JPH0230094A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH0230094A JPH0230094A JP63179816A JP17981688A JPH0230094A JP H0230094 A JPH0230094 A JP H0230094A JP 63179816 A JP63179816 A JP 63179816A JP 17981688 A JP17981688 A JP 17981688A JP H0230094 A JPH0230094 A JP H0230094A
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- transparent electrode
- insulating layer
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- electrode
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- -1 rare earth compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- KMIOJWCYOHBUJS-HAKPAVFJSA-N vorolanib Chemical compound C1N(C(=O)N(C)C)CC[C@@H]1NC(=O)C1=C(C)NC(\C=C/2C3=CC(F)=CC=C3NC\2=O)=C1C KMIOJWCYOHBUJS-HAKPAVFJSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、交流電界の印加により発光する薄膜エレクト
ロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し。
ロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し。
素子を熱処理する際に生ずる透明！極の抵抗値増加の改
善に関する。
善に関する。
〈従来の技術〉
第６図は発光層を挟んで形成した２重絶縁構造の薄膜Ｆ
、Ｌ素子の一例を示す要部断面斜視図、第７図は第６図
に示す薄膜ＥＬ素子のＸ−Ｘ断面図である。これらの図
において、１はガラス基板。
、Ｌ素子の一例を示す要部断面斜視図、第７図は第６図
に示す薄膜ＥＬ素子のＸ−Ｘ断面図である。これらの図
において、１はガラス基板。
２は酸化インジウム（Ｉｎ２０ｚ）あるいはインジウム
と錫との酸化物（ＩＴＯ＞などからなる透明電極、３は
Ｙ２０３ 、 Ｓ １３ Ｎａなどからなる第１絶縁層
、４はＭｎあるいは希土類化合物を添加したＺｎＳ発光
層、５は第１絶縁層と同じ材質の第２絶縁層、６はＡＩ
などからなる背面電極である。上記構成のＥＬ素子は透
明電極２と背面電極６との間に図示しない交流電源によ
り交流電界を印加すると、約１０’Ｖ／ｃｍ程度の高電
界により高輝度に発光する。
と錫との酸化物（ＩＴＯ＞などからなる透明電極、３は
Ｙ２０３ 、 Ｓ １３ Ｎａなどからなる第１絶縁層
、４はＭｎあるいは希土類化合物を添加したＺｎＳ発光
層、５は第１絶縁層と同じ材質の第２絶縁層、６はＡＩ
などからなる背面電極である。上記構成のＥＬ素子は透
明電極２と背面電極６との間に図示しない交流電源によ
り交流電界を印加すると、約１０’Ｖ／ｃｍ程度の高電
界により高輝度に発光する。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、上記薄膜ＥＬ素子は図示の順序で積層した後
発光層の発光効率を増大させるために熱処理（４００〜
６００℃でアニール）を行う必要があるが、熱処理を行
うと透明電極の抵抗が増大するという問題があった。
発光層の発光効率を増大させるために熱処理（４００〜
６００℃でアニール）を行う必要があるが、熱処理を行
うと透明電極の抵抗が増大するという問題があった。
第８図はＥＬ素子を製作する途中の状態を示す平面図（
ａ）＠面図（ｂ）であり、ガラス基板１に幅１−２ ｍ
ｍ ＋長さ３２ｍｍ、厚さ２０００ＡてのＴａ２０５
を長さ２８ｍｍ、厚さ５０００Ａにそれぞれスパッタに
より形成した状態を示している。
ａ）＠面図（ｂ）であり、ガラス基板１に幅１−２ ｍ
ｍ ＋長さ３２ｍｍ、厚さ２０００ＡてのＴａ２０５
を長さ２８ｍｍ、厚さ５０００Ａにそれぞれスパッタに
より形成した状態を示している。
第９図は第８図に示す状態の素子をＩ Ｘ １０’Ｔ
ｏ ｒ ｒの雰囲気中で４５０，５２５．６００℃の各
温度で約１時間熱処理した場合の熱処理前（Ｒｏ）と後
（Ｒａ）の透明電極の抵抗値変化を示すものである。図
によれば４５０℃で約５倍。
ｏ ｒ ｒの雰囲気中で４５０，５２５．６００℃の各
温度で約１時間熱処理した場合の熱処理前（Ｒｏ）と後
（Ｒａ）の透明電極の抵抗値変化を示すものである。図
によれば４５０℃で約５倍。
５２５．６００℃では１００倍以上に抵抗値が増大して
いることが分る。
いることが分る。
この様な抵抗値変化の原因はＴａ２ ｏ５膜中の酸素原
子が透明電極に拡散したものと考えられる。
子が透明電極に拡散したものと考えられる。
透明電極の抵抗値が増大すると発光層を発光させる為の
電圧を高くしなければならず、印加電圧を高くすると、
パネル面内で輝度むらが発生したり。
電圧を高くしなければならず、印加電圧を高くすると、
パネル面内で輝度むらが発生したり。
絶縁層の耐圧も低下するという問題があった。
本発明は上記従来技術の課題を解決するために成された
もので、熱処理による電極の抵抗値の増大のない薄膜Ｅ
Ｌ素子を提供することを目的とする。
もので、熱処理による電極の抵抗値の増大のない薄膜Ｅ
Ｌ素子を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記従来技術の課題を解決する為の本発明の構成は、絶
縁性基板上に透明電極、第１絶縁層１発光層第２絶縁層
および背面電極を順次積層して形成された薄［ＥＬ素子
において、前記透明電極上に第１の絶縁層を形成する際
は前記透明電極上に酸素拡散防止層を形成した後、前記
第１絶縁層を形成したことを特徴とするものである。
縁性基板上に透明電極、第１絶縁層１発光層第２絶縁層
および背面電極を順次積層して形成された薄［ＥＬ素子
において、前記透明電極上に第１の絶縁層を形成する際
は前記透明電極上に酸素拡散防止層を形成した後、前記
第１絶縁層を形成したことを特徴とするものである。
〈実施例〉
以下１図面に従い本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明のＥＬ素子を製作する途中の状態を示す
平面図（ａ）断面図（ｂ）であり、ガラス基板に幅１．
２ｍｍ、長さ２８ｍｍ、厚さ２０００人の透明電極が形
成されている。ここまでの工程は従来例と同様である８
本発明ではこの透明電極の上に酸素拡散防止層としての
Ｓ ｌ ３ Ｎａまたは５１０２またはこれらの複合膜
を形成した後絶縁層を形成する。
平面図（ａ）断面図（ｂ）であり、ガラス基板に幅１．
２ｍｍ、長さ２８ｍｍ、厚さ２０００人の透明電極が形
成されている。ここまでの工程は従来例と同様である８
本発明ではこの透明電極の上に酸素拡散防止層としての
Ｓ ｌ ３ Ｎａまたは５１０２またはこれらの複合膜
を形成した後絶縁層を形成する。
第２図〜第５図は透明電極の上に各種の拡散防止層を形
成した後、絶縁層を形成しＹその状態で熱処理を施して
透明電極の抵抗値の変化を測定した結果を図示したもの
である。
成した後、絶縁層を形成しＹその状態で熱処理を施して
透明電極の抵抗値の変化を測定した結果を図示したもの
である。
第２図は透明電極の上に５Ｌ３Ｎ４をプラズマＣＶＤ法
により約１４０ＯＡの厚さに形成し、この上に５０００
へのＴａ２０３を形成し、この素子をｌＸ１０’Ｔｏｒ
ｒの雰囲気中で４５０，５２５．６００℃の各温度で約
１時間熱処理した場合の熱処理前（Ｒｏ）と後（Ｒａ）
の透明電極の抵抗値変化を示すものである。
により約１４０ＯＡの厚さに形成し、この上に５０００
へのＴａ２０３を形成し、この素子をｌＸ１０’Ｔｏｒ
ｒの雰囲気中で４５０，５２５．６００℃の各温度で約
１時間熱処理した場合の熱処理前（Ｒｏ）と後（Ｒａ）
の透明電極の抵抗値変化を示すものである。
図によれば４５０℃で約１．５倍、５２５，６００℃で
は約２倍程度の増大となり、第８図に示す従来例に比較
して抵抗値変化が減少していることが分る。
は約２倍程度の増大となり、第８図に示す従来例に比較
して抵抗値変化が減少していることが分る。
第３図はＳｉ、Ｎ、をスパッタにより約１０００Ａの厚
さに形成し、第２図の素子と同様な条件で透明電極の抵
抗値を測定した結果を示すもので抵抗値の増加は数％の
増加にとどまっている。
さに形成し、第２図の素子と同様な条件で透明電極の抵
抗値を測定した結果を示すもので抵抗値の増加は数％の
増加にとどまっている。
第４図は５１０２をスパッタにより約１０００への厚さ
に形成し、第２図の素子と同様な条件で透明電極の抵抗
値を測定した結果を示すもので抵抗値の増加は６００℃
で２倍程度、４５０，５２５℃では数％の増加にとどま
っている。
に形成し、第２図の素子と同様な条件で透明電極の抵抗
値を測定した結果を示すもので抵抗値の増加は６００℃
で２倍程度、４５０，５２５℃では数％の増加にとどま
っている。
第５図はＳ ｉ Ｏ２をスパッタで約５００人形成しこ
の上にＳｔ、Ｎ、をプラズマＣＶＤ法により形成し、第
２図の素子と同様な条件で透明電極の抵抗値を測定した
結果を示すもので抵抗値の増加は数％の増加にとどまっ
ている。
の上にＳｔ、Ｎ、をプラズマＣＶＤ法により形成し、第
２図の素子と同様な条件で透明電極の抵抗値を測定した
結果を示すもので抵抗値の増加は数％の増加にとどまっ
ている。
なお９本実施例では透明電極および酸素拡散防止層等の
膜厚について具体的数値を用いて説明したがこれらの数
値は本例に限ることなく適宜変更可能である。
膜厚について具体的数値を用いて説明したがこれらの数
値は本例に限ることなく適宜変更可能である。
〈発明の効果〉
以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば、透明電極上に第１絶縁層を形成する前に透明電極に
摸索拡散防止層を形成したので。
ば、透明電極上に第１絶縁層を形成する前に透明電極に
摸索拡散防止層を形成したので。
透明電極の抵抗増大を防止することが出来、駆動電圧が
低く、絶縁層の耐圧を向上させな薄ＩＩ！ＥＬ素子を実
現することが出来る。
低く、絶縁層の耐圧を向上させな薄ＩＩ！ＥＬ素子を実
現することが出来る。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す平面図
（ａ）および断面図（ｂ）、第２〜第５図は本発明の薄
膜ＥＬ素子の熱処理温度と抵抗値変化の関係を示す図、
第６〜第８図は従来の薄膜ＥＬ素子の一例を示す図、第
９図は従来の薄膜ＥＬ素子の熱処理温度と抵抗値変化の
関係を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極（ＩＴＯ）、３
・・・第１絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁
層、６２１ ［４１麦イｔ−（／？、４ ／ Ｒｏ ）
砥ｊＩＩＬイＬづ【イＬ （／？Ａ ／Ｒｏ ） ベー 第 図 第 図 ７二−ルし墓、Ｉｆ（０ｃ） 第 図 Ｊ ｆ２Ｅ ６００ ニー／レジ１濱〔８Ｃ］ 手 続 補 正 書 （方 式） ６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 図面第１図を添付図面の通り補正する。
（ａ）および断面図（ｂ）、第２〜第５図は本発明の薄
膜ＥＬ素子の熱処理温度と抵抗値変化の関係を示す図、
第６〜第８図は従来の薄膜ＥＬ素子の一例を示す図、第
９図は従来の薄膜ＥＬ素子の熱処理温度と抵抗値変化の
関係を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極（ＩＴＯ）、３
・・・第１絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁
層、６２１ ［４１麦イｔ−（／？、４ ／ Ｒｏ ）
砥ｊＩＩＬイＬづ【イＬ （／？Ａ ／Ｒｏ ） ベー 第 図 第 図 ７二−ルし墓、Ｉｆ（０ｃ） 第 図 Ｊ ｆ２Ｅ ６００ ニー／レジ１濱〔８Ｃ］ 手 続 補 正 書 （方 式） ６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 図面第１図を添付図面の通り補正する。
Claims (1)
- 絶縁性基板上に透明電極、第１絶縁層、発光層、第２
絶縁層および背面電極を順次積層して形成された薄膜Ｅ
Ｌ素子において、前記透明電極上に第１の絶縁層を形成
する際は前記透明電極上に酸素拡散防止層を形成した後
、前記第１絶縁層を形成したことを特徴とする薄膜ＥＬ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179816A JPH0230094A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179816A JPH0230094A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230094A true JPH0230094A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16072393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179816A Pending JPH0230094A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230094A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027303A1 (fr) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Orion Electric Company Ltd. | Afficheur plat et son procede de fabrication |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62291896A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-18 | 富士通株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| JPS63224192A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | 富士通株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179816A patent/JPH0230094A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62291896A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-18 | 富士通株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| JPS63224192A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | 富士通株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027303A1 (fr) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Orion Electric Company Ltd. | Afficheur plat et son procede de fabrication |
| US5698353A (en) * | 1994-03-31 | 1997-12-16 | Orion Electric Company, Ltd. | Flat display and method of its manufacture |
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