JPS60124397A - エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子Info
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- JPS60124397A JPS60124397A JP58231792A JP23179283A JPS60124397A JP S60124397 A JPS60124397 A JP S60124397A JP 58231792 A JP58231792 A JP 58231792A JP 23179283 A JP23179283 A JP 23179283A JP S60124397 A JPS60124397 A JP S60124397A
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- JP
- Japan
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- emitting layer
- light
- layer
- selenium
- electrode
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of group II and group VI of the periodic system
- H01L33/285—Materials of the light emitting region containing only elements of group II and group VI of the periodic system characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
- H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬｉ子）
に係り、発光層の耐電圧性、耐電流性を改良した構成に
関する。
に係り、発光層の耐電圧性、耐電流性を改良した構成に
関する。
ＥＬ素子は、電極間に例えばｚｎｓ、、 Ｚ、Ｓのよ５
な半導体に活性物質としてＭｎ 、 Ｔｈ 、Ｓｍなど
の発光中心となる金属を添加した発光層を挾んだ基本構
成からなり、発光のためには、発光層に電界を印加する
か或は電流を流して電子な発光中心に衝突させて発ｙＣ
を得るものである。しかしながら、発光層には製造時に
ピンホールや結晶粒界による耐電圧性、耐電流性の低い
欠陥部分が発生し、発光層な全面積にわたり欠陥プよし
に製造することは困難であり、この欠陥に起因する耐電
圧性、耐電流性の不良により基本構造のみでは実用化が
困難であった。そして、このような問題な解決するため
に、電界印加で発冗きせる交流形ＥＬ素子においては、
発光層の両側に絶縁物層を形成して耐電圧性を確保して
いるものもある。また、電流な注入することにより発光
させる直流形ＥＬ素子では、ＴＬ電極間絶縁物層を介在
させることはできないので耐電圧性の改善は困難であっ
た。さらに、発光層の不均一や欠陥による電流集中によ
り焼損するという問題があり、直流ＫＬ素子については
、現在まだ実用化の段階に入っていない。
な半導体に活性物質としてＭｎ 、 Ｔｈ 、Ｓｍなど
の発光中心となる金属を添加した発光層を挾んだ基本構
成からなり、発光のためには、発光層に電界を印加する
か或は電流を流して電子な発光中心に衝突させて発ｙＣ
を得るものである。しかしながら、発光層には製造時に
ピンホールや結晶粒界による耐電圧性、耐電流性の低い
欠陥部分が発生し、発光層な全面積にわたり欠陥プよし
に製造することは困難であり、この欠陥に起因する耐電
圧性、耐電流性の不良により基本構造のみでは実用化が
困難であった。そして、このような問題な解決するため
に、電界印加で発冗きせる交流形ＥＬ素子においては、
発光層の両側に絶縁物層を形成して耐電圧性を確保して
いるものもある。また、電流な注入することにより発光
させる直流形ＥＬ素子では、ＴＬ電極間絶縁物層を介在
させることはできないので耐電圧性の改善は困難であっ
た。さらに、発光層の不均一や欠陥による電流集中によ
り焼損するという問題があり、直流ＫＬ素子については
、現在まだ実用化の段階に入っていない。
本発明は上述の問題に鑑み、電極間に発光層を介在させ
たエレクトロルミネッセンス素子において、餉記発光層
と少なくともいずれか一方の電極との間にセレン層を形
成し、発光層のピンホールや結晶粒界によって生じた耐
電圧性の低い部分には、セレンの自己治癒性を利用して
電極と発光層間に不導体化したセレンな形成させて耐電
圧性を高め、また、発光層のピンホールや結晶粒界によ
って生じた低抵抗部分は、発光層と電極間に形成された
セレン層の結晶が結晶方向によって非等方性の抵抗を示
すことを利用して電流が集中しないようにし焼損な防止
しよ５とするものである。
たエレクトロルミネッセンス素子において、餉記発光層
と少なくともいずれか一方の電極との間にセレン層を形
成し、発光層のピンホールや結晶粒界によって生じた耐
電圧性の低い部分には、セレンの自己治癒性を利用して
電極と発光層間に不導体化したセレンな形成させて耐電
圧性を高め、また、発光層のピンホールや結晶粒界によ
って生じた低抵抗部分は、発光層と電極間に形成された
セレン層の結晶が結晶方向によって非等方性の抵抗を示
すことを利用して電流が集中しないようにし焼損な防止
しよ５とするものである。
本発明は、電極間に発光層を介在させたエレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記発光層と少なくとも一方
の電極との間にセレン層を形成し、発光層の耐電圧性の
低い部分は、電圧処理により発光層と電極間に不導体化
部分を形成して耐電圧性を高め、また、電極との間に介
在させたセレン層の結晶は発光層と直交する方向（発光
層と電極を結ぶ方向）に柱状に成長し、このため発光層
と直交する方向には抵抗が低く、また、発光層と平行な
方向には抵抗が高いため、発光層の電流の集中し易い部
分はセレン層の介在によって電流の集中を防ぐものであ
る。
ネッセンス素子において、前記発光層と少なくとも一方
の電極との間にセレン層を形成し、発光層の耐電圧性の
低い部分は、電圧処理により発光層と電極間に不導体化
部分を形成して耐電圧性を高め、また、電極との間に介
在させたセレン層の結晶は発光層と直交する方向（発光
層と電極を結ぶ方向）に柱状に成長し、このため発光層
と直交する方向には抵抗が低く、また、発光層と平行な
方向には抵抗が高いため、発光層の電流の集中し易い部
分はセレン層の介在によって電流の集中を防ぐものであ
る。
本発明において発光層とは、例えばｚｎＳｇ 、 Ｚｎ
Ｓのような半導体に活性物質としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｍな
どの発光中心となる金属を添加した層であり、セレン層
とは、多結晶状態のセレン層、セレン７０％以上を含む
Ｃｄ、Ｂｉ等との合金層、あるいは、セレン７０チ以上
を含み一部がアルカリ金属やハロゲン等の他の元素で置
換された多結晶状態のセレン層を含む。但し、セレンが
７０係以下では、セレンの自己治癒性が低下する。また
、一方の電極はＳ、ドープのＩ ｎ ２０ ｓ （Ｉ
ＴＯ）透明膜よりなり、他方の電極はＡＩ膜、（４膜な
どにより形成さｎる。
Ｓのような半導体に活性物質としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｍな
どの発光中心となる金属を添加した層であり、セレン層
とは、多結晶状態のセレン層、セレン７０％以上を含む
Ｃｄ、Ｂｉ等との合金層、あるいは、セレン７０チ以上
を含み一部がアルカリ金属やハロゲン等の他の元素で置
換された多結晶状態のセレン層を含む。但し、セレンが
７０係以下では、セレンの自己治癒性が低下する。また
、一方の電極はＳ、ドープのＩ ｎ ２０ ｓ （Ｉ
ＴＯ）透明膜よりなり、他方の電極はＡＩ膜、（４膜な
どにより形成さｎる。
セレン層はＩＴＯ透明電極と反対側の電極と発光眉間に
形成されるが、セレン層に透光性カーあれば、即ちセレ
ン層の厚さが透光可能な程度に薄ければ、発光層の両面
に形成してもよく、或はＩＴＯ電極と発光層間にのみ形
成してもよい。
形成されるが、セレン層に透光性カーあれば、即ちセレ
ン層の厚さが透光可能な程度に薄ければ、発光層の両面
に形成してもよく、或はＩＴＯ電極と発光層間にのみ形
成してもよい。
また、ＩＴＯ電極と発光層間には、Ｇａをドープしたｚ
ｎＳ−よりなるバッファ一層を介在させ、）（ツファ一
層によって結晶性を整え、結晶性が最良の一位置に発光
層を形成することもできる。
ｎＳ−よりなるバッファ一層を介在させ、）（ツファ一
層によって結晶性を整え、結晶性が最良の一位置に発光
層を形成することもできる。
本発明の実施例を添附図面について説明する。
実施例１
牙１図に示すように、ガラス基板Ｉｌｌ上ＶＣＩＴＯ透
明電極（２）をスパッター法により０．２μｍの厚さに
着膜し、これを真空蒸着装置内に取付ける。次に基板（
１）を３ｏｏｃに加熱し発光層（３）の真空蒸着な行う
。発光層（３）は、Ｚｎ、 Ｓ、、 Ｍｎを別々のルツ
ボから蒸発させて電極（２）上にＺｎ８ ｇ ： Ｍｎ
（０、５ｗｔ％ ）を０．３μｍの厚さに着膜して形
成される。次に基板（１）を常温まで冷却した後８ｇを
０．２μｍの厚さに真空蒸着し、１００Ｃ〜１８０１１
：’、１５分〜１２０分熱処理し無定形セレンを多結晶
状セレンにすることにより、セレン層］４）が形成され
る。次にこのセレン層１４）上にＡ／電極（５）が０．
２μｍの厚さに真空蒸着される。
明電極（２）をスパッター法により０．２μｍの厚さに
着膜し、これを真空蒸着装置内に取付ける。次に基板（
１）を３ｏｏｃに加熱し発光層（３）の真空蒸着な行う
。発光層（３）は、Ｚｎ、 Ｓ、、 Ｍｎを別々のルツ
ボから蒸発させて電極（２）上にＺｎ８ ｇ ： Ｍｎ
（０、５ｗｔ％ ）を０．３μｍの厚さに着膜して形
成される。次に基板（１）を常温まで冷却した後８ｇを
０．２μｍの厚さに真空蒸着し、１００Ｃ〜１８０１１
：’、１５分〜１２０分熱処理し無定形セレンを多結晶
状セレンにすることにより、セレン層］４）が形成され
る。次にこのセレン層１４）上にＡ／電極（５）が０．
２μｍの厚さに真空蒸着される。
以上のようにしく得られたＥＬ素子のｔ極ｆ２１ （５
１間にＩＯＶの直流電圧を印加することにより、発光層
＋３１ Ｋ生じたピンホールや結晶粒界による耐電圧性
の低い欠陥部分は、セレンのもつ自己治癒性によってセ
レン層（４）の一部が不導体化し、耐電圧性が高くなる
。
１間にＩＯＶの直流電圧を印加することにより、発光層
＋３１ Ｋ生じたピンホールや結晶粒界による耐電圧性
の低い欠陥部分は、セレンのもつ自己治癒性によってセ
レン層（４）の一部が不導体化し、耐電圧性が高くなる
。
次に上述の実施例におけるセレン層１４）の作用を説明
する。
する。
電極＋２１ ［５１間に直流電圧を印加することにより
、発光層（３）のピンホールや結晶粒間に生じた耐電圧
性の低い欠陥部分が絶縁破壊され、この欠陥部分と電極
（５）間に介在する結晶構造を有するセレン層＋４１が
溶融し℃結晶構造を失い不導体となって発光層（３）の
欠陥部分とＡｌ電極（５）間に介在されるから、この欠
陥部分の絶縁性が高められる。卯ちセレンのもつ自己治
癒性によって発光層（３）の欠陥部分の耐電圧性が改良
される。また、Ａｌ電極（５）と発光層（３１間に介在
させたセレン層（４）は結晶方向によって非等方性の抵
抗を示す。即ちセレン結晶は発光層１３）と直交方向（
発光層（３）と電極（５）な結ぶ方向）に成長し易く発
光層（３；と平行方向には高い抵抗な示すがら発光層に
引の低抵抗蔀に周囲から電流が集中することがなく、電
流の集中による発光層（３）の焼損が防止される。
、発光層（３）のピンホールや結晶粒間に生じた耐電圧
性の低い欠陥部分が絶縁破壊され、この欠陥部分と電極
（５）間に介在する結晶構造を有するセレン層＋４１が
溶融し℃結晶構造を失い不導体となって発光層（３）の
欠陥部分とＡｌ電極（５）間に介在されるから、この欠
陥部分の絶縁性が高められる。卯ちセレンのもつ自己治
癒性によって発光層（３）の欠陥部分の耐電圧性が改良
される。また、Ａｌ電極（５）と発光層（３１間に介在
させたセレン層（４）は結晶方向によって非等方性の抵
抗を示す。即ちセレン結晶は発光層１３）と直交方向（
発光層（３）と電極（５）な結ぶ方向）に成長し易く発
光層（３；と平行方向には高い抵抗な示すがら発光層に
引の低抵抗蔀に周囲から電流が集中することがなく、電
流の集中による発光層（３）の焼損が防止される。
次に上述の実施例１で得られたＥＬ素子について耐電圧
性、耐電流性を試験するために、電極（２）（５）間に
印加電圧５ｏｖ、１０７７１Ｊ％／ＩＩ２ まで直流電
流を通電した。その結果を下表に示す。
性、耐電流性を試験するために、電極（２）（５）間に
印加電圧５ｏｖ、１０７７１Ｊ％／ＩＩ２ まで直流電
流を通電した。その結果を下表に示す。
上記の表から、セレン層（４）を介在させたＥＬ素子が
耐電圧性、耐電流性においてすぐれて℃・ることかわか
る。
耐電圧性、耐電流性においてすぐれて℃・ることかわか
る。
実施例２
才２図に示すようにガラス基板＋１１上にＩＴＯ透明電
極（２）を０．２μｍの厚さにスノ（ツタ−で着膜した
ものを真空蒸着装置内において、基板温度つ００Ｃで電
極（２）上にＺ、Ｓ、＋およびＧａを二元電子ビーム蒸
着して低抵抗ＧａドープＺｎ５ｇ層１６）を１μｍの厚
さに形成し、この上にｚｎｓｅ ： ｙｒｎ （０，５
ｗｔ ％ ）発光層１３）をＺｎＳ＊とＭｎの二元電子
ビーム蒸着によつ（０，２μｍの厚さに形成し、次に基
板温度を５０Ｃ以下にしてセレン層１４）を抵抗加熱蒸
着によって０゜１μｍの厚さに着膜し、次にＡｌ電極（
５）を０．２μｍの厚さに形成する。
極（２）を０．２μｍの厚さにスノ（ツタ−で着膜した
ものを真空蒸着装置内において、基板温度つ００Ｃで電
極（２）上にＺ、Ｓ、＋およびＧａを二元電子ビーム蒸
着して低抵抗ＧａドープＺｎ５ｇ層１６）を１μｍの厚
さに形成し、この上にｚｎｓｅ ： ｙｒｎ （０，５
ｗｔ ％ ）発光層１３）をＺｎＳ＊とＭｎの二元電子
ビーム蒸着によつ（０，２μｍの厚さに形成し、次に基
板温度を５０Ｃ以下にしてセレン層１４）を抵抗加熱蒸
着によって０゜１μｍの厚さに着膜し、次にＡｌ電極（
５）を０．２μｍの厚さに形成する。
次に大気中１５０Ｃで５０分熱処理を行った後、電極（
２）（５）間に２０Ｖの交流電圧を印加して発光層（３
）の欠陥部を除去した。
２）（５）間に２０Ｖの交流電圧を印加して発光層（３
）の欠陥部を除去した。
以上のよ５にして得られたＥＬ素子は実施例１と同様に
耐電圧性、耐電流性を改善することができた。
耐電圧性、耐電流性を改善することができた。
実施例う
３・５図に示すようにガラス基板（１）上にＩＴＯ透明
電極（２）を０．２μｍの厚さに蒸着で着膜し、次に真
空蒸着装置内で、発光層（３）としてＺｎＳ：Ｍ、を二
元電子ビーム蒸着によって０．３μｍの厚さに形成し、
さらに、セレン層（４）を蒸着によって０．３μｍ着膜
し、Ｃｄ層よりなる電極（５）を０．３μｍの厚さに形
成する。
電極（２）を０．２μｍの厚さに蒸着で着膜し、次に真
空蒸着装置内で、発光層（３）としてＺｎＳ：Ｍ、を二
元電子ビーム蒸着によって０．３μｍの厚さに形成し、
さらに、セレン層（４）を蒸着によって０．３μｍ着膜
し、Ｃｄ層よりなる電極（５）を０．３μｍの厚さに形
成する。
次に大気中で１５０Ｃ，３０分熱処理する。
以上のようにして得られたＫＬ素子は、セレン層１４）
とＣｄ電極（５）の界面に整流性のジャンクションが形
成されるが直流駆動させる場合に、頭方向に電圧を印加
することにより問題がな（、耐電圧性、耐電流性の改善
は、実施例１と同様である。
とＣｄ電極（５）の界面に整流性のジャンクションが形
成されるが直流駆動させる場合に、頭方向に電圧を印加
することにより問題がな（、耐電圧性、耐電流性の改善
は、実施例１と同様である。
実施例１
牙１図はＡＣ形ＫＬ素子を示し、ガラス基板（１）上に
、ＩＴＯ透明電極（２）を０．２μｍの厚さに着膜し、
次にＹ２Ｏ３絶縁層（７）を０．５μ扉の厚さで着膜し
、次に真空蒸着装置内で実施例１と同様の方法で順次発
光層（３）、セレン層（４）、Ａ！電極（５）を形成し
たものである。
、ＩＴＯ透明電極（２）を０．２μｍの厚さに着膜し、
次にＹ２Ｏ３絶縁層（７）を０．５μ扉の厚さで着膜し
、次に真空蒸着装置内で実施例１と同様の方法で順次発
光層（３）、セレン層（４）、Ａ！電極（５）を形成し
たものである。
本発明によｎば、電極間に発光層を介在させたエレクト
ロルミネッセンス素子において、前記発光層と少な（と
もいずれか一方の電極との間にセレン層を形成したから
発光層の製造時に発生したピンホールや結晶粒界による
耐電圧性の低い欠陥部分はセレン層の自己治癒性によっ
て欠陥部分と！、電極間位置するセレン層が不導体化し
て欠陥部分の耐電圧性を高めることができる。また、発
光層の耐［雌性が低い欠陥部分は、電極と発光層間に介
在させた多結晶状態のセレン層の結晶方向の方 非等性、即ち発光層面と平行方向に高抵抗をもつことに
よって耐電流性を高められ欠陥部分に電流の集中による
発光層の焼損を防止することができる。
ロルミネッセンス素子において、前記発光層と少な（と
もいずれか一方の電極との間にセレン層を形成したから
発光層の製造時に発生したピンホールや結晶粒界による
耐電圧性の低い欠陥部分はセレン層の自己治癒性によっ
て欠陥部分と！、電極間位置するセレン層が不導体化し
て欠陥部分の耐電圧性を高めることができる。また、発
光層の耐［雌性が低い欠陥部分は、電極と発光層間に介
在させた多結晶状態のセレン層の結晶方向の方 非等性、即ち発光層面と平行方向に高抵抗をもつことに
よって耐電流性を高められ欠陥部分に電流の集中による
発光層の焼損を防止することができる。
］・１図ないし】・１図は夫々本発明の具なる実施例を
示すＥＬ素子の拡大断面図である。 ＋２） （５１・・電極、（３）・・発光層、（４）・
・セレン層。
示すＥＬ素子の拡大断面図である。 ＋２） （５１・・電極、（３）・・発光層、（４）・
・セレン層。
Claims (1)
- １１）電極間に発光層を介在させたエレクトロルミネッ
センス素子において、前記発光層と少な（トモイスれか
一方の電極との間にセレン層を形成したことを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231792A JPS60124397A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | エレクトロルミネツセンス素子 |
| GB08429925A GB2152751B (en) | 1983-12-08 | 1984-11-27 | Electroluminescent device |
| US06/676,506 US4647813A (en) | 1983-12-08 | 1984-11-29 | Electroluminescent device having an additional selenium layer |
| FR8418707A FR2556548A1 (fr) | 1983-12-08 | 1984-12-07 | Dispositif electroluminescent presentant une meilleure resistance en tension et en courant, notamment par l'utilisation d'une source de courant continu |
| DE19843444769 DE3444769A1 (de) | 1983-12-08 | 1984-12-07 | Elektroluminiszierende vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231792A JPS60124397A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124397A true JPS60124397A (ja) | 1985-07-03 |
| JPS63918B2 JPS63918B2 (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=16929087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231792A Granted JPS60124397A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4647813A (ja) |
| JP (1) | JPS60124397A (ja) |
| DE (1) | DE3444769A1 (ja) |
| FR (1) | FR2556548A1 (ja) |
| GB (1) | GB2152751B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4794302A (en) * | 1986-01-08 | 1988-12-27 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin film el device and method of manufacturing the same |
| IT1221924B (it) * | 1987-07-01 | 1990-08-23 | Eniricerche Spa | Dispositivo elettroluminescente a film sottile e procedimento per la sua preparazione |
| JPH0268968A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
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