JPS6035496A - Ｅｌパネル - Google Patents
ＥｌパネルInfo
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- JPS6035496A JPS6035496A JP58143189A JP14318983A JPS6035496A JP S6035496 A JPS6035496 A JP S6035496A JP 58143189 A JP58143189 A JP 58143189A JP 14318983 A JP14318983 A JP 14318983A JP S6035496 A JPS6035496 A JP S6035496A
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＥＬパネル、特に交流で駆動するのに適した工
ｌ／りトロルミネセンスパネルに関するものである。
ｌ／りトロルミネセンスパネルに関するものである。
従来例の構成とその問題点
昨今、超ＬＳＩに代表される半導体分野の急速な発展は
情報化社会を促進し、各種ＯＡ機器が開発されている。
情報化社会を促進し、各種ＯＡ機器が開発されている。
オフコンやワードプロセノザー等のＯＡ機器は情報と人
間の接点として、必ずディスプレイが必要であり、それ
も文字６図形とも高精細度で見易く、かつ省スペース型
で軽量のディスプレイが望まれている。かかる分野にお
いて、ＥＬパネルは表示文字図形がくっきりしていて乱
れもないため、人間の視覚に対し疲れない見易い表示で
あるという特徴を持つ。また全固体式で薄形軽量である
ので、各種ＯＡ機器の小型化、軽量化に寄与し得るもの
である。
間の接点として、必ずディスプレイが必要であり、それ
も文字６図形とも高精細度で見易く、かつ省スペース型
で軽量のディスプレイが望まれている。かかる分野にお
いて、ＥＬパネルは表示文字図形がくっきりしていて乱
れもないため、人間の視覚に対し疲れない見易い表示で
あるという特徴を持つ。また全固体式で薄形軽量である
ので、各種ＯＡ機器の小型化、軽量化に寄与し得るもの
である。
従来例の構造とその問題点
ＥＬパネルは小さな多数のＥＬ素子の集合（セグメント
）から成立っており、電極構造および駆動回路によって
、各セグメントは任意に発光させることができる。ＥＬ
パネルの性能は当然ＥＬ素子の性能に最も帰因する。通
常ＥＬパネルは螢光層の両側と絶縁層ではさみ、更にこ
れらを電極でサンドインチ状にはさんだ構造を持ち、電
極の一方は必ず透明電極となっている。ＥＬパネルの性
能は第一に螢光層の特性の良し悪しにかかっている。螢
光層は一般にＺｎＳを母体にし、それにＭｎや希土類元
素がドーグされたものであり、透明電極層、絶縁層（絶
縁層が一層のときにはない場合もある）を積層したガラ
ス基板に更に電子ビーム蒸着法あるいはスパッター法で
蒸着して作製される。この時ＺｎＳ螢光層の断面は、基
板側すなわち蒸着の初期に形成された部分（約２０００
八厚）は一般に結晶性が悪く、結晶配向性の悪い微小粒
子からなり、更に厚みを増していくと、配向した大きな
粒子になる。上記結晶性の悪い部分は発光センターを励
起するための電子の加速かされにくく、発光センターの
活性が低く、更に非発光性欠陥が多い等の理由により、
ＥＬ発光の効率が悪い。このことは一般に非結晶性や多
結晶質の基板上にＺｎ Ｓを積層するために生じる現象
である。
）から成立っており、電極構造および駆動回路によって
、各セグメントは任意に発光させることができる。ＥＬ
パネルの性能は当然ＥＬ素子の性能に最も帰因する。通
常ＥＬパネルは螢光層の両側と絶縁層ではさみ、更にこ
れらを電極でサンドインチ状にはさんだ構造を持ち、電
極の一方は必ず透明電極となっている。ＥＬパネルの性
能は第一に螢光層の特性の良し悪しにかかっている。螢
光層は一般にＺｎＳを母体にし、それにＭｎや希土類元
素がドーグされたものであり、透明電極層、絶縁層（絶
縁層が一層のときにはない場合もある）を積層したガラ
ス基板に更に電子ビーム蒸着法あるいはスパッター法で
蒸着して作製される。この時ＺｎＳ螢光層の断面は、基
板側すなわち蒸着の初期に形成された部分（約２０００
八厚）は一般に結晶性が悪く、結晶配向性の悪い微小粒
子からなり、更に厚みを増していくと、配向した大きな
粒子になる。上記結晶性の悪い部分は発光センターを励
起するための電子の加速かされにくく、発光センターの
活性が低く、更に非発光性欠陥が多い等の理由により、
ＥＬ発光の効率が悪い。このことは一般に非結晶性や多
結晶質の基板上にＺｎ Ｓを積層するために生じる現象
である。
現在においてもＥＬパネルの輝度は実用上十分とはいえ
ず、今後より高精度化を図って駆動走査本数が多くなれ
ばなるほど、一層素子の輝度向上が望１れている。
ず、今後より高精度化を図って駆動走査本数が多くなれ
ばなるほど、一層素子の輝度向上が望１れている。
発明の目的
本発明は従来のＥＬパネルに比較して、より明るいＥＬ
パネルを提供することを目的とする。
パネルを提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の目的を達成するために、ＥＬパネルにおいて新
たに不純物を含まぬＺｎＳ層の導入を図った。すなわち
、ガラス基板、透明電極、絶縁層く片面絶縁層型である
ときにはない場合もある）の順に積層した上に、まず不
純物を含まぬＺｎＳを２００〜１０００人の厚みで蒸着
し、ついで螢光活性物質をドープしたＺｎＳ螢光体を所
定厚みで積層した。結局、ＺｎＳ 螢光層の基板側（Ｚ
ｎＳ螢光層の蒸着初期の側）に更に不純物を含丑ぬＺｎ
Ｓ 層を設けた。かかる不純物を含まぬＺｎＳ層はＺｎ
Ｓ螢光層と同様、その内部と電子が電界により移動する
が、発光センターがないので発光しない部分である。し
かし、発光センターの異種元素を含まぬため結晶性が良
く、励起のための電子の加速のみは良好に行なわれ、か
つ、更にその上に積層される同質のＺｎＳ螢光層にとっ
て結晶性向上に好ましい蒸着下地となる。すなわち、Ｚ
ｎＳ螢光層は薄膜の厚み方向全体にわたって均一良好な
発光層となって輝度等の特性改善力くなされる。
たに不純物を含まぬＺｎＳ層の導入を図った。すなわち
、ガラス基板、透明電極、絶縁層く片面絶縁層型である
ときにはない場合もある）の順に積層した上に、まず不
純物を含まぬＺｎＳを２００〜１０００人の厚みで蒸着
し、ついで螢光活性物質をドープしたＺｎＳ螢光体を所
定厚みで積層した。結局、ＺｎＳ 螢光層の基板側（Ｚ
ｎＳ螢光層の蒸着初期の側）に更に不純物を含丑ぬＺｎ
Ｓ 層を設けた。かかる不純物を含まぬＺｎＳ層はＺｎ
Ｓ螢光層と同様、その内部と電子が電界により移動する
が、発光センターがないので発光しない部分である。し
かし、発光センターの異種元素を含まぬため結晶性が良
く、励起のための電子の加速のみは良好に行なわれ、か
つ、更にその上に積層される同質のＺｎＳ螢光層にとっ
て結晶性向上に好ましい蒸着下地となる。すなわち、Ｚ
ｎＳ螢光層は薄膜の厚み方向全体にわたって均一良好な
発光層となって輝度等の特性改善力くなされる。
実施例の説明
実施例１
第１図に示すような螢光体層の両側に絶縁層を設けた２
重絶縁型のＥＬ素子を作製した。図において、１はガラ
ス基板、２はＩ＝、Ｓｎ混晶酸化物透明電極（１０００
八厚）、３は下部絶縁層Ｙ２Ｏ３（５００八厚）、４は
不純物を含まぬＺｎＳ 層、５は活性不純物Ｍｎを０．
８原子％ ドープしたＺｎＳ層（３０００Ａ厚）、６は
上部絶縁層（Ｙ２Ｏ３（４０００八厚）、７は厚さ１０
００への背面電極（ＡＩ ）８とＹ２Ｏ３層の接着性を
良くするために更に設けられたＡ Ｉ 、０３層（’１
０００八厚）である。
重絶縁型のＥＬ素子を作製した。図において、１はガラ
ス基板、２はＩ＝、Ｓｎ混晶酸化物透明電極（１０００
八厚）、３は下部絶縁層Ｙ２Ｏ３（５００八厚）、４は
不純物を含まぬＺｎＳ 層、５は活性不純物Ｍｎを０．
８原子％ ドープしたＺｎＳ層（３０００Ａ厚）、６は
上部絶縁層（Ｙ２Ｏ３（４０００八厚）、７は厚さ１０
００への背面電極（ＡＩ ）８とＹ２Ｏ３層の接着性を
良くするために更に設けられたＡ Ｉ 、０３層（’１
０００八厚）である。
かかる構造のＥＬ−々ネルにおいて、不純物を含捷ぬＺ
ｎ８層４の厚みを種々変え、他は上記厚みに一定に保っ
て数種類作製した。不純物を含まぬＺｎＳ 層４ならび
にＺｎＳ：Ｍｎ 層５は電子ビーム蒸着法、Ｙ２Ｏ３層
６とＡｌ２Ｏ３層アは金属を飛ばし、酸素雰囲気中（１
〜３×１Ｏ−４ｔｏｒｒ）で酸化する活性電子ビーム蒸
着法によって作製した。
ｎ８層４の厚みを種々変え、他は上記厚みに一定に保っ
て数種類作製した。不純物を含まぬＺｎＳ 層４ならび
にＺｎＳ：Ｍｎ 層５は電子ビーム蒸着法、Ｙ２Ｏ３層
６とＡｌ２Ｏ３層アは金属を飛ばし、酸素雰囲気中（１
〜３×１Ｏ−４ｔｏｒｒ）で酸化する活性電子ビーム蒸
着法によって作製した。
ＺｎＳ：Ｍｎ層を形成した後、真空中で６００℃、１時
間アニールした。背面電極８と透明電極２の間に５曲の
正弦波を印加して、印加電圧（Ｖｒｍｓ ）と輝度Ｂに
ニット）を測定し、第２図に示した。
間アニールした。背面電極８と透明電極２の間に５曲の
正弦波を印加して、印加電圧（Ｖｒｍｓ ）と輝度Ｂに
ニット）を測定し、第２図に示した。
図中パラメータは不純物を含まぬＺｎ８層４の厚み（弔
位へ）となっている。図から明らかなように、１００人
の不純物を含まぬＺｎＳ層を設けた素子はそれがない素
子と特性はほとんど同じであ） るが、２００人以上で
明らかに輝度の向上が認められる。不純物を含まぬＺｎ
Ｓ層を１０Ｑ〇八設けた素子の飽和輝度（約２０００
ニット）と設けない素子のそれ（約１３００ ニット）
とを比較すると、１．５倍の輝度に改善されている。し
かし、２０００八厚以上では駆動電圧が上るのみで飽和
輝度は１０００への場合とほぼ同一である。
位へ）となっている。図から明らかなように、１００人
の不純物を含まぬＺｎＳ層を設けた素子はそれがない素
子と特性はほとんど同じであ） るが、２００人以上で
明らかに輝度の向上が認められる。不純物を含まぬＺｎ
Ｓ層を１０Ｑ〇八設けた素子の飽和輝度（約２０００
ニット）と設けない素子のそれ（約１３００ ニット）
とを比較すると、１．５倍の輝度に改善されている。し
かし、２０００八厚以上では駆動電圧が上るのみで飽和
輝度は１０００への場合とほぼ同一である。
一般に駆動電圧が上るのは好ましくないので効果的な不
純物を含まぬＺｎＳ層の厚みは２００〜１０００人とい
える。
純物を含まぬＺｎＳ層の厚みは２００〜１０００人とい
える。
また図から明らかなように、不純物を含まぬＺｎＳ層を
導入した素子は輝度の電圧に対する立上りがより急にな
っていることがわかる。このことはパネル駆動時に各々
の素子の発光、非発光を決める信号系変調電圧パルス幅
を小さくできることを意味し、それだけ・ζワーが小さ
くなる長所となる。
導入した素子は輝度の電圧に対する立上りがより急にな
っていることがわかる。このことはパネル駆動時に各々
の素子の発光、非発光を決める信号系変調電圧パルス幅
を小さくできることを意味し、それだけ・ζワーが小さ
くなる長所となる。
実施例２
第１図と全く同じ構造のＺ ｎ Ｓ ： Ｔ ｂ Ｆ
３を螢光膜としたＥＬパネルを作製した。Ｚ ｎ Ｓ
： Ｔ ｂ Ｆ ３膜はＺｎＳ に対し、２モル係のＴ
ｂＦ３を含む混合物粉末（８００℃で１時間Ａｒ雰囲気
中で熱処理）をターゲットにして、Ａｒ （２ｘ１０
ｔｏｒｒ）で高周波スパッター法で作製した。その後、
真空中で３６０℃、１時間アニールして螢光膜の活性化
を行なった。他の膜の作製条件は実施例１と同様である
。図から明らかなように、２００人の不純物を含まぬＺ
ｎＳ層を設けると輝度の向上と共に、いくぶん発光しき
い電圧の低下がもたらされる。
３を螢光膜としたＥＬパネルを作製した。Ｚ ｎ Ｓ
： Ｔ ｂ Ｆ ３膜はＺｎＳ に対し、２モル係のＴ
ｂＦ３を含む混合物粉末（８００℃で１時間Ａｒ雰囲気
中で熱処理）をターゲットにして、Ａｒ （２ｘ１０
ｔｏｒｒ）で高周波スパッター法で作製した。その後、
真空中で３６０℃、１時間アニールして螢光膜の活性化
を行なった。他の膜の作製条件は実施例１と同様である
。図から明らかなように、２００人の不純物を含まぬＺ
ｎＳ層を設けると輝度の向上と共に、いくぶん発光しき
い電圧の低下がもたらされる。
１０００ 膜厚の不純物を含まぬＺｎＳ膜の時、飽和輝
度は、それがない場合に比較して約１．４ 倍に改善さ
れる。更に不純物を含寸ぬＺｎＳの厚みを増して行って
も、実施例１と同様、発光しきい電圧が上昇するのみで
、輝度は向上しない。したがって、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｔ
ｂ Ｆ ２螢光膜においても最適な不純物を含まぬＺ
ｎＳ薄膜の厚みは２００〜１０００人といえる。
度は、それがない場合に比較して約１．４ 倍に改善さ
れる。更に不純物を含寸ぬＺｎＳの厚みを増して行って
も、実施例１と同様、発光しきい電圧が上昇するのみで
、輝度は向上しない。したがって、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｔ
ｂ Ｆ ２螢光膜においても最適な不純物を含まぬＺ
ｎＳ薄膜の厚みは２００〜１０００人といえる。
実施例３
第１図において、下部Ｙ２ｏ３絶縁層３がないＥＬパネ
ル（片面絶縁層型）について実施例１と同様にして素子
を作成し鑞圧、輝度特性をめた。
ル（片面絶縁層型）について実施例１と同様にして素子
を作成し鑞圧、輝度特性をめた。
その結果、不純物を含まぬＺｎＳ層を設けない場合及び
１００八設けた場合はほとんど電圧輝度特性は同一で、
しきい電圧５０ｖ１飽和輝度１０５０ニットを得た。２
００八厚の時は５４Ｖ、１２５０ニツト、１０００００
０八厚Ｖ、１５００ニツトのしきい電圧と飽和輝度とそ
れぞれ得た。２００００００八厚物を含まぬＺｎＳの場
合はしきい電圧が更に１０Ｖ高くなるだけで、輝度の向
上ばもたらされなかった。かかる片面絶縁構造のＥＬノ
くネルにおいても、不純物を含まぬＺｎＳ膜の効果か認
められ、その最適膜厚は２００〜１０００人 である。
１００八設けた場合はほとんど電圧輝度特性は同一で、
しきい電圧５０ｖ１飽和輝度１０５０ニットを得た。２
００八厚の時は５４Ｖ、１２５０ニツト、１０００００
０八厚Ｖ、１５００ニツトのしきい電圧と飽和輝度とそ
れぞれ得た。２００００００八厚物を含まぬＺｎＳの場
合はしきい電圧が更に１０Ｖ高くなるだけで、輝度の向
上ばもたらされなかった。かかる片面絶縁構造のＥＬノ
くネルにおいても、不純物を含まぬＺｎＳ膜の効果か認
められ、その最適膜厚は２００〜１０００人 である。
以上実施例にて説明した不純物を含丑ぬＺｎＳ層の効果
は、絶縁体層の種類を変えても、すなわちＹ２Ｏ３以外
（たとえば、Ｔ ａ ２０５＋ Ｓ ｌＴ１２０ ｓ
＋ＢａＴｉ０ ’、 ５ｒＴｉ○ 、ＰｂＮｂ２Ｏ６等
）でも３ ３ 同一構造で飽和輝度、しきい電圧の絶対値がそれぞれ異
るのみで、その結果は各々の絶縁膜において不純物を含
まぬＺｎＳ 層の膜厚に従い相対的に観測されることを
確認した。
は、絶縁体層の種類を変えても、すなわちＹ２Ｏ３以外
（たとえば、Ｔ ａ ２０５＋ Ｓ ｌＴ１２０ ｓ
＋ＢａＴｉ０ ’、 ５ｒＴｉ○ 、ＰｂＮｂ２Ｏ６等
）でも３ ３ 同一構造で飽和輝度、しきい電圧の絶対値がそれぞれ異
るのみで、その結果は各々の絶縁膜において不純物を含
まぬＺｎＳ 層の膜厚に従い相対的に観測されることを
確認した。
発明の効果
以上のように、本発明のＥＬ／（ネルにおいては、不純
物を含丑ぬＺｎＳ層を螢光活性元素をドープしたＺｎＳ
層と接して配置し、かつ上記不純物を含まぬＺｎＳ層を
上記ＺｎＳ螢光層に対して基板側に配置することによっ
て、交流薄膜ＥＬ−々ネルとして従来に比較して最大１
．５倍の輝度を得ることができ、ＥＬパネルの実用的価
値の一層の向上を図ることが可能である。また、発光の
電圧に対する立上りの急峻化は最終的に駆動パワーの低
減をもたらし得る。
物を含丑ぬＺｎＳ層を螢光活性元素をドープしたＺｎＳ
層と接して配置し、かつ上記不純物を含まぬＺｎＳ層を
上記ＺｎＳ螢光層に対して基板側に配置することによっ
て、交流薄膜ＥＬ−々ネルとして従来に比較して最大１
．５倍の輝度を得ることができ、ＥＬパネルの実用的価
値の一層の向上を図ることが可能である。また、発光の
電圧に対する立上りの急峻化は最終的に駆動パワーの低
減をもたらし得る。
第１図は本発明のＥＬパネルの一実施例の断面図、第２
図および第３図はそれぞれＺｎＳ：Ｍｎ螢光層＋ Ｚ
ｎ Ｓ ： Ｔ ｂ Ｆ ３螢光層を用いた場合の従来
のＥＬパネルおよび本発明のＥＬパネルの電圧−輝度特
性を示す図である。 １・・・・・・ガラス板、２・・・・・・透明電極、３
・・・・・・下部絶縁層、４・・・・・・不純物を含ま
ぬＺｎＳ層、６・・・・・・ＺｎＳ：ＭｎあるいはＺ
ｎ Ｓ ： Ｔ ｂ Ｆ ｓ螢光層、γ・・・、・・Ａ
Ｉ、０３層、８・・・・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ｔ Ｌ （Ｖｒｒｎ５）
図および第３図はそれぞれＺｎＳ：Ｍｎ螢光層＋ Ｚ
ｎ Ｓ ： Ｔ ｂ Ｆ ３螢光層を用いた場合の従来
のＥＬパネルおよび本発明のＥＬパネルの電圧−輝度特
性を示す図である。 １・・・・・・ガラス板、２・・・・・・透明電極、３
・・・・・・下部絶縁層、４・・・・・・不純物を含ま
ぬＺｎＳ層、６・・・・・・ＺｎＳ：ＭｎあるいはＺ
ｎ Ｓ ： Ｔ ｂ Ｆ ｓ螢光層、γ・・・、・・Ａ
Ｉ、０３層、８・・・・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ｔ Ｌ （Ｖｒｒｎ５）
Claims (2)
- （１）螢光体層の少くとも片面に絶縁層を有し、前記螢
光体層が不純物を含まぬＺｎＳ層と接し、かつこの不純
物を含まぬＺｎＳ層を前記螢光体層に対して基板側に配
したことを特徴とするＥＬパネル０ - （２）不純物を含まぬＺｎＳ層の厚みが２００〜１００
０人であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143189A JPS6035496A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | Ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143189A JPS6035496A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | Ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035496A true JPS6035496A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15332941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143189A Pending JPS6035496A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | Ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035496A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244985A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | 株式会社日立製作所 | エレクトロルミネセンス素子 |
| JPS62145695A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51138188A (en) * | 1975-05-23 | 1976-11-29 | Sharp Corp | Electro luminescence element |
| JPS5719995A (en) * | 1980-07-10 | 1982-02-02 | Fujitsu Ltd | El indicator |
| JPS57103295A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing thin film light emitting element |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58143189A patent/JPS6035496A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPS62145695A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
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