FR2556548A1 - Dispositif electroluminescent presentant une meilleure resistance en tension et en courant, notamment par l'utilisation d'une source de courant continu - Google Patents
Dispositif electroluminescent presentant une meilleure resistance en tension et en courant, notamment par l'utilisation d'une source de courant continu Download PDFInfo
- Publication number
- FR2556548A1 FR2556548A1 FR8418707A FR8418707A FR2556548A1 FR 2556548 A1 FR2556548 A1 FR 2556548A1 FR 8418707 A FR8418707 A FR 8418707A FR 8418707 A FR8418707 A FR 8418707A FR 2556548 A1 FR2556548 A1 FR 2556548A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- light
- emitting layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XYUNNDAEUQFHGV-UHFFFAOYSA-N [Se].[Se] Chemical compound [Se].[Se] XYUNNDAEUQFHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
- H01L33/285—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
- H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
A.DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT, PRESENTANT UNE MEILLEURE RESISTANCE EN TENSION ET EN COURANT, NOTAMMENT PAR L'UTILISATION D'UNE SOURCE DE COURANT CONTINU. B.DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND DES COUCHES D'ELECTRODES, UNE COUCHE EMETTRICE DE LUMIERE FORMEE ENTRE CES COUCHES D'ELECTRODES, ET UNE COUCHE DE SELENIUM 4 FORMEE ENTRE LA COUCHE EMETTRICE DE LUMIERE 3 ET L'UNE AU MOINS DES COUCHES D'ELECTRODES 2, 5. C.L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT, PRESENTANT UNE MEILLEURE RESISTANCE EN TENSION ET EN COURANT, NOTAMMENT PAR L'UTILISATION D'UNE SOURCE DE COURANT CONTINU.
Description
Dispositif électroluminescent, présentant une meilleure résistance en
tension et en courant, notamment par
l'utilisation d'une source de courant continu ".
l'invention concerne un dispositif
électroluminescent (dispositif EL), et plus particulière-
ment un dispositif électroluminescent présentant une
meilleure résistance en tension et une meilleure résis-
tance en courant.
Un dispositif électroluminescent consiste en une structure de base constituée par des électrodes et par une couche émettrice de lumière introduite entre
ces électrodes. La couche émettrice de lumière est obte-
nue par adjonction d'un matériau actif tel que Mn, Tb et Sm constituant les noyaux d'émission de lumière, à un semi-conducteur tel que par exemple ZnSe et ZnS. Pour produire la lumière dans le dispositif EL, on applique un champ électrique ou un courant électrique à la couche émettrice de lumière pour projeter les électrons contre
les noyaux d'émission de lumière.
Lorsqu'on forme une couche émettrice de
lumière, on obtient dans celle-ci des parties défectueu-
ses présentant une faible résistance en tension et une faible résistance en courant; ces parties défectueuses étant par exemple des trous minuscules et des défauts
aux limites des grains cristallins; il est très diffici-
le de former une couche émettrice de lumière ne présen-
tant pas de défauts sur toute sa surface. Du fait de la faible résistance en tension et de la faible résistance en courant qui sont liées à ces défauts, il est très difficile d'utiliser en pratique le dispositif EL avec cette seule structure de base.
Il existe un dispositif EL à courant al-
ternatif conçu pour émettre la lumière, lorsqu'on lui applique un champ électrique, dans lequel les couches d'un matériau isolant sont formées des deux côtés d'une couche émettrice de lumière, de manière à lui assurer une résistance en tension élevée et à résoudre ainsi les problèmes ci-dessus. Cependant, dans un dispositif EL à courant continu conçu pour émettre la lumière, lorsqu'on injecte dedans un courant électrique, il est impossible d'insérer des couches de matériau isolant entre les électrodes. Par suite, il est difficile d'augmenter la
résistance en tension d'un dispositif EL à courant con-
tinu. De plus, un dispositif EL à courant continu pose un autre problème lié au fait qu'il est brifé par les
concentrations de courant provoquées par les hétérogé-
néités et les défauts de sa couche émettrice de lumière.
Par suite, on n'a jamais pu jusqu'ici utiliser en prati-
que un dispositif EL à courant continu.
L'invention a pour but de résoudre les problèmes ci-dessus de l'art antérieur et concerne à cet effet un dispositif électroluminescent caractérisé en ce qu'il comprend des couches d'électrodes, une couche
émettrice de lumière formée entre ces couches d'électro-
des, et une couche de sélénium formée entre la couche émettrice de lumière et l'une au moins des couches d'électrodes. Le sélénium non conducteur est obtenu en
utilisant la faculté d'auto-durcissement du sélénium en-
tre l'électrode et les parties de la couche émettrice de lumière présentant une faible résistance en tension du fait des trous minuscules et des défauts aux limites des
grains cristallins de ces parties, ce qui permet d' amé-
liorer la résistance en tension des parties ci-dessus de
la couche émettrice de lumière, la formation de concen-
tration de courant dans les parties à faible résistance de la couche émettrice de lumière, par suite des trous
minuscules et des défauts aux limites des grains cris-
tallins de celle-ci, étant empêchée grâce au phénomène
bien connu que les cristaux de la couche de sélénium for-
mée entre la couche émettrice de lumière et l'électrode, présentent une résistance non isotrope dans une certaine
direction de cristallisation, ce qui empêche le disposi-
tif EL de brûler.
Le dispositif électroluminescent selon l'invention comporte une couche émettrice de lumière entre les électrodes et une couche de sélénium formée entre la couche émettrice de lumière et l'une au moins des électrodes, les parties de la couche émettrice de lumière qui présentent une faible résistance en tension étant traitées en tension pour former des parties non conductrices entre la couche émettrice de lumière et l'électrode, et pour améliorer ainsi la résistance en tension des parties ci-dessus de la couche émettrice de lumière, les cristaux de la couche de sélénium formée entre la couche émettrice de lumière et l'électrode présentant une croissance en forme de colonne dans la direction perpendiculaire à la couche émettrice de lumière (direction dans laquelle la couche émettrice de lumière et l'électrode sont reliées ensemble), de façon que la résistance des cristaux de sélénium soit faible
dans la direction coupant à angle droit la couche émet-
trice de lumière, et forte dans la direction parallèle à celle-ci. Ainsi, les parties de la couche émettrice
de lumière qui sont sujettes aux concentrations de cou-
rant, se trouvent protégées contre ce phénomène pertur-
bateur par la couche de sélénium introduite de la ma-
nière indiquée ci-dessus.
La couche émettrice de lumière selon -
l'invention est une couche formée par adjonction d'un métal servant de matériau actif, ee métal tel que Mn, Tb et Sm par exemple, constituant les noyaux émetteurs de lumière ajoutés à un semi-conducteur tel que ZnSe et ZnS par exemple. La couche de sélénium selon l'invention
consiste en une couche de sélénium sous forme polycris-
talline, une couche d'un alliage de Cd, Bi ou autres métaux tels que du Te ne contenant pas moins de 70 % de
sélénium, ou une couche de sélénium sous forme polycris-
talline ne contenant pas moins de 70 % de sélénium, dont une partie est remplacée par un autre élément, tel qu'un
métal alcalin et un halogène. Lorsque la teneur en sélé-
nium est inférieure à 70 %, la faculté d'auto-durcisse-
ment du sélénium diminue. Une électrode est constituée par un film transparent de In203 dopé au Sn (IT0), et l'autre électrode est constituée par un film de A1 ou de
Cd ou d'un autre métal.
La couche de sélénium est formée entre la couche émettrice de lumière et l'électrode située du côté
opposé de l'électrode transparente. Si la couche de sélé-
nium présente une certaine perméabilité, c'est-à-dire si l'épaisseur de la couche de sélénium est suffisamment petite pour permettre à la lumière de la traverser, cette couche de sélénium peut être formée des deux côtés de
la couche émettrice de lumière ou simplement entre l'élec-
trode ITO et la couche émettrice de lumière.
Une couche-tampon constituée de ZnSe dopé au Ga, peut également être formée entre l'électrode ITO0
et la couche émettrice de lumière pour ordonner la struc-
ture cristalline et pour amener la couche émettrice de
lumière dans une structure cristalline optimale.
L'invention sera décrite en détail au moyen des dessins ci-joints dans lesquels:
- les figures 1 à 4 sont des vues agran-
dies et en coupe de différentes formes de réalisation
du dispositif EL selon l'invention.
Exemple 1:
Comme indiqué sur la figure 1, une élec-
trode ITO transparente 2 de 0,2 pm d'épaisseur est for-
mée sur un substrat de verre 1 par un procédé de projec-
tion, et le produit obtenu est placé dans un évaporateur sous vide. Le substrat 1 est ensuite chauffé à 300 C
pour produire l'évaporation sous vide d'une couche émet-
trice de lumière 3. La couche émettrice de lumière 3 est formée en évaporant Zn, Se et Mn à partir de différents creusets, de manière à former sur l'électrode 2 un film
de ZnSe: Mn (0,5 % en poids) de 0,3 pm d'épaisseur.
Le substrat 1 est ensuite refroidi à la
température normale et le Se est évaporé sous vide jus-
qu'à une épaisseur de 0,2 pm sur la couche émettrice de lumière 3. Le film de Se est ensuite chauffé à 100-1800C pendant 15 à 120 minutes pour transformer le sélénium amorphe en sélénium polycristallin, de manière à former
une couche de sélénium 4. Une électrode 5 de AI est en-
suite formée sous une épaisseur de 0,2 /um, par évapora-
tion sous vide, sur la couche de sélénium 4.
Quand on applique une tension continue de V entre les électrodes 2 et 5 du dispositif E1 ainsi obtenu, les parties défectueuses de la couche émettrice
de lumière 3 qui présentent une faible résistance en ten-
sion du fait des trous minuscules et des défauts aux limites des grains cristallins qu'elles contiennent, deviennent extrêmement résistantes en tension, car une partie de la couche de sélénium 4 devient non conductrice
du fait de sa faculté d'auto-durcissement.
On décrira maintenant le rôle de la cou-
che de sélénium 4 dans la forme de réalisation ci-dessus.
Quand on applique une tension continue entre les électrodes 2 et 5, les parties défectueuses de la couche émettrice de lumière 3 qui apparaissent dans les trous minuscules et aux limites des grains cristallins, et qui présentent une faible résistance en tension, sont brisées diélectriquement. Par suite, la
couche de sélénium 4 interposée entre ces parties défec-
tueuses et l'électrode 5, et présentant une structure cristalline, est fondue de manière à perdre sa structure cristalline et se transforme en un corps non conducteur interposé entre les parties défectueuses de la couche émettrice de lumière 3 et l'électrode 5 de A1, ce qui améliore les caractéristiques d'isolation des parties défectueuses. Plus précisément, la résistance en tension des parties défectueuses de la couche émettrice de
lumière 3 est améliorée du fait de la faculté d'auto-
durcissement du sélénium.
La couche de sélénium 4 formée entre l'électrode 5 d'Al et la couche émettrice de lumière 3 présente une résistance non isotrope dans une certaine
direction de cristallisation de celle-ci. Plus précisé-
ment, la croissance d'un cristal de sélénium se fait facilement dans la direction (direction dans laquelle la couche émettrice de lumière 3 et l'électrode 5 sont reliées ensemble) se situant perpendiculairement à la couche émettrice de lumière 3, et ce cristal présente une résistance élevée dans la direction parallèle à la couche émettrice de lumière 3. Par suite, un courant électrique ne peut passer de manière concentrée dans les parties à faible résistance de la couche émettrice de
lumière 3, à partir des parties avoisinantes de celles-
ci. Cela permet ainsi d'éviter les brûlures de la couche émettrice de lumière 3 par suite des concentrations de courant. Pour vérifier la résistance en tension et la résistance en courant du dispositif EL obtenu dans l'exemple i décrit ci-dessus, on applique entre les électrodes 2 et 5 un courant allant jusqu'à 30 V et mA/mm2. Les résultats sont reportés dans le tableau ci-dessous. Item d'essai Dispositif EL sans couche Dispositif EL avec couche de sélénium de sélénium Résistance en La rupture diélectrique La rupture diélectrique
tension se produit à une tension ne se produit pas jus-
basse ne dépassant pas qu'à une tension attei-
V, et l'ensemble du gnant 30 V.
dispositif devient inu-
tilisable. Résistance en La brûlure de la couche La couche émettrice de courant émettrice de lumière lumière peut fonctionner démarre à environ en permanence à
1 mA/mm2 et se propage 10 mA/mm2.
progressivement jus-
qu'à rendre le disposi-
tif inutilisable.
Il apparait à l'évidence sur le tableau ci-dessus que le dispositif EL comportant la couche de sélénium 4 est supérieur en résistance en tension et en
résistance en courant.
Exemple 2:
Comme indiqué sur la figure 2, on forme une électrode IT0 transparente 2 d'épaisseur 0,2 pm, par
un procédé de projections, sur un substrat de verre 1.
Le produit obtenu est placé dans un évaporateur sous vide, et l'on évapore ZnSe et Ca sur l'électrode 2 par évaporation sous faisceau d'électrons à une température de substrat de 3000C, pour former une couche 6 à faible résistance de ZnSe dopé au Ga, présentant une épaisseur de 1 1Pm. Une couche émettrice de lumière 3 de ZnSe: Mn (0,5 % en poids) présentant une épaisseur de 0,2 ilm, est ensuite formée sur la couche 6 en évaporant ZnSe et Mn par évaporation sous faisceau d'électrons. La température du substrat est ensuite réduite à 50 C maximum et l'on forme une couche de sélénium 4 de 0,1 Pm d'épaisseur par évaporation sous résistance chauffante. On forme enfin
une électrode 5 d'Al de 0,2 Pm d'épaisseur.
Le produit ainsi obtenu est soumis à un
traitement thermique à l'air atmosphérique à 150 C pen-
dant 30 minutes et une tension alternative de 20 V est
ensuite appliquée entre les électrodes 2 et 5 pour élimi-
ner les parties défectueuses de la couche émettrice de
lumière 3.
On peut s'assurer que le dispositif EL ainsi obtenu présente une meilleure résistance en tension et une meilleure résistance en courant, exactement comme
le dispositif EL de l'exemple 1.
Exemple 3:
Comme indiqué sur la figure 3, une élec-
trode ITO transparente 2 de 0,2 pm d'épaisseur est for-
mée sur un substrat de verre 1 par un procédé d'évapora-
tion. Le produit obtenu est placé dans un évaporateur sous vide et l'on évapore du ZnS: Mn sous une épaisseur de 0,3,m par évaporation sous faisceau d'électrons pour former une couche émettrice de lumière 3 sur l'électrode
2. Une couche de sélénium 4 est ensuite formée par évapo-
ration sous une épaisseur de 0,3 /um, puis on évapore ensuite une électrode 5 de 0,3 /um d'épaisseur constituée
par une couche de Cd.
Le produit ainsi obtenu est traité à
chaud sous air atmosphérique à 150 C pendant 30 minutes.
Dans le dispositif EL ainsi obtenu, une jonction redresseuse est formée à l'interface entre la couche de sélénium 4 et l'électrode de Cd 5. Cependant,
si une tension est appliquée dans le sens positif lors-
qu'on fait fonctionner le dispositif EL en courant conti-
nu, aucun problème ne se pose. Dans cet exemple, la résis-
tance en tension et la résistance en courant du disposi-
tif EL sont améliorées de la même manière que dans le
cas du dispositif EL de l'exemple 1.
Exemple 4:
La figure 4 représente un dispositif EL de type à courant alternatif. Ce dispositif EL est obtenu en formant une électrode ITO transparente 2 de 0, 2 Pm
d'épaisseur sur un substrat de verre 1, une couche iso-
lante de Y203 7 de 0,5 Pm d'épaisseur sur l'électrode 2, puis ensuite une couche émettrice de lumière 3, une couche de sélénium 4 et une électrode 5 d'Al disposées
dans cet ordre sur la couche 7, en effectuant ces opéra-
tions dans un évaporateur sous vide, par le même procédé
que celui utilisé dans l'exemple 1.
Dans le dispositif électroluminescent utilisant une couche émettrice de lumière entre des électrodes, selon l'invention, une couche de sélénium est formée entre la couche émettrice de lumière et l'une au moins des électrodes. Par suite, la résistance en tension des parties défectueuses de la couche émettrice de
lumière, provoquées par les trous minuscules et les limi-
tes entre grains cristallins apparaissant pendant la for-
mation de la couche émettrice de lumière, et présentant une faible résistance en tension, peut être améliorée, car la couche de sélénium placée entre les parties défectueuses et l'électrode, est rendue non conductrice
par sa propriété d'auto-durcissement.
La résistance en courant des parties défectueuses de la couche émettrice de lumière, peut être améliorée du fait de la non isotropie, dans une certaine direction de cristallisation, de la couche de sélénium polycristallin interposée entre l'électrode et la couche
émettrice de lumière, c'est-à-dire de la grande résistan-
ce de la couche de sélénium dans la direction parallèle à la couche émettrice de lumière. Par suite, on peut O10 éviter de brûler la couche émettrice de lumière sous l'effet de la concentration du courant dans les parties défectueuses de celle-ci
Claims (4)
1 ) Dispositif électroluminescent caracté-
risé en ce qu'il comprend des couches d'électrodes, une couche émettrice de lumière formée entre ces couches d'électrodes, et une couche de sélénium (4) formé entre la couche émettrice de lumière (3) et l'une au moins des
couches d'électrodes (2, 5).
2 ) Dispositif électroluminescent selon la revendication 1, caractérisé en ce que la croissance de chacun des cristaux de la couche de sélénium se fait sous forme de colonne dans la direction perpendiculaire
à la couche émettrice de lumière.
3 ) Dispositif électroluminescent selon
la revendication 1, caractérisé en ce que la couche émet-
trice de lumière est une couche formée par adjonction
d'un matériau actif tel que Mn, Tb et Sm, à un semi-
conducteur tel que ZnSe et ZnS, cette couche de sélénium comprenant une couche de sélénium polycristallin, une
couche d'un alliage de Cd ou Bi ou autres métaux, ne con-
tenant pas moins de 70 % de sélénium, et une couche de sélénium poiycristallin ne contenant pas moins de 70 % de sélénium, dont une partie est remplacée par un autre
élément tel qu'un métal alcalin ou un halogène.
4 ) Dispositif électroluminescent selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une électrode est constituée par un film transparent de In203 dopé au Sn (ITO) et l'autre électrode est constituée par un film
de A1 ou de Cd ou d'un autre métal.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231792A JPS60124397A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2556548A1 true FR2556548A1 (fr) | 1985-06-14 |
Family
ID=16929087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8418707A Pending FR2556548A1 (fr) | 1983-12-08 | 1984-12-07 | Dispositif electroluminescent presentant une meilleure resistance en tension et en courant, notamment par l'utilisation d'une source de courant continu |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4647813A (fr) |
| JP (1) | JPS60124397A (fr) |
| DE (1) | DE3444769A1 (fr) |
| FR (1) | FR2556548A1 (fr) |
| GB (1) | GB2152751B (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357458A2 (fr) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif luminescent |
| EP0421494A2 (fr) * | 1986-01-08 | 1991-04-10 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Dispositif électroluminescent à film mince et sa méthode de fabrication |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1221924B (it) * | 1987-07-01 | 1990-08-23 | Eniricerche Spa | Dispositivo elettroluminescente a film sottile e procedimento per la sua preparazione |
| JP2833282B2 (ja) * | 1991-08-20 | 1998-12-09 | 富士電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法 |
| WO1994015369A1 (fr) * | 1992-12-22 | 1994-07-07 | Research Corporation Technologies, Inc. | Dispositifs semi-conducteurs electroluminescents composes des groupes ii a vi et contact ohmique a cet effet |
| GB2306251B (en) * | 1994-08-18 | 1998-02-04 | Ultra Silicon Techn Uk Ltd | Improved luminous efficiency in a thin film EL device |
| GB9506328D0 (en) * | 1994-08-18 | 1995-05-17 | Ultra Silicon Techn Uk Ltd | Improvements in and relating to TFEL technology |
| US5910706A (en) * | 1996-12-18 | 1999-06-08 | Ultra Silicon Technology (Uk) Limited | Laterally transmitting thin film electroluminescent device |
| US6713955B1 (en) * | 1998-11-20 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Organic light emitting device having a current self-limiting structure |
| GB9907120D0 (en) * | 1998-12-16 | 1999-05-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emissive devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3708708A (en) * | 1971-01-22 | 1973-01-02 | Prudential Insurance Co | Treatment of light emitting films to extend their useful life |
| GB2133927A (en) * | 1982-12-10 | 1984-08-01 | Nat Res Dev | Electroluminescent devices |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3112404A (en) * | 1953-06-17 | 1963-11-26 | Rauland Corp | Photosensitive radiant-energy transducers |
| US2818531A (en) * | 1954-06-24 | 1957-12-31 | Sylvania Electric Prod | Electroluminescent image device |
| US3152222A (en) * | 1955-03-24 | 1964-10-06 | Sylvania Electric Prod | Electroluminescent color image device |
| US3644741A (en) * | 1969-05-16 | 1972-02-22 | Energy Conversion Devices Inc | Display screen using variable resistance memory semiconductor |
| DE2633038A1 (de) * | 1975-07-22 | 1977-02-10 | Phosphor Prod Co Ltd | Elektrolumineszierende vorrichtung |
| US4543511A (en) * | 1983-03-24 | 1985-09-24 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Semiconductor electrodes having regions of graded composition exhibiting photoluminescence and electroluminescence |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58231792A patent/JPS60124397A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-27 GB GB08429925A patent/GB2152751B/en not_active Expired
- 1984-11-29 US US06/676,506 patent/US4647813A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-07 DE DE19843444769 patent/DE3444769A1/de active Granted
- 1984-12-07 FR FR8418707A patent/FR2556548A1/fr active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3708708A (en) * | 1971-01-22 | 1973-01-02 | Prudential Insurance Co | Treatment of light emitting films to extend their useful life |
| GB2133927A (en) * | 1982-12-10 | 1984-08-01 | Nat Res Dev | Electroluminescent devices |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN * |
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0421494A2 (fr) * | 1986-01-08 | 1991-04-10 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Dispositif électroluminescent à film mince et sa méthode de fabrication |
| EP0421494A3 (en) * | 1986-01-08 | 1991-12-18 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | A thin film electroluminescent (el) device and method of manufacturing the same |
| EP0357458A2 (fr) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif luminescent |
| EP0357458A3 (en) * | 1988-09-02 | 1990-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Luminescent device |
| US5616937A (en) * | 1988-09-02 | 1997-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor luminescent device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63918B2 (fr) | 1988-01-09 |
| GB2152751A (en) | 1985-08-07 |
| DE3444769A1 (de) | 1985-06-20 |
| US4647813A (en) | 1987-03-03 |
| DE3444769C2 (fr) | 1988-11-10 |
| JPS60124397A (ja) | 1985-07-03 |
| GB2152751B (en) | 1987-08-26 |
| GB8429925D0 (en) | 1985-01-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7141489B2 (en) | Fabrication of p-type group II-VI semiconductors | |
| Jia et al. | Role of Excess FAI in formation of high‐efficiency FAPbI3‐based light‐emitting diodes | |
| US7473925B2 (en) | P-type group II-VI semiconductor compounds | |
| WO2004105099A2 (fr) | Dispositifs a semi-conducteurs des groupes ii-vi | |
| US4099091A (en) | Electroluminescent panel including an electrically conductive layer between two electroluminescent layers | |
| FR2556548A1 (fr) | Dispositif electroluminescent presentant une meilleure resistance en tension et en courant, notamment par l'utilisation d'une source de courant continu | |
| US7247074B2 (en) | Organic electroluminescent element and process for its manufacture | |
| JPH0342881A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| KR100604279B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 패널 및 그 제조 방법 | |
| Elkhouly et al. | Operationally stable perovskite light emitting diodes with high radiance | |
| DE10152654B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer organischen elektrolumineszierenden Vorrichtung | |
| Schade et al. | Electron-Beam Induced Centers in Hydrogenated Amorphous Silicon | |
| US4442136A (en) | Electroluminescent display with laser annealed phosphor | |
| Kulakci et al. | Improvement of light emission from Tb-doped Si-based MOS-LED using excess Si in the oxide layer | |
| Reehal et al. | Pulsed XeCl laser annealing of ZnS: Mn thin films | |
| Lluscà et al. | Investigation on the structural changes of ZnO: Er: Yb thin film during laser annealing to fabricate a transparent conducting upconverter | |
| US6406984B1 (en) | Method of making improved electrical contact to porous silicon using intercalated conductive materials | |
| Mastio et al. | The effects of multiple KrF laser irradiations on the electroluminescence and photoluminescence of rf-sputtered ZnS: Mn-based electroluminescent thin film devices | |
| JP2008118090A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP3541690B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JP2629236B2 (ja) | 半導体基板の熱処理方法 | |
| Jeng et al. | The reflectivity of Mo/Ag/Au ohmic contacts on p-type GaN for flip-chip light-emitting diode (FCLED) applications | |
| Avdonin et al. | Amphoteric properties of gold in zinc selenide | |
| Kononets | Enhancement of the characteristics of thin-film electromluminescent structures based on ZnS: Mn films after low-power laser irradiation | |
| JPS61248524A (ja) | 抵抗接触形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CD | Change of name or company name |