JPS63224192A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
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- JPS63224192A JPS63224192A JP62058180A JP5818087A JPS63224192A JP S63224192 A JPS63224192 A JP S63224192A JP 62058180 A JP62058180 A JP 62058180A JP 5818087 A JP5818087 A JP 5818087A JP S63224192 A JPS63224192 A JP S63224192A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は高誘電率のチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｚ）の絶縁
層を適用した薄膜ＥＬパネルにおいて、ＩＴＯからなる
透明電極とＰｂＴｉＯ３からなる絶縁層との間に、該透
明電極の形成膜よりも酸化不足な透明導電膜を介在させ
た構成とすることにより、該絶縁層上のＥＬ発光層を熱
処理する際に、該透明電極に対する第一絶縁層からの酸
素成分の熱拡散を前記透明導電膜によって阻止して、酸
素拡散に起因する該透明電極の抵抗値の増列を防止し、
当該薄膜ＥＬパネルのより効果的な低電圧駆動を可能に
したものである。
層を適用した薄膜ＥＬパネルにおいて、ＩＴＯからなる
透明電極とＰｂＴｉＯ３からなる絶縁層との間に、該透
明電極の形成膜よりも酸化不足な透明導電膜を介在させ
た構成とすることにより、該絶縁層上のＥＬ発光層を熱
処理する際に、該透明電極に対する第一絶縁層からの酸
素成分の熱拡散を前記透明導電膜によって阻止して、酸
素拡散に起因する該透明電極の抵抗値の増列を防止し、
当該薄膜ＥＬパネルのより効果的な低電圧駆動を可能に
したものである。
本発明はフラットディスプレイパネルの一種である薄膜
ＥＬパネルに係り、特に低電圧駆動を可能としたパネル
構成に関するものである。
ＥＬパネルに係り、特に低電圧駆動を可能としたパネル
構成に関するものである。
薄膜ＥＬパネルは、薄形、軽量で、かつ高輝度表示が可
能であることから情報、通信端末のディスプレイ装置用
として期待されているが、駆動電圧が液晶表示パネル等
に比べて高いことから、低電圧駆動化が要求されている
。
能であることから情報、通信端末のディスプレイ装置用
として期待されているが、駆動電圧が液晶表示パネル等
に比べて高いことから、低電圧駆動化が要求されている
。
一方、低電圧駆動化のＥＬパネルとして、近来ＥＬ発光
層と透明電極間に介在させる絶縁層に高誘電率のチタン
酸鉛（ＰｂＴｉＯａ）を適用したパネルが提案されてい
る。しかしこのような絶縁層の介在により透明電極の抵
抗が増加する傾向があり、このため、そのような絶縁層
の介在により透明電極の抵抗を増加させることなく、低
電圧駆動を可能としたパネル構成が必要とされている。
層と透明電極間に介在させる絶縁層に高誘電率のチタン
酸鉛（ＰｂＴｉＯａ）を適用したパネルが提案されてい
る。しかしこのような絶縁層の介在により透明電極の抵
抗が増加する傾向があり、このため、そのような絶縁層
の介在により透明電極の抵抗を増加させることなく、低
電圧駆動を可能としたパネル構成が必要とされている。
従来の薄膜ＥＬパネルの構造は第３図に示すように透明
ガラス基板１１上に、例えば酸化インジウム・錫（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ：以下ＩＴＯと略称す
る）からなるストライプ状の透明電極１２が設けられ、
その上面に高誘電率なチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ）から
なる第一絶縁層１３を介して発光中心となる例えばマン
ガン（Ｍｎ）を添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなるＥ
Ｌ発光層１４が積層され、更にその上にＰｂＴｉＯｓか
らなる第二絶縁層１５を介してアルミニウム（八２）な
どからなるストライプ状の背面電極１６が前記透明電極
１２と交差するようにマトリックス状に配設され、かつ
これら積層部分が防湿保護層１７により被覆されている
。
ガラス基板１１上に、例えば酸化インジウム・錫（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ：以下ＩＴＯと略称す
る）からなるストライプ状の透明電極１２が設けられ、
その上面に高誘電率なチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ）から
なる第一絶縁層１３を介して発光中心となる例えばマン
ガン（Ｍｎ）を添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなるＥ
Ｌ発光層１４が積層され、更にその上にＰｂＴｉＯｓか
らなる第二絶縁層１５を介してアルミニウム（八２）な
どからなるストライプ状の背面電極１６が前記透明電極
１２と交差するようにマトリックス状に配設され、かつ
これら積層部分が防湿保護層１７により被覆されている
。
そしてかかるパネルにおける前記透明電極１２と対向す
る背面電極１６との任意の選択された各電極に所定の電
圧を印加し、ＥＬ発光層１４に交流電界をかけることに
より、その部分の発光層１４を発光させている。
る背面電極１６との任意の選択された各電極に所定の電
圧を印加し、ＥＬ発光層１４に交流電界をかけることに
より、その部分の発光層１４を発光させている。
ところでこのようなｆｉｌｌｙ！ＥＬパネルにあっては
、該パネルの製造プロセスにおいて形成されたＥＬ発光
層１４を、その組成の均一化と安定性を向上させるため
に５００℃程度での熱処理を行っているが、この熱処理
に起因して前記第一絶縁層１３と直接接触している透明
電極１２の抵抗値が数十倍に増加する現象がある。
、該パネルの製造プロセスにおいて形成されたＥＬ発光
層１４を、その組成の均一化と安定性を向上させるため
に５００℃程度での熱処理を行っているが、この熱処理
に起因して前記第一絶縁層１３と直接接触している透明
電極１２の抵抗値が数十倍に増加する現象がある。
この原因は前記熱処理によって第一絶縁層１３を構成す
るＰｂＴｉＯｓからの酸素成分が透明電極１２を構成す
るＩＴＯに熱拡散し、該ＩＴＯが過酸化状態に変化する
ためと考えられる。
るＰｂＴｉＯｓからの酸素成分が透明電極１２を構成す
るＩＴＯに熱拡散し、該ＩＴＯが過酸化状態に変化する
ためと考えられる。
そこでこのような透明電極１２に対する酸素成分の拡散
を阻止するために、前記透明電極１２と第一絶縁層１３
との間に二酸化珪素（ＳｉＯ□）膜を介在したパネル構
造が提案されている。
を阻止するために、前記透明電極１２と第一絶縁層１３
との間に二酸化珪素（ＳｉＯ□）膜を介在したパネル構
造が提案されている。
ところが前記透明電極１２と第一絶縁Ｊｉ１３との間に
二酸化珪素（Ｓｉｎｇ）膜を介在させた従来のパネル構
造においては、透明電極１２の抵抗値の増加は防止され
るが、前記介在されたＳｉＯ２膜の誘電率がｐｂＴｉＯ
，＋膜のそれよりも小さいために、駆動電圧が高くなる
傾向にある。
二酸化珪素（Ｓｉｎｇ）膜を介在させた従来のパネル構
造においては、透明電極１２の抵抗値の増加は防止され
るが、前記介在されたＳｉＯ２膜の誘電率がｐｂＴｉＯ
，＋膜のそれよりも小さいために、駆動電圧が高くなる
傾向にある。
即ち、介在するＳｉＯ□膜の膜厚が０．０５μｍ程度の
場合でも約２０Ｖの電圧が余分に消費されることから、
低電圧駆動化に際して不利となる問題があった。
場合でも約２０Ｖの電圧が余分に消費されることから、
低電圧駆動化に際して不利となる問題があった。
本発明は上記従来の実情に鑑み、ＥＬ発光層の熱処理時
にＰｂＴｉ０＋からなる絶縁層より透明電極への酸素成
分の熱拡散を防止すると共に、低電圧駆動を可能とした
新規な薄膜ＥＬパネルの構造を提供することを目的とす
るものである。
にＰｂＴｉ０＋からなる絶縁層より透明電極への酸素成
分の熱拡散を防止すると共に、低電圧駆動を可能とした
新規な薄膜ＥＬパネルの構造を提供することを目的とす
るものである。
本発明は上記目的を達成するため、第１図の原理構成図
に示すように薄膜ＥＬパネルにおけるＩＴＯからなる透
明電極１２とＰｂＴｉＯｓからなる絶縁層１３との間に
、該透明電極１２の形成用ＩＴＯ膜よりも酸素含有量が
少ないＩＴＯからなる透明導電膜２１を設けた構成とす
る。
に示すように薄膜ＥＬパネルにおけるＩＴＯからなる透
明電極１２とＰｂＴｉＯｓからなる絶縁層１３との間に
、該透明電極１２の形成用ＩＴＯ膜よりも酸素含有量が
少ないＩＴＯからなる透明導電膜２１を設けた構成とす
る。
本発明では前記透明電極１２と絶縁層１３との間に酸素
含有量の少ない、所謂酸化不足の透明導電膜２１が介在
されているため、ＥＬ発光層の熱処理時にＰｂＴｉＯｓ
からなる絶縁層より酸素成分の熱拡散がなされても、拡
散した酸素成分は隣接する酸化不足の透明導電１１！２
１内に拡散されて、該透明導電膜２１のみが最適な酸化
状態に化学変化して、この酸化反応は透明電極１２にま
で及ぶことはない。従って、該透明電極１２の抵抗値の
増加が防止される。
含有量の少ない、所謂酸化不足の透明導電膜２１が介在
されているため、ＥＬ発光層の熱処理時にＰｂＴｉＯｓ
からなる絶縁層より酸素成分の熱拡散がなされても、拡
散した酸素成分は隣接する酸化不足の透明導電１１！２
１内に拡散されて、該透明導電膜２１のみが最適な酸化
状態に化学変化して、この酸化反応は透明電極１２にま
で及ぶことはない。従って、該透明電極１２の抵抗値の
増加が防止される。
なお、前記熱処理後の透明導電膜２１の抵抗値が、例え
透明電極１２のそれよりも太き（なることがあっても、
前記透明電極１２の抵抗値に増加がなければ、駆動上回
等の問題もない。
透明電極１２のそれよりも太き（なることがあっても、
前記透明電極１２の抵抗値に増加がなければ、駆動上回
等の問題もない。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る薄膜ＥＬパネルの一実施例を示す
要部断面図であり、前記第３歯の従来のパネル構造と同
等部分には同一符号を付している。
要部断面図であり、前記第３歯の従来のパネル構造と同
等部分には同一符号を付している。
図において、第１図の実施例が第３図の従来のそれと異
なる点は、ＩＴＯからなる透明電極１２とＰｂＴｉ０＋
からなる第一絶縁層１３との間に、該透明電ｔｉ１２の
形成用ＩＴＯ膜よりも酸素含有量が少ない、所謂酸化不
足なＩＴＯからなる透明導電膜２１を設けた構造とされ
ている。 ′ 従って、ＥＬ発光層１４の熱処理時にＰｂＴｉＯｓから
なる第一絶縁層１３より酸素成分が熱拡散されても、そ
の酸素成分は隣接する酸化不足の透明導電膜２１内に拡
散されて、該透明導電膜２１のみが最適な酸化状態の方
向に酸化され、その酸化反応が透明電極１２にまで及ぶ
ことが阻止される。よって、該透明電極１２の抵抗値が
従来のように増加する問題が解消される。
なる点は、ＩＴＯからなる透明電極１２とＰｂＴｉ０＋
からなる第一絶縁層１３との間に、該透明電ｔｉ１２の
形成用ＩＴＯ膜よりも酸素含有量が少ない、所謂酸化不
足なＩＴＯからなる透明導電膜２１を設けた構造とされ
ている。 ′ 従って、ＥＬ発光層１４の熱処理時にＰｂＴｉＯｓから
なる第一絶縁層１３より酸素成分が熱拡散されても、そ
の酸素成分は隣接する酸化不足の透明導電膜２１内に拡
散されて、該透明導電膜２１のみが最適な酸化状態の方
向に酸化され、その酸化反応が透明電極１２にまで及ぶ
ことが阻止される。よって、該透明電極１２の抵抗値が
従来のように増加する問題が解消される。
なお、以上の実施例では透明電極１２と第一絶縁層１３
との間に酸化不足なＩＴＯからなる透明導電膜２１を用
いた場合の例について説明したが、本発明はこの例に限
定されるものではな（、例えば酸化不足な酸化インジウ
ム（Ｉｎｚｏｚ） ＋酸化錫（ＳｎＯｚ） ＋或いは酸
化亜鉛（ＺｎＯ）等からなる透明導電膜も適用可能であ
り、これらを用いた場合にも同様の効果が得られる。
との間に酸化不足なＩＴＯからなる透明導電膜２１を用
いた場合の例について説明したが、本発明はこの例に限
定されるものではな（、例えば酸化不足な酸化インジウ
ム（Ｉｎｚｏｚ） ＋酸化錫（ＳｎＯｚ） ＋或いは酸
化亜鉛（ＺｎＯ）等からなる透明導電膜も適用可能であ
り、これらを用いた場合にも同様の効果が得られる。
更にこのような本発明の薄膜ＥＬパネルを作製するには
、第１図に示すように、例えば透明ガラス基板ｌｌ上に
、Ｉｎ−Ｓｎ合金からなるターゲ・ノドを用い、かつＡ
ｒと０□との混合ガス雰囲気中での反応性スパッタリン
グ法により透明電極形成用のＩＴＯ膜を０．２μｍの膜
厚に被着形成する。
、第１図に示すように、例えば透明ガラス基板ｌｌ上に
、Ｉｎ−Ｓｎ合金からなるターゲ・ノドを用い、かつＡ
ｒと０□との混合ガス雰囲気中での反応性スパッタリン
グ法により透明電極形成用のＩＴＯ膜を０．２μｍの膜
厚に被着形成する。
次にそのＩＴＯ膜上に、Ｉｎ−Ｓｎ合金からなるターゲ
ットを用い、かつ前記ＩＴＯ膜形成時のＡｒ−０゜混合
ガス雰囲気における０８分圧を１／２倍とした＾ｒ−〇
□混合ガス雰囲気中での反応性スパッタリング法により
、０．０５μｍの膜厚の酸素不足なＩＴＯ膜からなる透
明導電膜２１を被着形成し、引き続き前記ＩＴＯ膜を該
透明導電膜２１と共に、例えばストライブ状の電極パタ
ーンにバターニングして透明電極１２を形成する。
ットを用い、かつ前記ＩＴＯ膜形成時のＡｒ−０゜混合
ガス雰囲気における０８分圧を１／２倍とした＾ｒ−〇
□混合ガス雰囲気中での反応性スパッタリング法により
、０．０５μｍの膜厚の酸素不足なＩＴＯ膜からなる透
明導電膜２１を被着形成し、引き続き前記ＩＴＯ膜を該
透明導電膜２１と共に、例えばストライブ状の電極パタ
ーンにバターニングして透明電極１２を形成する。
次に前記透明導電膜２１上に、ＰｂＴｉ混合焼結体から
なるターゲットを用い、かつＡｒａＯｚとの混合ガス雰
囲気中での反応性スパッタリング法により、ＰｂＴｉＯ
３からなる第一絶縁層１３を０．２５μｍの膜厚に被着
形成する。
なるターゲットを用い、かつＡｒａＯｚとの混合ガス雰
囲気中での反応性スパッタリング法により、ＰｂＴｉＯ
３からなる第一絶縁層１３を０．２５μｍの膜厚に被着
形成する。
次にその第一絶縁層１３上に、Ｍｎを添加したＺｎＳを
電子ビーム蒸着法により０．５μｍの膜厚の被着した後
、例えば真空中で５００℃に加熱して１時間程度、熱処
理を行ってＥＬ発光層１４を形成し、更にその表面に前
記第一絶縁層１３と同様なＰｂＴｉ０ｚからなる第二絶
縁層１５を形成する。
電子ビーム蒸着法により０．５μｍの膜厚の被着した後
、例えば真空中で５００℃に加熱して１時間程度、熱処
理を行ってＥＬ発光層１４を形成し、更にその表面に前
記第一絶縁層１３と同様なＰｂＴｉ０ｚからなる第二絶
縁層１５を形成する。
そしてその第二絶縁層１５上にアルミニウム（Ａ ｌ
”）などからなる０、３μｍの膜厚のストライブ状の背
面電極１６を前記透明電極１２と交差する形にマトリッ
クス状に形成し、最後にこれらの積層部分上に防湿保護
層１７を被着形成して完成させる。
”）などからなる０、３μｍの膜厚のストライブ状の背
面電極１６を前記透明電極１２と交差する形にマトリッ
クス状に形成し、最後にこれらの積層部分上に防湿保護
層１７を被着形成して完成させる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜ＥＬ
パネルの構造によれば、ＩＴＯからなる透明電極とＰｂ
Ｔｉ０ｚからなる第一絶縁層との間に、該透明電極の形
成膜よりも酸素含有量が少ない、所謂酸化不足な透明導
電膜を介在させた構成とすることにより、該透明電極に
対する第一絶縁層からの酸素成分の熱拡散が阻止され、
該透明電極の抵抗値の増加が防止されるため、より効果
的な低電圧駆動が可能となる優れた利点を有する。
パネルの構造によれば、ＩＴＯからなる透明電極とＰｂ
Ｔｉ０ｚからなる第一絶縁層との間に、該透明電極の形
成膜よりも酸素含有量が少ない、所謂酸化不足な透明導
電膜を介在させた構成とすることにより、該透明電極に
対する第一絶縁層からの酸素成分の熱拡散が阻止され、
該透明電極の抵抗値の増加が防止されるため、より効果
的な低電圧駆動が可能となる優れた利点を有する。
従って、この種の薄膜ＥＬパネルに適用して極めて有利
である。
である。
第１図は本発明に係る薄膜ＥＬパネルの基本構成を説明
するための原理構成図、 第２図は本発明に係る薄膜ＥＬパネルの一実施例を示す
要部断面図、 第３図は従来の薄膜ＥＬパネルの一例を示す要部断面図
である。 第１図及び第２図において、 １１は透明ガラス基板、１２は透明電極、１３は第一絶
縁層、１４はＥＬ発光層、１５は第二絶縁層、１６は背
面電極、１７は防湿保護層、２１は酸化不足な透明導電
膜をそれぞれ示す。 第１図 第２図 第３図
するための原理構成図、 第２図は本発明に係る薄膜ＥＬパネルの一実施例を示す
要部断面図、 第３図は従来の薄膜ＥＬパネルの一例を示す要部断面図
である。 第１図及び第２図において、 １１は透明ガラス基板、１２は透明電極、１３は第一絶
縁層、１４はＥＬ発光層、１５は第二絶縁層、１６は背
面電極、１７は防湿保護層、２１は酸化不足な透明導電
膜をそれぞれ示す。 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１） ＥＬ発光層（１４）の両側にチタン酸鉛からな
る絶縁層（１３、１５）を介して、少なくとも一方が酸
化インジウム・錫からなる透明電極（１２、１６）をそ
れぞれ配設したパネル構成において、 上記絶縁層（１３）と酸化インジウム・錫からなる透明
電極（１２）との間に、該透明電極（１２）の形成膜よ
りも酸素含有量の少ない透明導電膜（２１）を設けてな
ることを特徴とする薄膜ＥＬパネル。 - （２） 上記透明導電膜（２１）が、最適酸素含有量よ
りも少ない酸化不足な酸化インジウム・錫からなること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載した薄膜
ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62058180A JPS63224192A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62058180A JPS63224192A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224192A true JPS63224192A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13076808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62058180A Pending JPS63224192A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224192A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230094A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Yokogawa Electric Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0589964A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sharp Corp | 透明電極 |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP62058180A patent/JPS63224192A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230094A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Yokogawa Electric Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0589964A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sharp Corp | 透明電極 |
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