JPS61211992A - Ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
Ｅｌパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPS61211992A JPS61211992A JP60051787A JP5178785A JPS61211992A JP S61211992 A JPS61211992 A JP S61211992A JP 60051787 A JP60051787 A JP 60051787A JP 5178785 A JP5178785 A JP 5178785A JP S61211992 A JPS61211992 A JP S61211992A
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- Japan
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- film
- light
- layer
- zinc sulfide
- panel
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＥＬパネルの製造方法に係わり、特にＥＬパネ
ルの硫化亜鉛発光層の輝度の向上に関する。
ルの硫化亜鉛発光層の輝度の向上に関する。
近時、表示デバイスとしてＥＬ表示装置が実用化されて
いるが、このＥ Ｌ （Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅ
ｓｃｎｃｅ）表示装置に使用されるＥＬ素子は、発光体
としてマンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を用い、その
上面と下面の双方から絶縁体層によってサンドイッチ構
造にしたものであり、その絶縁体に電極を介してに印加
された電圧によって、硫化亜鉛の薄膜に強電界が加わり
、それによって硫化亜鉛層の電子が移動して、硫化亜鉛
層内のマンガンを励起することによりマンガン特有の発
光を行われて表示がなされる。
いるが、このＥ Ｌ （Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅ
ｓｃｎｃｅ）表示装置に使用されるＥＬ素子は、発光体
としてマンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を用い、その
上面と下面の双方から絶縁体層によってサンドイッチ構
造にしたものであり、その絶縁体に電極を介してに印加
された電圧によって、硫化亜鉛の薄膜に強電界が加わり
、それによって硫化亜鉛層の電子が移動して、硫化亜鉛
層内のマンガンを励起することによりマンガン特有の発
光を行われて表示がなされる。
然しなから、表示素子として重要である輝度については
未だ十分でなく、そのために発光素子として使用されて
いるマンガンを添加した硫化亜鉛層の生成方法について
、多くの検討がなされているが、特にその結晶の配列が
輝度に関係することが判明しており、その結晶配列につ
いての改善が要望されている。
未だ十分でなく、そのために発光素子として使用されて
いるマンガンを添加した硫化亜鉛層の生成方法について
、多くの検討がなされているが、特にその結晶の配列が
輝度に関係することが判明しており、その結晶配列につ
いての改善が要望されている。
第２図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図である。
ガラス板１があり、その表面に例えばＸ電極２として、
厚み力＜１０００人〜３０００人の酸化インジウム等で
成膜された複数の細条の透明電極が平行に形成されてい
る。
厚み力＜１０００人〜３０００人の酸化インジウム等で
成膜された複数の細条の透明電極が平行に形成されてい
る。
Ｘ電極２の表面には、更に下部絶縁Ｈ＊３として、例え
ば窒化シリコン膜（Ｓｉ ３ Ｎ ４ ）又は酸窒化シ
リコンＩｌｆ！（ＳｉＮＯ）等の非晶質の絶縁物が、厚
みが２０００人程度定形成され、その表面にマンガンを
添加した硫化亜鉛の薄膜４が厚みが約２０００人程度に
形成されている。
ば窒化シリコン膜（Ｓｉ ３ Ｎ ４ ）又は酸窒化シ
リコンＩｌｆ！（ＳｉＮＯ）等の非晶質の絶縁物が、厚
みが２０００人程度定形成され、その表面にマンガンを
添加した硫化亜鉛の薄膜４が厚みが約２０００人程度に
形成されている。
硫化亜鉛の薄膜４の上面には、上部絶縁膜５が、下部絶
縁膜３と同様に窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜が
厚みが２０００人程度定形成され、その表面にＸ電極６
として、複数のアルミニウムの細条電極がＸ電極と直交
する方向で平行に配置されている。
縁膜３と同様に窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜が
厚みが２０００人程度定形成され、その表面にＸ電極６
として、複数のアルミニウムの細条電極がＸ電極と直交
する方向で平行に配置されている。
このような構造のＥＬパネルでは、上部絶縁膜と下部絶
縁膜とが、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜のよう
な非晶質の絶縁膜を使用しているが、これは一般に非晶
質の絶縁膜が良好な絶縁体であるとの理由によるもので
ある。
縁膜とが、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜のよう
な非晶質の絶縁膜を使用しているが、これは一般に非晶
質の絶縁膜が良好な絶縁体であるとの理由によるもので
ある。
一方、発光層である硫化亜鉛の薄膜は結晶性である程発
光輝度が向上するが、通常硫化亜鉛の薄膜を非晶質の物
体上に形成すると、形成される硫化亜鉛の薄膜も下層絶
縁体の層が非晶質の配列のために、非晶質に形成される
ものであり、従って硫化亜鉛の薄膜を結晶質に形成する
ためには、その対策を考慮する必要がある。
光輝度が向上するが、通常硫化亜鉛の薄膜を非晶質の物
体上に形成すると、形成される硫化亜鉛の薄膜も下層絶
縁体の層が非晶質の配列のために、非晶質に形成される
ものであり、従って硫化亜鉛の薄膜を結晶質に形成する
ためには、その対策を考慮する必要がある。
従来、ＥＬの発光層は硫化亜鉛を使用して、所定の膜厚
である５０００人を蒸着又はスパッタ法によって、一度
に連続的に発光層を形成し、そして発光層が形成されて
、第２の絶縁層か形成される前に、発光層内のマンガン
の活性化と、発光層の結晶性の改善を目的にして、真空
中で発光層の温度を５００℃にして、約１時間の加熱を
する熱処理を行っている。
である５０００人を蒸着又はスパッタ法によって、一度
に連続的に発光層を形成し、そして発光層が形成されて
、第２の絶縁層か形成される前に、発光層内のマンガン
の活性化と、発光層の結晶性の改善を目的にして、真空
中で発光層の温度を５００℃にして、約１時間の加熱を
する熱処理を行っている。
第３図は、従来のＥＬ素子の発光層の結晶性を形成する
ための要部断面図である。
ための要部断面図である。
ガラス基板ｌ上の電極２の表面にアモルファス状の絶縁
体３があり、その表面に形成された硫化亜鉛の発光層４
の結晶は、最初の成膜Ａの厚みが２０００人程度定形は
、結晶７が粒径がｌＯＯ〜２００人程度の粒状定形って
、粒子が小であり、それ以降の膜厚Ｂの結晶８は、次第
に結晶性が良くなって長さが数千人程度の六角形の柱状
結晶に成長することが確認されている。
体３があり、その表面に形成された硫化亜鉛の発光層４
の結晶は、最初の成膜Ａの厚みが２０００人程度定形は
、結晶７が粒径がｌＯＯ〜２００人程度の粒状定形って
、粒子が小であり、それ以降の膜厚Ｂの結晶８は、次第
に結晶性が良くなって長さが数千人程度の六角形の柱状
結晶に成長することが確認されている。
このような結晶構成では、最初の２０００人程度定形領
域の粒子は、結晶性が悪いために殆どＥＬの発光には寄
与しないために、デッド層（Ｄｅａｄ Ｌａｙｅｒ）と
言われ、発光層全体としての輝度特性が劣化するという
欠点がある。
域の粒子は、結晶性が悪いために殆どＥＬの発光には寄
与しないために、デッド層（Ｄｅａｄ Ｌａｙｅｒ）と
言われ、発光層全体としての輝度特性が劣化するという
欠点がある。
上記のＥＬ発光層の形成方法では、発光層を一度に連続
的に成膜するために、最初の絶縁体に成膜される約半分
の厚み分の結晶が粒子径の小なる結晶であってデッド層
を形成し、発光に寄与しないことが問題点である。
的に成膜するために、最初の絶縁体に成膜される約半分
の厚み分の結晶が粒子径の小なる結晶であってデッド層
を形成し、発光に寄与しないことが問題点である。
本発明は、上記問題点を解消したＥＬ発光層の形成方法
を提供するもので、その手段は、ＥＬパネルの硫化亜鉛
発光層を形成する際に、膜厚を連続的に形成せずに、成
膜の中途でそれまで成膜した膜表面に所定の加熱アニー
ルを行い、しかる後に硫化亜鉛発光層の残りの膜厚をＭ
ＩＮして形成するＥＬパネルの製造方法によって達成で
きる。
を提供するもので、その手段は、ＥＬパネルの硫化亜鉛
発光層を形成する際に、膜厚を連続的に形成せずに、成
膜の中途でそれまで成膜した膜表面に所定の加熱アニー
ルを行い、しかる後に硫化亜鉛発光層の残りの膜厚をＭ
ＩＮして形成するＥＬパネルの製造方法によって達成で
きる。
本発明は、ＥＬ発光層を形成する際に、発光層を一度に
連続的に成膜することをせずに、絶縁体層に成膜される
最初の結晶性の悪い、約２０００人の厚みの膜の結晶性
を良くするために、一旦成膜を中止して、この約２００
０人の厚みの膜に、加熱アニールを行うものであって、
発光層の薄膜がアニールによってエネルギーを与えられ
、それによって結晶の配向性の改善を計るもので、これ
によりデッド層を無くすることと、更に結晶性の良好な
膜上に形成される膜が結晶性が良好になることを利用し
て、発光層全体が結晶性が改善されて、ＥＬパネルの輝
度品質が改善されるようにしたものである。
連続的に成膜することをせずに、絶縁体層に成膜される
最初の結晶性の悪い、約２０００人の厚みの膜の結晶性
を良くするために、一旦成膜を中止して、この約２００
０人の厚みの膜に、加熱アニールを行うものであって、
発光層の薄膜がアニールによってエネルギーを与えられ
、それによって結晶の配向性の改善を計るもので、これ
によりデッド層を無くすることと、更に結晶性の良好な
膜上に形成される膜が結晶性が良好になることを利用し
て、発光層全体が結晶性が改善されて、ＥＬパネルの輝
度品質が改善されるようにしたものである。
第１図は、本発明の一実施例であるＥＬパネルの発光層
の結晶を説明するための要部断面図を示している。
の結晶を説明するための要部断面図を示している。
ガラス基板１上の透明電極２上に第１の絶縁層３を形成
した後に、発光層４を蒸着等により、約１０００人の厚
みの発光膜Ｃを形成して、次にその発光層Ｃ部を、５０
０℃の温度で１時間の加熱アニールを行なった後に、引
続き発光層の所定の厚みである５０００人になるように
、残りの発光層り部を４０００人の厚みで蒸着形成する
。
した後に、発光層４を蒸着等により、約１０００人の厚
みの発光膜Ｃを形成して、次にその発光層Ｃ部を、５０
０℃の温度で１時間の加熱アニールを行なった後に、引
続き発光層の所定の厚みである５０００人になるように
、残りの発光層り部を４０００人の厚みで蒸着形成する
。
この方法により、蒸着の初期における０部の発光層の結
晶１１は、結晶性が改善され、その表面に蒸着された発
光層り膜の結晶１２は、下層にある０部の結晶性が優れ
ているために、結晶性が著しく向上することになり、従
って発光層全体の発光輝度が向上することになる。
晶１１は、結晶性が改善され、その表面に蒸着された発
光層り膜の結晶１２は、下層にある０部の結晶性が優れ
ているために、結晶性が著しく向上することになり、従
って発光層全体の発光輝度が向上することになる。
尚、アニールの方法としては、数Ｊ ／ ｃｏ！の出力
を有するアルゴンレーザを用いて行うことが最も効果が
ある。
を有するアルゴンレーザを用いて行うことが最も効果が
ある。
又、アニールにより硫化亜鉛の硫黄成分が再蒸発するこ
とによって、亜鉛と硫黄との成分比が変化することを防
止するために、アニールを硫化水素（Ｈ２Ｓ）の雰囲気
中で行うのがよい。
とによって、亜鉛と硫黄との成分比が変化することを防
止するために、アニールを硫化水素（Ｈ２Ｓ）の雰囲気
中で行うのがよい。
このように、ＥＬ薄膜の結晶性が大幅に改善された結果
、ＥＬ素子の発光強度は従来の強度に比較して約１．５
倍になり、］００１１ｚの駆動で５０ ｆ Ｌの輝度を
得ることが出来た。
、ＥＬ素子の発光強度は従来の強度に比較して約１．５
倍になり、］００１１ｚの駆動で５０ ｆ Ｌの輝度を
得ることが出来た。
以上、詳細に説明したように、本発明のＥＬ発光素子は
、高輝度の発光が実現でき、この高輝度発光素子を採用
したＥＬ発光パネル装置は、高品質の表示装置を供し得
るという効果大なるものがある。
、高輝度の発光が実現でき、この高輝度発光素子を採用
したＥＬ発光パネル装置は、高品質の表示装置を供し得
るという効果大なるものがある。
第１図は、本発明の一実施例であるＥＬ素子の結晶を説
明するための要部断面図、 第２図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図第３図は
、従来のＥＬ素子の結晶を説明するための要部断面図、 図において、 １はガラス基板、 ２は遇明電極、３は下部絶縁
膜、 ４は発光層、５は上部絶縁膜、 ６は
電極、 １１は下部の結晶、 １２は上部の結晶、をそれぞ
れ示している。 １１１図 第２図
明するための要部断面図、 第２図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図第３図は
、従来のＥＬ素子の結晶を説明するための要部断面図、 図において、 １はガラス基板、 ２は遇明電極、３は下部絶縁
膜、 ４は発光層、５は上部絶縁膜、 ６は
電極、 １１は下部の結晶、 １２は上部の結晶、をそれぞ
れ示している。 １１１図 第２図
Claims (1)
- ＥＬパネルの硫化亜鉛発光層を形成する際に、膜厚を
連続的に形成せずに、成膜の中途でそれまで成膜した膜
表面に所定の加熱アニールを行い、しかる後に該硫化亜
鉛発光層の残りの膜厚を積層して形成することを特徴と
するＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051787A JPS61211992A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051787A JPS61211992A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61211992A true JPS61211992A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12896651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051787A Pending JPS61211992A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61211992A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282492A (ja) * | 1988-09-17 | 1990-03-23 | Kenwood Corp | 薄膜発光素子の構造 |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP60051787A patent/JPS61211992A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282492A (ja) * | 1988-09-17 | 1990-03-23 | Kenwood Corp | 薄膜発光素子の構造 |
| JPH0515038B2 (ja) * | 1988-09-17 | 1993-02-26 | Kenwood Corp |
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