DE10152654B4

DE10152654B4 - Verfahren zum Herstellen einer organischen elektrolumineszierenden Vorrichtung

Info

Publication number: DE10152654B4
Application number: DE10152654A
Authority: DE
Inventors: Taizou Tanaka
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2000-10-17
Filing date: 2001-10-16
Publication date: 2007-10-04
Anticipated expiration: 2021-10-17
Also published as: US20020045397A1; US6623324B2; JP2002124379A; KR100552956B1; KR20020030727A; DE10152654A1; JP4094804B2

Abstract

Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung durch Bereitstellen eines Substrats (1), Aufbringen einer Anode (2), einer organischen Schicht (4), einer Kathode (5) und einer Verkapselung unter Verwendung einer Abdeckung (7), wobei die organische Schicht (4) mindestens eine organische, lichtemittierende Schicht enthält, wobei die organische Schicht (4) und die Kathode (5) innerhalb eines Vakuumverdampfers (20) ausgebildet werden, wobei die organische Elektrolumineszenzvorrichtung nachfolgend in einen eine Xenonlampe (17) aufweisenden Behälter (11) eines Lichtbestrahlungsgerätes (10) eingesetzt wird und die Elektrolumineszenzvorrichtung vor dem Ausbilden der Verkapselung mittels der Xenonlampe (17) mit einer Bestrahlungsstärke im Bereich von 0,1 bis 1000 μW/cm² bestrahlt wird, wobei die Bestrahlungszeit zwischen 1 Minute und 30 Minuten beträgt, und wobei nachfolgend die Verkapselung auf dem Substrat (1) der Elektrolumineszenzvorrichtung mittels der Abdeckung (7) und eines UV-aushärtbaren Gießharzes ausgebildet wird, wobei das Gießharz mit UV-Licht bestrahlt wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer organischen EL-Vorrichtung (Elektrolumineszenz-Vorrichtung) und insbesondere ein Verfahren zum Herstellen der organischen EL-Vorrichtung, die das Auftreten eines Leckagestroms, der durch Wärme bei einem Eingießvorgang verursacht wird, verhindern kann.
Als eine Bauart von EL-Vorrichtungen, die in einer Anzeigevorrichtung für Informationsvorrichtungen oder dergleichen verwendet wird, ist eine organische EL-Vorrichtung entwickelt worden. 10 ist eine schematische Darstellung der Konfigurationen einer herkömmliche organischen EL-Vorrichtung. Die herkömmliche, organische EL-Vorrichtung umfasst, wie in der 10 gezeigt, ein transparentes isolierendes Substrat 51, das aus einem Glassubstrat oder dergleichen besteht, eine Anode 52 (untere Elektrode), die auf dem transparenten isolierenden Substrat 51 ausgebildet ist, und die aus transparenten leitfähigen Materialien, wie beispielsweise ITO (Indiumzinnoxid), besteht, eine Lochtransportschicht 53, die auf der Anode 52 ausgebildet ist, eine organische lichtemittierende Schicht 54, die auf der Lochtransportschicht 53 ausgebildet ist, eine Kathode 55 (obere Elektrode), die auf der organischen lichtemittierenden Schicht 54 ausgebildet ist, und die aus Mg-Ag (Magnesium-Silber) besteht, und eine Abdeckung 57, die aus einem Glas oder dergleichen besteht und die über ein Gießharz 56 an dem transparenten isolierenden Substrat 51, auf welchem die Hauptkomponenten einschließlich der Anode 52, der Lochtransportschicht 53, der organischen lichtemittierenden Schicht 54 und der Kathode 55 ausgebildet sind, so befestigt ist, dass die Hauptkomponenten abgedeckt sind.
Als Gießharz 56 wird beispielsweise ein UV-(Ultraviolettstrahlen)-härtbares Harz verwendet, und durch Bestrahlen des Gießharzes 56 mit von einer Lichtquelle zugeführtem Licht, das UV enthält, wird das Gießharz 56 ausgehärtet und zum Vergießen verwendet. An diesem Punkt wird zusätzlich zu dem UV-Licht Wärme von der Lichtquelle emittiert, und mit der emittierten Wärme werden ferner die Hauptkomponenten der EL-Vorrichtung beaufschlagt, und als ein Ergebnis erreichen deren Temperaturen auf dem transparenten isolierenden Substrat 51 50°C bis 60°C. Da es unmöglich ist, das Gießharz 56 lediglich durch Beaufschlagen des Gießharzes 56 mit UV-Licht vollständig auszuhärten, wird darüber hinaus nach der Bestrahlung mit UV-Licht Wärme mit einer Temperatur von 40°C bis 60°C für ungefähr einen halben Tag zusätzlich beaufschlagt, um eine Nachaushärtbehandlung durchzuführen.
Infolge der Wärme, die auf dem transparenten isolierenden Substrat 51 bei dem Verkapselungsvorgang entsteht und infolge der Wärme, die durch die Nachhärtbehandlung erzeugt wird, kann jedoch an der Grenzfläche zwischen organischer lichtemittierender Schicht 54 und der Kathode 55 in einem unstabilen Zustand das Auftreten eines Defektes zunehmen. Das Auftreten des Defektes bedeutet, dass ein Dotierungsniveau, das durch einen Gitterdefekt oder dergleichen verursacht ist, in einem Bereich ausgebildet wird, wo ein Grenzflächenniveau ausgebildet ist. Die Existenz des Defektes bewirkt, dass ein anderer Pfad als derjenige, durch welchen die Träger ursprünglich fließen, erzeugt wird, und das Auftreten von Leckagestrom vergrößert wird. Darüber hinaus besteht die Gefahr, dass sich die Kathode 55 zur Anode 52 kurz schließt. Als ein Ergebnis wird die Charakteristik der organischen EL-Vorrichtung instabil, was ein Ansteigen an Defekten verursacht. Da das UV-Licht das Ansteigen der Defekte, die in der Grenzfläche existieren, verursacht, wenn eine Bestrahlung mit UV-Licht erfolgt, werden darüber hinaus Überlegungen angestellt, um die Bestrahlung der Hauptkomponenten der organischen EL-Vorrichtung mit UV-Licht zu vermeiden. Daher ist es zur Stabilisierung der Charakteristik der organischen EL-Vorrichtung durch Verhindern des Auftretens von Leckagestrom, der durch die Wärme beim Verkapselungsvorgang verursacht wird, wünschenswert, die Defekte vor dem Verkapseln zu entfernen.
Bei der Herstellung jeder der verschiedenen elektronischen Komponenten wird zur Erzielung von stabilen Charakteristika der organischen EL-Vorrichtung im allgemeinen eine Alterungsbehandlung durchgeführt. Beispielsweise ist eine Halbleiteralterungsvorrichtung, die bei einem Test für einen EPROM (elektrisch programmierbarer Festspeicher) verwendet worden ist, in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. Hei 1-191075 ( JP 01191075 A ) offenbart. Die Halbleiteralterungsvorrichtung ist, wie in der 11 gezeigt, so konstruiert, dass die Alterung durch Bestrahlen mit Licht mit Wellenlängen von über 400 nm von einer Quecksilberlampe 63, die außerhalb eines thermostatischen Lagerofens 61 befestigt ist, durch einen optischen Filter 64 eines EPROM-Substrats 62 durchgeführt wird, das in dem thermostatischen Lagerofen 61 befestigt ist, welcher auf einer Temperatur von 200°C bis 300°C gehalten wird. Dies bewirkt, dass ein Elektron, das sich in einem instabilen Zustand befindet, angeregt wird und das angeregte Elektron über eine Sperrschicht hinweg entladen wird, wodurch die Speichercharakteristik der organischen EL-Vorrichtung verbessert wird.
Ein Verfahren zum Altern eines EL-Displays, welches zum Stabilisieren der Leuchtdichte der Lichtemission einer EL-Display-Tafel geeignet ist, ist beispielsweise in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. Hei 4-79193 ( JP 04079193 A ) offenbart.
In dem offenbarten Alterungsverfahren der EL-Display-Tafel sind, wie in der 12 gezeigt, bei Durchführung der Alterung alle Elektroden 72 und 73 gemeinsam geschaltet, das heißt eine Elektrode 72 (beispielsweise die Kathode) und die andere Elektrode 73 (beispielsweise die Anode) sind gemeinsam mit der EL-Display-Tafel 71 verbunden, und eine Anzeigespannung 74, die von einer Wechselstromquelle zugeführt wird, wird zwischen die beide Elektroden 72 und 73 angelegt, da die organische EL-Vorrichtung viele Zellen hat (jede derselben hat die beiden Elektroden 72 und 73), und gleichzeitig wird nur eine Seite der EL-Anzeigetafel 71 mit Licht mit einer Energie von mehr als 0,3 kW von einer Alterungslichtquelle 75 unter Verwendung einer Quecksilberlampe oder dergleichen beaufschlagt. Somit kann durch das Kombinieren der Bestrahlung mit Licht und das Anlegen von Spannungen die Alterung beschleunigt werden und die Zeit, die für das Altern erforderlich ist, kann verkürzt werden.
Die vorstehend offenbarte herkömmliche Alterungsbehandlung hat jedoch die folgenden Probleme, da sie nicht für die Verwendung bei der Alterung der organischen EL-Vorrichtung gedacht ist.
Da die Halbleiteralterungsbehandlung, die in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Hei 1-191075 ( JP 01191075 A ) offenbart ist, für die Verwendung für die EPROM gedacht ist, die ein Typ der Halbleitervorrichtungen ist, verwendet sie erstens natürlich den thermostatischen Lagerofen 61, dessen Temperaturen auf 200°C bis 300°C gehalten werden. Da jedoch die organische EL-Vorrichtung die organische lichtemittierende Schicht 54 hat und gegenüber Wärme empfindlich ist, ist es nicht richtig, das vorstehend genannte Alterungsverfahren für die organische EL-Vorrichtung zu verwenden. Das heißt, obwohl für den Fall der organischen EL-Vorrichtung die Alterung vorzugsweise bei gewöhnlichen Temperaturen durchzuführen ist, wenn die Alterungsbehandlung, wie vorstehend angegeben, verwendet wird, wird als ein Ergebnis die Alterung bei hoher Temperatur durchgeführt, was die vorstehend beschriebenen Probleme, die der Wärme zuzuordnen sind, verursacht. Darüber hinaus wurde die Verbesserung der Vorrichtungscharakteristika, beispielsweise durch Verhindern des Auftretens von Leckagestrom, verursacht durch Wärme beim Verkapselungsvorgang nicht berücksichtigt, da die vorstehend offenbarte Alterungsbehandlung dazu dient, bei einem Test des EPROM zur Sortierung verwendet zu werden, wodurch ein Problem erzeugt wird.
Als nächstes wird bei der Alterungsbehandlung, wie sie in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. Hei 4-79193 ( JP 04079193 A ) offenbart ist, eine Anzeigespannung, die von einer Wechselstromquelle zugeführt worden ist, an die beiden Elektroden angelegt, und gleichzeitig wird die EL-Anzeigetafel mit Licht unter Verwendung der Quecksilberlampe beaufschlagt. Da jedoch die Lichtenergie, welche für die Bestrahlung verwendet wird, mit 0,3 kW und höher, groß ist, wird, wenn sie bei der Alterung für die organische EL-Vorrichtung verwendet wird, die organische lichtemittierende Schicht 54 verschlechtern. Darüber hinaus ist das Anlegen der Spannung bei der offenbarten Alterungsbehandlung wesentlich, da jedoch bei dem Herstellungsverfahren der organischen EL-Vorrichtung weitgehend alle Vorgänge in einer Inertgasatmosphäre durchgeführt werden müssen, um eine Verschlechterung der organischen lichtemittierenden Schicht 54 zu verhindern, ist das Anlegen der Spannung unmöglich. Bei dem in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. Hei 4-79193 ( JP 04079193 A ) offenbarten Alterungsbehandlung wurde die Verbesserung der Vorrichtungscharakteristika beispielsweise durch Verhindern des Auftretens von Leckagestrom, der durch Hitze beim Verkapselungsvorgang verursacht wird, nicht berücksichtigt, da, wie im Fall der Alterungsbehandlung, wie in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. Hei 1-191075 ( JP 01191075 A ) offenbart, die Alterung durchgeführt wird, um eine Stabilisierung der Leuchtdichte der Lichtemission zu erzielen.
Weiterhin ist aus JP 04079193 A bekannt, Alterungsschritte organischer, zur Elektrolumineszenz geeigneter Substanzen durch externe Beleuchtung mit einer Wellenlänge zwischen 0,5–1 μm oder das Anlegen einer Spannung an das Bauelement zu realisieren. Die vorgenannten Alterungsschritte werden jedoch nach der Verkapselung des Bauelements vorgenommen.
Weiterhin ist aus JP 04014794 A bekannt, eine Alterung eines Bauelements auf Basis organischer, zur Elektrolumineszenz geeigneter Substanzen durch das Anlegen einer Spannung an das Bauelement vor dessen Verkapselung zu realisieren.
Angesichts der vorstehenden Ausführungsformen ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer organischen EL-Vorrichtung zu schaffen, bei dem es möglich ist, das Auftreten eines Leckagestroms, der durch Wärme beim Verkapselungsvorgang verursacht wird, zu verhindern.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung wird ein Substrats bereitgestellt, eine Anode, eine organische Schicht, eine Kathode und einer Verkapselung unter Verwendung einer Abdeckung aufgebracht, wobei die organische Schicht mindestens eine organische, lichtemittierende Schicht enthält, und wobei die organischen Schicht und die Kathode innerhalb eines Vakuumverdampfers ausgebildet werden, wobei die organische Elektrolumineszenzvorrichtung nachfolgend in einen eine Xenonlampe aufweisenden Behälter eines Lichtbestrahlungsgerätes eingesetzt wird und die Elektrolumineszenzvorrichtung vor dem Ausbilden der Verkapselung mittels der Xenonlampe mit einer Bestrahlungsstärke im Bereich von 0,1 bis 1000 μW/cm² bestrahlt wird, wobei die Bestrahlungszeit zwischen 1 Minute und 30 Minuten beträgt, und wobei nachfolgend die Verkapselung auf dem Substrat der Elektrolumineszenzvorrichtung mittels der Abdeckung und eines UV-aushärtbaren Gießharzes ausgebildet wird, wobei das Gießharz mit UV-Licht bestrahlt wird.
Vorzugsweise wird die Bestrahlung mittels der Xenonlampe in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre vorgenommen.
Die vorstehenden und andere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung anhand der begleitenden Figuren im einzelnen hervor, in welchen zeigt:
1A bis 1D schematische Darstellungen eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen EL-Vorrichtung in der Reihenfolge der Vorgänge gemäß der vorliegenden Erfindung;
2 ein schematisches Blockschaltbild der Konfiguration eines Lichtbestrahlungsgerätes, das zum Herstellen der organischen EL-Vorrichtung gemäß der Erfindung verwendet wird;
3 eine graphische Darstellung eines Beispieles einer Gleichrichteigenschaft der organischen EL-Vorrichtung, die durch das Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt ist;
4 eine Tabelle mit den Gleichrichtverhältnissen, die erhalten werden, wenn die Bestrahlungswellenlänge beim Bestrahlen mit Licht der organischen EL-Vorrichtung, die durch das Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt worden ist, geändert wird;
5 ebenfalls eine Tabelle, welche die Gleichrichtverhältnisse zeigt, welche erhalten werden, wenn die Strahlungswellenlänge beim Bestrahlen mit Licht der organischen EL-Vorrichtung, welche durch das Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt worden ist, weiter verändert worden ist;
6 eine Tabelle, welche die Gleichrichtverhältnisse zeigt, welche erhalten werden, wenn beim Bestrahlen mit Licht einer organischen EL-Vorrichtung, die durch ein Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt worden ist, die Lichtintensität geändert wird;
7 ebenfalls eine Tabelle, welche die Gleichrichtverhältnisse bei einem Vergleichsbeispiel zeigt;
8 eine Tabelle, welche die Gleichrichtverhältnisse zeigt, welche erhalten werden, wenn beim Bestrahlen mit Licht einer organischen EL-Vorrichtung, die durch ein Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt worden ist, die Bestrahlungszeit geändert wird;
9 ebenfalls eine Tabelle, welche die Gleichrichtverhältnisse bei einem Vergleichsbeispiel zeigt;
10 eine schematische Darstellung der Konfigurationen einer herkömmlichen organischen EL-Vorrichtung;
11 eine schematische Darstellung der Konfigurationen einer herkömmlichen Halbleitertemperungsvorrichtung; und
12 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines Verfahrens zum Tempern einer herkömmlichen EL-Display-Tafel.
Die besten Modi zum Durchführen der vorliegenden Erfindung werden weiterhin im Detail unter Verwendung verschiedener Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die begleitenden Figuren beschrieben.
Erstes Ausführungsbeispiel
Das Verfahren zum Herstellen der organischen EL-Vorrichtung gemäß des ersten Ausführungsbeispiels wird in der Reihenfolge der Vorgänge unter Bezugnahme auf die 1A bis 2 beschrieben.
Als erstes, und wie in der 1A gezeigt, wird ein ITO-Film mit einer Dicke von 100 nm, der als ein transparenter leitfähiger Film dient, unter Verwendung eines Zerstäubungsverfahrens auf einem transparenten isolierenden Substrat 1, das aus Glas oder dergleichen besteht, ausgebildet. Dann wird ein Strukturierungsvorgang unter Verwendung einer bekannten Photolithographie durchgeführt, so dass der ITO-Film eine gewünschte Form hat, um eine Anode (erste Elektrode) zu bilden. Hierbei wird das transparente isolierende Substrat 1, welches den strukturierten ITO-Film hat, als das "Substrat 1" bezeichnet. Dann wird das transparente isolierende Substrat 1 mit IPA (Isopropylalkohol) gereinigt, gefolgt von einer UV-Ozon-Reinigung, um ein ausreichendes Waschen der Oberfläche des transparenten isolierenden Substrats 1 durchzuführen.
Als nächstes, und wie in der 1B gezeigt, wird eine Lochtransportschicht 3 und dann eine organische lichtemittierende Schicht 4 aufeinanderfolgend auf der Anode 2 ausgebildet. Das Ausbilden der Lochtransportschicht 3 und der organischen lichtemittierenden Schicht 4 wird auf die folgenden Arten durchgeführt.
Als erstes wird ein Schiff (erstes Schiff), das aus Molybdän besteht, welches 100 mg α-NPD [(N,N'-Diphenyl)-N,N'-bis-(1-Naphthyl)-(1,1'-Biphenyl-(4,4'-Diamin)] als ein Lochtransportmaterial enthält, und ein weiteres Schiff (zweites Schiff), das aus Molybdän besteht, welches 100 mg Alq₃ [tris(8-Quinolinolato-Aluminiumkomplex)] als lichtemittierendes Material enthält, in einem Vakuumaufdampfsystem so angeordnet, dass jedes derselben als eine separate Aufdampfquelle betätigt werden kann. Als nächstes wird nach dem Einsetzen des transparenten isolierenden Substrats 1 in das Vakuumaufdampfsystem die Luft innerhalb des Vakuumaufdampfsystems solange abgesaugt, bis in dem System der Unterdruck 2 × 10⁴ Pascal erreicht, worauf das Erhitzen des ersten Schiffes gestartet wird. Nachdem die Erwärmungstemperatur gesteuert worden ist, bis eine Verdampfungsgeschwindigkeit von α-NPD in dem ersten Schiff eine konstante Geschwindigkeit von 0,3 mm/sec erreicht, wird ein Verschluss, der an einem oberen Teil des Vakuumaufdampfsystems vorgesehen ist, geöffnet, um das Abscheiden des α-NPD zu starten, und zu einem Zeitpunkt, zu dem dessen Dicke ungefähr 50 nm erreicht, wird der Verschluss geschlossen, um das Abscheiden von α-NPD zu beenden.
Dann wird auf ähnliche Art und Weise, nachdem die Erwärmungstemperatur bis zu einer Aufdampfgeschwindigkeit des Alq₃ im zweiten Schiff eine konstante Geschwindigkeit von 0,3 nm/sec erlangt hat, ein Verschluss, der an einem oberen Teil des Vakuumaufdampfsystems befestigt ist, geöffnet, um das Aufdampfen des Alq³ zu starten, und zu einem Zeitpunkt, zu dem die Dicke ungefähr 500 nm erreicht hat, wird der Verschluss geschlossen, um das Aufdampfen von Alq³ zu beenden.
Auf diese Art und Weise ist auf der Anode 2 die Lochtransportschicht 3, die aus α-NPD besteht, und die organische lichtemittierende Schicht 4, die aus Alq₃ besteht, ausgebildet worden.
Als nächstes, und wie in der 1C gezeigt, ist auf der organischen lichtemittierenden Schicht 4 eine Kathode 5 (zweite Elektrode) ausgebildet worden. Die Ausbildung der Kathode 5 wird auf die folgende Art und Weise durchgeführt.
Nach der Ausbildung der organischen lichtemittierenden Schicht 4 wird das transparente isolierende Substrat 1 in ein anderes Vakuumaufdampfsystem bewegt, welches mit dem vorstehenden Vakuumaufdampfsystem verbunden ist, und zwar in einem Zustand, bei dem der Unterdruck noch aufrechterhalten ist. Ein Schiff aus Molybdän, welches 1 g Al-Li-(Aluminiumlithium)-Legierung enthält, ist an eine Widerstandsheizquelle angeschlossen, die im voraus in dem anderen Vakuumaufdampfsystem angeordnet worden war. Nachdem die Luft innerhalb des Vakuumaufdampfsystems solange abgesaugt worden ist, bis der Unterdruck in dem System 4 × 10^–4 Pascal erreicht hat, wird das Schiff durch die Widerstandsheizquelle erhitzt. Nachdem die Erwärmungstemperatur solange gesteuert worden ist, bis eine Aufdampfgeschwindigkeit der Al-Li-Legierungen im zweiten Schiff eine konstante Geschwindigkeit von 0,4 nm/sec erreicht hat, wird ein Verschluss, der im voraus an einem oberen Teil des Vakuumaufdampfsystems befestigt worden ist, geöffnet, um das Aufdampfen der Al-Li-Legierung zu beginnen, und zu dem Zeitpunkt, zu dem die Dicke ungefähr 60 nm erreicht hat, wird der Verschluss geschlossen, um das Aufdampfen der Al-Li-Legierung zu beenden.
Somit wird auf der organischen lichtemittierenden Schicht 4 die Kathode 5 aus der Al-Li-Legierung ausgebildet. Als ein Ergebnis sind auf dem transparenten isolierenden Substrat 1 nun die Hauptkomponenten der EL-Vorrichtung ausgebildet, welche die Anode 2, die Lochtransportschicht 3, die organische lichtemittierende Schicht 4 und die Kathode 5 umfassen.
Als nächstes wird das transparente isolierende Substrat 1 unter Beibehaltung des Vakuumzustandes in eine Lichtbestrahlungsgerät 10 gesetzt, das in der 2 gezeigt ist.
Das Lichtbestrahlungsgerät 10 des Ausführungsbeispiels, und wie in der 2 gezeigt, hat einen Behälter 11 (Kammer), eine Haltebasis 12, die am Boden des Behälters 11 platziert ist, eine Halteplatte 13, die zum Halten des transparenten isolierenden Substrats 1 verwendet wird, die an der Oberseite der Haltebasis 12 platziert ist, ein Lichtleitfaserarray 14, das zum Bestrahlen des transparenten isolierenden Substrats 1 mit Licht verwendet wird, und in einem oberen Teil des Behälters 11 platziert ist, eine Lichtleitfaserarrayhaltesektion 15, die zum Halten des Lichtleitfaserarrays 14 verwendet wird, eine Lichtleitfaserarraytreibersektion 16, die zur Steuerung einer Position in einer Horizontalrichtung des Lichtleitfaser arrays 14 verwendet wird, eine Xenonlampe (als Lichtquelle 17) verwendet, eine Lichtleitfaser 18, die zum Übertragen von Licht von der Xenonlampe 17 zu dem Lichtleitfaserarray 14 verwendet wird, und ein Helligkeitsmessgerät 19, das auf dem Weg der Lichtleitfasern 18 platziert ist.
Nachdem das transparente isolierende Substrat 1 auf der Halteplatte 13 in dem Behälter 11 des Lichtbestrahlungsgerätes 10 so platziert ist, dass das transparente isolierende Substrat 1 an der Oberseite der Halteplatte 13 positioniert ist, das heißt eine lichtemittierende Seite (Display-Seite) des transparenten isolierenden Substrats ist, dem Lichtleitfaserarray 14 zugewandt, wobei in dem Behälter 11 eine Stickstoffgasatmosphäre (N₂) aufrechterhalten wird, wobei der Druck innerhalb des Behälters 11 auf die Höhe des atmosphärischen Druckes wieder hergestellt wird. Als nächstes wird Licht von der Xenonlampe 17 über die Lichtleitfaser 18 zugeführt, um die lichtemittierende Seite (Display-Seite) des transparenten isolierenden Substrats 1 aus dem Glasfaserarray 14 für 1 Minute mittels der Xenonlampe 17 zu bestrahlen. Das heißt, durch Bestrahlen mit Licht der Xenonlampe 17 (mit Wellenlänge innerhalb von 300 nm bis 500 nm) wird das optische Tempern durchgeführt. An diesem Punkt ist die Lichtmenge so eingestellt, dass sie 0,1 μW/cm² beträgt. Darüber hinaus wird die Umgebungstemperatur auf einer Temperatur nicht höher als ungefähr 60°C gehalten. Weiterhin wird die Position der Lichtleitfaserarraytreibersektion 16 so gesteuert, dass das Lichtleitfaserarray 14 sicher das transparente isolierende Substrat 1 mit Licht bestrahlen kann.
Nachdem das transparente isolierende Substrat 1 als nächstes in einen Verkapselungsraum (nicht dargestellt) bewegt worden ist, wird, wie in der 1D gezeigt, beispielsweise eine Abdeckung 7, die aus Glas besteht, an dem transparenten isolierenden Substrat 1 angeklebt, um die Anode 2, die Lochtransportschicht 3, die organische lichtemittierende Schicht 4 und die Kathode 5 zu verkapseln, und zwar mittels des UV-aushärtbaren Gießharzes 6, das heißt, indem das Gießharz 6 zwischen der Abdeckung 7 und dem transparenten isolierenden Substrat 1 angeordnet wird, wodurch die organische EL-Vorrichtung 20 nun erhalten wird. Wenn das Gießharz 6 während des Verkapselungsvorgangs ausgehärtet wird, wird das UV-Licht gegenüber der Anode 2, der Lochtransportschicht 3, der organischen lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathode 5 abgeschirmt und wird nur auf das Gießharz 6 aufgebracht.
Als nächstes werden die Gleichrichteigenschaften der organischen EL-Vorrichtung 20, die in Übereinstimmung mit dem Verfahren zum Herstellen der organischen EL-Vorrichtung 20 gemäß dem Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist, unter Verwendung eines Halbleiterparameteranalysators gemessen. Die Messungen werden durch Anlegen einer Vorwärtsspannung und einer Rückwärtsspannung zwischen der Anode 2 und der Kathode 5 der organischen EL-Vorrichtung 20 durchgeführt.
Die 3 ist ein Diagramm, das ein Beispiel der Gleichrichteigenschaften der organischen EL-Vorrichtung 20 zeigt, die durch die vorstehenden Messungen erzielt worden sind. Bei dem Beispiel wurde mit Licht mit einer Bestrahlungswellenlänge λ von 400 nm bestrahlt. An der Ordinate ist ein Strom aufgetragen und an der Abszisse ist eine Spannung aufgetragen. Wenn das Verhältnis eines Vorwärtsstromes "If' bei einer Spannung einer vorwärts angelegten Spannung von 10 V zu einem umgekehrten Strom "Ir" einer umgekehrt angelegten Spannung von 10 V als ein Gleichrichtverhältnis (If/Ir) definiert ist, ist durch ein Experiment bestätigt worden, dass ein Gleichrichtverhältnis in der Größenordnung von 1,5 × 10⁸ erzielt werden kann, da weitgehend kein Rückwärtsstrom Ir fließt, wodurch somit eine ausgezeichnete Gleichrichteigenschaft gezeigt ist.
4 zeigt das Gleichrichtverhältnis, das erzielt wird, wenn die Bestrahlungswellenlänge λ des Lichtes auf verschiedene Arten und Weisen innerhalb eines Bereiches von 300 nm bis 500 nm bei dem vorstehend beschriebenen Beispiel geändert wird. Darüber hinaus zeigt die 5 das Gleichrichtverhältnis, welches als ein Vergleichsbeispiel verwendet wird, welches erzielt wird, wenn die Bestrahlungswellenlänge λ des Lichtes auf verschiedene Arten außerhalb des Bereiches von 300 nm bis 500 nm bei Beaufschlagen mit Licht der organischen EL-Vorrichtung, die durch weitgehend das gleiche Herstellungsverfahren wie beim Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist, erzielt wird.
In der 4 zeigt die Probe Nr. 1 in der Tabelle einen Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 300 nm gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 1,2 × 10⁸ beträgt. Ähnlich zeigt die Probe Nr. 2 einen Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 350 nm gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 2,0 × 10⁸ ist, die Probe Nr. 3 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 450 nm gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 2,4 × 10⁸ ist, und die Probe Nr. 4 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 500 nm gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 3,0 × 10⁸ ist. In jedem Fall ist das Gleichrichtverhältnis hoch.
Andererseits zeigt in der 5 die Probe Nr. 1 in der Tabelle den Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 200 nm gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 5,0 × 10⁴ ist. Ähnlich zeigt die Probe Nr. 2 den Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 250 nm gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 4,6 × 10⁴ ist, die Probe Nr. 3 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 550 nm gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 4,2 × 10⁷ ist, und die Probe Nr. 4 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungswellenlänge λ auf 600 nm gesetzt ist, und das erzielte Gleichrichtverhältnis 2,2 × 10⁵ ist. Diese in der 5 gezeigten Gleichrichtverhältnisse sind kleiner als jene der in der 4 erzielten, jedoch nicht kleiner als eine Größenordnung, die zeigt, dass die Gleichrichtcharakteristika schlechter geworden sind.
Der Vergleich zwischen den Gleichrichtverhältnissen in der 4 und der 5 zeigt, dass durch Setzen der Bestrahlungswellenlänge λ innerhalb des Bereiches von 300 nm bis 500 nm insbesondere ein großes Gleichrichtverhältnis erzielt werden kann. Es ist denkbar, dass der Grund hierfür darin liegt, dass ein Auftreten des Leckagestroms, der durch Wärme verursacht wird, welche bei dem Verkapselungsvorgang auftritt, verhindert werden kann, wenn die Bestrahlungswellenlänge λ einer Xenonlampe (im Bereich von 300 nm bis 500 nm) gesetzt ist. Wenn andererseits die Bestrahlungswellenlänge λ außerhalb des Bereiches 300 nm bis 500 nm eingestellt ist, ist es unmöglich, das Gleichrichtverhältnis groß zu machen, da das Auftreten von Leckagestrom, verursacht durch die Wärme bei dem Verkapselungsvorgang, nicht verhindert werden kann.
Wenn die Bestrahlungswellenlänge λ kleiner als 300 nm ist, verschlechtert sich die Quanteneffizienz stark und die Oberfläche des Films wird infolge der Kristallisation des dünnen Films aufgeraut, wodurch eine leichte Konzentration des elektrischen Feldes verursacht wird, da die Zersetzung der lichtemittierenden Schicht und/oder die strukturellen Änderungen in der lichtemittierenden Schicht merkbar sind. Wenn die Bestrahlungswellenlänge λ größer als 500 nm ist, ist diese zu groß, um als Anregungswellenlänge der lichtemittierenden Schicht wirksam zu sein.
Wie vorstehend beschrieben, liegt der Grund dafür, warum die organische EL-Vorrichtung 20, die durch das Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist, eine ausgezeichnete Gleichrichteigenschaft zeigt, darin, dass durch Einstellen der Bestrahlungswellenlänge λ des Lichtes innerhalb des Bereiches von 300 nm bis 500 nm und durch Beaufschlagen des transparenten isolierenden Substrats 1 mit Licht zur Durchführung eines optischen Temperns vor dem Verkapseln das Ansteigen der Defekte, die bei der ursprünglich unstabilen Grenzfläche zwischen der organischen lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathode 5 auftraten, unterbunden werden kann, wodurch der unstabile Zustand an der Grenzfläche in den stabilen Zustand umgewandelt wird. Dadurch ist es möglich, die Charakteristik der organischen EL-Vorrichtung 20 stabil zu machen, und als ein Ergebnis sinken die Ausfälle. Darüber hinaus können diese Ziele durch einfaches Bestrahlen mit Licht ausreichend erzielt werden.
Somit ist es gemäß dem Verfahren zum Herstellen der organischen EL-Vorrichtung 20 gemäß dem Ausführungsbeispiel möglich, den Zustand der Grenzfläche zwischen der organischen lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathode 5 zu stabilisieren, da das optische Tempern vor dem Verkapseln durchgeführt wird, indem das transparente isolierende Substrat 1, auf welchem die Hauptkomponenten mit der Anode 2, der Lochtransportschicht 3, der organischen lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathode 5 ausgebildet sind, mit Licht einer Xenonlampe mit einer Bestrahlungswellenlänge λ von 300 nm bis 500 nm bestrahlt wird. Daher kann das Auftreten von Leckagestrom, der durch die Wärme beim Verkapselungsvorgang verursacht wird, verhindert werden.
Zweites Ausführungsbeispiel
6 ist eine Tabelle, welche die Gleichrichtverhältnisse zeigt, welche erhalten werden, wenn die Lichtmenge beim Bestrahlen einer organischen EL-Vorrichtung mit Licht, die durch ein Verfahren gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist, geändert wird. Das Verfahren zum Herstellen der organischen EL-Vorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von demjenigen des ersten Ausführungsbeispiels dadurch, dass Gleichrichtverhältnisse erzielt werden, wenn die Bestrahlungswellenlänge λ konstant ist und die Lichtmenge innerhalb eines Bereiches von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² beim Bestrahlen der organischen EL-Vorrichtung mit Licht variiert wird.
Das heißt, beim zweiten Ausführungsbeispiel wird die organische EL-Vorrichtung weitgehend durch das gleiche Verfahren wie beim ersten Ausführungsbeispiel hergestellt, und wenn die Bestrahlung mit Licht in der Lichtbestrahlungsvorrichtung durchgeführt wird, wird mit Licht mit einer Bestrahlungswellenlänge λ von 400 nm bestrahlt und die Lichtmenge wird im Bereich von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² geändert.
Die 6 zeigt das Gleichrichtverhältnis, welches erzielt wird, wenn die Lichtmenge innerhalb des Bereiches von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² beim Ausführungsbeispiel geändert wird. Die 7 zeigt das Gleichrichtverhältnis, welches als ein Vergleichsbeispiel verwendet wird, das erhalten wird, wenn die Lichtmenge auf verschiedene Arten und Weisen außerhalb des Bereiches von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² bei der organischen EL-Vorrichtung verändert wird, die durch weitgehend das gleiche Herstellungsverfahren wie beim zweiten Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist.
In der 6 zeigt die Probe Nr. 1 in der Tabelle den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 0,1 μW/cm² gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 1,0 × 10⁸ ist. Ähnlich zeigt die Probe Nr. 2 den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 1,0 μW/cm² gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 1,0 × 10⁸ ist, die Probe Nr. 3 zeigt den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 10 μW/cm² gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 2,0 × 10⁸ ist, die Probe Nr. 4 zeigt den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 100 μW/cm² gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 2,2 × 10⁸ ist, und die Probe Nr. 5 zeigt den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 1000 μW/cm² gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 3,2 × 10⁸ ist. In jedem Fall ist das Gleichrichtverhältnis hoch.
Andererseits zeigt in der 7 die Probe Nr. 1 in der Tabelle den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 0,01 μW/cm² gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 4,4 × 10⁶ ist. Ähnlich zeigt die Probe Nr. 2 den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 10.000 μW/cm² gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 5,2 × 10⁴ ist, die Probe Nr. 3 zeigt den Fall, bei dem die Lichtmenge auf 100.000 μW/cm² gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 6,6 × 10² ist. Diese in der 7 erzielten Gleichrichtverhältnisse sind sehr viel kleiner als die in der 6 erzielten, was zeigt, dass die Gleichrichtcharakteristika schlechter geworden sind. Darüber hinaus wird die Temperungswirkung gering, wenn die Lichtmenge auf weniger als 0,1 μW/cm² gesetzt ist, wie im Fall der vorstehenden Probe Nr. 1, da die Lichtmenge klein ist und die photovoltaische Kraft schwach ist, das heißt die Anzahl der Frequenzen der Lichterregung klein ist.
Wie aus den 6 und 7 klar zu ersehen ist, ist es durch Einstellen der Lichtmenge innerhalb des Bereiches von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² insbesondere möglich, ein großes Gleichrichtverhältnis zu erzielen. Es ist denkbar, dass der Grund hierfür darin liegt, dass das Auftreten des Leckagestromes, welches durch Wärme verursacht wird, die bei dem Verkapselungsvorgang auftritt, verhindert werden kann, wenn die Lichtmenge im Bereich von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² gesetzt ist. Wenn andererseits die Lichtmenge außerhalb des Bereiches von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² gesetzt ist, ist es unmöglich, das Gleichrichtverhältnis groß zu machen, da das Auftreten von Leckagestrom, verursacht durch die Wärme beim Verkapselungsvorgang, nicht verhindert werden kann.
Wie vorstehend beschrieben, liegt der Grund dafür, warum die organische EL-Vorrichtung, die durch das Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist, eine ausgezeichnete Gleichrichteigenschaft hat, darin, dass die Lichtmenge im Bereich von 0,1 μW/cm² bis 1000 μW/cm² gesetzt ist, und indem das transparente isolierende Substrat 1, bevor es verkapselt wird, mit Licht bestrahlt wird, so dass das Ansteigen der Defekte, die bei der ursprünglich unstabilen Grenzfläche zwischen der organischen lichtemittierenden Schicht 4 und einer Kathode 5 auftreten, unterbunden werden können, wodurch der unstabile Zustand an der Grenzfläche in einen stabilen Zustand umgewandelt wird. Dies ermöglicht, dass die Charakteristik der organischen EL-Vorrichtung stabil ist, und als ein Ergebnis sinken die Ausfälle. Darüber hinaus können diese Ziele durch einfaches Bestrahlen mit Licht ausreichend erzielt werden.
Somit können gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel weitgehend die gleichen Effekte, wie sie beim ersten Ausführungsbeispiel erhalten worden sind, erzielt werden.
Drittes Ausführungsbeispiel
8 ist eine Tabelle, die Gleichrichtverhältnisse zeigt, welche erhalten werden, wenn die Bestrahlungszeit beim Bestrahlen mit Licht einer organischen EL-Vorrichtung, die durch ein Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt worden ist, verändert werden. Das Verfahren zum Herstellen der organischen EL-Vorrichtung gemäß des dritten Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von demjenigen des ersten Ausführungsbeispiels dadurch, dass Gleichrichtverhältnisse erzielt werden, wenn die Bestrahlungszeit innerhalb des Bereiches von 1 Minute bis 30 Minuten geändert werden, wobei die Bestrahlungswellenlänge λ und die Lichtmenge beim Bestrahlen mit Licht der organischen EL-Vorrichtung konstant gehalten werden.
Das heißt, beim dritten Ausführungsbeispiel ist die organische EL-Vorrichtung weitgehend mit den gleichen Vorgängen, wie beim ersten Ausführungsbeispiel und wie in der 1 gezeigt, hergestellt und die Lichtbestrahlung wird in einem Lichtbestrahlungsgerät wie in der 2 gemäß der vorstehend hergestellten organischen EL-Vorrichtung durchgeführt, und zwar unter Verwendung von Licht mit einer Bestrahlungswellenlänge λ gleich 400 nm und mit einer Lichtmenge von 0,1 μW/cm², indem die Bestrahlungszeit innerhalb eines Bereiches von 1 Minute bis 30 Minuten geändert wurde. Die Gleichrichtverhältnisse, die erzielt wurden, wenn die Bestrahlungszeit innerhalb eines Bereiches von 1 Minute bis 30 Minuten beim Bestrahlen mit Licht erzielt werden, sind in der 8 gezeigt. Darüber hinaus zeigt die 9 das Gleichrichtverhältnis, welches als ein Vergleichsbeispiel verwendet wird, welches erhalten worden ist, wenn die Bestrahlungszeit auf verschiedene Art und Weisen außerhalb des Bereiches von 1 Minute bis 30 Minuten geändert worden ist, und zwar beim Bestrahlen mit Licht der organischen EL-Vorrichtung, die durch weitgehend das gleiche Herstellungsverfahren wie beim dritten Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist.
In der 8 zeigt die Probe Nr. 1 in der Tabelle den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 1 Minute gesetzt war und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 1,2 × 10⁸ ist. Ähnlich zeigt die Probe Nr. 2 den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 3 Minuten gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 1,9 × 10⁸ ist, die Probe Nr. 3 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 5 Minuten gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 2,2 × 10⁸ ist, und die Probe Nr. 4 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 10 Minuten gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 3,6 × 10⁸ ist, die Probe Nr. 5 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 20 Minuten gesetzt ist und das erhaltene Gleichrichtverhältnis 2,8 × 10⁸ ist, und die Probe Nr. 6 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 30 Minuten gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 3,8 × 10⁸ ist. In jedem Fall ist das Gleichrichtverhältnis hoch.
Andererseits zeigt in der 9 die Probe Nr. 1 in der Tabelle den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 50 Minuten gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 3,2 × 10⁶ ist, die Probe Nr. 2 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 90 Minuten gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 8,2 × 10⁵ ist, die Probe Nr. 3 zeigt den Fall, bei dem die Bestrahlungszeit auf 120 Minuten gesetzt ist und das erzielte Gleichrichtverhältnis 4,2 × 10⁴ ist. Diese, in der 9 erzielten Gleichrichtverhältnisse sind merklich kleiner als die in der 8 erzielten, was zeigt, dass die Gleichrichtcharakteristika schlechter werden.
Wie aus den 8 und 9 zu ersehen ist, kann insbesondere durch Setzen der Bestrahlungszeit im Bereich von 1 Minute bis 30 Minuten ein größeres Gleichrichtverhältnis erzielt werden. Es ist denkbar, dass der Grund hierfür darin liegt, dass das Auftreten des Leckagestromes, das durch das Auftreten von Wärme beim Verkapselungsvorgang verhindert werden kann, wenn die Bestrahlungszeit im Bereich von 1 Minute bis 30 Minuten gesetzt ist. Wenn andererseits die Bestrahlungszeit außerhalb des Bereiches von 1 Minute bis 30 Minuten gesetzt ist, ist es unmöglich, das Gleichrichtverhältnis groß zu machen, da das Auftreten des Leckagestroms, verursacht durch die Hitze bei dem Verkapselungsvorgang, nicht verhindert werden kann.
Wie vorstehend beschrieben, ist der Grund dafür, warum die organische EL-Vorrichtung, die durch das Verfahren gemäß der dritten Ausführungsform hergestellt worden ist, eine ausgezeichnete Gleichrichteigenschaft zeigt, der, dass die Bestrahlungszeit innerhalb des Bereiches von 1 Minute bis 30 Minuten gesetzt ist, und ein transparentes isolierendes Substrat 1 vor dem Verkapseln mit Licht bestrahlt wird, so dass das Ansteigen der Defekte, an der ursprünglich unstabilen Grenzfläche zwischen organischer lichtemittierender Schicht 4 und Kathode 5 unterbunden werden kann, wodurch der unstabile Zustand an der Grenzfläche in einen stabilen umgewandelt wird. Dies ermöglicht, dass die Charakteristik der organischen EL-Vorrichtung stabil ist, und als ein Ergebnis sinken die Ausfälle. Darüber hinaus können diese Ziele durch einfaches Bestrahlen mit Licht ausreichend erzielt werden.
Somit können gemäß der dritten Ausführungsform die gleichen Wirkungen wie bei der ersten Ausführungsform erzielt werden.
Viertes Ausführungsbeispiel
Ein Verfahren zum Herstellen einer organischen EL-Vorrichtung gemäß eines vierten Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von demjenigen des ersten Ausführungsbeispiels dadurch, dass eine Gasatmosphäre zum Zeitpunkt des Bestrahlens mit Licht bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen in eine Atmosphäre aus einem Gasgemisch aus Stickstoff und Sauerstoff geändert wird. Das heißt, beim vierten Ausführungsbeispiel wird zum Durchführen des optischen Temperns durch Verwendung des Lichtbestrahlungsgerätes 10, das in der 2 der ersten Ausführungsform gezeigt worden ist, die Atmosphäre des Gasgemisches, in welchem Stickstoffgas und Sauerstoffgas so gemischt sind, dass das Kapazitätsverhältnis 2:1 ist, in einem Behälter 11 mit einem transparenten isolierenden Substrat 1 verwendet. Die übrigen Vorgänge sind weitgehend die gleichen wie die beim ersten Ausführungsbeispiel und ihre Beschreibung wird daher weggelassen.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel wird das optische Tempern durchgeführt, während das transparente isolierende Substrat 1 in der Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre gehalten wird, der Sauerstoff tritt in unstabile Defektteile, die an der Grenzfläche zwischen einem organischen lichtemittierenden Film und einer Kathode 5 existieren, ein, um eine Hilfswirkung zur Stabilisierung des Defektes durchzuführen. In der organischen EL-Vorrichtung, die durch das Verfahren hergestellt worden ist, welches bei der vierten Ausführungsform angewandt worden ist, wird zum Zeitpunkt, da eine Spannung in umgekehrter Richtung angelegt ist, kein Strom in umgekehrter Richtung beobachtet, und als ein Ergebnis kann ein Gleichrichtverhältnis von 5,5 × 10⁹ erzielt werden.
Somit können gemäß der vierten gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel die gleichen Wirkungen wie bei der ersten Ausführungsform erzielt werden.
Zusätzlich und gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ist es durch Durchführen des optischen Temperns in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre möglich, die Defekte zu stabilisieren, die an der Grenzfläche zwischen der organischen lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathode 5 existieren.
Aus der vorliegenden Erfindung ist es klar zu ersehen, dass diese nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen begrenzt ist, sondern ohne Abweichen vom Schutzumfang und Geist der Erfindung geändert und modifiziert werden kann. Beispielsweise ist bei der vorstehenden Ausführungsform ITO als eine Anode verwendet, die auf dem transparenten isolierenden Substrat 1 ausgebildet ist. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf ITO begrenzt, solange als es ein transparentes leitfähiges Material ist, das heißt beispielsweise können andere Materialien für Elektroden, wie beispielsweise SnO₂ (Zinnoxid) verwendet werden. Als Kathode 5 können nicht nur Al-Li-Legierungen, sondern auch andere Materialien für die Elektrode, wie beispielsweise Al, MgAg oder dergleichen, verwendet werden. Als Lochtransportmaterial kann zusätzlich zu α-NPD beispielsweise bis(di(p-Tolyl)-Aminophenyl)-1, 1-Cyclohexan, N-N'-Diphenyl-N, N'-bis(3-Methylphenyl)-1, 1'-Biphenyl-4,4'-Diamin, N,N'-Diphenyl-N,N-bis-(1-Naphthyl)(1,1'-Biphenyl)-4, 4'-Diamin, Moleküle vom Sternbündeltyp (star-burst) oder dergleichen verwendet werden.
Darüber hinaus sind bei den vorstehenden Ausführungsbeispielen die Hauptkomponenten der organischen EL-Vorrichtungen die Anode, die Lochtransportschicht, die organische lichtemittierende Schicht und die Kathode. Die Hauptkomponenten können jedoch auch die Anode, die organische lichtemittierende Schicht und die Kathode haben; die Anode, die Lochtransportschicht, die organische lichtemittierende Schicht, die Elektronen-Transportschicht und die Kathode aufweisen; die Anode, die organische lichtemittierende Schicht, die Elektronen-Transportschicht und die Kathode aufweisen. Solange sie die organische lichtemittierende Schicht enthält, kann irgendeine organische Schicht verwendet werden.

Claims

Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung durch Bereitstellen eines Substrats (1), Aufbringen einer Anode (2), einer organischen Schicht (4), einer Kathode (5) und einer Verkapselung unter Verwendung einer Abdeckung (7), wobei die organische Schicht (4) mindestens eine organische, lichtemittierende Schicht enthält, wobei die organische Schicht (4) und die Kathode (5) innerhalb eines Vakuumverdampfers (20) ausgebildet werden, wobei die organische Elektrolumineszenzvorrichtung nachfolgend in einen eine Xenonlampe (17) aufweisenden Behälter (11) eines Lichtbestrahlungsgerätes (10) eingesetzt wird und die Elektrolumineszenzvorrichtung vor dem Ausbilden der Verkapselung mittels der Xenonlampe (17) mit einer Bestrahlungsstärke im Bereich von 0,1 bis 1000 μW/cm² bestrahlt wird, wobei die Bestrahlungszeit zwischen 1 Minute und 30 Minuten beträgt, und wobei nachfolgend die Verkapselung auf dem Substrat (1) der Elektrolumineszenzvorrichtung mittels der Abdeckung (7) und eines UV-aushärtbaren Gießharzes ausgebildet wird, wobei das Gießharz mit UV-Licht bestrahlt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung mittels der Xenonlampe (17) in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre vorgenommen wird.