JPS61203593A - El素子の製造方法 - Google Patents

El素子の製造方法

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Publication number
JPS61203593A
JPS61203593A JP60045089A JP4508985A JPS61203593A JP S61203593 A JPS61203593 A JP S61203593A JP 60045089 A JP60045089 A JP 60045089A JP 4508985 A JP4508985 A JP 4508985A JP S61203593 A JPS61203593 A JP S61203593A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manganese
thin film
zinc sulfide
film
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP60045089A
Other languages
English (en)
Inventor
渡辺 正紀
徹三 吉村
佐藤 精威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP60045089A priority Critical patent/JPS61203593A/ja
Publication of JPS61203593A publication Critical patent/JPS61203593A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はE L (Electro Lua+1nes
ence )素子の製造方法に係り、特に発光層である
硫化亜鉛の結晶性を改善した高輝度ELに関する。
近時、表示デバイスとしてEL表示装置が実用化されて
いるが、このEL表示装置に使用されるEL棄子は、発
光層としてマンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を用い、
その上面と下面の双方から絶縁体層によってサンドイッ
チ構造にしたものであり、その絶縁体の外側に設けられ
た電極に印加された電極電圧によって、硫化亜鉛の薄膜
に強電界が加わり、それによって移動された硫化亜鉛層
の電子が、硫化亜鉛層内のマンガンを励起することによ
りマンガン特有の発光を行わせて表示がなされる。
然しながら、従来のEL表示素子では、発光輝度が十分
でなく、その発光輝度が硫化亜鉛の結晶性に大きく依存
するため、発光輝度を改善するためには硫化亜鉛の結晶
性を向上させることが要望されている。
〔従来の技術〕
第2図は、従来のEL表示パネルの要部斜視図である。
ガラス板1があり、その表面に例えばX電極2として、
厚みが1000人〜3000人の酸化インジウム等で成
膜された複数の細条の透明電極が平行に形成されている
X電極2の表面には、更に下部絶縁膜3として、例えば
窒化シリコン膜(Si 3 N 4 )又は酸窒化シリ
コン膜(SiNO)等の非晶質の絶縁物が、厚みが20
00人程度定形成され、その表面にマンガンを添加1、
た硫化亜鉛の薄膜4が厚みが約2000人程度に形成さ
れている。
硫化亜鉛の薄膜4の上面には、上部絶縁膜5が、下部絶
縁膜3と同様に窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜が
厚みが2000人程度定形成され、その表面にY電極6
として、複数のアルミニウムの細条電極がX電極と直交
する方向で平行に配置されている。
このような構造のELパネルでは、上部絶縁膜と下部絶
縁膜とが、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜のよう
な非晶質の絶縁膜を使用されているが、これは一般に非
晶質の絶縁膜が良好な絶縁体であるとの理由によるもの
である。
一方、発光層である硫化亜鉛の薄膜は結晶性である程発
光輝度が向上するが、通常硫化亜鉛の薄膜を非晶質の物
体上に形成する場合には、形成される硫化亜鉛の薄膜も
下層の非晶質の物体に影響されて、非晶質に形成される
ものであり、形成された非晶質の硫化亜鉛に500℃で
1時間程度のアニールを行っても発光輝度が向上せず、
従って下部絶縁体を絶縁性の高い結晶性の物質にする必
要がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のE L表示素子では、非晶質の絶縁股上に形成さ
れた硫化亜鉛の薄膜の結晶性が良くないことが問題点で
あり、そのために輝度が減少するという不都合がある。
〔問題を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解消したEL素了の製造方法を
提供するもので、その手段は、マンガンを添加した硫化
亜鉛の薄膜を上部絶縁体と、下部絶縁体によってサント
イフチ構造にし、更に上下面に電極を有するたEL素子
において、硫化亜鉛のi膜と該下部絶縁体との間にマン
ガン層を形成したEL素子の製造方法によって達成でき
る。
〔作用〕
本発明は、硫化亜鉛の薄膜の下面の下部絶縁体の表面に
マンガン層を薄く形成すると、その被膜されたマンガン
は島状に被着し、そのマンガンの島が核になって、その
表面に被膜されるEL薄膜が基板に垂直方向に配向して
積層する為に結晶性の良好なEL薄膜が形成されると共
に、EL薄膜に対し、マンガン層からマンガンを補給し
てマンガン濃度を均一化することができるという効果が
ある。
〔実施例〕
第1図は、本発明の一実施例であるEL素子の要部断面
図である。
ガラス基板11上に透明電極12が約2000人の厚み
でスパッタリングにより形成されており、又導電膜には
EL素子を駆動させる交流電源13の一方の端子が接続
されている。
伝導膜12上には、絶縁膜14として窒化シリコン(S
i 3 N 4 )膜が2000人の厚みでスパッタリ
ングにより形成され、更にこの絶縁膜14の上に本発明
のマンガンの薄膜15(マンガンの薄膜は実際には不連
続膜として島状に形成される)が10〜100人の厚み
で形成されており、このマンガン薄膜の上にEL薄膜1
6が、マンガンを添加した硫化亜鉛ベレットからの電子
衝撃蒸着法(EB蒸着)により形成されている。
EL薄膜16の上には、絶縁膜17として窒化シリコン
膜が2000人の厚みでスパッタリングにより形成され
、この絶縁膜上にアルミニウム電極18が形成されてい
て、この電極配線の端子には交流電源13に接続されて
いる。
上記のマンガンの不連続膜は、マンガンのEB蒸着法、
抵抗加熱法、又はマンガンターゲットからのスパッタリ
ング法等の何れの方法を採用してもよい。
このようにして形成された不連続状に被着されたマンガ
ンは、島状分布になるが、一般にマンガン原子は極めて
電子親和力が強い金属であるので、その表面の電界に吸
引された硫化亜鉛の粒子もマンガンの粒子に被着する際
に、次第に結晶化しながら成長していくことになり、最
後に結晶性の優れた硫化亜鉛が積層される。
又、本発明のマンガン薄膜を形成したEL素子では、マ
ンガンを添加した硫化亜鉛ベレットからのEB蒸着等に
よりEL薄膜を形成するが、この場合にマンガンと硫化
亜鉛との蒸気圧の差により、形成初期にはEL薄膜にマ
ンガン濃度の小なる層が生ずるが、本発明のマンガン層
を形成することにより、マンガン層からEL薄膜のマン
ガンの濃度の少ない層にマンガンが拡散してマンガン濃
度の均一化を計ることができる。
一例として抵抗加熱法により15人の厚みのマンガンの
不連続膜を形成した場合は、従来の発光輝度に比較して
約2倍の発光輝度を得ることが出来た。
〔発明の効果〕
以上、詳細に説明したように、本発明のEL発光素子は
、高輝度の発光が実現でき、この発光素子を使用したE
L発光パネル装置は高品質の表示装置を供し得るという
効果大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例であるEL素子の要部断面
図、 第2図は、従来のEL表示パネルの要部斜視図図におい
て、 11はガラス基板、   12は透明電極、13は交流
電源、    14は絶縁膜、15はマンガン薄膜層、 I6はEL薄膜、    I7は絶縁膜、18はアルミ
ニウム電極、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  マンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を上部絶縁体と、
    下部絶縁体によってサンドイッチ構造にし、更に上下面
    に電極を有するたEL素子において、上記硫化亜鉛の薄
    膜と該下部絶縁体との間にマンガン層を形成したことを
    特徴とするEL素子の製造方法。
JP60045089A 1985-03-06 1985-03-06 El素子の製造方法 Pending JPS61203593A (ja)

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