JPS61203592A - Ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61203592A JPS61203592A JP60043199A JP4319985A JPS61203592A JP S61203592 A JPS61203592 A JP S61203592A JP 60043199 A JP60043199 A JP 60043199A JP 4319985 A JP4319985 A JP 4319985A JP S61203592 A JPS61203592 A JP S61203592A
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- JP
- Japan
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- film
- zinc sulfide
- thin film
- insulator
- crystallinity
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＥ Ｌ （Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｅ
ｎｃｅ ）素子の製造方法に係り、特に発光層である硫
化亜鉛の結晶性を改善した高輝度ＥＬに関する。
ｎｃｅ ）素子の製造方法に係り、特に発光層である硫
化亜鉛の結晶性を改善した高輝度ＥＬに関する。
近時、表示デバイスとしてＥＬ表示装置が実用化されて
いるが、このＥＬ表示装置に使用されるＥＬ素子は、発
光体としてマンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を用い、
その上面と下面の双方から絶縁体層によってサンドイッ
チ構造にしたものであり、その絶縁体に電極を介して印
加された電極電圧によって、硫化亜鉛の薄膜に強電界が
加わり、それによって硫化亜鉛層の電子が移動して、硫
化亜鉛層内のマンガンを励起することによりマンガン特
有の発光が行われて表示がなされる。
いるが、このＥＬ表示装置に使用されるＥＬ素子は、発
光体としてマンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を用い、
その上面と下面の双方から絶縁体層によってサンドイッ
チ構造にしたものであり、その絶縁体に電極を介して印
加された電極電圧によって、硫化亜鉛の薄膜に強電界が
加わり、それによって硫化亜鉛層の電子が移動して、硫
化亜鉛層内のマンガンを励起することによりマンガン特
有の発光が行われて表示がなされる。
然しなから、従来のＥＬ表示素子では、発光輝度が十分
でなく、その発光輝度が硫化亜鉛の結晶性に大きく依存
するため、発光輝度を改善するためには硫化亜鉛の結晶
性を向上させることが要望されている。
でなく、その発光輝度が硫化亜鉛の結晶性に大きく依存
するため、発光輝度を改善するためには硫化亜鉛の結晶
性を向上させることが要望されている。
（従来の技術〕
第２図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図である。
ガラス！Ｉｊ．１があり、その表面に例えばＸ電掻２と
して、厚みが１０００人〜３０００人の酸化インジウム
等で成膜された複数の細条の透明電極が平行に形成され
ている。
して、厚みが１０００人〜３０００人の酸化インジウム
等で成膜された複数の細条の透明電極が平行に形成され
ている。
Ｘ電極２の表面には、更に下部絶縁膜３として、例えば
窒化シリコン膜（Ｓｉ ｓ Ｎ ４）又は酸窒化シリコ
ン膜（ＳｉＮＯ）等の非晶質の絶縁物が、厚みが２００
０人程度定形成され、その表面にマンガンを添加した硫
化亜鉛の薄ＰＪ４が厚みが約２０００人程度に形成され
ている。
窒化シリコン膜（Ｓｉ ｓ Ｎ ４）又は酸窒化シリコ
ン膜（ＳｉＮＯ）等の非晶質の絶縁物が、厚みが２００
０人程度定形成され、その表面にマンガンを添加した硫
化亜鉛の薄ＰＪ４が厚みが約２０００人程度に形成され
ている。
硫化亜鉛の薄膜４の上面には、上部絶縁膜５が、下部絶
縁膜３と同様に窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜が
厚みが２０００人程度定形成され、その表面にＹ電極６
として、複数のアルミニウムの細条電極がＸ電極と直交
する方向で平行に配置されている。
縁膜３と同様に窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜が
厚みが２０００人程度定形成され、その表面にＹ電極６
として、複数のアルミニウムの細条電極がＸ電極と直交
する方向で平行に配置されている。
このような構造のＥＬパネルでは、上部絶縁膜と下部絶
縁膜とが、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜のよう
な非晶質の絶縁膜を使用しているが、これは一般に非晶
質の絶縁膜が良好な絶縁体であるとの理由によるもので
ある。
縁膜とが、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜のよう
な非晶質の絶縁膜を使用しているが、これは一般に非晶
質の絶縁膜が良好な絶縁体であるとの理由によるもので
ある。
一方、発光層である硫化亜鉛の薄膜は結晶性である程発
光輝度が向とするが、通常硫化亜鉛の薄膜を非晶質の物
体上に形成すると、形成される硫化亜鉛の薄膜も下層の
非晶質の配列のために、非晶質に形成されるものであり
、従って硫化亜鉛の薄膜を結晶質に形成するためには、
下部絶縁体を絶縁性が高く且つ結晶性の良好な膜質にす
る必要がある。
光輝度が向とするが、通常硫化亜鉛の薄膜を非晶質の物
体上に形成すると、形成される硫化亜鉛の薄膜も下層の
非晶質の配列のために、非晶質に形成されるものであり
、従って硫化亜鉛の薄膜を結晶質に形成するためには、
下部絶縁体を絶縁性が高く且つ結晶性の良好な膜質にす
る必要がある。
上記のＥＬ表示素子では、下部絶縁体の結晶性が良くな
いために、その表面に成膜された硫化亜鉛の薄膜の結晶
性が良くないことが問題点であり、そのためにＥＬ素子
の輝度が低下するという不都合が生ずる。
いために、その表面に成膜された硫化亜鉛の薄膜の結晶
性が良くないことが問題点であり、そのためにＥＬ素子
の輝度が低下するという不都合が生ずる。
本発明は、上記問題点を解消したＥＬ素子の製造方法を
堤供するもので、その手段は、マンガンを添加した硫化
亜鉛の薄膜を上部絶縁体と、下部絶縁体によってサンド
イッチ構造にし、上下面に電極を有するＥＬ素子におい
て、下部絶縁体を結晶性の膜で形成したＥＬ棄子の製造
方法によって達成できる。
堤供するもので、その手段は、マンガンを添加した硫化
亜鉛の薄膜を上部絶縁体と、下部絶縁体によってサンド
イッチ構造にし、上下面に電極を有するＥＬ素子におい
て、下部絶縁体を結晶性の膜で形成したＥＬ棄子の製造
方法によって達成できる。
本発明は、硫化亜鉛の薄膜が形成される下部絶縁体を、
結晶性の膜にするものであり、材料としては耐圧性がよ
く且つ絶縁体で結晶性の優れたものとして、アルミナ又
は弗化カルシウムを使用するものであって、このような
結晶性の配列が良好な下地に硫化亜鉛を蒸着等により形
成することにより、下地の材料の結晶が核になって、そ
の表面に被膜されるＥＬ薄膜が基板に垂直方向に配向し
て積層する為に結晶性の良好なＥＬ薄膜が形成されるこ
とになり、その結果高輝度のＥＬが実現することになる
ことを考慮したものである。
結晶性の膜にするものであり、材料としては耐圧性がよ
く且つ絶縁体で結晶性の優れたものとして、アルミナ又
は弗化カルシウムを使用するものであって、このような
結晶性の配列が良好な下地に硫化亜鉛を蒸着等により形
成することにより、下地の材料の結晶が核になって、そ
の表面に被膜されるＥＬ薄膜が基板に垂直方向に配向し
て積層する為に結晶性の良好なＥＬ薄膜が形成されるこ
とになり、その結果高輝度のＥＬが実現することになる
ことを考慮したものである。
又優れた膜形成を行うためにはイオンブレーティングが
好適であり、特にアルミナ等ではイオンブレーティング
を行うことにより結晶性の良好な膜形成ができる。
好適であり、特にアルミナ等ではイオンブレーティング
を行うことにより結晶性の良好な膜形成ができる。
第１図は、本発明の一実施例であるＥＬ棄子の要部断面
図である。
図である。
ガラス基板１１上に透明電極１２が約２０００人の厚み
でスパッタリングにより形成されており、又透明電極に
はＥＬ素子を駆動させる交流電源１３の一方の端子が接
続されている。
でスパッタリングにより形成されており、又透明電極に
はＥＬ素子を駆動させる交流電源１３の一方の端子が接
続されている。
透明電極１２上には、絶縁膜１４として本発明の結晶性
のアルミナの絶縁膜が約３０００人の厚みで形成されて
おり、その絶縁膜１４の上にＥＬ薄膜１５が、マンガン
を添加した硫化亜鉛ペレットからの電子衝撃蒸着法（Ｅ
、Ｂ蒸着）により形成され、更にＥＬ薄１！ｉ１５の上
には、絶縁膜１６として窒化シリコンＩＩＩ（Ｓｉ ａ
Ｎ ４ ）が２０００人の厚みでスパッタリングによ
り被着され、この絶縁膜上にアルミニウム電極１７が形
成されて、この電極配線の端子は交流電源１３に接続さ
れている。
のアルミナの絶縁膜が約３０００人の厚みで形成されて
おり、その絶縁膜１４の上にＥＬ薄膜１５が、マンガン
を添加した硫化亜鉛ペレットからの電子衝撃蒸着法（Ｅ
、Ｂ蒸着）により形成され、更にＥＬ薄１！ｉ１５の上
には、絶縁膜１６として窒化シリコンＩＩＩ（Ｓｉ ａ
Ｎ ４ ）が２０００人の厚みでスパッタリングによ
り被着され、この絶縁膜上にアルミニウム電極１７が形
成されて、この電極配線の端子は交流電源１３に接続さ
れている。
上記のアルミナの絶縁膜は、２ｘｌＯ−５Ｔｏｒｒの酸
素雰囲気中で高周波電力が１００ワツトのイオンプレー
テング法により、アルミナペレットのＥＢ油加熱形成さ
れるが、この場合アルミナ膜は殊更高度の結晶性を示す
ことになる。
素雰囲気中で高周波電力が１００ワツトのイオンプレー
テング法により、アルミナペレットのＥＢ油加熱形成さ
れるが、この場合アルミナ膜は殊更高度の結晶性を示す
ことになる。
このように下地のアルミナの結晶性が良好であるので、
積層される硫化亜鉛の粒子も次第に結晶化しながら成長
していくことになり、最後に結晶性の優れた硫化亜鉛が
積層される。
積層される硫化亜鉛の粒子も次第に結晶化しながら成長
していくことになり、最後に結晶性の優れた硫化亜鉛が
積層される。
ＥＬ薄膜の結晶性が大幅に改善された結果、ＥＬ素子の
発光強度は従来の強度に比較して約２倍になり、ＬＯＯ
Ｈｚの駆動で７０ｆＬの輝度を得ることが出来た。
発光強度は従来の強度に比較して約２倍になり、ＬＯＯ
Ｈｚの駆動で７０ｆＬの輝度を得ることが出来た。
以と、詳細に説明したように、本発明のＥＬ発光素子は
、高輝度の発光が実現でき、この発光素子を使用したＥ
Ｌ発光パネル装置は高品質の表示装置を供し得るとい
う効果大なるものがある。
、高輝度の発光が実現でき、この発光素子を使用したＥ
Ｌ発光パネル装置は高品質の表示装置を供し得るとい
う効果大なるものがある。
第１図は、本発明の一実施例であるＥＬ素子の要部断面
図、 第２図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図図におい
て、 １１はガラス基板、 １２は透明電極、１３は交流
電源、 １４はアルミナ絶縁膜、１５はＥＬ薄膜
、 １６は窒化シリコンの絶縁膜、 １７はアルミニウム電極、 をそれぞれ示している。
図、 第２図は、従来のＥＬ表示パネルの要部斜視図図におい
て、 １１はガラス基板、 １２は透明電極、１３は交流
電源、 １４はアルミナ絶縁膜、１５はＥＬ薄膜
、 １６は窒化シリコンの絶縁膜、 １７はアルミニウム電極、 をそれぞれ示している。
Claims (3)
- （１）マンガンを添加した硫化亜鉛の薄膜を上部絶縁体
と、下部絶縁体によってサンドイッチ構造にし、上下面
に電極を有するＥＬ素子において、上記下部絶縁体を結
晶性の膜で形成したことを特徴とするＥＬ素子の製造方
法。 - （２）上記下部絶縁体の結晶性の膜を、弗化カルシウム
又はアルミナで形成したことを特徴とする前記特許請求
の範囲第（１）項記載のＥＬ素子の製造方法。 - （３）上記下部絶縁体の結晶性の膜をイオンプレーティ
ング法により形成することを特徴とする前記特許請求の
範囲第（１）項記載のＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043199A JPS61203592A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043199A JPS61203592A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203592A true JPS61203592A (ja) | 1986-09-09 |
Family
ID=12657257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043199A Pending JPS61203592A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203592A (ja) |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP60043199A patent/JPS61203592A/ja active Pending
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