JPS61211993A - Ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
Ｅｌパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPS61211993A JPS61211993A JP60051788A JP5178885A JPS61211993A JP S61211993 A JPS61211993 A JP S61211993A JP 60051788 A JP60051788 A JP 60051788A JP 5178885 A JP5178885 A JP 5178885A JP S61211993 A JPS61211993 A JP S61211993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc
- sulfur
- zinc sulfide
- manganese
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 20
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 17
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 22
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 22
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＥ Ｌ （Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｅ
ｎｃｅ ）パネルの製造方法に係わり、特に発光層の亜
鉛と硫黄の組成を最適化することにより、発光輝度の優
れたＥＬパネルの製造゛方法に関するものである。
ｎｃｅ ）パネルの製造方法に係わり、特に発光層の亜
鉛と硫黄の組成を最適化することにより、発光輝度の優
れたＥＬパネルの製造゛方法に関するものである。
近時、表示デバイスとしてＥＬ表示装置が実用化されて
いるが、このＥＬ表示装置に使用されるＥＬ素子は、発
光体としてマンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を用い、
その上面と下面の双方から絶縁体層によってサンドイッ
チ構造にしたものであり、その絶縁体に電極を介してに
印加された電圧によって、硫化亜鉛の薄膜に強電界が加
わり、それによって硫化亜鉛層の電子が移動して、硫化
亜鉛層内のマンガンを励起することによりマンガン特有
の発光を行われて表示がなされる。
いるが、このＥＬ表示装置に使用されるＥＬ素子は、発
光体としてマンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を用い、
その上面と下面の双方から絶縁体層によってサンドイッ
チ構造にしたものであり、その絶縁体に電極を介してに
印加された電圧によって、硫化亜鉛の薄膜に強電界が加
わり、それによって硫化亜鉛層の電子が移動して、硫化
亜鉛層内のマンガンを励起することによりマンガン特有
の発光を行われて表示がなされる。
然しなから、従来のＥＬ表示素子では、発光輝度が十分
でなく、その発光輝度が硫化亜鉛の組成に大きく依存す
るため、発光輝度を改善するためには硫化亜鉛の組成比
を所定の組成比に正確に製造することが要望されている
。
でなく、その発光輝度が硫化亜鉛の組成に大きく依存す
るため、発光輝度を改善するためには硫化亜鉛の組成比
を所定の組成比に正確に製造することが要望されている
。
第３図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図である。
ガラス板１があり、その表面に例えばＸ電極２として、
厚みが１０００人〜３０００人の酸化インジウム等で成
膜された複数の細条の透明電極が平行に形成されている
。
厚みが１０００人〜３０００人の酸化インジウム等で成
膜された複数の細条の透明電極が平行に形成されている
。
Ｘ電極２の表面には、更に下部絶縁膜３として、例えば
窒化シリコン膜（Ｓｉ ３ Ｎ ４ ）又は酸窒化シリ
コン膜（ＳｉＮＯ）等の非晶質の絶縁物が、厚みが２０
００人程度に形成され、その表面にマンガンを添加した
硫化亜鉛の薄膜４が厚みが約６０００定形度に形成され
ている。
窒化シリコン膜（Ｓｉ ３ Ｎ ４ ）又は酸窒化シリ
コン膜（ＳｉＮＯ）等の非晶質の絶縁物が、厚みが２０
００人程度に形成され、その表面にマンガンを添加した
硫化亜鉛の薄膜４が厚みが約６０００定形度に形成され
ている。
硫化亜鉛の薄膜４の上面には、上部絶縁膜５が、下部絶
縁膜３と同様に窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜が
厚みが２０００人程度定形成され、その表面にＹ電極６
として、複数のアルミニウムの細条電極がＸ電極と直交
する方向で平行に配置されている。
縁膜３と同様に窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜が
厚みが２０００人程度定形成され、その表面にＹ電極６
として、複数のアルミニウムの細条電極がＸ電極と直交
する方向で平行に配置されている。
従来、このような構造のＥＬパネルの発光層である、マ
ンガンを含む硫化亜鉛層を形成する場合には、硫化亜鉛
焼結体とマンガンをそれぞれ別個に坩堝に充填して蒸着
するか、又は硫化亜鉛焼結体りこマンガンを混入したも
のを用いて、蒸着量はスパッタをすることによって、硫
化亜鉛の薄膜を生成していた。
ンガンを含む硫化亜鉛層を形成する場合には、硫化亜鉛
焼結体とマンガンをそれぞれ別個に坩堝に充填して蒸着
するか、又は硫化亜鉛焼結体りこマンガンを混入したも
のを用いて、蒸着量はスパッタをすることによって、硫
化亜鉛の薄膜を生成していた。
この方法によれば、亜鉛と硫黄の蒸気圧が、亜鉛 ：
１０−５〜１Ｏ−６（２００℃）硫黄 ： １Ｏ−
３Ｊ／Ｊ、上 （２００℃）であるために、硫化亜鉛焼
結体を用いて蒸着を行うと、亜鉛と硫黄との蒸着量が異
なるために、形成された硫化亜鉛薄膜中の亜鉛と硫黄の
組成比が、最適値である１：１からずれてしまい、例え
ば、亜鉛と硫黄の組成比がＯ８９：Ｉ。１の比率を更に
大きくずれることも屡々あり、このように比率がずれる
と、発光輝度が著しく低下するという欠点がある。
１０−５〜１Ｏ−６（２００℃）硫黄 ： １Ｏ−
３Ｊ／Ｊ、上 （２００℃）であるために、硫化亜鉛焼
結体を用いて蒸着を行うと、亜鉛と硫黄との蒸着量が異
なるために、形成された硫化亜鉛薄膜中の亜鉛と硫黄の
組成比が、最適値である１：１からずれてしまい、例え
ば、亜鉛と硫黄の組成比がＯ８９：Ｉ。１の比率を更に
大きくずれることも屡々あり、このように比率がずれる
と、発光輝度が著しく低下するという欠点がある。
上記のＥＬ表示素子では、ＥＬパネルの発光層に使用さ
れる硫化亜鉛を形成する際に、硫化亜鉛の焼結体を用い
ると、亜鉛と硫黄との蒸気圧の差によって、形成された
薄膜中の亜鉛と硫黄の組成比が、最適値でなくなること
が問題点であり、その結果、発光輝度が著しく低下する
ことが問題点である。
れる硫化亜鉛を形成する際に、硫化亜鉛の焼結体を用い
ると、亜鉛と硫黄との蒸気圧の差によって、形成された
薄膜中の亜鉛と硫黄の組成比が、最適値でなくなること
が問題点であり、その結果、発光輝度が著しく低下する
ことが問題点である。
本発明は、上記問題点を解消したＥＬ素子の製造方法を
提供するもので、その手段は、ＥＬパネルに使用される
発光層を形成する際に、亜鉛、硫黄、マンガン或いは稀
土類元素のそれぞれを独立に制御しながら、同時に真空
蒸着又はスパッタをすることにより、発光層を形成する
ＥＬパネルの製造方法によって達成できる。
提供するもので、その手段は、ＥＬパネルに使用される
発光層を形成する際に、亜鉛、硫黄、マンガン或いは稀
土類元素のそれぞれを独立に制御しながら、同時に真空
蒸着又はスパッタをすることにより、発光層を形成する
ＥＬパネルの製造方法によって達成できる。
本発明は、発光層である硫化亜鉛の薄膜を形成する際に
、蒸着装置内で亜鉛、硫黄、マンガン、或いは稀土類元
素を充填する坩堝を個々に、且つ独立に設け、同時に真
空蒸着、又はスバ・７タリングする際に、それらの坩堝
をそれぞれの材料に応じた蒸気圧を考慮して、蒸着温度
を制御することにより、基板上に形成されるマンガンを
含む硫化亜鉛薄膜の亜鉛と硫黄とマンガンの組成比を最
適値に形成して、発光効率の良好なＥＬ素子の製造方法
を実現したものである。
、蒸着装置内で亜鉛、硫黄、マンガン、或いは稀土類元
素を充填する坩堝を個々に、且つ独立に設け、同時に真
空蒸着、又はスバ・７タリングする際に、それらの坩堝
をそれぞれの材料に応じた蒸気圧を考慮して、蒸着温度
を制御することにより、基板上に形成されるマンガンを
含む硫化亜鉛薄膜の亜鉛と硫黄とマンガンの組成比を最
適値に形成して、発光効率の良好なＥＬ素子の製造方法
を実現したものである。
又、硫化亜鉛の焼結体を坩堝に充填して蒸着する場合で
も、別個に硫黄を充填した坩堝を用いて同時に蒸着する
ことにより、硫化亜鉛のなかの硫黄の不足分を補給して
、適正な発光層を形成することが可能になる。
も、別個に硫黄を充填した坩堝を用いて同時に蒸着する
ことにより、硫化亜鉛のなかの硫黄の不足分を補給して
、適正な発光層を形成することが可能になる。
第１図は、本発明の一実施例であるＥＬ素子の発光層を
形成するための蒸着装置の模式要部断面図である。
形成するための蒸着装置の模式要部断面図である。
蒸着装置１工内にＥ Ｌ素子の基板１２が配置され、そ
の基板を裏面と表面から加熱するためのヒータ１３．１
４が配置されていて、基板上にマンガンを含む硫化亜鉛
の発光体を形成するために、抵抗加熱用の坩堝１５．１
６．１７を設けてあり、それぞれの坩堝に亜鉛、硫黄、
マンガンが充填されていて、それらの坩堝を個々独立に
温度制御することができるようになっている。
の基板を裏面と表面から加熱するためのヒータ１３．１
４が配置されていて、基板上にマンガンを含む硫化亜鉛
の発光体を形成するために、抵抗加熱用の坩堝１５．１
６．１７を設けてあり、それぞれの坩堝に亜鉛、硫黄、
マンガンが充填されていて、それらの坩堝を個々独立に
温度制御することができるようになっている。
成膜方法は、基板を約２００℃乃至２５０℃の温度に加
熱した後、硫黄、亜鉛、マンガンの蒸気圧を考慮して、
蒸着する薄膜材料のそれぞれが最適の組成比になるよう
に、坩堝の温度を制御しながら、蒸着を行うと蒸着材料
は矢印のように基板方向に蒸発して被着する。
熱した後、硫黄、亜鉛、マンガンの蒸気圧を考慮して、
蒸着する薄膜材料のそれぞれが最適の組成比になるよう
に、坩堝の温度を制御しながら、蒸着を行うと蒸着材料
は矢印のように基板方向に蒸発して被着する。
真空蒸着としては、坩堝の代わりにボートを用いて電流
により加熱する抵抗蒸着、坩堝内の材料に直接電子を投
射する電子ビーム蒸着等によって行われることが多い。
により加熱する抵抗蒸着、坩堝内の材料に直接電子を投
射する電子ビーム蒸着等によって行われることが多い。
一実施例として、発光層の硫化亜鉛の膜厚を、５００
ｎｍとし、マンガンの重量濃度を０．５ｓｖＬ％の薄膜
を形成する際に、それぞれの坩堝の温度を制御して、薄
膜中の硫黄と亜鉛の組成比を、０．９〜１．１の範囲内
になるように制御する。
ｎｍとし、マンガンの重量濃度を０．５ｓｖＬ％の薄膜
を形成する際に、それぞれの坩堝の温度を制御して、薄
膜中の硫黄と亜鉛の組成比を、０．９〜１．１の範囲内
になるように制御する。
このようにして、成膜された硫化亜鉛の発光層は、適量
の組成と最適のマンガンを含むことになり、発光特性の
良好な発光層を形成することができる。
の組成と最適のマンガンを含むことになり、発光特性の
良好な発光層を形成することができる。
第２図は、横軸に亜鉛と硫黄との重量比を取り、それに
対する発光効率を任意単位で表した関係図であるが、本
発明による製造方法により、亜鉛と硫黄との重量比を１
にすることにより、最適の発光強度を得ることができる
。
対する発光効率を任意単位で表した関係図であるが、本
発明による製造方法により、亜鉛と硫黄との重量比を１
にすることにより、最適の発光強度を得ることができる
。
以上、詳細に説明したように、本発明のＥＬ発光素子は
、高輝度の発光が実現でき、この発光素子を使用したＥ
Ｌ発光パネル装置は高品質の表示装置を供し得るという
効果大なるものがある。
、高輝度の発光が実現でき、この発光素子を使用したＥ
Ｌ発光パネル装置は高品質の表示装置を供し得るという
効果大なるものがある。
第１図は、本発明の一実施例であるＥＬ素子の発光層を
形成する蒸着装置の模式要部断面図、第２図は、亜鉛と
硫黄との重量比に対する発光輝度との関係図、 第３図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図図におい
て、 １１は蒸着装置 １２は基板、１３．１４はヒ
ータ、 １５．１６．１７は坩堝、をそれぞれ示し
ている。 第１因 ２％比申 ＠ ２ 図 第３１３１１
形成する蒸着装置の模式要部断面図、第２図は、亜鉛と
硫黄との重量比に対する発光輝度との関係図、 第３図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図図におい
て、 １１は蒸着装置 １２は基板、１３．１４はヒ
ータ、 １５．１６．１７は坩堝、をそれぞれ示し
ている。 第１因 ２％比申 ＠ ２ 図 第３１３１１
Claims (1)
- ＥＬパネルに使用される発光層を形成する際に、亜鉛
、硫黄、マンガン或いは稀土類元素のそれぞれを独立に
制御しながら、同時に真空蒸着又はスパッタをすること
により、発光層を形成することを特徴とするＥＬパネル
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051788A JPS61211993A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051788A JPS61211993A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61211993A true JPS61211993A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12896677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051788A Pending JPS61211993A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61211993A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160694A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH0845664A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-02-16 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH0845666A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-02-16 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814832A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハロゲン化銀カラ−感光材料 |
| JPS58112299A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-04 | 高橋 清 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP60051788A patent/JPS61211993A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814832A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハロゲン化銀カラ−感光材料 |
| JPS58112299A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-04 | 高橋 清 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160694A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH0845664A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-02-16 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH0845666A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-02-16 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5842960B2 (ja) | エレクトロルミネセンス装置 | |
| JP2833282B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法 | |
| JPS61211993A (ja) | Ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPH077713B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6141112B2 (ja) | ||
| JPS6047718B2 (ja) | 薄膜発光素子の製造方法 | |
| JPH02148595A (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH0458158B2 (ja) | ||
| JPH046279B2 (ja) | ||
| JP2985096B2 (ja) | Ｚｎ▲下２▼ＳｉＯ▲下４▼：Ｍｎ薄膜を発光層として用いる交流駆動薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPH02306591A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 | |
| JPH10199675A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS61253797A (ja) | エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPH0265094A (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| KR960030746A (ko) | 청색발광용 전계발광소자(eld) 및 그 제조방법 | |
| JPS59143297A (ja) | 交流駆動薄膜電場発光素子 | |
| JPS61203593A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS63915B2 (ja) | ||
| JPH05242967A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS61273894A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS636774A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6161239B2 (ja) | ||
| JPH06200242A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JPS6276281A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH06251873A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の形成方法 |