JPH01130495A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子Info
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- JPH01130495A JPH01130495A JP62288676A JP28867687A JPH01130495A JP H01130495 A JPH01130495 A JP H01130495A JP 62288676 A JP62288676 A JP 62288676A JP 28867687 A JP28867687 A JP 28867687A JP H01130495 A JPH01130495 A JP H01130495A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高輝度、高効率な薄膜エレクトロルミネセン
ス素子（以下、薄膜ＥＬ素子と記述する）に関するもの
である。
ス素子（以下、薄膜ＥＬ素子と記述する）に関するもの
である。
〔従来技術・発明が解決しようとする問題点〕ＩＩ−Ｖ
ｌ族化合物半導体、例えば硫化亜鉛（Ｚ ｎＳ ）を母
体とし、これに発光中心を形成するマンガン（Ｍｎ）、
あるいは希土類化合物等を添加した薄膜を発光層とし、
この両側に酸化物、あるいは窒化物等の絶縁層（誘電体
層）薄膜をサンドイッチ状に設け、更にこの薄膜構造体
を、その一方が透明な一対の対向電極で挟持した薄膜Ｅ
Ｌ素子は周知であり、対向電極間に交流電圧を印加する
ことによって高輝度に発光し、しかも長寿命であること
が知られている。
ｌ族化合物半導体、例えば硫化亜鉛（Ｚ ｎＳ ）を母
体とし、これに発光中心を形成するマンガン（Ｍｎ）、
あるいは希土類化合物等を添加した薄膜を発光層とし、
この両側に酸化物、あるいは窒化物等の絶縁層（誘電体
層）薄膜をサンドイッチ状に設け、更にこの薄膜構造体
を、その一方が透明な一対の対向電極で挟持した薄膜Ｅ
Ｌ素子は周知であり、対向電極間に交流電圧を印加する
ことによって高輝度に発光し、しかも長寿命であること
が知られている。
第５図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面構造図を示すもので
あり、図において１はガラス基板、２はＩｎｚＯｓ：Ｓ
ｎ等からなる透明電極膜、３はＴａｔＯａ、ＳｍｖＯ３
、Ｙ ａ Ｏ３、ＡＬＯ３、Ｓｉ３Ｎ＋、５ｉｆｔ、等
の内の１種類、或は２種類以上の膜からなる第１絶縁層
膜、４はＭｎあるいは希土類化合物を添加したＺｎＳ
あるいはＳｒＳ 等のＩ［−ＶＩ族化合物半導体発
光層膜、５は３と同様な第２絶縁層膜、６はＡ１等より
なる背面金属電極膜である。
あり、図において１はガラス基板、２はＩｎｚＯｓ：Ｓ
ｎ等からなる透明電極膜、３はＴａｔＯａ、ＳｍｖＯ３
、Ｙ ａ Ｏ３、ＡＬＯ３、Ｓｉ３Ｎ＋、５ｉｆｔ、等
の内の１種類、或は２種類以上の膜からなる第１絶縁層
膜、４はＭｎあるいは希土類化合物を添加したＺｎＳ
あるいはＳｒＳ 等のＩ［−ＶＩ族化合物半導体発
光層膜、５は３と同様な第２絶縁層膜、６はＡ１等より
なる背面金属電極膜である。
このような構造の薄膜ＥＬ素子に交流電圧を印加した時
、発光層内・部の電界強度が約１０８Ｖ／ｃｎ＋程度に
なると、絶縁層と発光層の界面等から生成され電界で加
速された電子が発光中心物質を衝突励起することによっ
て、ＥＬ全発光得られる。
、発光層内・部の電界強度が約１０８Ｖ／ｃｎ＋程度に
なると、絶縁層と発光層の界面等から生成され電界で加
速された電子が発光中心物質を衝突励起することによっ
て、ＥＬ全発光得られる。
第５図に示したような発光層膜を絶縁層膜でサンドイッ
チ状に挟んだ、通常２重絶縁構造と呼ばれている構成の
素子では、Ｉ ＢＭのＭ ａｒｒｅｌｌｏらによって報
告されている（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、５２、（１
９８１）、３５９０）ように、特にＺｎＳ：Ｍｎを発光
層に用いた場合、効率良く発光するのは発光層の中でも
絶縁層に近い領域であり、発光層の中心部での発光効率
は低いと考えられている。しかしながら、これまでは発
光層の中心部の効率の良くない部分を如何に効率よく発
光せしめ、その結果として素子全体の発光効率を向上さ
せる手段は明確にはされていなかった。発光効率を改善
するためには、単に発光層膜の結晶性を向上させ、素子
全体の発光効率を向上さ仕るという方法しか知られてい
なかった。
チ状に挟んだ、通常２重絶縁構造と呼ばれている構成の
素子では、Ｉ ＢＭのＭ ａｒｒｅｌｌｏらによって報
告されている（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、５２、（１
９８１）、３５９０）ように、特にＺｎＳ：Ｍｎを発光
層に用いた場合、効率良く発光するのは発光層の中でも
絶縁層に近い領域であり、発光層の中心部での発光効率
は低いと考えられている。しかしながら、これまでは発
光層の中心部の効率の良くない部分を如何に効率よく発
光せしめ、その結果として素子全体の発光効率を向上さ
せる手段は明確にはされていなかった。発光効率を改善
するためには、単に発光層膜の結晶性を向上させ、素子
全体の発光効率を向上さ仕るという方法しか知られてい
なかった。
本発明はこの欠点を解決するために発明されたもので、
薄膜ＥＬの素子構造の内の発光層中に発光中心を衝突励
起する電子を注入する層を設けることによって、高輝度
で高効率な薄膜エレクトロルミネセンス素子を提供する
ことを目的とするものである。
薄膜ＥＬの素子構造の内の発光層中に発光中心を衝突励
起する電子を注入する層を設けることによって、高輝度
で高効率な薄膜エレクトロルミネセンス素子を提供する
ことを目的とするものである。
上記の目的を達成するため、本発明は薄膜構造体を一対
の電極で挟持し、交流電圧を当該電極間に印加して発光
せしめる薄膜エレクトロルミネセンス素子において、発
光層膜中に誘電損失が１％以上の低絶縁性誘電体膜から
なる電子注入層を挿入したことを特徴とするものである
。
の電極で挟持し、交流電圧を当該電極間に印加して発光
せしめる薄膜エレクトロルミネセンス素子において、発
光層膜中に誘電損失が１％以上の低絶縁性誘電体膜から
なる電子注入層を挿入したことを特徴とするものである
。
次に本発明の実施例を添付図面に従って説明する。なお
、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱し
ない範囲で、種種の変更あるいは改良を行いうろことは
言うまでもない。
、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱し
ない範囲で、種種の変更あるいは改良を行いうろことは
言うまでもない。
（実施例１）
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の断面構成図の一例を示
すものであって、図において７はガラス基板、８は透明
電極膜、９は絶縁層膜、１０は発光層膜、１１は誘電損
失が１％以上の低絶縁性誘電体膜からなる電子注入層、
１２は発光層膜、１３は絶縁層膜、１４は背面金属電極
膜（背面電極膜）である。！７は絶縁層膜９．１３、発
光層膜１０．１２からなる薄膜構造体である。
すものであって、図において７はガラス基板、８は透明
電極膜、９は絶縁層膜、１０は発光層膜、１１は誘電損
失が１％以上の低絶縁性誘電体膜からなる電子注入層、
１２は発光層膜、１３は絶縁層膜、１４は背面金属電極
膜（背面電極膜）である。！７は絶縁層膜９．１３、発
光層膜１０．１２からなる薄膜構造体である。
第１図の薄膜ＥＬ素子を作製するにあたり、ガラス基板
７としてホヤ製のＮＡ４０を用いた。このガラス基板上
にＩｎｔ０３：Ｓｎ透明電極膜８を２００ ｎｍ、スパ
ッタ法で形成した。次に、絶縁層膜９としてＴａｔＯｓ
を高周波マグネトロン・スパッタ法により３００ ｎｍ
、発光層膜１０としてＺｎＳ：Ｍｎを電子ビーム蒸着法
により５ Ｑ ＯＨｍ、低絶縁性誘電体膜１１として誘
電損失が５％以上のＳｉ０２ （ｌｒ −Ｓ ｉｏ り
を高周波マグネトロン・スパッタ法により５０ ｎｍ、
発光層膜１２としてｌＯと同様にＺｎＳ：Ｍｎを５００
ｎｍ、絶縁層膜１３として９と同様にＴａｘｅ、を３
００ ｎｍ、順次、積層形成した。そして、最後に背面
金属電極膜１４としてＡＩを電子ビーム蒸着法によりｌ
ｏＯｎｍ形成して薄膜ＥＬ素子を作製した。また、比較
のために上記構成から低絶縁性誘電体膜１１を除いた従
来の構造の素子を同時に作製した。以下、低絶縁性誘電
体膜１１を含む素子を素子Ａ、含まない素子を素子Ｂと
呼ぶこととする。
７としてホヤ製のＮＡ４０を用いた。このガラス基板上
にＩｎｔ０３：Ｓｎ透明電極膜８を２００ ｎｍ、スパ
ッタ法で形成した。次に、絶縁層膜９としてＴａｔＯｓ
を高周波マグネトロン・スパッタ法により３００ ｎｍ
、発光層膜１０としてＺｎＳ：Ｍｎを電子ビーム蒸着法
により５ Ｑ ＯＨｍ、低絶縁性誘電体膜１１として誘
電損失が５％以上のＳｉ０２ （ｌｒ −Ｓ ｉｏ り
を高周波マグネトロン・スパッタ法により５０ ｎｍ、
発光層膜１２としてｌＯと同様にＺｎＳ：Ｍｎを５００
ｎｍ、絶縁層膜１３として９と同様にＴａｘｅ、を３
００ ｎｍ、順次、積層形成した。そして、最後に背面
金属電極膜１４としてＡＩを電子ビーム蒸着法によりｌ
ｏＯｎｍ形成して薄膜ＥＬ素子を作製した。また、比較
のために上記構成から低絶縁性誘電体膜１１を除いた従
来の構造の素子を同時に作製した。以下、低絶縁性誘電
体膜１１を含む素子を素子Ａ、含まない素子を素子Ｂと
呼ぶこととする。
第２図に、周波数１ｋＨｚの正弦波電圧で素子を駆動し
たときの輝度−電荷（Ｌ−Ｑ）特性を示す。
たときの輝度−電荷（Ｌ−Ｑ）特性を示す。
素子Ａでは素子Ｂに比べて、同じ電荷密度で駆動した時
に得られる輝度が高い。また、輝度、発光効率などの素
子特性を表１にまとめて示す。
に得られる輝度が高い。また、輝度、発光効率などの素
子特性を表１にまとめて示す。
以 下 余 白
発光層中にＩｒ ５ｉＯｚ層を挿入することにより、
輝度、効率が４０％程度向上し、輝度の立ち上がり特性
（ｄＬ／ｄＱ）が急峻になる。素子Ｂで発光層膜を２回
に分けて蒸着形成したことによる素子特性への影響は、
Ｔ ｈｅｉｓらの報告（Ｊ ｏｆ ＣｒｙｓｔａｌＧｒ
ｏｗｔｈ、６３．（１９８３）、４７）から無視できる
ものと思われる。従って、以上の結果から、発光層膜／
低絶縁性誘電体層の界面近傍が発光層膜の中心部より強
く発光していること、及びＺｎＳ：Ｍｎ発光層膜の中に
低絶縁性の５ｉＯｚ層を挿入することが発光効率、並び
に発光輝度の改善に極めて有効であることがわかった。
輝度、効率が４０％程度向上し、輝度の立ち上がり特性
（ｄＬ／ｄＱ）が急峻になる。素子Ｂで発光層膜を２回
に分けて蒸着形成したことによる素子特性への影響は、
Ｔ ｈｅｉｓらの報告（Ｊ ｏｆ ＣｒｙｓｔａｌＧｒ
ｏｗｔｈ、６３．（１９８３）、４７）から無視できる
ものと思われる。従って、以上の結果から、発光層膜／
低絶縁性誘電体層の界面近傍が発光層膜の中心部より強
く発光していること、及びＺｎＳ：Ｍｎ発光層膜の中に
低絶縁性の５ｉＯｚ層を挿入することが発光効率、並び
に発光輝度の改善に極めて有効であることがわかった。
実施例においては、発光層膜の中に一層のみ、本発明の
骨子である低絶縁性の誘電体膜を配置した構造について
述べたが、これは−層だけに限る必要はなく、二層や三
層というように複数履用いても良い。
骨子である低絶縁性の誘電体膜を配置した構造について
述べたが、これは−層だけに限る必要はなく、二層や三
層というように複数履用いても良い。
次に、本発明の要素技術となる絶縁膜の誘電損失の制御
法について述べる。上記実施例中の低絶縁性誘電体層１
１に用いたＳｉｎ、は誘電損失が５％以上の低絶縁性膜
であった。同じ材料でも成膜法により絶縁性は変化し、
５ｉＯｚを例にとると、本発明の方法、即ち５ｉＯｚの
酸化物ターゲットを用いてマグネトロン・スパッタ法に
より膜形成を行う場合には、成膜時のガス雰囲気により
形成した膜の絶縁性が変化する。膜形成時の雰囲気を酸
素を含まない不活性ガスとするとできた膜は上記実施例
に示したような低絶縁性膜となり、成膜時の雰囲気の酸
素濃度を増すに従って高絶縁性の膜とすることができる
。即ち、成膜時のガス雰囲気を調整することにより、誘
電損失を０．２から２０％まで任意に制御した５ｉｆｔ
膜を得ることができる。
法について述べる。上記実施例中の低絶縁性誘電体層１
１に用いたＳｉｎ、は誘電損失が５％以上の低絶縁性膜
であった。同じ材料でも成膜法により絶縁性は変化し、
５ｉＯｚを例にとると、本発明の方法、即ち５ｉＯｚの
酸化物ターゲットを用いてマグネトロン・スパッタ法に
より膜形成を行う場合には、成膜時のガス雰囲気により
形成した膜の絶縁性が変化する。膜形成時の雰囲気を酸
素を含まない不活性ガスとするとできた膜は上記実施例
に示したような低絶縁性膜となり、成膜時の雰囲気の酸
素濃度を増すに従って高絶縁性の膜とすることができる
。即ち、成膜時のガス雰囲気を調整することにより、誘
電損失を０．２から２０％まで任意に制御した５ｉｆｔ
膜を得ることができる。
以上の実施例においては低絶縁性誘電体層１１には誘電
損失５％以上の５ｉｎｓ膜を用いたが、誘電損失の値の
範囲としては（１％以上が適当である。誘電損失が１％
以下になると、注入される電子の数が減少するため、輝
度、効率の改善効果が低減する。
損失５％以上の５ｉｎｓ膜を用いたが、誘電損失の値の
範囲としては（１％以上が適当である。誘電損失が１％
以下になると、注入される電子の数が減少するため、輝
度、効率の改善効果が低減する。
また、絶縁層９と発光層ＩＯの間、及び発光層ｌ２と絶
縁層１３との間に低絶縁性誘電体層を挟んだ構造とすれ
ば、それぞれの界面近傍での発光効率が改善され、更に
発光特性は向上する。なお、低絶縁性絶縁層の膜厚は、
駆動電圧の増加を最小限に抑えるという観点から、ｌＯ
〜１００ ｎｍが適当である。
縁層１３との間に低絶縁性誘電体層を挟んだ構造とすれ
ば、それぞれの界面近傍での発光効率が改善され、更に
発光特性は向上する。なお、低絶縁性絶縁層の膜厚は、
駆動電圧の増加を最小限に抑えるという観点から、ｌＯ
〜１００ ｎｍが適当である。
（実施例２）
第３図に発光層の両側にも低絶縁性誘電体層１５．１６
を設けた構造を示した。この構造の素子を素子Ｃとする
。素子Ｃと従来構造の素子Ｂとの発光特性を比較して表
２に示す。また、素子Ｃと素子ＢのＬ−Ｑ特性を第４図
に示す。表、及び図の結果から、素子Ｃの構造では更に
発光特性が著しく改善されること明らかである。
を設けた構造を示した。この構造の素子を素子Ｃとする
。素子Ｃと従来構造の素子Ｂとの発光特性を比較して表
２に示す。また、素子Ｃと素子ＢのＬ−Ｑ特性を第４図
に示す。表、及び図の結果から、素子Ｃの構造では更に
発光特性が著しく改善されること明らかである。
以 下 余 白
本発明、及びその効果は上記実施例中に記述した材料に
なんら限定されるものではなく、例えばガラス基板とし
ては、コーニング７ｏ５９を用いても同様の効果が得ら
れろ。その他、発光層としてはＴｂ、Ｓｍ、Ｃｅ等の希
土類化合物を添加したＺｎＳ１ＳｒＳ、ＣａＳ 等の
ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体薄膜、第１図の絶縁層９．１
３に用いる絶縁層としてはＳ ｒＴ ｉｏ ３、Ｂ ａ
Ｔ ｉｏ ８、Ｐ ｂＴ ｉＯｓ、ＢａＴａｔｏｓ、
ＴａｚＯｓｓ ＳｍｔＯ３ｓ Ｙ！０３ｓ Ａｌ２Ｏ３
ｑＳｉｓＮ４．５ｉｆｔ薄膜等、あるいはこれらを２ｍ
！類以上組み合わせた複合層を用いても同様の効果が期
待できる。また、上記の実施例においては、薄膜構造体
１７の構成として、絶縁層膜を電極膜８．１４の両方の
側に設けたが、この絶縁層膜は電極膜８．１４のいずれ
か一方の側に設けるだけであってもよい。更に、第１図
の低絶縁性誘電体膜ＩＩに用いる絶縁層としては、５ｉ
ｆｔの他に誘電損失が１％以上になるよう成膜条件を制
御して作製したＴａｘｅｓ、Ｓ Ｉｌｌ、０３、Ｙ２Ｏ
３、Ａ ＬＯ３、Ｓｉ３Ｎ４薄膜等を用いても同様な効
果が期待できる。実際に、低絶縁性誘電体膜としてマグ
ネトロン・スパッタ法で形成したＡｌ２Ｏ３を ５ｉｆ
ｔの代わりに用いて行ったところ、同様の効果が得られ
た。
なんら限定されるものではなく、例えばガラス基板とし
ては、コーニング７ｏ５９を用いても同様の効果が得ら
れろ。その他、発光層としてはＴｂ、Ｓｍ、Ｃｅ等の希
土類化合物を添加したＺｎＳ１ＳｒＳ、ＣａＳ 等の
ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体薄膜、第１図の絶縁層９．１
３に用いる絶縁層としてはＳ ｒＴ ｉｏ ３、Ｂ ａ
Ｔ ｉｏ ８、Ｐ ｂＴ ｉＯｓ、ＢａＴａｔｏｓ、
ＴａｚＯｓｓ ＳｍｔＯ３ｓ Ｙ！０３ｓ Ａｌ２Ｏ３
ｑＳｉｓＮ４．５ｉｆｔ薄膜等、あるいはこれらを２ｍ
！類以上組み合わせた複合層を用いても同様の効果が期
待できる。また、上記の実施例においては、薄膜構造体
１７の構成として、絶縁層膜を電極膜８．１４の両方の
側に設けたが、この絶縁層膜は電極膜８．１４のいずれ
か一方の側に設けるだけであってもよい。更に、第１図
の低絶縁性誘電体膜ＩＩに用いる絶縁層としては、５ｉ
ｆｔの他に誘電損失が１％以上になるよう成膜条件を制
御して作製したＴａｘｅｓ、Ｓ Ｉｌｌ、０３、Ｙ２Ｏ
３、Ａ ＬＯ３、Ｓｉ３Ｎ４薄膜等を用いても同様な効
果が期待できる。実際に、低絶縁性誘電体膜としてマグ
ネトロン・スパッタ法で形成したＡｌ２Ｏ３を ５ｉｆ
ｔの代わりに用いて行ったところ、同様の効果が得られ
た。
以上説明したように、本発明の素子は発光特性が優れて
いることから、本発明の素子を用い、れば高輝度で高効
率の薄膜ＥＬ表示パネルを製造できるという利点がある
。
いることから、本発明の素子を用い、れば高輝度で高効
率の薄膜ＥＬ表示パネルを製造できるという利点がある
。
第１図は本発明の一実施例として示した薄膜ＥＬ素子の
断面図、第２図は本発明による素子、及び従来素子の輝
度−電荷特性を示すグラフ、第３図は本発明の別の実施
例として示した薄膜ＥＬ素子の断面図、第４図は本発明
による素子、及び従来素子の輝度−電荷特性を示すグラ
フ、第５図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面図である。 ８・・・・・・透明電極、９．１３・・・・・・絶縁層
膜、１０゜１２・・・・・・発光層膜、１１．１５．１
６・・・・・・電子注大層（低絶縁性誘電体膜）、１４
・・・・・・背面電極膜（背面金属電極膜）、１７・・
・・・・薄膜構造体。 出願人 日本電信電話株式会社 第１図 ８：透１Ｆ１１１極 １４：背ｆｌ電輪膜 ＋７：、ｉ１１瞑Ｊｌｌ遺体 第３図
断面図、第２図は本発明による素子、及び従来素子の輝
度−電荷特性を示すグラフ、第３図は本発明の別の実施
例として示した薄膜ＥＬ素子の断面図、第４図は本発明
による素子、及び従来素子の輝度−電荷特性を示すグラ
フ、第５図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面図である。 ８・・・・・・透明電極、９．１３・・・・・・絶縁層
膜、１０゜１２・・・・・・発光層膜、１１．１５．１
６・・・・・・電子注大層（低絶縁性誘電体膜）、１４
・・・・・・背面電極膜（背面金属電極膜）、１７・・
・・・・薄膜構造体。 出願人 日本電信電話株式会社 第１図 ８：透１Ｆ１１１極 １４：背ｆｌ電輪膜 ＋７：、ｉ１１瞑Ｊｌｌ遺体 第３図
Claims (3)
- （１）薄膜構造体を透明電極膜と背面電極膜とでなる一
対の電極膜で挟持し、交流電圧を当該電極膜間に印加し
て発光せしめる薄膜エレクトロルミネセンス素子におい
て、発光層膜の中に低絶縁性誘電体膜からなる電子注入
層を設けた構造とすることを特徴とする薄膜エレクトロ
ルミネセンス素子。 - （２）上記発光層膜の中に設けた電子注入層が、誘電損
失が１％以上のＳｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｓｍ＿２
Ｏ＿３、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｓｉ＿３Ｎ＿
４のいずれかの膜で構成されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子
。 - （３）上記発光層膜の中に設けた電子注入層が誘電損失
が１％以上のＳｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｓｍ＿２Ｏ
＿３、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｓｉ＿３Ｎ＿４
のいずれかの膜で構成され、かつ発光層の両側にも誘電
損失が１％以上のＳｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｓｍ＿
２Ｏ＿３、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｓｉ＿３Ｎ
＿４のいずれかの膜が設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミネセン
ス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288676A JPH0824071B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288676A JPH0824071B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130495A true JPH01130495A (ja) | 1989-05-23 |
| JPH0824071B2 JPH0824071B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=17733243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62288676A Expired - Lifetime JPH0824071B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824071B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994007344A1 (fr) * | 1992-09-22 | 1994-03-31 | Hitachi, Ltd. | Element luminescent organique et son substrat |
| JPH08255685A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-10-01 | Lg Semicon Co Ltd | カラーエレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2008251336A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Kuraray Luminas Co Ltd | 薄膜型無機ｅｌ素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665492A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-03 | Sharp Kk | Thin film el element |
| JPS59157996A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-07 | 松下電工株式会社 | Ｅｌ発光素子 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62288676A patent/JPH0824071B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665492A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-03 | Sharp Kk | Thin film el element |
| JPS59157996A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-07 | 松下電工株式会社 | Ｅｌ発光素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994007344A1 (fr) * | 1992-09-22 | 1994-03-31 | Hitachi, Ltd. | Element luminescent organique et son substrat |
| US5847506A (en) * | 1992-09-22 | 1998-12-08 | Hitachi, Ltd. | Organic light emitting device and substrate plate for it |
| JPH08255685A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-10-01 | Lg Semicon Co Ltd | カラーエレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2008251336A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Kuraray Luminas Co Ltd | 薄膜型無機ｅｌ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0824071B2 (ja) | 1996-03-06 |
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