JPS62139294A - 薄膜エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS62139294A JPS62139294A JP60276767A JP27676785A JPS62139294A JP S62139294 A JPS62139294 A JP S62139294A JP 60276767 A JP60276767 A JP 60276767A JP 27676785 A JP27676785 A JP 27676785A JP S62139294 A JPS62139294 A JP S62139294A
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- Japan
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- annealing
- emitting layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は交流電界の印加により発光を呈する薄膜エレク
トロルミネセンス（以下ＥＬと略す）表示素子の製造法
に関するものである。
トロルミネセンス（以下ＥＬと略す）表示素子の製造法
に関するものである。
薄膜ＥＬ表示素子の最も一般的な製造方法としては、透
明なガラス基板上にＩｎｚＯｓ、Ｓｎｏｗ等の透明電極
をつけ、さらにその上に積層して、誘電体層を電子ビー
ム蒸着法あるいはスパッタ法等により形成し、その上に
発光層を電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法等により
重畳形成し、アニーリングを行い、さらにこの上に、誘
電体層、金属電極、を蒸着法等により形成積層する。
明なガラス基板上にＩｎｚＯｓ、Ｓｎｏｗ等の透明電極
をつけ、さらにその上に積層して、誘電体層を電子ビー
ム蒸着法あるいはスパッタ法等により形成し、その上に
発光層を電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法等により
重畳形成し、アニーリングを行い、さらにこの上に、誘
電体層、金属電極、を蒸着法等により形成積層する。
上記発光層形成後のアニーリングは、薄膜Ｅ Ｔ。
表示素子の特性に大きな影響を与えることが知られてい
る。例えばＺ ｎ Ｓ ： Ｔ ｂ 、 Ｐ ｔｉ−Ｙ
ｚｏａ、５ｒＴｉ０ａの誘電体層で挟んだ緑色発光ＥＬ
素子をアニーリング温度を３５０℃から５５０℃まで変
化させた場合、アニーリング温度が高い程、発光輝度が
増大し、発光しきい値電圧が減少することが報告されて
いる（日本学術振興会光電相互変換第１２５委員会、第
１０９回研究会資料第４１８号（Ｓ。
る。例えばＺ ｎ Ｓ ： Ｔ ｂ 、 Ｐ ｔｉ−Ｙ
ｚｏａ、５ｒＴｉ０ａの誘電体層で挟んだ緑色発光ＥＬ
素子をアニーリング温度を３５０℃から５５０℃まで変
化させた場合、アニーリング温度が高い程、発光輝度が
増大し、発光しきい値電圧が減少することが報告されて
いる（日本学術振興会光電相互変換第１２５委員会、第
１０９回研究会資料第４１８号（Ｓ。
５９．２．２４）ＰＩ３−２３）。
この現象は黄橙色発光のＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎ Ｅ
Ｌ素子についても観測され、高温でのアニーリングによ
って、発光中心の拡散や、発光層の結晶性向上が進行す
ると考えられている。
Ｌ素子についても観測され、高温でのアニーリングによ
って、発光中心の拡散や、発光層の結晶性向上が進行す
ると考えられている。
発光層の結晶性向上のためには、さらに高温でのアニー
リングが必要であるが、実際には６００℃以上のアニー
リングで、輝度向上を達成した報告はない。この理由と
しては、アニーリングによる不純物に発光層中への拡散
による輝度低下もあるが、主には、透明なガラス基板お
よび、透明電極が熱により変形、溶融することがあげら
れる。
リングが必要であるが、実際には６００℃以上のアニー
リングで、輝度向上を達成した報告はない。この理由と
しては、アニーリングによる不純物に発光層中への拡散
による輝度低下もあるが、主には、透明なガラス基板お
よび、透明電極が熱により変形、溶融することがあげら
れる。
したがって、６００℃以上の高温アニーリングに耐え得
る製造法を考案する必要があった。
る製造法を考案する必要があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記問題点を解決するために、高温に
耐え得る、基板、電極材料を用いることにより、輝度の
高い薄膜ＥＬ表示素子を得る製造法を提供することにあ
る。
耐え得る、基板、電極材料を用いることにより、輝度の
高い薄膜ＥＬ表示素子を得る製造法を提供することにあ
る。
［発明の概要〕
一般に蛍光体材料の発光輝度はその合成温度に大きく依
存し、低温で合成したものの輝度は低い。
存し、低温で合成したものの輝度は低い。
これは、発光材料の結晶性が悪いことが主原因であり、
一般に融点の高いけい光体の合成には、高い焼成温度が
必要となってくる。このことから、薄膜ＥＬ表示素子に
おいて、発光層形成後のアニーリング温度をできるだけ
高くできることが、素子特性決定のポイントとなる。
一般に融点の高いけい光体の合成には、高い焼成温度が
必要となってくる。このことから、薄膜ＥＬ表示素子に
おいて、発光層形成後のアニーリング温度をできるだけ
高くできることが、素子特性決定のポイントとなる。
現在の簿膜ＥＴ、表示素子は透明なガラス基板に、透明
電極をつけ、ガラス基板側からＥＴ、発光を取り出すと
いう方式が一般的である。この透明さを保持する方式が
、膜製造プロセスにおいて発光層の６００℃以上での高
温アニーリングを困難にしている。そこで、ここではＥ
Ｌ発光の取出しを必ずしも基板側から行うことにはせず
、不透明でも高温に耐え得る基板材料、および電極材料
を選択し、誘電体層１発光層、誘電体層を積層した後、
ＩｎｚＯａ、Ｓｎｏｗなどの透明電極をつけ、例えばガ
ラス封止するが如き方法により、ＥＬ発光を従来方式と
逆の側から取り出す方式を採用することにより。
電極をつけ、ガラス基板側からＥＴ、発光を取り出すと
いう方式が一般的である。この透明さを保持する方式が
、膜製造プロセスにおいて発光層の６００℃以上での高
温アニーリングを困難にしている。そこで、ここではＥ
Ｌ発光の取出しを必ずしも基板側から行うことにはせず
、不透明でも高温に耐え得る基板材料、および電極材料
を選択し、誘電体層１発光層、誘電体層を積層した後、
ＩｎｚＯａ、Ｓｎｏｗなどの透明電極をつけ、例えばガ
ラス封止するが如き方法により、ＥＬ発光を従来方式と
逆の側から取り出す方式を採用することにより。
発光層形成後の高温アニーリングが可能となった。
ここで、６００℃以上に耐え得る透明電極を用いる場合
には、従来方式通り、基板側から発光を取り出すことも
可能である。
には、従来方式通り、基板側から発光を取り出すことも
可能である。
なお、アニーリング温度の」：限は、基板、誘導体層、
電極１発光層の各材料に悪影響を与えず、また相互の界
面でも悪影響を与えない温度であれば何度でもさしつか
えないが、通常は約１０００℃〜１２００℃位である。
電極１発光層の各材料に悪影響を与えず、また相互の界
面でも悪影響を与えない温度であれば何度でもさしつか
えないが、通常は約１０００℃〜１２００℃位である。
以下、本発明を実施例にしたがって説明する。
実施例１
熔融石英ガラスを基板とし、つぎにＴｉ電極をつけ、誘
電体層９発光層しとて５ｉＯｚ、 Ｚ ｎ Ｓ ：ゴｂ
をそれぞれ積層し、真空中８００℃でアニーリングを１
時間行い、つぎにＳｊ、Ｃｈを積層し、その上にＩＴＯ
透明電極をつけ、ガラス封止した薄膜ＥＬ表示素子の輝
度は、アニーリング温度４５０℃で作製した。ＥＬ素子
の輝度に比較して１０％向上した。
電体層９発光層しとて５ｉＯｚ、 Ｚ ｎ Ｓ ：ゴｂ
をそれぞれ積層し、真空中８００℃でアニーリングを１
時間行い、つぎにＳｊ、Ｃｈを積層し、その上にＩＴＯ
透明電極をつけ、ガラス封止した薄膜ＥＬ表示素子の輝
度は、アニーリング温度４５０℃で作製した。ＥＬ素子
の輝度に比較して１０％向上した。
実施例２
熔融石英ガラスを基板とし、つぎにＴｉ、Ｐｔ。
Ａｕを重ねた金属電極をつけ、誘電体層２発光層として
Ｙａｋｓ、 ＺｎＳ ： Ｓｍを順次積層し、真空中８
００℃でアニーリングを１時間行い、ひき続き、Ｙａｋ
ｓを積層し、さらにエゴＯ透明電極をつけ、ガラス封止
した薄膜ＥＬ表示素子の輝度は、アニーリング温度４５
０℃で作製したＥＬ素子の輝度に比較して１５％向上し
た。
Ｙａｋｓ、 ＺｎＳ ： Ｓｍを順次積層し、真空中８
００℃でアニーリングを１時間行い、ひき続き、Ｙａｋ
ｓを積層し、さらにエゴＯ透明電極をつけ、ガラス封止
した薄膜ＥＬ表示素子の輝度は、アニーリング温度４５
０℃で作製したＥＬ素子の輝度に比較して１５％向上し
た。
実施例３
セラミックスの白色Ａ Ｑ ｘＯｓ板を基板としてつぎ
に、ＴｉあるいはＣｒ電極をつけ、誘電体層９発光層と
してＡΩｚｅｓｔ ’ｌｘ’ｓ ： Ｅｕをそれぞれ積
層し、真空中、９００℃でアニーリングを１時間行い、
つぎにＡＩ）、ｘＯｓを積層し、その上にＩＴＯ透明電
極をつけ、ガラス封止した薄膜ＥＬ表示素子の輝度はア
ニーリング温度４５０℃で作製したＥＬ素子の輝度に比
較して２０％の増大が熔認された。
に、ＴｉあるいはＣｒ電極をつけ、誘電体層９発光層と
してＡΩｚｅｓｔ ’ｌｘ’ｓ ： Ｅｕをそれぞれ積
層し、真空中、９００℃でアニーリングを１時間行い、
つぎにＡＩ）、ｘＯｓを積層し、その上にＩＴＯ透明電
極をつけ、ガラス封止した薄膜ＥＬ表示素子の輝度はア
ニーリング温度４５０℃で作製したＥＬ素子の輝度に比
較して２０％の増大が熔認された。
実施例４
Ｓｉ基板上に熱酸化によりＳｊ、Ｏｚ、さらにＣＶＤ法
により５ｉＯｚを形成し、Ｔｉ或いはＣｒ電極を高温低
圧蒸着法により形成し、ブロッキング層として、ＣＶＤ
法５ｉＪ４を７００〜８００℃で設けた場合、ＹｚＯｓ
−ＺｎＳ ： Ｍ ｎの誘電体層９発光層の組合せで、
８００℃でアニーリングすると、ブロッキング層なしで
４５０℃アニーリングした場合に比して１５％の輝度向
上、ブロッキング層なしで８００℃でアニーリングした
場合に比して５％の輝度向上を得た。
により５ｉＯｚを形成し、Ｔｉ或いはＣｒ電極を高温低
圧蒸着法により形成し、ブロッキング層として、ＣＶＤ
法５ｉＪ４を７００〜８００℃で設けた場合、ＹｚＯｓ
−ＺｎＳ ： Ｍ ｎの誘電体層９発光層の組合せで、
８００℃でアニーリングすると、ブロッキング層なしで
４５０℃アニーリングした場合に比して１５％の輝度向
上、ブロッキング層なしで８００℃でアニーリングした
場合に比して５％の輝度向上を得た。
なお、本発明は上記実施例に示した基板材料。
電極材料、ブロッキング材料に限定されるものでなく、
高温で安定な基板材料、電極材料および、その電極材料
の拡散を減少させるブロッキング材料のあらゆる組合せ
について適用することができる。
高温で安定な基板材料、電極材料および、その電極材料
の拡散を減少させるブロッキング材料のあらゆる組合せ
について適用することができる。
本発明によれば、ＥＬ素子の輝度向上１０〜２０％達成
することができ、また高融点材料のＥＬ素子応用にも道
を拓くことが期待できる。
することができ、また高融点材料のＥＬ素子応用にも道
を拓くことが期待できる。
Claims (2)
- １． 電圧印加によりエレクトロルミネセンス発光を呈
する発光層を具備して成る薄膜エレクトロルミネセンス
表示素子の製造方法において、融点、あるいは軟化点が
６００℃以上の材料よりなる基板上に融点が６００℃以
上の電極材料を形成し、絶縁層、発光層を順次積層形成
した後、６００℃以上でアニーリングを行うことを特徴
とする薄膜エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法
。 - ２． 上記製造法において、電極部分の上にさらに拡散
防止のブロツキング層を形成したことを持徴とする特許
請求の範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミネセンス表
示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276767A JPS62139294A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 薄膜エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276767A JPS62139294A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 薄膜エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139294A true JPS62139294A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17574070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60276767A Pending JPS62139294A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 薄膜エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139294A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03205786A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Fuji Electric Co Ltd | ２重絶縁薄膜エレクトロルミネセンス装置の製造方法 |
| JPH04126391A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌパネル |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP60276767A patent/JPS62139294A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03205786A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Fuji Electric Co Ltd | ２重絶縁薄膜エレクトロルミネセンス装置の製造方法 |
| JPH04126391A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌパネル |
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