JPS6158194A - ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の製法 - Google Patents
ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の製法Info
- Publication number
- JPS6158194A JPS6158194A JP59179870A JP17987084A JPS6158194A JP S6158194 A JPS6158194 A JP S6158194A JP 59179870 A JP59179870 A JP 59179870A JP 17987084 A JP17987084 A JP 17987084A JP S6158194 A JPS6158194 A JP S6158194A
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- Japan
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- thin film
- zns
- emitting layer
- voltage
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- Pending
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｚｎ Ｓ ： Ｍｎ発光層を有する薄膜ＥＬ
素子の製法に関する。
素子の製法に関する。
Ｚｎ Ｓ ： Ｍｎ発光層を有する薄膜ＥＬ素子は、薄
形ディスプレイを実現する素子として、既に実用化され
ている。
形ディスプレイを実現する素子として、既に実用化され
ている。
従来の薄膜ＥＬ素子の場合、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層形成後
に行なわれる活性化のための加熱処理は、４００℃〜５
００℃程度の温度で充分な発光輝度が得られることから
、例えば真空雰囲気中、４００℃〜５００℃の温度で行
なわれている。
に行なわれる活性化のための加熱処理は、４００℃〜５
００℃程度の温度で充分な発光輝度が得られることから
、例えば真空雰囲気中、４００℃〜５００℃の温度で行
なわれている。
ｒ登８Ｊ１が解法１士ヘシナ六闇留占）この従来の薄Ｊ
［ＥＬ素子は充分な発光輝度を得ることができるが、
ＥＬ発光の閾電圧が高いことから、駆動電圧が例えば２
００Ｖ前後とかなり高いという問題がある。千のため、
この薄膜ＥＬ素子を駆動する回路の負担が大となり、ひ
いてはこの薄膜ＥＬｇ子を使用するディスプレイのコス
トアップにつながっている。
［ＥＬ素子は充分な発光輝度を得ることができるが、
ＥＬ発光の閾電圧が高いことから、駆動電圧が例えば２
００Ｖ前後とかなり高いという問題がある。千のため、
この薄膜ＥＬ素子を駆動する回路の負担が大となり、ひ
いてはこの薄膜ＥＬｇ子を使用するディスプレイのコス
トアップにつながっている。
従って、本発明においては、このＺｎ Ｓ ： Ｍｎ薄
膜ＥＬ素子の閾電圧の低下を図り、駆動電圧が低くてよ
いようＫするものである。
膜ＥＬ素子の閾電圧の低下を図り、駆動電圧が低くてよ
いようＫするものである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は上述問題点を解決するため、Ｚｎ Ｓ ： Ｍ
ｎ発光層（４）の形成後に行なう活性化のだめの加熱処
理を不活性ガス（例えばアルゴンガス）雰囲気中、６０
０°Ｃ〜８００℃の温度で行な５ものである。
ｎ発光層（４）の形成後に行なう活性化のだめの加熱処
理を不活性ガス（例えばアルゴンガス）雰囲気中、６０
０°Ｃ〜８００℃の温度で行な５ものである。
従来に比して高温での加熱処理がなされるため、発光層
（４）の結晶性が改善され、従って閾電圧が低下し、駆
動電圧が低くてよくなる。
（４）の結晶性が改善され、従って閾電圧が低下し、駆
動電圧が低くてよくなる。
以下、本発明を第１図に示すような二重絶縁構造のもの
を製造するのに適用した例につき説明する。
を製造するのに適用した例につき説明する。
Ｐ［ｌにおいて、（１）は、例えばガラス、石英等より
なる基板であり、まずこの上に例えばＩＴＯよりなる透
明電極（２）が蒸着される。
なる基板であり、まずこの上に例えばＩＴＯよりなる透
明電極（２）が蒸着される。
次に、この透明電極（２）上に、絶縁層（３）が形成さ
れる。この絶縁層（３）は、例えば５ｉＯｚ膜にＳｉＮ
膜が積層されてなるものであり、夫々の膜はスパッタリ
ングで形成される。
れる。この絶縁層（３）は、例えば５ｉＯｚ膜にＳｉＮ
膜が積層されてなるものであり、夫々の膜はスパッタリ
ングで形成される。
次に、この絶縁層（３）上に、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４
）が蒸着で形成される。
）が蒸着で形成される。
次に、この発光層（４）の形成後洗、活性化のために、
不活性ガス、例えばアルゴンガス雰囲気中、６００６Ｃ
〜８００℃の温度で加熱処理される。
不活性ガス、例えばアルゴンガス雰囲気中、６００６Ｃ
〜８００℃の温度で加熱処理される。
次に、発光層（４）を覆うように、絶縁層（３）及び発
光層（４）上に、絶縁層（５順”−形成される。この絶
縁層（５）は、例えばＹ２Ｏ３膜にＳｉＮ膜が積層され
てなるものであり、Ｙ２Ｏ３膜は蒸着で、ＳｉＮ膜はス
パッタリングで夫々形成される。
光層（４）上に、絶縁層（５順”−形成される。この絶
縁層（５）は、例えばＹ２Ｏ３膜にＳｉＮ膜が積層され
てなるものであり、Ｙ２Ｏ３膜は蒸着で、ＳｉＮ膜はス
パッタリングで夫々形成される。
次に、絶縁層（５）上に背面電極（６）が形成される。
この背面電極（６）は例えばアルミニラｌ、ＣＡｌ３）
が蒸着されて形成される。
が蒸着されて形成される。
本例のようにして製造されたＺｎＳ：Ｍｎ薄ｉＥＬ素子
は、発光層（４）の形成後、アルゴンガス雰囲気中、６
００℃〜８００℃の温度で加熱処理されるため、従来方
法で製造されるものに比べて、閾電圧が低下したものと
なる。
は、発光層（４）の形成後、アルゴンガス雰囲気中、６
００℃〜８００℃の温度で加熱処理されるため、従来方
法で製造されるものに比べて、閾電圧が低下したものと
なる。
即ち、第２図は電圧−輝度特性を示すものであり、同図
実線ａは４５０℃で加熱処−埋された従来方法によるＥ
Ｌ素子の電圧−輝度特性であり、同図破線ｂｌ、ｂ２及
びｂ３は、アルゴンガス雰囲気中、夫々６００℃、７０
０℃及び８００℃で１時間加熱処理された本例によるＥ
Ｌ素子の電圧−輝度特性である。
実線ａは４５０℃で加熱処−埋された従来方法によるＥ
Ｌ素子の電圧−輝度特性であり、同図破線ｂｌ、ｂ２及
びｂ３は、アルゴンガス雰囲気中、夫々６００℃、７０
０℃及び８００℃で１時間加熱処理された本例によるＥ
Ｌ素子の電圧−輝度特性である。
尚、第２図は夫々１００Ｈｚでパルス幅１００μ（８）
の交流パルスで駆動した結果である。
の交流パルスで駆動した結果である。
この第２図から明らかなように、本例のようにして製造
されたＺｎＳ：Ｍｒｚ’Ｉ膜ＥＬ素子は、従来方法で製
造されるものに比べて、閾電圧が低下する。
されたＺｎＳ：Ｍｒｚ’Ｉ膜ＥＬ素子は、従来方法で製
造されるものに比べて、閾電圧が低下する。
この場合６００℃〜７００℃のように高温になる程閾電
圧が低くなる理由は、高温になる稈元光層（４）の結晶
性が改善され、自由電子の走行距離が長くなり、この電
子に蓄えられるエネルギーが犬となるためと考えられ、
一方７００℃〜８００℃のようＫさらに高温になると閾
電圧が再び高くなる理由は、発光層（４）の結晶性が進
むことにより、結晶間の境界の影響がでてくるためと考
えられる。
圧が低くなる理由は、高温になる稈元光層（４）の結晶
性が改善され、自由電子の走行距離が長くなり、この電
子に蓄えられるエネルギーが犬となるためと考えられ、
一方７００℃〜８００℃のようＫさらに高温になると閾
電圧が再び高くなる理由は、発光層（４）の結晶性が進
むことにより、結晶間の境界の影響がでてくるためと考
えられる。
尚、上述例は本発明を二重絶縁構造のものを製造するの
に適用した例であるが、例えば第３図に示すような片側
絶縁構造のものを製造するのにも同様に適用することが
できる。この第３図において、第１図と対応する部分に
は同一符号を付し、その詳細説明は省略する。第２図一
点鎖線Ｃは、アルゴンガス雰囲気中、７００℃で１時間
加熱処理された片側絶縁構造のものの電圧−輝度特性で
ある。この場合、二重絶縁構造のものに比べ閾電圧が低
下し、例えば電圧１００Ｖで５０ｎｉｔ以上の輝度が得
られている。
に適用した例であるが、例えば第３図に示すような片側
絶縁構造のものを製造するのにも同様に適用することが
できる。この第３図において、第１図と対応する部分に
は同一符号を付し、その詳細説明は省略する。第２図一
点鎖線Ｃは、アルゴンガス雰囲気中、７００℃で１時間
加熱処理された片側絶縁構造のものの電圧−輝度特性で
ある。この場合、二重絶縁構造のものに比べ閾電圧が低
下し、例えば電圧１００Ｖで５０ｎｉｔ以上の輝度が得
られている。
また、上述例におけるアルゴンガスの代りに、窒素ガス
、ヘリウムガス等の不活性ガスを用いてもよい。
、ヘリウムガス等の不活性ガスを用いてもよい。
以上述べた本発明によれば、発光層形成後に行なう活性
化のための加熱処理を不活性ガス雰囲気中、６００℃〜
８００℃の温度で行なうので、発光層の結晶性が改善さ
れ、従って閾電圧が低下し、駆動電圧が低くてよくなる
。これによって、薄膜ＥＬ素子を駆動する回路の負担が
軽減され、ディスプレイのコストダウンを図ることが可
能となる。
化のための加熱処理を不活性ガス雰囲気中、６００℃〜
８００℃の温度で行なうので、発光層の結晶性が改善さ
れ、従って閾電圧が低下し、駆動電圧が低くてよくなる
。これによって、薄膜ＥＬ素子を駆動する回路の負担が
軽減され、ディスプレイのコストダウンを図ることが可
能となる。
第１図及び第３図は夫々本発明の適用される二重絶縁構
造及び片側絶縁構造の薄膜ＥＬ素子の構成図、第２図は
本発明の説明のための電圧−輝度特性図である。 （１）は基板、（２）は透明電極、（３）及び（５）は
夫々絶縁層、（４）はＺｎ Ｓ ： Ｍｎ発光層、（６
）は背面電極である。
造及び片側絶縁構造の薄膜ＥＬ素子の構成図、第２図は
本発明の説明のための電圧−輝度特性図である。 （１）は基板、（２）は透明電極、（３）及び（５）は
夫々絶縁層、（４）はＺｎ Ｓ ： Ｍｎ発光層、（６
）は背面電極である。
Claims (1)
- ＺｎＳ：Ｍｎ発光層形成後に不活性ガス雰囲気中で６
００℃〜８００℃の加熱処理を行なうことを特徴とする
ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179870A JPS6158194A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179870A JPS6158194A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158194A true JPS6158194A (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=16073344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59179870A Pending JPS6158194A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158194A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180411U (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-30 | 富士システムズ株式会社 | レ−ザ−手術用気管内チユ−ブ |
| JPS60180410U (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-30 | 富士システムズ株式会社 | レ−ザ−手術用体内插入用筒状体 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59179870A patent/JPS6158194A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180411U (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-30 | 富士システムズ株式会社 | レ−ザ−手術用気管内チユ−ブ |
| JPS60180410U (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-30 | 富士システムズ株式会社 | レ−ザ−手術用体内插入用筒状体 |
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