JPS62119896A - 表示素子 - Google Patents
表示素子Info
- Publication number
- JPS62119896A JPS62119896A JP60258675A JP25867585A JPS62119896A JP S62119896 A JPS62119896 A JP S62119896A JP 60258675 A JP60258675 A JP 60258675A JP 25867585 A JP25867585 A JP 25867585A JP S62119896 A JPS62119896 A JP S62119896A
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- Japan
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- light emitting
- insulating layer
- voltage
- electrode
- emitting layer
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
反丘光互
この発明は、薄膜発光素子、特に、エレクトロルミネッ
センスディスプレイに関するものであり、コンピュータ
一端末装置等のディスプレイにも利用できるものである
。
センスディスプレイに関するものであり、コンピュータ
一端末装置等のディスプレイにも利用できるものである
。
従来技術
エレクトロルミネッセンスディスプレイにおいて、発光
層の一方あるいは両方に絶縁層を設けた絶縁構造薄膜Ｅ
Ｌ素子は信頼性が高いので広く用いられている。
層の一方あるいは両方に絶縁層を設けた絶縁構造薄膜Ｅ
Ｌ素子は信頼性が高いので広く用いられている。
しかし、この構造のものは、絶縁 層と発光層に印加電
圧が分圧されるために必要な駆動電圧が２００Ｖ以上に
なる。
圧が分圧されるために必要な駆動電圧が２００Ｖ以上に
なる。
これを改善するために、絶縁体層に強誘電体を用いるこ
とが試みられている（桑１）他；電子通信学会、技術研
究報告、ＥＤ８５−６＞。
とが試みられている（桑１）他；電子通信学会、技術研
究報告、ＥＤ８５−６＞。
その結果は、低電圧化のためには
５ｒＴｉＯａやＰｂ Ｔ ！ Ｏ３（７）ヨウナＭＮ率
の大きいペロブスカイト型の強誘電体を用いることが有
効であることがわかってきたが、これらの強誘電体はア
ルミニウム（ＡＩ）電極に対して伝播型の絶縁破壊特性
を有するために、絶縁層として十分機能を果たさない。
の大きいペロブスカイト型の強誘電体を用いることが有
効であることがわかってきたが、これらの強誘電体はア
ルミニウム（ＡＩ）電極に対して伝播型の絶縁破壊特性
を有するために、絶縁層として十分機能を果たさない。
この問題を避けるために発光層とＡＩ電極間には誘電率
の小さい自己回復型の誘電体を用いることも提案されて
いる（特開昭６０−２５１９７号〉。
の小さい自己回復型の誘電体を用いることも提案されて
いる（特開昭６０−２５１９７号〉。
目 的
この発明は、従来技術の上記問題を解決し、高輝度、低
電圧駆動、低コスト、高信頼性の発光素子を提供するこ
とを目的としている。
電圧駆動、低コスト、高信頼性の発光素子を提供するこ
とを目的としている。
構 成
上記目的を達成するためのこの発明の構成は、発光層の
少なくとも一方の面上に誘電体層を介して電極を有する
薄膜発光素子において、前記電極の一方は光透過性の材
料からな ′す、他方の材料はチタニウムである薄膜発
光素子である。
少なくとも一方の面上に誘電体層を介して電極を有する
薄膜発光素子において、前記電極の一方は光透過性の材
料からな ′す、他方の材料はチタニウムである薄膜発
光素子である。
すなわち、この発明は、エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）素子の片側の電極の材料をチタニウム（Ｔｉ ）と
すれば、ペロブスカイト型強誘電体絶縁層と組合せるこ
とによって駆動電圧が低く、かつ、絶縁破壊が自己回復
型を示し、絶縁特性が優れたものが得られるという発見
に基づくものである。
Ｌ）素子の片側の電極の材料をチタニウム（Ｔｉ ）と
すれば、ペロブスカイト型強誘電体絶縁層と組合せるこ
とによって駆動電圧が低く、かつ、絶縁破壊が自己回復
型を示し、絶縁特性が優れたものが得られるという発見
に基づくものである。
以下、この発明のＥＬ素子の構成とその作製条件を実施
例によって具体的に説明する。
例によって具体的に説明する。
実施例１
第１図はこの発明のＥｌ素子の構成の一例を示すもので
あって、ガラス基板１上にＥ８蒸着によりＩｒＯ２を５
００λの膜厚で形成し、その上にイオンブレーティング
により ５ｒＴｉＯ：＋絶縁層３を２０００人の厚さに形成した
。その時の作製条件は、 原材料：４ＮのＳｒＴｉＯ３を焼成したもの、 基板温度：４００℃、 反応圧カニ ２Ｘ１０’丁ｏｒｒ、 雰囲気：酸素、 ＲＦパワー：５０Ｗ。
あって、ガラス基板１上にＥ８蒸着によりＩｒＯ２を５
００λの膜厚で形成し、その上にイオンブレーティング
により ５ｒＴｉＯ：＋絶縁層３を２０００人の厚さに形成した
。その時の作製条件は、 原材料：４ＮのＳｒＴｉＯ３を焼成したもの、 基板温度：４００℃、 反応圧カニ ２Ｘ１０’丁ｏｒｒ、 雰囲気：酸素、 ＲＦパワー：５０Ｗ。
加速電圧： ３００Ｖ、
である。
この絶縁層上にイオンブレーティングＥＢ蒸着によりｃ
ａ ｓ ： ｃｅ発光層４を作製した。
ａ ｓ ： ｃｅ発光層４を作製した。
その時の条件は基板温度４００″Ｃで膜厚は２０００人
とした。
とした。
この発光層４の上に再び５ｒＴｉＯｘ絶縁層５をイオン
ブレーティングにより膜厚２０００五になるように作製
した。
ブレーティングにより膜厚２０００五になるように作製
した。
更に、この絶縁層５の上に、ＥＢ蒸着によりＴｉ電極６
を膜厚５００人になるように蒸着し、発光素子を完成し
た。
を膜厚５００人になるように蒸着し、発光素子を完成し
た。
こうして作製したＥＬ素子に、交番パルス電圧を５ｋＨ
ｚで印加し、ＥＬ特性を調べた。
ｚで印加し、ＥＬ特性を調べた。
第２図は交番パルス電圧ｖｏ−ｐと発光輝度の関係を示
す。この第２図から駆動電圧が８０Ｖ程度で輝度が略飽
和し、安定な発光をすることがわかる。また、絶縁破壊
が一部で発生したが、自己回復型であり、それが拡がる
ことはなかった。
す。この第２図から駆動電圧が８０Ｖ程度で輝度が略飽
和し、安定な発光をすることがわかる。また、絶縁破壊
が一部で発生したが、自己回復型であり、それが拡がる
ことはなかった。
実施例２
第１図に示した構成のＥ［素子の各絶縁層３および５と
してＰｂＴｉ０ａをイオンブレーティングにより厚さ２
０００人になるように形成した。その作製条件は下記の
とおりである。
してＰｂＴｉ０ａをイオンブレーティングにより厚さ２
０００人になるように形成した。その作製条件は下記の
とおりである。
原材料： ４ＮのＰｂＴｉＯ３を焼成したもの、
基板温度： ４５０’Ｃ１
反応圧カニ １ｘｌＯ−４Ｔｏｒｒ 。
雰囲気：酸素、
ＲＦパワー： １００Ｗ。
加速電圧： ４００Ｖ。
また、発光層４としてｓｒ ｓ ： Ｃｅをイオンブレ
ーティングＥＢ蒸着により作製した。
ーティングＥＢ蒸着により作製した。
蒸着時間４０分で膜厚１．２μｍの膜が得られた。
電極６としてＴｉをＥＢ蒸着により、厚さ７００人にな
るように形成した。
るように形成した。
こうして作成したＥＬ素子に交番パルス電圧を５ｋＨｚ
で印加し、そのＥ［特性を調べた。
で印加し、そのＥ［特性を調べた。
第３図は交番パルス電圧Ｖｏ−ｐと発光輝度の関係を示
している。輝度は電圧が９０Ｖ程度で略飽和し、家憲に
発光している。
している。輝度は電圧が９０Ｖ程度で略飽和し、家憲に
発光している。
この素子の絶縁破壊モードは自己回復型であることがわ
かった。
かった。
効 果 ′
以上、説明したように、ＥＬＮ子の電極としてＴｉを用
いることにより、発光層と強誘電体絶縁層とを組合せる
ことができ、高輝度、低電圧駆動で高信頼性のＥＬ索子
を得ることができる。
いることにより、発光層と強誘電体絶縁層とを組合せる
ことができ、高輝度、低電圧駆動で高信頼性のＥＬ索子
を得ることができる。
第１図はこの発明のＥＬ素子の構造を示す説明図、
第２図および第３図はこの発明のＥＬ素子の駆動パルス
電圧と輝度の関係を示すグラフである。 １・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ，。 ３および５・・・絶縁層、４・・・発光層、６・・・Ｔ
ｉ電極。 特許出願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 第１図 第２図 Ｏ狛 １■ １幻 パルス１１デ：（Ｖｏ−ｐ）
電圧と輝度の関係を示すグラフである。 １・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ，。 ３および５・・・絶縁層、４・・・発光層、６・・・Ｔ
ｉ電極。 特許出願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 第１図 第２図 Ｏ狛 １■ １幻 パルス１１デ：（Ｖｏ−ｐ）
Claims (1)
- 発光層の少なくとも一方の面上に誘電体層を介して電
極を有する薄膜発光素子において、前記電極の一方は光
透過性の材料からなり、他方の材料はチタニウムである
ことを特徴とする薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258675A JPS62119896A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258675A JPS62119896A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119896A true JPS62119896A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17323539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258675A Pending JPS62119896A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119896A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184287A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-07-29 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JPH04107448U (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | スズキ株式会社 | 過給機付内燃機関 |
| JP2005353578A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258675A patent/JPS62119896A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184287A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-07-29 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JPH054797B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1993-01-20 | Hitachi Ltd | |
| JPH04107448U (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | スズキ株式会社 | 過給機付内燃機関 |
| JP2005353578A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
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