitt 35, der auf dem Grund des ersten Fugenabschnittes 55 gebildet ist, die Höhe aufweist, die kleiner ist als die Höhe des Walls 34, wie in 10B gezeigt.
Gemäß dieser Ausführungsform, selbst wenn die konvexen Abschnitte 35 gebildet sind, um auf die oben beschriebene Art und Weise zu ersetzen, kann der gleiche vorteilhafte Effekt wie der aus der ersten Ausführungsform erhalten werden.
(Elektrooptische Vorrichtung)
Als Nächstes wird eine Beschreibung einer Flüssigkristallanzeige gegeben, die ein Beispiel der elektrooptischen Vorrichtung der Erfindung ist.
11 ist eine Draufsicht auf eine Flüssigkristallanzeige und der entsprechenden Komponente gemäß der vorliegenden Erfindung, betrachtet von der gegenüberliegenden Substratseite. 12 ist eine Schnittansicht, die entlang einer Linie H-H' von 11 genommen wurde. 13 ist ein äquivalentes Schaltkreisdiagramm von verschiedenen Arten von Elementen, Verdrahtung, und dergleichen in einer Vielzahl von Pixel, die in einer Matrix in einer Bildanzeigeregion der Flüssigkristallanzeige gebildet sind. In den entsprechenden Zeichnungen, die in der untenstehenden Beschreibung verwendet werden, kann der Grad der Reduzierung sich unterscheiden in Abhängigkeit von den entsprechenden Schichten und entsprechenden Bauteilen, so dass diese in einer erkennbaren Größe dargestellt werden.
In 11 und 12 enthält eine Flüssigkristallanzeige (elektrooptische Vorrichtung) 100 der Ausführungsform ein TFT-Array-Substrat 10 und ein gegenüberliegendes Substrat 20, die ein Paar miteinander bilden, und die an einander haften durch ein Dichtungsmaterial 52, das ein fototrocknendes Dichtungsmaterial ist. Ein Flüssigkristall 50 wird in eine Region eingefüllt und bewahrt, die durch dieses Dichtungsmaterial 52 aufgeteilt ist. Das Dichtungsmaterial 52 ist in einer geschlossen Rahmenform in einer Region innerhalb der Substratfläche gebildet und ist so konstruiert, dass dieses kein Flüssigkristalleinlass noch Wege von dessen Dichtung durch das Dichtungsmaterial aufweist.
In einer Region im Inneren der Region, die durch das Dichtungsmaterial 52 gebildet ist, ist eine periphere Trennung 53 gebildet, die ein Abschattungsmaterial ist. Außerhalb des Dichtungsmaterials 52 sind ein Datenleitungsantriebsschaltkreis 201 und Befestigungsanschlüsse 202 entlang einer Seite des TFT-Array-Substrats 10 gebildet, und Abtastleitungsantriebsschaltkreise 204 sind entlang den zwei Seiten gebildet. Auf der verbleibenden einen Seite des TFT-Array-Substrats 10 sind eine Vielzahl von Verdrahtungen 205 bereitgestellt zum Verbinden zwischen den Abtastleitungsantriebsschaltkreisen 204, die an beiden Seiten der Bildanzeigeregion bereitgestellt sind. Darüber hinaus sind an mindestens einem Abschnitt der Ecken des gegenüberliegenden Substrats 20 Intra-Substrat-Leitungsmaterialien 206 bereitgestellt und angeordnet zum elektrischen Verbinden zwischen dem TFT-Array-Substrat 10 und dem gegenüberliegenden Substrat 20.
Anstelle des Bildens des Datenleitungsantriebsschaltkreises 201 und der Abtastleitungsantriebsschaltkreise 204 auf dem TFT-Array-Substrat 10 können beispielsweise ein TAB (automatisches Klebeband, Englisch: Tape Automated Bonding) Substrat, das mit einem Antrieb LSI montiert ist, und eine Anschlussgruppe, die an der Peripherie des TFT-Array-Substrats 10 gebildet ist, elektrisch und mechanisch verbunden sein über einen anisotropen leitenden Film. Auf der Flüssigkristallanzeige 100 ist eine Phasenkontrastplatte, eine Polarisationsplatte, oder dergleichen angeordnet in einer vorbestimmten Richtung gemäß der Art des zu verwendenden Flüssigkristalls 50, das heißt gemäß dem Betriebsmodus, so wie TN (verdreht nematisch, Englisch: Twisted Nematic) Modus, C-TN-Verfahren, VA-Verfahren, IPS-Verfahren, oder normaler Weiß-Modus/Normaler Schwarz-Modus, jedoch ist dies hier nicht dargestellt.
In einem Fall, wo die Flüssigkristallanzeige 100 gebildet ist für die Verwendung als eine Farbanzeige, sind dann beispielsweise auf dem gegenüberliegenden Substrat 20 Farbfilter für Rot (R), Grün (G) und Blau (B) mit deren Schutzfilmen gebildet in den Regionen, die den entsprechenden Pixel-Elektroden des TFT-Array-Substrats 10 gegenüberstehen, was später beschrieben wird.
In der Bilddarstellungsregion der Flüssigkristallanzeige 100, die eine solche Konstruktion wie in 10 gezeigt aufweist, sind eine Vielzahl von Pixels 100a in einer Matrixform konfiguriert, wobei TFTs (Schaltelemente) 30 zum Pixel-Schalten in diesen entsprechenden Pixel 100a gebildet sind, und Datenleitungen 6a, die Pixel-Signale S1, S2 bis Sn zuführen, elektrisch mit den Quellen der TFTs 30 verbunden sind. Die Pixelsignale S1, S2, bis Sn zum Schreiben in die Datenleitungen 6a können leitungssequenziell in dieser Reihenfolge zugeführt werden, oder können zu jeder Gruppe mit Bezug auf angrenzende Paare von Datenleitungen 6a zugeführt werden. Darüber hinaus ist die Konfiguration so, dass die Abtastleitungen 3a elektrisch mit den Gattern der TFTs 30 verbunden sind, und Abtastsignale G1, G2 bis Gm pulsweise an die Abtastleitungen 3a angelegt werden in dieser leitungssequenziellen Reihenfolge mit einer vorbestimmten Zeitsteuerung.
Die Pixelelektroden 19 sind elektrisch mit den Drains der TFTs 30 verbunden, um die TFTs 30 AN zu schalten, die die Schaltelemente sind, lediglich in einer festen Periode, so dass die Pixelsignale S1, S2 bis Sn, die von den Datenleitungen 6a zugeführt werden, in die entsprechenden Pixel mit einer vorbestimmten Zeitsteuerung geschrieben werden können. Auf diese Art und Weise werden die Pixelsignale S1, S2 bis Sn des vorbestimmten Niveaus, die in den Flüssigkristall über die Pixelelektroden 19 geschrieben werden, für eine feste Periode zwischen entgegen gesetzten Elektroden 120 des gegenüberliegenden Substrats 20, wie in 12 gezeigt, gehalten. Um eine Ableitung der bewahrten Pixelsignale S1, S2 bis Sn zu vermeiden, sind Speicherkapazitäten 60 parallel zu den Flüssigkristallkapazitäten hinzugefügt, die zwischen den Pixelelektroden 19 und den Gegenelektroden 121 gebildet sind. Beispielsweise wird die Spannung der Pixelelektroden 19 bewahrt durch die Speicherkapazitäten 60 für eine Zeit, die tausende von Male größer ist als die Zeit, für die die Quellenspannung angelegt wird. Folglich kann die Rückhalteeigenschaft der elektrischen Ladung verbessert werden, um eine Flüssigkristallanzeige 100 zu realisieren, die ein hohes Kontrastverhältnis aufweist.
14 ist eine Schnittansicht einer organischen Elektrolumineszenz (EL) Vorrichtung, bei der die Pixelelektrode durch die oben beschriebene Wallstruktur und das Musterbildungsverfahren gebildet ist. Eine allgemeine Konfiguration der organischen EL-Vorrichtung ist mit Bezug auf 14 beschrieben.
In 14 ist eine organische EL-Vorrichtung 401 ein organisches EL-Element 402, das ein Substrat 411, einen Schaltkreiselementabschnitt 421, Pixelelektroden 431, Wallabschnitte 441, Lichtemissionselemente 451, eine negative Elektrode 461 (Gegenelektrode) und ein Dichtungssubstrat 471 aufweist, und eine Verdrahtung eines flexiblen Substrats (nicht dargestellt) und eines Antriebs-IC (nicht dargestellt) ist mit dem organischen EL-Element 402 gekoppelt. Der Schaltkreiselementabschnitt 421 ist ein aktives Element TFT 60, das auf dem Substrat 411 gebildet ist, das solch eine Konfiguration aufweist, das eine Vielzahl der Pixelelektroden 431 auf dem Schaltkreiselementabschnitt 421 angeordnet ist. Darüber hinaus ist eine Gatterverdrahtung 61, die den TFT 60 bildet, gebildet durch das Verdrahtungsmusterbildungsverfahren aus der oberen Ausführungsform.
Zwischen den entsprechenden Pixelelektroden 431 sind die Wallabschnitte 441 in Gitterform gebildet. In einer Spaltenöffnung 444, die durch die Wallabschnitte 441 erzeugt wird, ist ein Lichtemissionselement 451 gebildet. Das Lichtemissionselement 451 besteht aus einem Element, das rote Fluoreszenz emittiert, einem Element, das grüne Fluoreszenz emittiert, und einem Element, das blaue Fluoreszenz emittiert. Daher kann die organische EL-Vorrichtung 401 in allen Farben darstellen. Die negative Elektrode 461 ist über die gesamte obere Fläche der Wallabschnitte 441 und den Lichtemissionselementen 451 gebildet. Auf der negativen Elektrode 461 ist das Dichtungssubstrat 471 laminiert.
Der Herstellungsprozess der organischen EL-Vorrichtung 401, umfassend das organische EL-Element, umfasst einen Wallabschnittbildungsschritt zum Bilden der Wallabschnitte 441, einen Plasmabehandlungsschritt zum geeigneten Bilden der Lichtemissionselemente, einen Lichtemissionselementbildungsschritt zum Bilden der Lichtemissionselemente 451, einen Gegenelektrodenbildungsschritt zum Bilden der negativen Elektrode 461 und einen Abdichtungsschritt zum Laminieren des Dichtungssubstrats auf die negative Elektrode 461, um diese abzudichten.
Der Lichtemissionselementbildungsschritt ist einer, wo auf einer Spaltenöffnung 444, die eine Pixelelektrode 431 ist, eine Elektronenlöcherinjizierungsschicht 452 und eine Fluoreszenzschicht 453 gebildet sind, um ein Lichtemissionselement 451 zu bilden, und umfasst einen Elektronenlöcherinjizierungsschicht-Bildungsschritt und einen Fluoreszenzschichtbildungsschritt. Der Elektronenlöcherinjizierungsschicht-Bildungsschritt umfasst einen ersten Ausstoßschritt zum Ausstoßen eines flüssigen Materials zum Bilden der Elektronenlöcherinjizierungsschicht 452 auf die entsprechende Pixelelektrode 431, und einen ersten Trocknungsschritt zum Trocknen des ausgestoßenen flüssigen Materials, um die Elektronenlöcherinjizierungsschicht 452 zu bilden. Ferner enthält der Fluoreszenzschichtbildungsschritt einen zweiten Ausstoßschritt zum Ausstoßen eines flüssigen Materials zum Bilden der Fluoreszenzschicht 453 auf die Elektronenlöcherinjizierungsschicht 452, und einen zweiten Trocknungsschritt zum Trocknen des ausgestoßenen flüssigen Materials, um die Fluoreszenzschicht 453 zu bilden. Wie oben beschrieben besteht die Fluoreszenzschicht 453 aus drei Arten, die durch Materialien gebildet sind, die mit drei Farben von rot, grün und blau korrespondieren. Daher enthält der zweite Ausstoßschritt drei Schritte zum jeweiligen Ausstoßen der drei Arten von Materialien.
In diesem Lichtemissionselementbildungsschritt kann die Tropfenausstoßvorrichtung IJ verwendet werden als der erste Ausstoßschritt in den Elektronenlöcherinjizierungsschicht-Bildungsschritt und an den zweiten Ausstoßschritt in dem Fluoreszenzschichtbildungsschritt.
Die Vorrichtung (elektrooptische Vorrichtung) gemäß dieser Erfindung ist auch zusätzlich zu den oben erwähnten Vorrichtungen anwendbar für ein Plasmaanzeigeelement (PDP, Englisch: Plasma display panel) und einem Elektronenemissionselement vom Oberflächenleitungstyp oder dergleichen, die ein Phänomen verwenden, wo Strom parallel mit der Oberfläche eines kleinen Films fließt, der auf dem Substrat gebildet ist, um Elektronenemission zu bewirken.
(Elektronische Apparatur)
Als Nächstes werden spezifische Beispiele von elektronischen Apparaturen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
15 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines Mobiltelefons zeigt. In 15 kennzeichnet das Bezugszeichen 600 ein Hauptgehäuse des Mobiltelefons und ein Bezugszeichen 601 kennzeichnet einen Flüssigkristallanzeigeabschnitt, der die Flüssigkristallanzeige aus den oben beschriebenen Ausführungsformen aufweist.
Die in 15 dargestellte elektronische Apparatur ist mit der Flüssigkristallanzeige ausgestattet, die durch das Verfahren zum Bilden des Musters ausgestattet ist, das die Wallstruktur aufweist, die in den oberen Ausführungsformen beschrieben ist, so dass eine hohe Qualität und Leistungsfähigkeit erreicht werden kann.
Obwohl die elektronische Apparatur in dieser Ausführungsform die Flüssigkristallanzeige aufweist, kann die elektronische Apparatur ausgestattet sein mit anderen elektrooptischen Vorrichtungen, so wie einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, einer Plasmaanzeigevorrichtung und dergleichen.
Als Nächstes wird ein Beispiel beschrieben, in dem das Muster, das durch das Verfahren zum Bilden des Musters, das die Wallstruktur gemäß der Erfindung aufweist, auf einen Antennenschaltkreis angewendet.
16 zeigt ein kontaktfreies Kartenmedium gemäß dieser Ausführungsform. Das kontaktfreie Kartenmedium 400 hat einen halbleiterintegrierten Schaltkreischip 408 und einen Antennenschaltkreis 412, der in einem Gehäuse eingebaut ist, das aus einem Kartengehäuse 402 und einer Kartenabdeckung 418 besteht. Das kontaktlose Kartenmedium 400 führt Energiezuführung und/oder Datenübertragung mit einem externen Überträger (nicht dargestellt) über elektromagnetische Wellen und/oder elektromagnetische Kapazitätskopplung durch.
In der vorliegenden Erfindung ist der Antennenschaltkreis 412 gemäß dem Musterbildungsverfahren der Erfindung gebildet. Daher kann der Antennenschaltkreis 412 genauer bzw. feiner gestaltet werden mit dünneren Leitungen, so dass eine hohe Qualität und Leistungsfähigkeit erzielt werden kann.
Die Erfindung kann auf andere elektronische Apparaturen angewendet werden zusätzlich zu den oben erwähnten elektronischen Apparaturen. Beispielsweise kann die Erfindung angewendet werden auf einen Flüssigkristallprojektor, einen Personalcomputer (PC), der mit Multimedia kompatibel ist, eine technischen Arbeitsstation (EWS, Englisch: engineering work station), einen Funkrufempfänger, ein Textverarbeitungssystem, einen TV, einen Videobandrecorder vom View-Findertyp oder direkt View-Typ, einen elektronischen Datenbuch, einen Taschenrechner, eine Autonavigationsvorrichtung, einen Verkaufsstellen-(POS, Englisch: Point Of Sale) Endgerät, Apparaturen, die ein Berührungsbedienfeld aufweisen und dergleichen angewendet werden.
Obwohl die Ausführungsformen der Erfindung komplett durch Beispiele mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen erklärt wurden, ist zu verstehen, dass die hier beschriebenen Ausführungsformen den Schutzbereich der Erfindung nicht begrenzen, sondern das unterschiedliche Veränderungen und Modifikationen im Schutzbereich der vorliegenden Erfindung enthalten sind.
In den oberen Ausführungsformen ist ein gewünschter Fugenabschnitt (z. B. der erste Fugenabschnitt und dergleichen) auf dem Wall gebildet durch den Fotolithographieprozess oder den Ätzprozess. Beispielsweise kann der gewünschte Fugenabschnitt gebildet sein durch Mustern des Walls durch Verwenden eines Lasers anstelle des oben beschriebenen Bildungsverfahrens.
Obwohl der konvexe Abschnitt in der rechteckigen Form, wenn von oben betrachtet, gebildet ist, kann ferner der konvexe Abschnitt in einer kreisförmigen oder Polygonform, wenn von oben betrachtet, gebildet werden.

Claims

Eine Trennwandstruktur zum Bilden von leitenden Drahtmustern durch Tintenstrahldrucken, umfassend: ein Substrat (48); eine Trennwandschicht (34), die auf dem Substrat (48) gebildet ist und einen ersten konkaven Abschnitt (55) aufweist, der sich in eine erste Richtung erstreckt und eine Breite orthogonal zu der ersten Richtung aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennwandschicht ferner einen zweiten (56) konkaven Abschnitt aufweist, der sich in eine zweite Richtung erstreckt und eine Breite orthogonal zu der zweiten Richtung aufweist; wobei der zweite konkave Abschnitt (56) mit dem ersten konkaven Abschnitt (55) an einer Verbindungsregion (S) in dem ersten konkaven Abschnitt verbunden ist, wobei die Breite des zweiten konkaven Abschnitts (56) kleiner ist als die Breite des ersten konkaven Abschnitts (55), wobei der erste konkave Abschnitt (55) dazu geeignet ist, eine funktionale Flüssigkeit auf zunehmen, um ein erstes Muster bereitzustellen; wobei der zweite konkave Abschnitt (56) dazu geeignet ist, eine funktionale Flüssigkeit auf zunehmen, um ein zweites Muster bereitzustellen; und wobei mindestens ein konvexer Abschnitt (35) bereitgestellt ist an einer Bodenregion des ersten konkaven Abschnitts (55), um die Verbindungsregion (S) zu umgeben.
Die Trennwandstruktur nach Anspruch 1, wobei der mindestens eine konvexe Abschnitt (35) eine Vielzahl von konvexen Abschnitten (35) beinhaltet, und ein Intervall (H3) zwischen benachbarten konvexen Abschnitten (35) kleiner ist als die Breite (H2) des zweiten konkaven Abschnitts (56).
Die Trennwandstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Höhe (H14) des mindestens einen konvexen Abschnitts (35) kleiner ist als die Höhe (H15) des ersten konkaven Abschnitts von der Bodenregion bis zur oberen Fläche (34a) der Trennwandschicht.
Die Trennwandstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der konvexe Abschnitt (35) bereitgestellt ist entlang einer Ausdehnung der längeren Seite des zweiten konkaven Abschnitts (56).
Ein Verfahren zum Herstellen einer Trennwandstruktur nach Anspruch 1, die Schritte umfassend: Aufbringen einen Trennwandmaterials auf dem Substrat (48); und Bilden des ersten und zweiten konkaven Abschnitts (55, 56) als auch des konvexen Abschnitts (35) in dem Trennwandmaterial, um die Trennwandschicht (34) bereitzustellen.
Eine Vorrichtung, umfassend: die Trennwandstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4; wobei das erste Muster in dem ersten konkaven Abschnitt (55) und das zweite Muster in dem zweiten konkaven Abschnitt (56) angeordnet ist.
Die Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei das erste Muster eine Gatterverdrahtung und das zweite Muster einer Gatterelektrode ist.
Die Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei das erste Muster eine Quellenverdrahtung und das zweite Muster einer Quellenelektrode ist.
Eine elektrooptische Vorrichtung, die die Vorrichtung nach Anspruch 8 umfasst.
Elektronische Apparatur, die die elektrooptische Vorrichtung nach Anspruch 9 umfasst.