JPS63276898A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS63276898A JPS63276898A JP62111215A JP11121587A JPS63276898A JP S63276898 A JPS63276898 A JP S63276898A JP 62111215 A JP62111215 A JP 62111215A JP 11121587 A JP11121587 A JP 11121587A JP S63276898 A JPS63276898 A JP S63276898A
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- electrode
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- Pending
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）現象を
利用した薄膜ＥＬ素子に関するものである。
利用した薄膜ＥＬ素子に関するものである。
「従来の技術」
エレクトロルミネッセンス現象を利用した発光素子の一
種に薄膜ＥＬ素子がある。
種に薄膜ＥＬ素子がある。
従来、このような薄膜ＥＬ素子としては、第２図に示す
ようなものがある。この薄１１１ＥＬ素子は、ガラス基
板！上にインジウムスズの酸化物（ＩＴＯ）などからな
る格子状の透明電極２が形成され、この透明電極２上に
酸化アルミニウム（ＡＩｔｏｓ）、酸化ケイ素（Ｓｉｎ
ｓ）、酸化タンタル（Ｔ ａｇｏ ｓ）、窒化ケイ素（
ＳｉｓＮ＋）などからなる第一絶縁層３が形成されてい
る。この第一絶縁層３上には、硫化亜鉛（Ｚ ｎＳ ）
などの母材にマンガン（Ｍ ｎ）などの付活剤を添加し
てなる発光層４が形成され、この発光層４上には、上記
第一絶縁層３と同様な材料からなる第二絶縁層５が形成
されている。そして、この第二絶縁層５上には、アルミ
ニウム（Ａ Ｉ）などからなる格子状の背面電極６が上
記透明電極２の格子方向と直交する方向に配されて形成
されている。
ようなものがある。この薄１１１ＥＬ素子は、ガラス基
板！上にインジウムスズの酸化物（ＩＴＯ）などからな
る格子状の透明電極２が形成され、この透明電極２上に
酸化アルミニウム（ＡＩｔｏｓ）、酸化ケイ素（Ｓｉｎ
ｓ）、酸化タンタル（Ｔ ａｇｏ ｓ）、窒化ケイ素（
ＳｉｓＮ＋）などからなる第一絶縁層３が形成されてい
る。この第一絶縁層３上には、硫化亜鉛（Ｚ ｎＳ ）
などの母材にマンガン（Ｍ ｎ）などの付活剤を添加し
てなる発光層４が形成され、この発光層４上には、上記
第一絶縁層３と同様な材料からなる第二絶縁層５が形成
されている。そして、この第二絶縁層５上には、アルミ
ニウム（Ａ Ｉ）などからなる格子状の背面電極６が上
記透明電極２の格子方向と直交する方向に配されて形成
されている。
このような薄膜ＥＬ素子では、透明電極２と背面電極６
との間に高電圧を印加し、発光層４に高電界を与えて発
光させ、この発光を透明電極２、ガラス基板ｌを経て外
部に導光するようになっており、発光層４に印加する電
界が強いほど高輝度に発光する。
との間に高電圧を印加し、発光層４に高電界を与えて発
光させ、この発光を透明電極２、ガラス基板ｌを経て外
部に導光するようになっており、発光層４に印加する電
界が強いほど高輝度に発光する。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、薄膜ＥＬ素子は、あまり高い電圧を印加する
と絶縁破壊を起こしてしまうため、所定の印加電圧以上
の電圧を印加することができない。
と絶縁破壊を起こしてしまうため、所定の印加電圧以上
の電圧を印加することができない。
このため、上記のような薄膜ＥＬ素子では、十分に高い
輝度を得ることができず、５０Ｈｚ、２００Ｖの印加電
圧で駆動させた場合、１００ ｃｄ／ ｘ”程度の輝度
しか得られないため、ＣＲＴと比較して暗く、その上、
コントラストを向上させるためにガラス基板ｌの前面に
偏向板などを装着した場合に、十分な輝度が得られない
という問題点があった。
輝度を得ることができず、５０Ｈｚ、２００Ｖの印加電
圧で駆動させた場合、１００ ｃｄ／ ｘ”程度の輝度
しか得られないため、ＣＲＴと比較して暗く、その上、
コントラストを向上させるためにガラス基板ｌの前面に
偏向板などを装着した場合に、十分な輝度が得られない
という問題点があった。
この発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、極め
て高輝度に発光する薄膜ＥＬ素子を提供することを目的
としている。
て高輝度に発光する薄膜ＥＬ素子を提供することを目的
としている。
「問題点を解決するための手段」
この発明の薄膜ＥＬ１ｇ子は、一対の電極間に中間透明
電極とこの中間透明電極の両側に位置する二つの発光層
とを設けたものである。
電極とこの中間透明電極の両側に位置する二つの発光層
とを設けたものである。
この薄膜ＥＬ素子では、一対の電極と中間透明電極との
間に電圧を印加し、二つの発光層を同時に発光させて高
輝度発光が可能となる。
間に電圧を印加し、二つの発光層を同時に発光させて高
輝度発光が可能となる。
以下、この発明の詳細な説明する。
この例の薄膜ＥＬ素子は、従来の薄膜ＥＬ素子と同様に
、ガラス基板１上にインジウムスズの酸化物（ＩＴＯ）
からなる帯状の透明電極２が並列に複数形成されている
。この透明電極２上には、第一絶縁層７と第一発光ＨＪ
８と第二絶縁層９とが帯状に順次積層され、上記第二絶
縁層９上には、この第二絶縁層９より幅の狭い中間透明
電極ｌＯが形成されている。この中間透明電極ＩＯ上に
は、第三絶縁層１１が上記中間透明電極１０を覆うよう
にして形成され、この第三絶縁層ｌｌ上には、第二発光
層１２と第四絶縁１１３とが順次積層されている。これ
ら透明電極２上の積層物は、かまぼこ形に形成され、上
記透明電極２の格子方向と直交するようにして並列に複
数形成されている。
、ガラス基板１上にインジウムスズの酸化物（ＩＴＯ）
からなる帯状の透明電極２が並列に複数形成されている
。この透明電極２上には、第一絶縁層７と第一発光ＨＪ
８と第二絶縁層９とが帯状に順次積層され、上記第二絶
縁層９上には、この第二絶縁層９より幅の狭い中間透明
電極ｌＯが形成されている。この中間透明電極ＩＯ上に
は、第三絶縁層１１が上記中間透明電極１０を覆うよう
にして形成され、この第三絶縁層ｌｌ上には、第二発光
層１２と第四絶縁１１３とが順次積層されている。これ
ら透明電極２上の積層物は、かまぼこ形に形成され、上
記透明電極２の格子方向と直交するようにして並列に複
数形成されている。
そして、これら積層物上には、複数の帯状の背面電極１
４が上記透明電極２上に配されて形成され、この背面電
極１４が上記透明電極２上の両端部および同透明電極２
上の積層物量間隙において同透明電極２上に接続されて
いる。
４が上記透明電極２上に配されて形成され、この背面電
極１４が上記透明電極２上の両端部および同透明電極２
上の積層物量間隙において同透明電極２上に接続されて
いる。
このようなＡ１ｆ模ＥＬ素子を作成する場合には、ガラ
ス基板ｌ上に透明電極２を帯状に形成する。
ス基板ｌ上に透明電極２を帯状に形成する。
次いで、この透明電極２上に、第１絶縁層７と第一発光
層８と第二絶縁層９と中間透明電極１０と第三絶縁層１
１と第二発光層１２と第四絶縁層１３とを上記透明電極
２と直交するようにして帯状に順次積層する。このよう
にした後、これら積層物上に、上記透明電極２上に配す
るようにして背面電極１４をスパッタ法等により帯状に
形成する。
層８と第二絶縁層９と中間透明電極１０と第三絶縁層１
１と第二発光層１２と第四絶縁層１３とを上記透明電極
２と直交するようにして帯状に順次積層する。このよう
にした後、これら積層物上に、上記透明電極２上に配す
るようにして背面電極１４をスパッタ法等により帯状に
形成する。
この背面電極１４をスパッタ法により形成する場合には
、透明電極２の上面の凹凸が激しいので、スパッタガス
の圧力を上げ、比較的低い印加電圧でスパッタすること
が望ましい。このようにした場合には、スパッタされた
原子がスパッタガスの分子と衝突して飛行方向を変える
ため、この原子が回り込んで凹凸面に比較的一様に膜を
付けることができる。
、透明電極２の上面の凹凸が激しいので、スパッタガス
の圧力を上げ、比較的低い印加電圧でスパッタすること
が望ましい。このようにした場合には、スパッタされた
原子がスパッタガスの分子と衝突して飛行方向を変える
ため、この原子が回り込んで凹凸面に比較的一様に膜を
付けることができる。
また、この薄膜ＥＬ素子の他の作成方法としては、透明
電極２が形成されたガラス基板１上に、第一絶縁層７と
第一発光層８と第二絶縁層９と中間透明電極ｌＯと第三
絶縁層１１と第二発光層１２と第四絶縁層１３とを一様
に順次積層し、次いで、これらの積層物に上記透明電極
２上面に達する複数のコンタクトホールを並列に形成し
、その後、これら積層物上に背面電極１４を形成して上
記透明電極２と重なるようにバターニングし、これら電
極を上記コンタクトホールを通して接続する方法もある
。
電極２が形成されたガラス基板１上に、第一絶縁層７と
第一発光層８と第二絶縁層９と中間透明電極ｌＯと第三
絶縁層１１と第二発光層１２と第四絶縁層１３とを一様
に順次積層し、次いで、これらの積層物に上記透明電極
２上面に達する複数のコンタクトホールを並列に形成し
、その後、これら積層物上に背面電極１４を形成して上
記透明電極２と重なるようにバターニングし、これら電
極を上記コンタクトホールを通して接続する方法もある
。
このような薄膜ＥＬ素子を使用する場合には、中間透明
電極ＩＯと背面電極１４とに電源を接続し、この電源を
作動させて中間透明電極１０と透明電極２および背面電
極１４との間に高電圧を印加する。このようにすると、
第一発光層８および第二発光層１２に高電界が印加され
てこれら第一発光層、第二発光層が発光し、この光がガ
ラス基板ｌを経て外部に導光される。
電極ＩＯと背面電極１４とに電源を接続し、この電源を
作動させて中間透明電極１０と透明電極２および背面電
極１４との間に高電圧を印加する。このようにすると、
第一発光層８および第二発光層１２に高電界が印加され
てこれら第一発光層、第二発光層が発光し、この光がガ
ラス基板ｌを経て外部に導光される。
このような薄膜ＥＬ＄子によれば、透明電極２と背面電
極！４との間に中間透明電極ＩＯとこの中間透明１！極
１０の両側に位置する第一発光層および第二発光層を積
層したので、二つの発光層を発光させることができ、極
めて高い輝度を得ることができる。このため、コントラ
ストを向上させるためにガラス基板１の前面に偏光板な
どを装管した場合にも十分な輝度を得ることができ、コ
ントラストを容易に向上することができる。また、背面
電極１４を透明電極２に接続したので、電源を背面電極
１４と中間透明電極ＩＯに接続しただけで中間透明電極
１と透明電極２との間（こも電圧を印加することができ
、これにより、従来と同じ強さの印加電圧で輝度をほぼ
二倍に向上することができる。
極！４との間に中間透明電極ＩＯとこの中間透明１！極
１０の両側に位置する第一発光層および第二発光層を積
層したので、二つの発光層を発光させることができ、極
めて高い輝度を得ることができる。このため、コントラ
ストを向上させるためにガラス基板１の前面に偏光板な
どを装管した場合にも十分な輝度を得ることができ、コ
ントラストを容易に向上することができる。また、背面
電極１４を透明電極２に接続したので、電源を背面電極
１４と中間透明電極ＩＯに接続しただけで中間透明電極
１と透明電極２との間（こも電圧を印加することができ
、これにより、従来と同じ強さの印加電圧で輝度をほぼ
二倍に向上することができる。
なお、この薄膜ＥＬ素子では、背面電極１４をインジウ
ムスズ酸化物（ＩＴＯ）などから構成してこの背面電極
１４を透明電極としても差し支えない。この場合には、
薄膜ＥＬ素子の両側方へ導光することができる。
ムスズ酸化物（ＩＴＯ）などから構成してこの背面電極
１４を透明電極としても差し支えない。この場合には、
薄膜ＥＬ素子の両側方へ導光することができる。
「発明の効果」
この発明の薄膜ＥＬ素子によれば、一対の電極間に中間
透明電極とこの中間透明電極の両側に位置する二つの発
光層とを設けたので、二つの発光層を発光させることが
でき、極めて高い輝度を得ることかできる。このため、
コントラストを向上させるために偏光板などを設けた場
合にも十分な輝度を得ることができ、コントラストを容
易に向上することができる。
透明電極とこの中間透明電極の両側に位置する二つの発
光層とを設けたので、二つの発光層を発光させることが
でき、極めて高い輝度を得ることかできる。このため、
コントラストを向上させるために偏光板などを設けた場
合にも十分な輝度を得ることができ、コントラストを容
易に向上することができる。
第１図は、この発明の一例を示す図であって、Ｒ膜ＥＬ
素子の概略構成断面図である。第２図は、従来の薄膜Ｅ
Ｌ素子の概略構成断面図である。 ２・・・・電極（透明電極）、 ８・・・・発光層（第一発光層）、 ｌＯ・・・・中間透明電極、 ■２・・・・発光層（第二発光７ｉ１）、１４・・・・
電極（背面電極）。
素子の概略構成断面図である。第２図は、従来の薄膜Ｅ
Ｌ素子の概略構成断面図である。 ２・・・・電極（透明電極）、 ８・・・・発光層（第一発光層）、 ｌＯ・・・・中間透明電極、 ■２・・・・発光層（第二発光７ｉ１）、１４・・・・
電極（背面電極）。
Claims (1)
- 一対の電極間に中間透明電極とこの中間透明電極の両
側に位置する二つの発光層とを設けたことを特徴とする
薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111215A JPS63276898A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111215A JPS63276898A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276898A true JPS63276898A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14555442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111215A Pending JPS63276898A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276898A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2533112A (en) * | 2014-12-09 | 2016-06-15 | Dst Innovation Ltd | Electroluminescent elements and methods of construction |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111215A patent/JPS63276898A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2533112A (en) * | 2014-12-09 | 2016-06-15 | Dst Innovation Ltd | Electroluminescent elements and methods of construction |
| WO2016092292A1 (en) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | Dst Innovations Limited | Electroluminescent elements and methods of construction |
| GB2533112B (en) * | 2014-12-09 | 2017-04-05 | Dst Innovations Ltd | Electroluminescent elements and methods of construction |
| US10219350B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-02-26 | Dst Innovations Limited | Electroluminescent elements and methods of construction |
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