JPS59146192A - Ｅｌ素子 - Google Patents

Ｅｌ素子

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JPS59146192A
JPS59146192A JP58020606A JP2060683A JPS59146192A JP S59146192 A JPS59146192 A JP S59146192A JP 58020606 A JP58020606 A JP 58020606A JP 2060683 A JP2060683 A JP 2060683A JP S59146192 A JPS59146192 A JP S59146192A
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JP
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rare earth
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thickness
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富造 松岡
洋介 藤田
雅博 西川
阿部　惇
新田　恒治
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明ばＥＬ素子、とりわけ希土類で活性化された硫化
亜鉛を発光体に用いたＥＬ素子に関するものである。
従来例の構成とその問題点 希土類元素や希土類フッ化物で付活した硫化亜鉛に、高
電界を印加することにより発光することは古くから知ら
れている。たとえば、透明電極を設けたガラス基板トに
、絶縁体層、希土類伺活硫化亜鉛発光体層、絶縁体層、
および反射電極を順次積層した構造の薄膜ＥＬ素子が形
成され、付活剤の種類により、種々の発光色のＥＬ素子
が得られている。また付活剤として希土類のフッ化物を
用いることにより、希土類元素を用いた場合よりも高輝
度の素子が得られている。しかしこの種のＥＬ素子にお
いては、発光効率も低く、実用レベルの発光輝度が得ら
れていない。その原因としては、希土類元素が硫化亜鉛
中の亜鉛の位置に入っていないことや、フッ素の導入な
どにより硫化亜鉛の結晶性が悪くなることが考えられる
。
発明の目的 本発明は、希土類添加硫化亜鉛を発光体に用いたＥＬ素
子の発光輝度の向上を目的とする。
発明の構成 本発明は、ＥＬ素子の発光体として、希土類元素を含み
、かつ窒素、燐、および砒素のうちの１種寸たは２種以
上を含む硫化亜鉛を用い、この発光体に電圧な印加する
手段を形成することにより、上記目的を達成することが
できたものである。希土類元素としては、Ｐｒ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ。
およびＴｍのうちの１種または２種以七を用いることが
できる。
実施例の説明 第１図は本発明による薄膜ＥＬ素子の断面図である。図
において、１はガラス基板であり、その」−に厚さ２０
００人の錫添加酸化インジウム透明電極２がスパッタリ
ング法により形成されている。
その上に電子ビーム加熱真空蒸着法により、１００℃の
基板温度で、５００人の厚さのＹ２Ｏ３絶縁体層３が形
成されている。さらにその上に、基板温度２５０℃　で
、１モル係のＴｂ２Ｓ３ヲ含むＺｎＳターゲットを用い
て、６％の窒素ガス分含むアルゴンガス雰囲気中、２　
Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒの圧力で高周波スパッタリングす
ることにより、４０００人の厚さの発光体層４が形成さ
れている。これらについて真空中５００℃で１時間熱処
理が施されている。さらに発光体層４の−１−に基板瀞
度１００’Ｃで、電子−ビーム加熱真空蒸着法により、
３０ｏ○入のＹ２Ｏ３絶縁体層５が形成され、その上に
真空蒸着法により、厚さ１０００へのＡＮ　電極６が形
成されている。
第２図は、本発明の実施例の素子と、２モル係のＴｂＦ
３−１含むＺｎＳターゲットを用いて、アルゴンガス雰
囲気中、２Ｘ１０　　Ｔｏｒｒの圧力で高周波スパッタ
リングすることにより形成した、厚さ４００ｏ人の発光
体層を用いた従来の素子との、電圧−輝度特性を比較１
〜て示す。駆動は５　ｋｆｌｚ正弦波電圧で行い、実線
Ａが本発明の素子の実施例の特性であり、破線Ｂが従来
の構造の素子の特性である。図かられかるように、本発
明の素子は従来の構造の素子に比べて、発光輝度が高い
。この原因としては、Ｔｂ元素の共付活剤として窒素全
導入したことにより、ＺｎＳ結晶格子を乱すことなく、
Ｔｂ　ｆ　Ｚｎの位置に導入できたためと考えられる。
５べ−４−・ 第３図は本発明による他の実施例の薄膜ＥＬ素子の断面
金示す。図において、１１はガラス基板であり、その−
にに厚さ２０００人の錫添加酸化インジウム透明電極１
２がスパッタリング法により形成されている。その上に
ＰおよびＳｍ　ｆそれぞれ２モル含むＺｎＳターゲノ＋
−ｉ用いて、アルゴンガス雰囲気中、２×１Ｏ−２Ｔｏ
ｒ　ｒの圧力で高周波ス・々ツタリングすることにより
、厚さ３０００への発光体層１３が形成されている。そ
して、これらについてはアルゴンガス中、ａＯＯ℃で１
時間熱処理が施されている。さらに発光体層１３の上に
、基板温度３８０℃で、高周波スパッタリング法により
、６０００ＡのＳ　ｒ　Ｔ　ｔ　Ｏｓ絶縁体層１４金形
成し、その上に真空蒸着法により、厚さ１０００人のＡ
Ｑ電極１５が形成されている。この実施例の素子と、２
モル係の５ｒｎＦ３ｆ含むＺｎＳターゲットを用いて、
アルゴンガス雰囲気中、２Ｘ１０　　Ｔｏｒｔの圧力で
高周波スパッタリングすることにより形成した厚さ３０
００への発光体層を用いた従来の素子との発光特性を比
較したところ、本発明の素子の方が高６　べ−〕゛ い発光輝度が得られた。
以上の実施例では付活剤および共付活剤の濃度が２モル
係の場合について述べたが、それぞれ０．１〜１０係の
濃度領域において、希土類フッ化物を用いた場合より、
高輝度のＥＬ素子が得られた。甘だ共付活剤として砒素
を用いても同様の効果が得られた。
発明の効果 以上のように、本発明の構成にすることにより、発光４
度の高いＥＬ素子を再現性よく形成することができる。
これは共付活剤として、窒素、燐。
砒素ケ用いることにより、ＺｎＳ結晶格子を乱すことな
く、希土類元素ｉＺｎ　の位置に導入できたためと考え
られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかるＥＬ素子の一実施例の断面図、
第２図はこの実施例の薄膜ＥＬ素子と従来の構造の薄膜
ＥＬ素子の発光特性全比較して示す図、第３図は本発明
にかかるＦ、Ｌ素子の他の実施例の断面図である。 ７ベー゛ １．１１・・・ガラス基板、２，１２　・錫添加酸化イ
ンジウム透明電極、３，６・・　Ｙ２Ｏ３層、４　、１
３　・−発光体層、１４・・・・５ｒＴ１ｏ３層、６゜
１６　・・・Ａ氾電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　付活剤として希土類元素を含み、共付活剤と
    して窒素、燐および砒素のうちの１種または２種以上を
    含む硫化亜鉛から成る発光体と、前記発光体に電圧を印
    加する手段を備えていることを特徴とするＥＬ素子。 （′４　希土類元素が、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ
    、Ｈａ、Ｅｒ。 およびＴｍのうちの１種または２種以上であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＥＬ素子。 （鴫　付活剤および共付活剤の亜鉛に対する原子比が０
    ．１〜１０チであることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項に記載のＥＬ素子。
JP58020606A 1983-02-10 1983-02-10 薄膜ｅｌ素子の製造方法 Expired - Lifetime JPH0752672B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62177895A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
JPH01102892A (ja) * 1987-10-15 1989-04-20 Res Dev Corp Of Japan 薄膜ｅｌ素子の製造方法
JP2006089682A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Univ Nagoya 酸化亜鉛系発光材料及びその製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5289171A (en) * 1986-07-03 1994-02-22 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Color display apparatus
IT1221924B (it) * 1987-07-01 1990-08-23 Eniricerche Spa Dispositivo elettroluminescente a film sottile e procedimento per la sua preparazione
GB8727326D0 (en) * 1987-11-21 1987-12-23 Emi Plc Thorn Display device
US5047686A (en) * 1987-12-31 1991-09-10 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Single layer multi-color luminescent display
US5104683A (en) * 1987-12-31 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Single layer multi-color luminescent display and method of making
US4987339A (en) * 1987-12-31 1991-01-22 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Enhanced single layer multi-color luminescent display with coactivators
US5194290A (en) * 1987-12-31 1993-03-16 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of making a single layer multi-color luminescent display
US5270614A (en) * 1989-04-10 1993-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Luminescent material
EP0549345B1 (en) * 1991-12-24 1997-03-05 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. EL element comprising organic thin film
JPH05182766A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 薄膜ｅｌ素子
JPH05315075A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Fuji Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス発光膜の成膜方法
JP2761155B2 (ja) * 1992-07-08 1998-06-04 株式会社小糸製作所 自動車用灯具の光源用放電ランプ装置
US5457356A (en) * 1993-08-11 1995-10-10 Spire Corporation Flat panel displays and process
US5422489A (en) * 1994-01-24 1995-06-06 Bhargava; Rameshwar N. Light emitting device
JPH0817574A (ja) * 1994-07-04 1996-01-19 Fuji Electric Co Ltd 薄膜電場発光素子の製造方法
KR0164457B1 (ko) * 1995-01-20 1999-04-15 김은영 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법
TWI397572B (zh) * 2009-11-30 2013-06-01 Univ Nat Kaohsiung Applied Sci 利用活化劑掺雜之藍光硫化鋅螢光材料及其製備方法
TWI397571B (zh) * 2009-11-30 2013-06-01 Univ Nat Kaohsiung Applied Sci 利用活化劑掺雜之黃橘光硫化鋅螢光材料及其製備方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS504991A (ja) * 1973-05-16 1975-01-20

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1092212A (fr) * 1953-02-04 1955-04-19 Philips Nv Matière électro-luminescente et son procédé de préparation
JPS329217B1 (ja) * 1954-02-02 1957-10-30
FR1146974A (fr) * 1955-04-18 1957-11-18 Du Pont Perfectionnements aux phosphores
US4381474A (en) * 1962-03-30 1983-04-26 General Electric Company Solid state storage devices and systems
US4171501A (en) * 1973-10-22 1979-10-16 Hitachi, Ltd. Light emitting devices based on the excitation of phosphor screens
JPS53141185A (en) * 1977-05-14 1978-12-08 Dainippon Toryo Co Ltd Method of fabricating green color luminous fluorescent body
US4551397A (en) * 1983-04-04 1985-11-05 Kasei Optonix, Ltd. Zinc silicate phosphor and electron excited fluorescent display device using the phosphor
JP3663441B2 (ja) * 1996-06-05 2005-06-22 愛知機械工業株式会社 乾式無段変速機の冷却構造

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS504991A (ja) * 1973-05-16 1975-01-20

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62177895A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
JPH0518238B2 (ja) * 1986-01-31 1993-03-11 Sharp Kk
JPH01102892A (ja) * 1987-10-15 1989-04-20 Res Dev Corp Of Japan 薄膜ｅｌ素子の製造方法
JP2006089682A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Univ Nagoya 酸化亜鉛系発光材料及びその製造方法

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Publication number Publication date
EP0137850A4 (en) 1985-07-01
EP0137850B1 (en) 1987-07-22
WO1984003099A1 (en) 1984-08-16
US4733128A (en) 1988-03-22
DE3464930D1 (en) 1987-08-27
JPH0752672B2 (ja) 1995-06-05
EP0137850A1 (en) 1985-04-24

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