JP2825756B2

JP2825756B2 - 薄膜ｅｌ素子の製造方法および製造装置

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Publication number: JP2825756B2
Application number: JP6115657A
Authority: JP
Inventors: 康一田中; 勝吉田
Original assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Current assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date: 1994-05-27
Filing date: 1994-05-27
Publication date: 1998-11-18
Anticipated expiration: 2013-11-18
Also published as: US5614133A; JPH07320873A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、交流電界を印加するこ
とによって生じるエレクトロルミネセンス（電界発光）
現象を利用した薄膜ＥＬ素子の製造方法に関し、特に薄
膜ＥＬ素子の輝度を向上するためのアニール処理の方法
に関し、また前記アニール処理を施す薄膜ＥＬ素子の製
造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜ＥＬ（エレクトロルミネセント）素
子は、完全固体で自発光型の薄型平面表示デバイスとし
ての利用が可能であり、また液晶表示デバイスと比較し
てコントラストおよび視認性の高い優れた表示特性が得
られることから、実用化に向けての研究、開発が幅広く
行われている。たとえば、カラー表示を実現するための
研究、開発が行われている。また、白黒表示が可能な薄
膜ＥＬ素子は、ＦＡ（ファクトリーオートメーション）
用あるいはＯＡ（オフィスオートメーション）用機器の
表示手段として好適に用いられている。

【０００３】現在実用化に向けての研究、開発が進めら
れている薄膜ＥＬ素子の一例として、二重絶縁層構造の
薄膜ＥＬ素子が挙げられる。当該素子は、たとえばガラ
スで実現される透光性基板の一方表面に、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）などの透明電極で実現される下部電
極、下部絶縁層、ＥＬ発光層、上部絶縁層、およびＡｌ
（アルミニウム）などで実現される上部電極をこの順に
積層して構成される。

【０００４】前記ＥＬ発光層は、母材と当該母材中に添
加される発光中心とを含んで構成される。前記下部およ
び上部電極間に交流電圧を印加することによって、自由
電子が発光中心に衝突し、発光中心が励起される。励起
状態の発光中心が安定なエネルギー準位（基底状態）に
戻る際にエレクトロルミネセンス現象が生じる。このた
め前記電極間に印加する交流電圧を制御することによっ
て、発光／非発光状態を組合わせた表示画像を得ること
ができる。

【０００５】図１９は、従来の薄膜ＥＬ素子の製造時に
用いられるアニール装置１の概略的構成を示す断面図で
ある。前述した薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光層は、一般に電
子ビーム蒸着法、スパッタリング法、あるいはＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて作成さ
れる。ＥＬ発光層は、当該ＥＬ発光層とは材料の異なる
下部絶縁層上に形成されるので、母材の結晶性が比較的
悪くなり、母材中に非輻射中心が形成されたり、母材結
晶中の結晶場が乱れることとなる。また、発光中心の前
記母材中での分布が均一ではなく、発光中心の密度の高
い領域と低い領域とが存在して、前記密度の高い領域が
母材結晶中の結晶場を乱すこととなる。このため、高密
度領域では発光中心を励起するための電子の走行が妨げ
られるとともに、低密度領域では前記電子が発光中心と
出合う回数が少なくなって、励起効率が低下して発光輝
度が低下する。特に、発光中心の密度の高い領域で発光
輝度が低下する。

【０００６】このような発光輝度の低下を防止するため
に、前記方法で作成されたＥＬ発光層に対するアニール
処理が施される。図示される従来のアニール装置１は、
処理対象である複数の薄膜ＥＬ素子２を保持するステー
ジ３と、ステージ３が固定される基台４と、前記基台４
のステージ３が固定された表面に載置されて、ステージ
３と当該ステージ３に保持される複数の薄膜ＥＬ素子２
とが配置される空間５を形成するハウジング６と、前記
空間５内を加熱するヒータ７と、前記空間５内を減圧す
るためのポンプ８とを含んで構成される。

【０００７】図２０は、前記アニール装置１を用いた従
来のアニール処理の手順を示す工程図である。工程ｃ１
では、基台４に固定されたステージ３に複数の薄膜ＥＬ
素子２が保持されて、ハウジング６が基台４上に載置さ
れる。工程ｃ２では、ステージ３および複数の薄膜ＥＬ
素子２が配置される空間５内が、たとえば油拡散ポンプ
および油回転ポンプで実現されるポンプ８によって、減
圧される。たとえば、１０^-4Ｐａ以下の真空度まで減圧
される。

【０００８】工程ｃ３では、ヒータ７によって、前記空
間５内が加熱される。たとえば、１０℃／分〜２０℃／
分の範囲に選ばれる昇温速度で、６００℃まで加熱され
る。これによって、空間５内に配置される複数の薄膜Ｅ
Ｌ素子２が加熱される。工程ｃ４では、所定の温度に到
達すると、当該温度で、たとえば１時間〜２時間保持さ
れる。この間、ヒータ７によって断続的に空間５内が加
熱される。これによって、前記複数の薄膜ＥＬ素子２が
所定の温度に保持される。工程ｃ５では、空間５内が冷
却される。たとえば、ヒータ７による加熱を停止し、そ
のまま放置して自然冷却される。これによって、前記複
数の薄膜ＥＬ素子２が冷却される。

【０００９】このようなアニール処理を施すことによっ
て、母材分子が再配列して結晶性が改善される。また、
発光中心が母材中に拡散して、母材中での分布の均一性
が向上する。母材の結晶性が改善されるので、非輻射中
心が少なくなり、また母材結晶中の結晶場の乱れが少な
くなる。これによって、発光中心を励起する自由電子の
走行がより自由になる。また、発光中心の分布がより均
一になるので、母材結晶中の結晶場を乱す発光中心の密
度の高い領域は少なくなる。これによって、前記自由電
子が発光中心に出合う回数が増す。したがって、発光中
心の励起効率が向上して発光輝度が向上する。このよう
な効果が得られるアニール処理は、優れた発光特性を得
るために薄膜ＥＬ素子の製造プロセスにおいて不可欠な
ものである。また、一般に高い温度で処理するほど高い
発光輝度が得られる。

【００１０】上述したようなアニール処理は、たとえば
特公昭５２−１０３５８号公報に開示されている。ま
た、特開平３−１４１５８４号公報には、下部絶縁層上
にＳｉ層を形成し、当該Ｓｉ層上にＥＬ発光層を形成す
る例が開示されている。前記Ｓｉ層は、Ｓｉを堆積した
後にアニール処理されて結晶性の改善が図られる。結晶
性の高いＳｉ層上に形成されるＥＬ発光層は、結晶性の
優れたものとなる。このアニール処理には、レーザ光や
電子線が使用される。

【００１１】さらに、特開平５−１５９８７８号公報に
は、まず発光中心の吸収波長帯域を含む光を照射して加
熱し、次に母材の吸収波長帯域を含む光を照射して加熱
することによって、アニール処理を行う例が開示されて
いる。照射される光としては、レーザ光が使用され、波
長帯域は１００ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲に選ばれる。ま
たさらに、特開平５−２５１１８２号公報には、不活性
ガス雰囲気中でアニール処理する例が開示されている。

【００１２】上述の開示例は、薄膜ＥＬ素子に対するア
ニール処理に関するものであるけれども、ガラス基板上
に形成されたシリコン薄膜に対するアニール処理の例
が、特開平２−２７５６２２号公報に開示されている。
該公報によれば、ガラス基板の吸収波長成分を除去した
光をシリコン薄膜に照射して加熱することによって、シ
リコン薄膜が短時間で処理することができ、かつガラス
基板の熱による変形がなくなる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】前述した特公昭５２−
１０３５８号公報および特開平５−２５１１８２号公報
の例では、減圧のための時間、加熱のための時間、保持
時間および冷却のための時間が必要であり、また各時間
が長くなる。このため、アニール処理時間が長いことに
よって、薄膜ＥＬ素子の生産性が低下する。

【００１４】また、特開平３−１４１５８４号公報の例
では、Ｓｉ層を形成し、当該Ｓｉ層に対するアニール処
理を行った後、ＥＬ発光層が形成されるので、Ｓｉ層を
形成する工程を設けなければならない。また、照射領域
が微小なレーザ光や電子線が使用されるので、ＥＬ発光
層が大面積であったときには、アニール処理に時間がか
かり、薄膜ＥＬ素子の生産性が低下する。

【００１５】さらに、特開平５−１５９８７８号公報の
例では、２段階のアニール処理が必要であり、またレー
ザ光が使用されるので、前述したのと同様に薄膜ＥＬ素
子の生産性が低下する。

【００１６】またさらに、特開平２−２７５６２２号公
報の例は、ガラス基板上に形成されたシリコン薄膜に対
するアニール処理の例であり、薄膜ＥＬ素子に対するも
のではないけれども、薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光層は、ガ
ラスなどで実現される透光性基板上に形成され、該透光
性基板とともにアニール処理される。このため、高い温
度に長時間保持すると、透光性基板が変形する恐れがあ
る。

【００１７】本発明の目的は、アニール処理時間が短
く、生産性の優れた薄膜ＥＬ素子の製造方法および製造
装置を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも１
つのＥＬ発光層と、前記ＥＬ発光層に電界を印加するた
めの電極とを含む薄膜ＥＬ素子の製造方法において、母
材と当該母材中に添加される発光中心とを含んで成る前
記ＥＬ発光層を加熱して、前記母材の結晶性を向上する
とともに前記発光中心の母材への分布を均一にするアニ
ール処理を、前記電極を構成する電極材料の吸収波長帯
域を含む光を照射することによって行うことを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子の製造方法である。

【００１９】また本発明は、前記電極材料としてインジ
ウム錫酸化物が選ばれ、前記光として１．１μｍ〜１．
５μｍの波長帯域にピーク波長を有する光が選ばれるこ
とを特徴とする。

【００２０】また本発明は、前記アニール処理時の昇温
速度は、２００℃／分以上６００℃／分以下の範囲に選
ばれることを特徴とする。

【００２１】また本発明は、前記アニール処理時の昇温
速度は、４００℃／分以上５００℃／分以下の範囲に選
ばれることを特徴とする。

【００２２】また本発明は、前記ＥＬ発光層が所定の温
度に到達した直後に光照射を停止することを特徴とす
る。

【００２３】また本発明は、不活性ガス雰囲気中で光を
照射することを特徴とする。

【００２４】また本発明は、少なくとも１つのＥＬ発光
層と、前記ＥＬ発光層に電界を印加するための電極とが
形成された処理用基板を、所定の保持面に載置して保持
する保持手段と、前記電極を構成する電極材料の吸収波
長帯域を含む光を、前記保持面に載置された処理用基板
に向けて照射する光照射手段とを含むことを特徴とする
薄膜ＥＬ素子の製造装置である。

【００２５】また本発明は、前記光照射手段による光の
照射領域は、前記保持面に載置された処理用基板の表面
の大きさにほぼ等しく、またはより大きく選ばれること
を特徴とする。

【００２６】また本発明は、前記光照射手段による光の
照射領域は、前記保持面に載置された処理用基板の表面
の大きさよりも小さく選ばれ、前記保持手段および前記
光照射手段のうち少なくともいずれか一方を移動させる
ことによって、処理用基板の全面に、前記光照射手段か
らの光を照射することを特徴とする。

【００２７】

【作用】本発明に従えば、薄膜ＥＬ素子は、少なくとも
１つのＥＬ発光層と、前記ＥＬ発光層に電界を印加する
電極とを含み、前記ＥＬ発光層は、母材と、当該母材中
に添加される発光中心とを含んで成る。このような薄膜
ＥＬ素子は、前記ＥＬ発光層を加熱して、前記母材の結
晶性を向上するとともに前記発光中心の母材への分布を
均一にするアニール処理が施される。本発明では前記ア
ニール処理は、前記電極を構成する電極材料の吸収波長
帯域を含む光を照射することによって行われる。照射さ
れた光は、電極によって吸収され、熱エネルギーとして
蓄積される。電極に熱が蓄積されてＥＬ発光層からの放
熱が少なくなるので、ＥＬ発光層が効率良く加熱され
る。したがって、アニール処理に要する時間を短くする
ことができる。また、アニール処理されるべき基板が配
置された空間を加熱する従来技術と同じ設定温度となる
ように光を照射しても、従来技術よりもＥＬ発光層が高
温になるので、発光輝度の高い素子を得ることが可能と
なる。さらに、前記ＥＬ発光層と電極とが形成される透
光性基板の変形が生じる限界温度以下でアニール処理を
施しても、高い発光輝度を有する薄膜ＥＬ素子を得るこ
とができる。

【００２８】また本発明に従えば、前記電極材料として
はインジウム錫酸化物が選ばれ、前記光としては１．１
μｍ〜１．５μｍの波長帯域にピーク波長を有するもの
が選ばれる。これによって、前述したような効果が得ら
れることが確認された。

【００２９】また本発明に従えば、前記アニール処理時
の昇温速度は、２００℃／分以上６００℃／分以下の範
囲に選ばれる。昇温速度が２００℃／分以上では、発光
輝度が１０％以上改善することが認められた。また、昇
温速度が６００℃／分以下では、温度制御が比較的容易
である。

【００３０】また好ましくは、前記昇温速度は、４００
℃／分以上５００℃／分以下の範囲に選ばれる。４００
℃／分以上では、発光輝度がさらに向上するとともに、
アニール処理の時間がさらに短縮されて、薄膜ＥＬ素子
の生産性が向上する。また、５００℃／分以下では、さ
らに温度制御が容易となる。

【００３１】また本発明に従えば、ＥＬ発光層が所定の
温度に到達した直後に光照射が停止される。これによっ
ても、上述したような効果が得られることが確認され
た。したがって、従来技術のように設定温度で一定時間
保持する必要はなく、さらに生産性が向上する。

【００３２】また本発明に従えば、光照射は不活性ガス
雰囲気中で行われる。また好ましくは、不活性ガスとし
て、Ｎ₂ 、Ａｒ、Ｈｅのうちのいずれか１つ、または少
なくともいずれか２つの混合物が選ばれる。不活性ガス
中でアニール処理を行うことによって、比較的高い温度
に加熱した場合にＥＬ発光層が受ける酸素の影響をなく
すことができ、発光むらをなくすことが可能となる。本
発明のように不活性ガス雰囲気中でアニール処理を行う
ことは、高価な真空排気装置を必要とせず、従来技術と
比較して安価にアニール処理を行うことができる。

【００３３】また本発明に従えば、薄膜ＥＬ素子の製造
装置は、アニール処理されるべき処理用基板を保持する
保持手段と、前記保持手段に保持された処理用基板に光
を照射する光照射手段とを備える。前記処理用基板と
は、少なくとも１つのＥＬ発光層と、前記ＥＬ発光層に
電界を印加するための電極とが形成された基板である。
前記光照射手段は、たとえば、前記保持面に平行な平面
内であって、保持手段に保持された処理用基板表面のほ
ぼ全面に対向する領域に、互いに等間隔に配置される複
数の光源と、前記保持手段の保持面に前記光源からの光
を反射する反射板とを含み、前記光源から光を照射する
ことによってＥＬ発光層が加熱される。このような製造
装置を用いてＥＬ発光層をアニール処理することは、Ｅ
Ｌ発光層が大面積であっても均一に、かつ一括してアニ
ール処理することができる。

【００３４】なお、前記光照射手段による光照射領域と
は、前記光源から所定の距離の全光照射領域内であっ
て、光強度が所定の強さ以上である有効光照射領域のこ
とをいい、該有効光照射領域は、前記保持手段の保持面
に載置された処理用基板の表面の大きさにほぼ等しく選
ばれる。

【００３５】また好ましくは、前記有効光照射領域は、
前記保持手段の保持面に載置された処理用基板の表面の
大きさよりも大きく選ばれる。前記有効光照射領域の周
縁部分は中心付近よりも放熱量が多いので、周縁部分の
温度が低くなる。前述したように有効光照射領域の大き
さを選ぶことによって、ＥＬ発光層をより均一に加熱す
ることができる。

【００３６】また本発明に従えば、薄膜ＥＬ素子の製造
装置は、前記保持手段と、前記光照射手段と、前記保持
手段を、当該保持手段が配置された平面内で移動させる
駆動手段とを備える。前記光照射手段は、前記保持面に
平行な平面内に設けられる光源と、前記光源からの光を
前記保持手段の保持面に向けて集光して反射する反射板
とを含む。前記保持手段に処理用基板を保持し、光源か
らの光を照射するとともに、前記駆動手段によって前記
保持手段を移動させて、当該保持手段に保持された処理
用基板のほぼ全面に光を照射することによってアニール
処理が施される。

【００３７】また本発明に従えば、薄膜ＥＬ素子の製造
装置は、前記保持手段と、前記光照射手段と、前記光照
射手段を、当該光照射手段が配置された平面内で移動さ
せる駆動手段とを備える。前記光照射手段は、前記光源
と、前記反射板とを含む。前記保持手段に処理用基板を
保持し、光源からの光を照射するとともに、前記駆動手
段によって前記光照射手段を移動させ、前記保持手段に
保持された処理用基板のほぼ全面に光を照射することに
よってアニール処理が施される。

【００３８】このような製造装置を用いてアニール処理
を行うと、光を集光するため、光照射部分の温度が比較
的速く上昇する。また、比較的高温となる。保持手段あ
るいは光照射手段を移動させる駆動手段が設けられるの
で、アニール処理される処理用基板のほぼ全面を加熱す
ることができる。

【００３９】

【実施例】図１は、本発明の一実施例である薄膜ＥＬ素
子の製造方法に基づいて作成された薄膜ＥＬ素子１１の
構成を示す断面図である。薄膜ＥＬ素子１１は、透光性
基板１２、下部電極１３、下部絶縁層１４、ＥＬ発光層
１５、上部絶縁層１６および上部電極１７を含んで構成
される。

【００４０】たとえばガラスで実現され、１０ｃｍ×８
ｃｍの大きさに選ばれる透光性基板１２の一方表面１２
ａには、互いに平行な複数の帯状の下部電極１３が積層
される。下部電極１３は、たとえばＩＴＯで実現され
る。透光性基板１２の一方表面１２ａには、前記下部電
極１３を覆って下部絶縁層１４が積層される。下部絶縁
層１４は、たとえばＳｉＯ₂、ＳｉＮ_x、Ｔａ₂Ｏ₅、また
はＳｒＴｉＯ₃ などで実現される。下部絶縁層１４上の
所定の領域には、たとえばＺｎＳで実現される母材中に
Ｍｎで実現される発光中心を添加したＥＬ発光層１５が
積層される。前記所定の領域とは、薄膜ＥＬ素子１１の
表示画面に対応した領域である。下部絶縁層１４上に
は、前記ＥＬ発光層１５を覆って上部絶縁層１６が積層
される。上部絶縁層１６は、たとえば前記下部絶縁層１
４と同様の材料で実現される。上部絶縁層１６上には、
前記下部電極１３と直交する方向に、複数の帯状の上部
電極１７が積層される。上部電極１７は、たとえばＡｌ
で実現される。

【００４１】このような薄膜ＥＬ素子１１は、下部およ
び上部電極１３，１７間に交流電圧を印加することによ
って表示が行われる。すなわち、閾値電圧以上の交流電
圧を印加すると、前記電極１３，１７間のＥＬ発光層１
５が発光し、閾値電圧に満たない交流電圧を印加する
と、前記電極１３，１７間のＥＬ発光層１５は発光しな
い。したがって、印加電圧を制御することによって、発
光／非発光状態の組合わせによる表示を実現することが
できる。本実施例の構成では、マトリクス表示を実現す
ることができる。

【００４２】図２は、前記薄膜ＥＬ素子１１の形成方法
を示す工程図であり、図３はその手順を段階的に示す断
面図である。工程ａ１では、図３（１）に示されるよう
に、透光性基板１２の一方表面１２ａに下部電極１３が
形成される。下部電極１３は、まず前記表面１２ａの全
面に下部電極材料を、たとえばスパッタリング法、電子
ビーム蒸着法またはスプレー法などによって１５０ｎｍ
〜３００ｎｍの範囲で選ばれる膜厚に成膜し、次に成膜
された下部電極材料を前述した形状にフォトエッチング
法によってパターン形成して作成される。工程ａ２で
は、図３（２）に示されるように透光性基板１２の一方
表面１２ａ上に、前記下部電極１３を覆って下部絶縁層
１４が形成される。下部絶縁層１４は、たとえばスパッ
タリング法によって、２００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で
選ばれる膜厚に形成される。

【００４３】工程ａ３では、図３（３）に示されるよう
に、下部絶縁層１４上の所定の領域に、ＥＬ発光層１５
が形成される。ＥＬ発光層１５は、たとえば電子ビーム
蒸着法によって作成される。たとえば、ＺｎＳに０．３
ｗｔ％〜０．６ｗｔ％のＭｎを添加した材料から成るペ
レットを作成し、該ペレットを蒸発源とし、蒸着される
べき基板を２００℃〜３００℃に保持して、５００ｎｍ
〜１０００ｎｍの範囲で選ばれる膜厚に成膜される。

【００４４】工程ａ４では、図３（４）に示されるよう
に、下部絶縁層１４上に前記ＥＬ発光層１５を覆って上
部絶縁層１６が形成される。上部絶縁層１６は、たとえ
ば前記下部絶縁層１４と同様にして形成される。工程ａ
５では、図３（５）に示されるように上部絶縁層１６上
に上部電極１７が形成される。上部電極１７は、たとえ
ば前記下部電極１３と同様にして、上部絶縁層１６の表
面の全面に、上部電極材料を成膜した後、パターン形成
することによって作成される。

【００４５】本発明において注目すべきは、前記ＥＬ発
光層１５に対して施されるアニール処理が、後述するア
ニール装置２１を用いた方法によって実施されることで
あり、このアニール処理は、ＥＬ発光層１５が形成され
た後に施される。すなわち、図３（３）〜図３（５）に
示される３種類の基板１１ａ〜１１ｃのうちのいずれか
１つがアニール処理用基板である。

【００４６】ＥＬ発光層１５に対して施されるアニール
処理とは、ＥＬ発光層１５を加熱して、母材の結晶性を
向上するとともに、発光中心の母材への分布を均一にす
る処理である。このようなアニール処理によって、ＥＬ
発光層１５以外の構成部材に、たとえば加熱による変形
が生じることは、好ましいことではない。たとえば、本
実施例のように上部電極１７としてＡｌを用いた場合、
後述するアニール処理によってＡｌが溶融してしてしま
い上部電極１７が変形する恐れがある。このため、本実
施例の場合には、基板１１ａまたは基板１１ｂをアニー
ル処理用基板とするのが好ましい。なお、上部電極１７
として、たとえばＩＴＯを用いた場合、ＩＴＯは前記Ａ
ｌと比べて溶融しにくいので、基板１１ｃをアニール処
理用基板とすることが可能である。以下では、基板１１
ｂをアニール処理用基板とした例について説明する。

【００４７】図４は、前記薄膜ＥＬ素子１１を作成する
ための製造装置であるアニール装置２１の概略的構成を
示す断面図である。図５は、光照射手段２９の光照射面
を示す平面図であり、図６は図４とは直交する方向で切
断したときの光源２３および反射板２４を示す断面図で
ある。アニール装置２１は、ステージ２２、ハウジング
２７および光照射手段２９を含んで構成される。ステー
ジ２２の表面２２ａ上にはアニール処理用基板１１ｂが
載置される。ステージ２２の表面２２ａに対向する上方
には光照射手段２９が設けられる。

【００４８】光照射手段２９は、複数の光源２３、反射
板２４、一対の電極２５および電源２６を含んで構成さ
れる。複数（本実施例では５）の光源２３は、図５に示
されるように棒状であり、ステージ２２の基板１１ｂが
載置される表面２２ａに平行な平面内であって、前記ス
テージ２２上に載置された基板１１ｂの表面のほぼ全面
に対向する領域に、互いに等間隔に配置される。このよ
うな光源２３は、前記下部電極１３の電極材料であるＩ
ＴＯの吸収波長帯域を含む光を照射するもので実現さ
れ、本実施例では、石英ガラス製の管の中にタングステ
ンフィラメントを封じ込んだ赤外線ランプ（真空理工株
式会社製、型式Ｐｓｓ６８Ｖ）を用いた。

【００４９】ＩＴＯの透過および反射スペクトルは、J.
Electrochem.Soc.:SOLID-STATESCIENCE AND TECHNOLOG
Y,VOL.119,No.10,(October 1972),pp.1368〜1374,“Hig
hly Conductive,Transparent Films of Sputtered In(2
-x)Sn(x)O(3-y)”に示されてあり、このスペクトルから
各波長における吸収率を算出すると、表１のようにな
る。

【００５０】

【表１】

【００５１】前記文献に記載の透過スペクトルに基づく
透過率（実測値）をＡとすると、反射率（計算値）Ｂは
Ｂ＝１００−Ａで求められる。また、前記文献に記載の
反射スペクトルに基づく反射率（実測値）をＣとする
と、吸収率ＤはＤ＝Ｂ−Ｃで求められる。このようにし
て算出される吸収率Ｄから、ＩＴＯは１．２μｍ程度の
波長帯域において３０％〜４０％の赤外光を吸収するこ
とがわかる。前記赤外線ランプからの照射光は赤外領域
であって１．１５μｍの波長にピークを有する発光スペ
クトルを示し、投入電力を調整することによってピーク
を長波長側にシフトすることができる。なお、前記文献
に記載されている赤外光の吸収率は、ＩＴＯの材質、形
成方法などによって異なるものと思われる。

【００５２】反射板２４は、前記光源２３からの光をス
テージ２２上に載置される基板１１ｂの表面に向けて反
射するものであり、複数（本実施例では５）の凹所２４
ａを有する。凹所２４ａは、図４および図６に示される
ように凹所２４ａの長手方向とは直交する方向における
断面形状は放物線状であり、前記長手方向に沿った方向
における断面形状は矩形状である。前記複数の光源２３
は複数の凹所２４ａに沿ってそれぞれ配置される。前記
凹所２４ａの形状を最適化することによって、光源２３
からの光がステージ２２上に載置される基板１１ｂの表
面に均一に照射される。

【００５３】光源２３の数、長さおよび間隔、反射板２
４の凹所２４ａの数、長さおよび間隔、光源２３と基板
１１ｂの表面との距離を選ぶことによって、全ての光源
２３から光を照射した際の光照射面積を選ぶことができ
る。前記光照射面積とは、光源２３から所定の距離の全
光照射面積内であって、光強度が所定の強さ以上である
有効光照射面積のことである。本実施例では前記光照射
面積を透光性基板１２の面積よりも大きい２０ｃｍ×１
２ｃｍとした。光照射面積内における周辺部分の温度
は、中心付近よりも周辺部分の方が放熱量が多いために
低くなっている。このように光照射面積を透光性基板１
２の面積よりも大きくすることによって、より均一にＥ
Ｌ発光層１５をアニール処理することができる。なお、
前記光源２３が配置された平面と、基板１１ｂの表面と
の距離Ｌを１０ｃｍとした。これは、たとえばステージ
２２を上下方向に移動させることによって、あるいは光
照射手段２９を上下方向に移動させることによって選ば
れる。

【００５４】前記光源２３には、一対の電極２５を介し
て電源２６からの電源電圧が供給される。これによっ
て、光源２３から光が照射される。基板１１ｂが載置さ
れるステージ２２と、前記光照射手段２９を構成する光
源２３、反射板２４および電極２５は、ハウジング２７
内に配置される。また、熱電対２８によって基板１１ｂ
の透光性基板１２の一方表面１２ａとは反対側の他方表
面１２ｂにおける温度が測定される。

【００５５】図７は、アニール処理の手順を示す工程図
である。工程ｂ１では、ステージ２２上に基板１１ｂが
載置される。このとき、前記距離Ｌが１０ｃｍに設定さ
れる。工程ｂ２では、電源２６からの電源電圧が印加さ
れて、基板１１ｂに向けての光照射が開始される。基板
１１ｂの光照射された領域は、加熱される。このとき、
前記熱電対２８からの測定結果が、１００℃／分以上６
００℃／分以下の範囲の昇温速度となるように、光源２
３への印加電圧が調整される。

【００５６】本実施例では、３ｋｗの投入電力で２００
℃／分の昇温速度となり、５ｋｗの投入電力で３００℃
／分の昇温速度となり、１０ｋｗの投入電力で４００℃
／分の昇温速度となった。この光照射によって所定の設
定温度まで基板１１ｂが加熱される。なお、所定の温度
に達したかどうかは、前記熱電対２８からの測定結果に
よって判断される。

【００５７】工程ｂ３では、電源２６からの電源電圧が
遮断されて、光照射が停止される。これによって、基板
１１ｂが冷却される。

【００５８】図８は、アニール処理時の設定温度と、当
該温度でアニール処理を行ったＥＬ発光層１５のＸ線回
折強度との関係を示すグラフである。アニール処理時の
昇温速度は４００℃／分とし、Ｘ線回折強度としては
（１１１）面の回折強度値を選んで示した。破線３１
は、本実施例のアニール処理を施した場合の結果を示
し、実線３２は比較例である従来技術のアニール処理を
行った場合の結果を示す。従来技術のアニール処理と
は、真空雰囲気中で設定温度まで加熱した後、各設定温
度で１時間保持し、自然冷却する方法である。

【００５９】図８から、検討した設定温度において、本
実施例のアニール処理を施したＥＬ発光層１５の方が全
てＸ線回折強度が強く、このことから結晶性がより高い
ことがわかる。また、比較的低い設定温度で、結晶性の
改善効果が大きいことがわかる。これは、測定される温
度が透光性基板１２の他方表面１２ｂ側からであり、実
際にＥＬ発光層１５の温度を測定したものではないこと
から、実際にはＥＬ発光層１５の温度が測定される値よ
りも高くなっているものと考えられる。

【００６０】図９は、アニール処理時の設定温度と、作
成された薄膜ＥＬ素子１１の発光輝度との関係を示すグ
ラフである。昇温速度は、前述したのと同様に４００℃
／分とした。発光輝度の測定は前記電極１３，１７間に
１００Ｈｚの交流電圧を印加したときのものである。破
線３３は本実施例のアニール処理を施した場合の結果を
示し、実線３４は比較例である従来技術のアニール処理
を行った場合の結果を示す。なお、以下の表２は、図９
のグラフで示される結果を、数値で表したものである。

【００６１】

【表２】

【００６２】図９および表２から、本実施例のアニール
処理を施した薄膜ＥＬ素子１１の方が、発光輝度が高い
ことがわかる。輝度が約２０％向上していることがわか
る。このことから、従来と同じ発光輝度を得るために
は、アニール処理時の設定温度を低くすることができ、
したがって、従来技術では歪みが生じにくく、温度が高
く、高温処理にも耐え得る、たとえばノンアルカリガラ
スなどの高価なガラス基板を透光性基板１２として用い
ていたけれども、本実施例のようなアニール処理を行う
ことによって、比較的歪みが生じやすい安価なソーダガ
ラスなどを用いることも可能となり、薄膜ＥＬ素子１１
の製造コストの低減を図ることが可能となる。図９か
ら、たとえば設定温度を４００℃とした本実施例のアニ
ール処理を行うと、従来技術の設定温度を６００℃とし
たアニール処理を行ったときと同レベルの発光輝度が得
られることがわかる。

【００６３】図１０は、昇温温度と発光輝度改善率との
関係を示すグラフである。アニール処理時の昇温速度
を、１分当たり１００℃、２００℃、３００℃、４００
℃、５００℃および６００℃として薄膜ＥＬ素子１１を
作成し、各素子の発光輝度を評価した。設定温度は４０
０℃とした。また、発光輝度は従来技術のアニール処理
を行った薄膜ＥＬ素子の発光輝度を１として、当該発光
輝度に対する比率で、発光輝度改善率として表してい
る。

【００６４】図１０から、全ての昇温速度において従来
技術よりも発光輝度が高いことがわかる。また、昇温速
度が速い方が輝度の改善効果が優れていることがわか
る。これは、昇温速度が比較的速いと、熱電対の測定精
度が低いことによって、測定結果が温度上昇に追随でき
ず、ＥＬ発光層１５の実際の温度と熱電対２８で測定し
た温度との差が大きくなるためと考えられる。また、昇
温速度が比較的遅いと、ＥＬ発光層１５の実際の温度と
熱電対２８で測定した温度との差が小さくなるととも
に、従来技術とほぼ同様の温度となって、同程度の発光
輝度となったものと考えられる。

【００６５】図１１は、アニール処理に要する時間を、
本実施例と従来技術とで比較して示すグラフである。横
軸は時間を示しており、縦軸は温度を示している。実線
３５は本実施例によるアニール処理を行った場合を示し
ており、実線３６は従来技術によるアニール処理を行っ
た場合を示している。本実施例では、所定の設定温度Ｋ
に加熱した後、直ちに冷却する。たとえば、設定温度Ｋ
＝６３０℃とすると、昇温時間Ｔ１が１．５分、降温時
間Ｔ２が３．５分となり、全アニール処理時間Ｔは５分
となる。一方、従来技術では、所定の設定温度Ｋに加熱
して、一定時間保持した後冷却する。たとえば、昇温時
間ｔ１が１時間、保持時間ｔ２が１．５時間、降温時間
ｔ３が４．５時間となり、全アニール処理時間ｔは７時
間となる。

【００６６】ここで、従来技術で、１回のアニール処理
での処理枚数を、たとえば６０枚とすると、１分当たり
０．１４３枚処理できることとなる。また、本実施例で
は１枚の処理に５分かかるので、１分当たり０．２枚処
理できることとなる。このことから、従来技術に比べ
て、処理効率が１．４倍となることがわかる。

【００６７】なお、本実施例のアニール処理は、アニー
ル装置の光照射面積を拡大することによって、さらに処
理効率を向上させることができ、たとえば同時に５枚の
アニール処理を可能とすれば、１分当たり１枚処理でき
ることとなって、処理効率が７倍となる。

【００６８】図１２は、一定出力で光照射したときの光
照射時間と、熱電対２８から測定された温度との関係を
示すグラフである。破線３７は、前記基板１１ｂに代わ
ってＩＴＯを形成したガラス基板を配置した場合を示
し、実線３８は前記基板１１ｂに代わってＩＴＯを形成
しないガラス基板を配置した場合を示す。なお、ガラス
基板と熱電対２８とは接触させずに測定した。

【００６９】同じ時間だけ光を照射しても、破線３７で
表されるＩＴＯを形成したガラス基板の方が温度が低い
ことがわかる。これは、ＩＴＯの吸収波長帯域を含む赤
外光を照射するので、光がＩＴＯによって吸収され、ガ
ラス基板を通過してくる熱エネルギが小さくなったため
と考えられる。したがって、ＩＴＯを形成したガラス基
板では、ＩＴＯの温度が上昇しているものと考えられ
る。このことから、ＩＴＯから成る下部電極１３の上に
形成されたＥＬ発光層１５の温度が高くなっているもの
と考えられ、これによって従来技術と比較して、低い設
定温度においてアニール処理しても高い発光輝が得られ
たものと考えられる。

【００７０】なお、本実施例によれば、設定温度に達す
ると直ちに光照射を停止しても、本発明の効果が得られ
る。したがって、従来技術では昇温速度が１０℃／分程
度と穏やかであり、母材の結晶性の改善が徐々に進み、
また発光中心の拡散が結晶性が改善された後に生じると
思われるのに対して、本実施例では昇温速度が１００℃
／分以上６００℃／分以下と急激であり、結晶性の改善
と発光中心の拡散とが同時に、効率良く進んでいるもの
と思われる。なお、従来技術と同様に光照射によって設
定温度に達した後、その温度に一定時間保持しても、本
実施例と同様の効果が得られるものと考えられる。

【００７１】本実施例において設定温度は６００℃以下
に選ばれる。これは、薄膜ＥＬ素子１１の透光性基板１
２として用いられるガラス基板に歪みが生じるため、ま
た温度制御が困難であり、温度が設定温度以上となった
場合に透光性基板１２が変形する恐れがあるためであ
る。また、設定温度を高くするためには、光源２３への
投入電力を増大しなければならず、大容量の電源２６が
必要となり、また光源２３の寿命を急激に短縮すること
となり、薄膜ＥＬ素子１１の製造コストが増大するため
である。また、昇温速度としては、１０％以上の発光輝
度の改善が認められた２００℃／分以上で、温度制御が
容易な６００℃／分以下の範囲に選ばれ、好ましくは処
理時間を短縮して、製造効率を向上するために４００℃
／分以上で、温度制御がさらに容易な５００℃／分以下
の範囲に選ばれる。

【００７２】なお本実施例のアニール処理を不活性ガス
雰囲気中で行う例も本発明の範囲に属するものである。
前記不活性ガスとしては、Ｎ₂ 、Ａｒ、Ｈｅのうちのい
ずれか１つ、または少なくともいずれか２つの混合物が
選ばれる。不活性ガス中で行うのは、たとえば４００℃
以上に加熱した場合の酸素の影響と考えられる発光むら
をなくすためである。従来技術では、真空雰囲気中でア
ニール処理を行うことによって、前記酸素の影響と考え
られる発光むらを防止している。この方法では、高価な
真空排気装置を必要となるけれども、本実施例では、安
価なガス供給装置を用いるだけで実現することができ
る。具体的には、たとえば石英管内にアニール処理基板
を配置し、管内を真空排気してＮ₂ ガスで置換した後
に、アニール処理を行う。アニール処理の方法は、前述
したのと同様である。

【００７３】図１３は、本発明の他のアニール装置４１
の概略的構成を示す断面図である。図１４は光照射手段
４９の光照射面を示す平面図であり、図１５は図１３と
は直交する方向で切断したときの光源４３および反射板
４４を示す断面図である。アニール装置４１は、ステー
ジ４２、ハウジング４７、光照射手段４９および駆動手
段５０を含んで構成される。アニール装置４１の光照射
手段４９が、前記アニール装置２１の光照射手段２９と
異なり、また駆動手段５０を含むこと以外は、前述した
のと同様にして構成される。

【００７４】光照射手段４９は、１つの光源４３、反射
板４４、一対の電極４５および電源４６を含む。光源４
３は、図１４に示されるように棒状であり、前記光源２
３と同様の特性を有するもので実現される。本実施例で
は、赤外線ランプ（真空理工株式会社製、型式Ｅ１１０
Ｌ）を用いた。光源４３は、ステージ４２の基板１１ｂ
が載置される表面４２ａに対向する平面内に配置され
る。

【００７５】反射板４４は、光源４３からの光を、ステ
ージ４２上に載置される基板１１ｂの表面に向けて反射
するものであり、１つの凹所４４ａを有する。凹所４４
ａは、図１３および図１５に示されるように、凹所４４
ａの長手方向とは直交する方向における断面形状は楕円
状であり、前記長手方向に沿った方向における断面形状
は矩形状である。前記光源４３は、凹所４４ａに沿って
配置される。

【００７６】本実施例では、薄膜ＥＬ素子１１ｂの透光
性基板１２の大きさを１０ｃｍ×５ｃｍに選んだ。ま
た、光源４３からの光を照射した際の光照射面積を、２
６．５ｃｍ×０．３ｃｍとした。また、光源４３と基板
１１ｂの表面との距離Ｌを１０ｃｍとした。

【００７７】駆動手段５０は、前記光照射手段４９を矢
符５１で示される方向に移動する手段である。なお、方
向５１とは、光源４３の長手方向と直交する方向であ
る。光照射手段４９を移動することによって、基板１１
ｂの表面のほぼ全面に光を照射することが可能となる。
均一なアニール処理を行うためには、投入電力、移動ス
ピードなどが最適化される。なお、光照射手段４９を移
動させるのに代わって、基板１１ｂが載置されたステー
ジ４２を方向５１に移動させることによっても同様の効
果が得られる。

【００７８】図１６は、前記光照射手段４９の移動速度
を２ｍｍ／秒として、熱電対４８からの測定温度が設定
温度となったときに移動を開始した際の、設定温度と発
光輝度との関係を示すグラフである。破線５２は、本実
施例によるアニール処理を施した場合の結果を示してお
り、実線５３は前述した従来技術によるアニール処理を
施した場合の結果を示している。

【００７９】図１６から、本実施例の方が従来技術より
も発光輝度が高いことがわかる。また、設定温度が低い
方が輝度がより高くなっており、設定温度が高くなる
と、従来と同程度の発光輝度であることがわかる。これ
は、設定温度が高くなると、光源４３が１つであること
から、十分にＥＬ発光層１５を加熱することができず、
またＥＬ発光層１５からの放熱量が多くなって、前述し
た実施例ほどＥＬ発光層１５の温度が高くならなかった
ためと考えられる。しかしながら、本実施例でも従来と
同レベルの輝度の薄膜ＥＬ素子を効率良く得ることがで
きる。

【００８０】なお、前述した実施例と比較すると、光が
集光されるため、光照射部分の温度を高速に昇温するこ
とができ、かつ高温にすることができる。また、使用す
る赤外線ランプの数が減少し、消費電力が減少するとと
もに、装置の小型化を図ることができる。

【００８１】図１７および図１８は、他の薄膜ＥＬ素子
６１，７０の構成を示す断面図である。なお、前記薄膜
ＥＬ素子１１と同様の構成部材には同じ参照符を付して
いる。薄膜ＥＬ素子６１は、前述した薄膜ＥＬ素子１１
と同様に、透光性基板１２の一方表面１２ａ上に下部電
極１３、下部絶縁層１４、ＥＬ発光層１５および上部絶
縁層１６をこの順に形成し、さらに前記ＥＬ発光層１５
と同様にして構成されるＥＬ発光層６２と、絶縁層６３
とをこの順に形成し、さらに前記絶縁層６３上に上部電
極１７を形成したものである。

【００８２】また薄膜ＥＬ素子７０は、透光性基板１２
の一方表面１２ａ上に、下部電極１３、下部絶縁層１
４、ＥＬ発光層１５、上部絶縁層１６および上部電極１
７を形成し、さらに絶縁層６４を形成し、続いて前述し
たのと同様にして構成される下部電極６５、下部絶縁層
６６、ＥＬ発光層６７、上部絶縁層６８および上部電極
６９を形成したものである。このように、複数のＥＬ発
光層１５，６２，６７を有する薄膜ＥＬ素子６１，７０
であっても、上述したようなにしてアニール処理をする
ことが可能である。この場合、最後のＥＬ発光層（薄膜
ＥＬ素子６１ではＥＬ発光層６２、薄膜ＥＬ素子７０で
はＥＬ発光層６７）が形成された後にアニール処理が行
われる。

【００８３】本実施例では、薄膜ＥＬ素子１１の下部電
極１３の材料としてＩＴＯを用い、赤外光を照射してア
ニール処理する例について説明したけれども、ＩＴＯ以
外の電極材料、たとえばＳｎＯ₂、Ｃｄ₂ＳｎＯ₄、Ｃｄ
Ｏなど、あるいはＺｎＯとＡｌとの混合物などを用いて
薄膜ＥＬ素子１１を作成することも可能であり、この場
合、用いた電極材料の吸収波長帯域を含む光を照射する
ことによってアニール処理が施される。用いる電極材料
の吸収波長帯域は、本実施例で用いたＩＴＯと同様にし
て求めることが可能である。

【００８４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＥＬ発光
層に対してのアニール処理は、前記ＥＬ発光層に電界を
印加するための電極を構成する電極材料の吸収波長帯域
を含む光を照射することによって行われる。照射された
光は、前記電極によって吸収され、熱エネルギとして蓄
積されるので、ＥＬ発光層が効率良く加熱される。した
がって、アニール処理に要する時間が短くなり、また、
従来技術と同じ設定温度となるように光を照射して、発
光輝度の高い素子を得ることができる。さらに、前記Ｅ
Ｌ発光層および電極が形成される透光性基板の変形が生
じる限界温度以下でアニール処理を行って、高い発光輝
度を得ることができる。

【００８５】また本発明によれば、前記電極材料として
はインジウム錫酸化物が選ばれ、前記光としては１．１
μｍ〜１．５μｍの波長帯域にピーク波長を有する光が
選ばれる。これによって、前記効果が得られることが確
認された。

【００８６】また本発明によれば、前記アニール処理時
の昇温速度は、２００℃／分以上６００℃／分以下の範
囲に選ばれ、好ましくは４００℃／分以上５００℃／分
以下の範囲に選ばれる。これによって、発光輝度が１０
％以上改善し、また処理時間が短縮されて生産性が向上
するとともに、温度制御が容易となることが確認され
た。

【００８７】また本発明によれば、ＥＬ発光層が所定の
温度に到達した直後に光照射が停止される。これによっ
ても、上述した効果が得られることが確認され、さらに
生産性が向上する。

【００８８】また本発明によれば、前述したアニール処
理は不活性ガス雰囲気中において行われる。前記不活性
ガスとしてはＮ₂ 、Ａｒ、Ｈｅのうちのいずれか１つ、
または少なくともいずれか２つの混合物が選ばれる。し
たがって、比較的安価に、加熱時における酸素の影響に
よって生じる発光むらをなくすことができる。

【００８９】また本発明によれば、保持手段に保持され
るアニール処理されるべき処理用基板の表面のほぼ全面
に光が照射される。したがって、一括して均一にアニー
ル処理を行うことができる。

【００９０】また好ましくは前記処理用基板の表面より
も大きい領域に光が照射される。これによってさらに均
一にアニール処理を行うことができる。

【００９１】また本発明によれば、光源からの光は集光
されて保持手段に保持された基板に向けて照射される。
光源および反射板を含む光照射手段は駆動手段によって
移動し、保持手段に保持された処理用基板のほぼ全面に
光が照射される。またあるいは保持手段が駆動手段によ
って移動し、前記光源からの光が保持手段に保持された
処理用基板のほぼ全面に照射される。このように光源か
らの光が集光されて照射されるので、光照射部分の温度
を高速に昇温することができ、かつ、高温にすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である薄膜ＥＬ素子の製造方
法に基づいて作成された薄膜ＥＬ素子１１の構成を示す
断面図である。

【図２】前記薄膜ＥＬ素子１１の形成方法を示す工程図
である。

【図３】前記形成方法を段階的に示す断面図である。

【図４】前記薄膜ＥＬ素子１１を作成するための製造装
置であるアニール装置２１の概略的構成を示す断面図で
ある。

【図５】光照射手段２９の光照射面を示す平面図であ
る。

【図６】図４とは直交する方向で切断したときの光源２
３および反射板２４を示す断面図である。

【図７】アニール処理の手順を示す工程図である。

【図８】アニール処理時の設定温度と、当該温度でアニ
ール処理を行ったＥＬ発光層１５のＸ線回折強度との関
係を示すグラフである。

【図９】アニール処理時の設定温度と、作成された薄膜
ＥＬ素子１１の発光輝度との関係を示すグラフである。

【図１０】昇温速度と発光輝度改善率との関係を示すグ
ラフである。

【図１１】アニール処理に要する時間を示すグラフであ
る。

【図１２】一定出力で光照射したときの光照射時間と、
熱電対２８から測定された温度との関係を示すグラフで
ある。

【図１３】本発明の他の実施例であるアニール装置４１
の概略的構成を示す断面図である。

【図１４】光照射手段４９の光照射面を示す平面図であ
る。

【図１５】図１３とは直交する方向で切断したときの光
源４３および反射板４４を示す断面図である。

【図１６】光照射手段４９の移動速度を２ｍｍ／秒とし
て、熱電対４８からの測定温度が設定温度となったとき
に移動を開始した際の、設定温度と発光輝度との関係を
示すグラフである。

【図１７】他の薄膜ＥＬ素子６１の構成を示す断面図で
ある。

【図１８】さらに他の薄膜ＥＬ素子７０の構成を示す断
面図である。

【図１９】従来の薄膜ＥＬ素子の製造時に用いられるア
ニール装置１の概略的構成を示す断面図である。

【図２０】前記アニール装置１を用いた従来のアニール
処理の手順を示す工程図である。

【符号の説明】

１１，６１，７０薄膜ＥＬ素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃアニール処理用基板１３下部電極１５ＥＬ発光層１７上部電極２１，４１アニール装置２２，４２ステージ２３，４３光源２４，４４反射板２５，４５電極２６，４６電源２７，４７ハウジング２９，４９光照射手段５０駆動手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05B 33/10 H05B 33/14

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１つのＥＬ発光層と、前記Ｅ
Ｌ発光層に電界を印加するための電極とを含む薄膜ＥＬ
素子の製造方法において、母材と当該母材中に添加される発光中心とを含んで成る
前記ＥＬ発光層を加熱して、前記母材の結晶性を向上す
るとともに前記発光中心の母材への分布を均一にするア
ニール処理を、前記電極を構成する電極材料の吸収波長
帯域を含む光を照射することによって行うことを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】前記電極材料としてインジウム錫酸化物
が選ばれ、前記光として１．１μｍ〜１．５μｍの波長帯域にピー
ク波長を有する光が選ばれることを特徴とする請求項１
記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】前記アニール処理時の昇温速度は、２０
０℃／分以上６００℃／分以下の範囲に選ばれることを
特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】前記アニール処理時の昇温速度は、４０
０℃／分以上５００℃／分以下の範囲に選ばれることを
特徴とする請求項３記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】前記ＥＬ発光層が所定の温度に到達した
直後に光照射を停止することを特徴とする請求項１記載
の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】不活性ガス雰囲気中で光を照射すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】少なくとも１つのＥＬ発光層と、前記Ｅ
Ｌ発光層に電界を印加するための電極とが形成された処
理用基板を、所定の保持面に載置して保持する保持手段
と、前記電極を構成する電極材料の吸収波長帯域を含む光
を、前記保持面に載置された処理用基板に向けて照射す
る光照射手段とを含むことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の
製造装置。
【請求項８】前記光照射手段による光の照射領域は、
前記保持面に載置された処理用基板の表面の大きさにほ
ぼ等しく、またはより大きく選ばれることを特徴とする
請求項７記載の薄膜ＥＬ素子の製造装置。
【請求項９】前記光照射手段による光の照射領域は、
前記保持面に載置された処理用基板の表面の大きさより
も小さく選ばれ、前記保持手段および前記光照射手段のうち少なくともい
ずれか一方を移動させることによって、処理用基板の全
面に、前記光照射手段からの光を照射することを特徴と
する請求項７記載の薄膜ＥＬ素子の製造装置。