JPH02230690A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH02230690A JPH02230690A JP1052552A JP5255289A JPH02230690A JP H02230690 A JPH02230690 A JP H02230690A JP 1052552 A JP1052552 A JP 1052552A JP 5255289 A JP5255289 A JP 5255289A JP H02230690 A JPH02230690 A JP H02230690A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フラット表示パネルや照明用光源に用いられる高輝度で
、信頼性の良い薄膜Ｅ Ｌ素子の構造に関し、 絶縁破壊電圧の高い絶縁層と、ハロゲン元素等の不純物
による発光特性の劣化のないＥ Ｌ発光層とを組み合わ
せた素子構成とすることにより、発光輝度及び信幀性を
高めることを目的とし、相対向する一対の電極の間隙に
、それぞれ絶縁層を介してＥＬ発光層を設けたＥＬ素子
の構成において、前記ＥＬ発光層は発光層構成元素から
なる複数の蒸発源を用いた多元蒸着法により形成された
薄膜からなり、該ＥＬ発光層の両側に設けた絶縁層は原
子層エピタキシー法により形成された薄膜からなる構成
とする。
、信頼性の良い薄膜Ｅ Ｌ素子の構造に関し、 絶縁破壊電圧の高い絶縁層と、ハロゲン元素等の不純物
による発光特性の劣化のないＥ Ｌ発光層とを組み合わ
せた素子構成とすることにより、発光輝度及び信幀性を
高めることを目的とし、相対向する一対の電極の間隙に
、それぞれ絶縁層を介してＥＬ発光層を設けたＥＬ素子
の構成において、前記ＥＬ発光層は発光層構成元素から
なる複数の蒸発源を用いた多元蒸着法により形成された
薄膜からなり、該ＥＬ発光層の両側に設けた絶縁層は原
子層エピタキシー法により形成された薄膜からなる構成
とする。
本発明はフラット表示パネルや照明用光源に用いられる
ＦＩ膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に係り、
特に高輝度で、信頼性の良い薄膜Ｅ ｔ，素子の構造に
関するものである。
ＦＩ膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に係り、
特に高輝度で、信頼性の良い薄膜Ｅ ｔ，素子の構造に
関するものである。
薄膜ＥＬ素子は表示パネルとした場合、Ｘ， Ｙのマト
リックス構造がとられる電極の寸法精度が良好で、かつ
そのＥｌ、発光層が非常に薄いため、表示画像に滲みが
なく、鮮明で表示品質が優れている。また薄型化及び軽
量化が容易に達成でき、低消費電力であるなどの特長を
有し、近来、電算機の端末表示等にも適用されている。
リックス構造がとられる電極の寸法精度が良好で、かつ
そのＥｌ、発光層が非常に薄いため、表示画像に滲みが
なく、鮮明で表示品質が優れている。また薄型化及び軽
量化が容易に達成でき、低消費電力であるなどの特長を
有し、近来、電算機の端末表示等にも適用されている。
このような薄膜ＥＬ素子では、該素子を構成するそれぞ
れの膜の形成法によっては発光特性及び絶縁破壊強度を
低下させる傾向があり、高輝度で信頬性の優れた薄膜Ｅ
Ｌ素子が必要とされる。
れの膜の形成法によっては発光特性及び絶縁破壊強度を
低下させる傾向があり、高輝度で信頬性の優れた薄膜Ｅ
Ｌ素子が必要とされる。
？従来の技術〕
従来の薄膜Ｅ Ｌ素子の構造は、第４図に示すように透
明なガラス基板１上に例えば酸化インジウム（ＩｎＯｓ
）と酸化錫（ＳｎＯ■）との固溶体からなる薄膜（以下
ＩＴＯ膜と略称する）による複数の透明電極２がストラ
イブ状に設けられ、その表面には酸窒化珪素（ＳｉＯウ
Ｎｙ）、酸化アルミニウム（Ａ １ ｔ’３）等からな
る透明な第一絶縁層３を介して、例えば発光中心となる
マンガン（Ｍｎ）を含む硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなるＥ
Ｌ発光Ｊ！１４が積層されている。
明なガラス基板１上に例えば酸化インジウム（ＩｎＯｓ
）と酸化錫（ＳｎＯ■）との固溶体からなる薄膜（以下
ＩＴＯ膜と略称する）による複数の透明電極２がストラ
イブ状に設けられ、その表面には酸窒化珪素（ＳｉＯウ
Ｎｙ）、酸化アルミニウム（Ａ １ ｔ’３）等からな
る透明な第一絶縁層３を介して、例えば発光中心となる
マンガン（Ｍｎ）を含む硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなるＥ
Ｌ発光Ｊ！１４が積層されている。
また、そのＥＬ発光層４の表面には酸窒化珪素（ＳｉＯ
Ｊｙ）、酸化アルミニウム（Ａ ｌ ｚｏｓ）等からな
る透明な第二絶縁層５を介してアルミニウム（Ａ ｆｆ
ｉ ）などからなるストライプ状の背面電極６が前記透
明電極２と直交してマトリンクス状となるように配設さ
れ、更に、これら積層構成体の表面は絶縁性樹脂材等か
らなる防湿保護膜７によって被覆されている。
Ｊｙ）、酸化アルミニウム（Ａ ｌ ｚｏｓ）等からな
る透明な第二絶縁層５を介してアルミニウム（Ａ ｆｆ
ｉ ）などからなるストライプ状の背面電極６が前記透
明電極２と直交してマトリンクス状となるように配設さ
れ、更に、これら積層構成体の表面は絶縁性樹脂材等か
らなる防湿保護膜７によって被覆されている。
そしてかかるＥＬ素子の前記マトリックス状に直交する
ストライブ状の透明電極２と背面電極６の各電極群の任
意の対となる電極間に選択的に交流電圧を印加すること
によって、その選択部分におけるＥ Ｌ発光層４を部分
的に発光させている。
ストライブ状の透明電極２と背面電極６の各電極群の任
意の対となる電極間に選択的に交流電圧を印加すること
によって、その選択部分におけるＥ Ｌ発光層４を部分
的に発光させている。
ところで、このような従来の薄膜Ｅ Ｉ，素子は、該Ｅ
Ｌ素子を構成する前記第一、第二絶縁層３，５及びＥ
Ｌ発光層４を、全てハロゲン化合物等の生成ガスを用い
る原子層エピタキシー法（ＡＬＥ法）により形成するか
、或いは該第一、第二絶縁層３，５はスパッタリング法
、Ｅ Ｌ発光層４を蒸着法によって形成している。
Ｌ素子を構成する前記第一、第二絶縁層３，５及びＥ
Ｌ発光層４を、全てハロゲン化合物等の生成ガスを用い
る原子層エピタキシー法（ＡＬＥ法）により形成するか
、或いは該第一、第二絶縁層３，５はスパッタリング法
、Ｅ Ｌ発光層４を蒸着法によって形成している。
ところが前者の形成法により得られた薄膜Ｅ Ｌ．素子
にあっては、絶縁破壊電圧が高く、この絶縁耐圧に対す
る信顛性に．優れ、初期発光輝度も極めて良好ではある
が、Ｅ■５発光層中に塩素（Ｃｆｆ）などのハロゲン元
素が不純物として残留し、この残留不純物が発光駆動時
の電界により活性化され、前記Ｅ Ｌ発光層の母材（’
Ｚ ｎ Ｓ ）のバンドギャップ中に不必要な電子準位
を形成し、発光特性を徐々に変動劣化させる欠点があっ
た。
にあっては、絶縁破壊電圧が高く、この絶縁耐圧に対す
る信顛性に．優れ、初期発光輝度も極めて良好ではある
が、Ｅ■５発光層中に塩素（Ｃｆｆ）などのハロゲン元
素が不純物として残留し、この残留不純物が発光駆動時
の電界により活性化され、前記Ｅ Ｌ発光層の母材（’
Ｚ ｎ Ｓ ）のバンドギャップ中に不必要な電子準位
を形成し、発光特性を徐々に変動劣化させる欠点があっ
た。
また後者の形成法により得られた薄膜ＥＬ素子では、Ｅ
Ｌ発光層中に塩素（Ｃ Ｉ！．）などのハロゲン元素等
の不純物の残留がないので、高輝度で、発光特性が優れ
てはいるものの、絶縁破壊電圧が低く、信転性に欠ける
問題があった。
Ｌ発光層中に塩素（Ｃ Ｉ！．）などのハロゲン元素等
の不純物の残留がないので、高輝度で、発光特性が優れ
てはいるものの、絶縁破壊電圧が低く、信転性に欠ける
問題があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、絶縁破壊電圧の
高い絶縁層と、ハロゲン元素等の不純物による発光特性
の劣化のないＥＬ発光層を組み合わせた素子構成とする
ことにより、高輝度で、信転性の高い新規な薄膜Ｅ■，
素子を提供することを目的とするものである。
高い絶縁層と、ハロゲン元素等の不純物による発光特性
の劣化のないＥＬ発光層を組み合わせた素子構成とする
ことにより、高輝度で、信転性の高い新規な薄膜Ｅ■，
素子を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するだめの手段］
本発明は上記した目的を達成するため、相対向する一対
の電極の間隙に、それぞれ絶縁層を介してＥＬ発光層を
設けたＥ Ｌ素子の構成において、前記ＥＬ発光層は発
光層構成元素からなる複数の蒸発源を用いた多元蒸着法
により形成された薄膜からなり、該ＥＬ発光層の両側に
設けた絶縁層は原子層エピタキシー法により形成された
薄膜からなる構成とする。
の電極の間隙に、それぞれ絶縁層を介してＥＬ発光層を
設けたＥ Ｌ素子の構成において、前記ＥＬ発光層は発
光層構成元素からなる複数の蒸発源を用いた多元蒸着法
により形成された薄膜からなり、該ＥＬ発光層の両側に
設けた絶縁層は原子層エピタキシー法により形成された
薄膜からなる構成とする。
〔作 用〕
本発明の薄膜ＥＬ素子では、原子層エピタキシー法によ
り形成された絶縁耐圧の高い絶縁層と、ハロゲン元素等
の不純物による発光特性の劣化のない多元蒸着法により
形成されたＥＬ発光層とを組み合わせた素子構成として
いるため、発光効率、発光輝度が高められ、信頼性が向
上ずる。
り形成された絶縁耐圧の高い絶縁層と、ハロゲン元素等
の不純物による発光特性の劣化のない多元蒸着法により
形成されたＥＬ発光層とを組み合わせた素子構成として
いるため、発光効率、発光輝度が高められ、信頼性が向
上ずる。
また、前記Ｅ Ｌ発光層とその両側の絶縁層との間に、
スパッタリング法により形成されたＡ ｆｆｉ ．０：
Ｉ等からなる絶縁中間膜を介在させることにより、前記
絶縁層からＥｌ、発光層への不純物の介入及びＰｊＥＬ
発光層からの構成元素の抜け出しが阻止され、発光輝度
が更に向上する。
スパッタリング法により形成されたＡ ｆｆｉ ．０：
Ｉ等からなる絶縁中間膜を介在させることにより、前記
絶縁層からＥｌ、発光層への不純物の介入及びＰｊＥＬ
発光層からの構成元素の抜け出しが阻止され、発光輝度
が更に向上する。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す要
部断面図である。
部断面図である。
図において、１１は透明なガラス基板であり、該ガラス
基板１１上にはＩＴＯ膜等からなる１７００人の膜厚の
ストライブ状の透明電極１２が設けられ、その表面には
塩化アルミニウム（ＡｆｆｉＣｊ！ｓ）等の原料？用い
た原子層エビタキシ−（ＡＬＥ）法により形成された酸
化アルミニウム（Ａ ｌ ｚＯｘ＞などからなる２４０
０人の膜厚の透明な第一絶縁１１３とスパッタリング法
、または蒸着法により形成されたＡＬｏ３，ＴａｘｅＳ
等からなる第一中間絶縁膜１４を介して、例えば発光母
材を構成する亜鉛（Ｚｎ）と硫黄（Ｓ）及び発光中心と
なるマンガン（Ｍｎ）との複数個の蒸発源を用いた多元
蒸着法によって形成された６０００人の膜厚のＥＬ発光
Ｎ （ＺｎＳ二Ｍｎ） １５が設けられている。
基板１１上にはＩＴＯ膜等からなる１７００人の膜厚の
ストライブ状の透明電極１２が設けられ、その表面には
塩化アルミニウム（ＡｆｆｉＣｊ！ｓ）等の原料？用い
た原子層エビタキシ−（ＡＬＥ）法により形成された酸
化アルミニウム（Ａ ｌ ｚＯｘ＞などからなる２４０
０人の膜厚の透明な第一絶縁１１３とスパッタリング法
、または蒸着法により形成されたＡＬｏ３，ＴａｘｅＳ
等からなる第一中間絶縁膜１４を介して、例えば発光母
材を構成する亜鉛（Ｚｎ）と硫黄（Ｓ）及び発光中心と
なるマンガン（Ｍｎ）との複数個の蒸発源を用いた多元
蒸着法によって形成された６０００人の膜厚のＥＬ発光
Ｎ （ＺｎＳ二Ｍｎ） １５が設けられている。
また、そのＥＬ発光層１５上にはスパッタリング法、ま
たは蒸着法により形成されたＡ Ｉ− ｚＯａ＋ Ｔａ
ｘｅｓ等からなる第二中間絶縁膜Ｉ６と前記原子層エピ
タキシー（ＡＬＥ）法により形成された酸化アルミニウ
ム（Ａｆ■０，）などからなる２０００人の膜厚の透明
な第二絶縁層１７を介して、例えば３０００人の膜厚の
アルミニウム（八！）などからなるストライブ状の背面
電極ｌ８が、前記透明電極１２と直交してマトリックス
状となるように配設され、それら積層構成体の表面には
、更に絶縁性樹脂材等からなる防湿保護膜１９が被覆さ
れている。
たは蒸着法により形成されたＡ Ｉ− ｚＯａ＋ Ｔａ
ｘｅｓ等からなる第二中間絶縁膜Ｉ６と前記原子層エピ
タキシー（ＡＬＥ）法により形成された酸化アルミニウ
ム（Ａｆ■０，）などからなる２０００人の膜厚の透明
な第二絶縁層１７を介して、例えば３０００人の膜厚の
アルミニウム（八！）などからなるストライブ状の背面
電極ｌ８が、前記透明電極１２と直交してマトリックス
状となるように配設され、それら積層構成体の表面には
、更に絶縁性樹脂材等からなる防湿保護膜１９が被覆さ
れている。
上記シタＥＩ−発光層１５の多元蒸着法による形成とし
ては、亜鉛（Ｚｎ）と硫黄（Ｓ）及びマンガン（Ｍｎ）
の三種の蒸発源からの各薫発元素を所定の成分比となる
ように制御することによって容易に形成することができ
る。
ては、亜鉛（Ｚｎ）と硫黄（Ｓ）及びマンガン（Ｍｎ）
の三種の蒸発源からの各薫発元素を所定の成分比となる
ように制御することによって容易に形成することができ
る。
このような構成の本発明の薄膜ＥＬ素子にあっては、前
記Ｅ Ｌ発光［１５の両側に設けてなる第一第二絶縁層
１３． １７の絶縁耐圧が高く、不純物による発光特性
の劣化がないため、発光効率が向−１ニ一シ、高輝度な
特性を得られる。
記Ｅ Ｌ発光［１５の両側に設けてなる第一第二絶縁層
１３． １７の絶縁耐圧が高く、不純物による発光特性
の劣化がないため、発光効率が向−１ニ一シ、高輝度な
特性を得られる。
第２図は本発明の薄膜Ｅｌ、素子と、第一，第二絶縁層
をスパッタリング法により形成し、がっＥＬ発光層を通
常の蒸着法により形成された従来の薄膜ＥＬ素子との印
加電圧と発光輝度との関係を比較した図である。
をスパッタリング法により形成し、がっＥＬ発光層を通
常の蒸着法により形成された従来の薄膜ＥＬ素子との印
加電圧と発光輝度との関係を比較した図である。
この図において本発明の薄膜Ｅ Ｌ素子の輝度は曲線（
ａ）で示すように、曲線（ｂ）で示す従来の薄膜ＥＬ素
子の輝度に比べ、印加電圧に対して箸、峻に、しかも２
倍程度高く立ち上がっており、マトリックス発光表示に
適した特性を示し、一定の印加電圧の下で１０００時間
以」二動作させてもその発光輝度の劣化は認められなか
った。
ａ）で示すように、曲線（ｂ）で示す従来の薄膜ＥＬ素
子の輝度に比べ、印加電圧に対して箸、峻に、しかも２
倍程度高く立ち上がっており、マトリックス発光表示に
適した特性を示し、一定の印加電圧の下で１０００時間
以」二動作させてもその発光輝度の劣化は認められなか
った。
特に本発明の薄膜ＥＬ素子では、ＥＬ発光層１５が化学
的に安定なＡ ｌ ｚ０３＋Ｔａｔｏｓ等からなる中間
絶縁膜１４． １６により被包され、更に絶縁耐圧の高
い絶縁層により挟まれているため、より発光輝度が向上
し、長時間にわたり安定な発光特性が得られる。
的に安定なＡ ｌ ｚ０３＋Ｔａｔｏｓ等からなる中間
絶縁膜１４． １６により被包され、更に絶縁耐圧の高
い絶縁層により挟まれているため、より発光輝度が向上
し、長時間にわたり安定な発光特性が得られる。
また第３図は本発明の薄膜ＥＬ素子と前記した従来の薄
膜ＥＬ素子との絶縁耐圧を比較した図である。この図で
示すように従来の薄膜Ｅ Ｉ，素子の発光開始電圧（ν
ｔｈ）が２００ Ｖ、駆動電圧が２３０ Ｖにおいて、
微小な絶縁破壊がＩＯＯＶ近辺から既に発生しているの
に対して、本発明の薄膜ＥＬ素子では、その発光開始電
圧（Ｖ ｔｈ）が１５０Ｖ、駆動電圧が１８０Ｖと低い
にもかかわらず絶縁破壊電圧は逆に３３０ｖ以上と数倍
程度高められていることが示されている。
膜ＥＬ素子との絶縁耐圧を比較した図である。この図で
示すように従来の薄膜Ｅ Ｉ，素子の発光開始電圧（ν
ｔｈ）が２００ Ｖ、駆動電圧が２３０ Ｖにおいて、
微小な絶縁破壊がＩＯＯＶ近辺から既に発生しているの
に対して、本発明の薄膜ＥＬ素子では、その発光開始電
圧（Ｖ ｔｈ）が１５０Ｖ、駆動電圧が１８０Ｖと低い
にもかかわらず絶縁破壊電圧は逆に３３０ｖ以上と数倍
程度高められていることが示されている。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜Ｅｌ
、素子によれば、発光効率が高められ、高輝度な発光特
性が長時間にわたり安定化する等、信頼性が著しく向」
ニする。
、素子によれば、発光効率が高められ、高輝度な発光特
性が長時間にわたり安定化する等、信頼性が著しく向」
ニする。
従って、この種の薄膜ＥＬ素子に適用して極めて有利で
ある。
ある。
はＥ Ｌ発光層、１６は第二中間絶縁膜、１７は第二絶
縁層、１８は背面電極、１９は防湿保３Ｉ膜をそれぞれ
示す。
縁層、１８は背面電極、１９は防湿保３Ｉ膜をそれぞれ
示す。
第１図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す要
部断面図、 第２図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の印加電圧と発光輝
度特性とを説明するための図、第３図は本発明に係る薄
膜ＥＬ素子の絶縁耐圧と効果を説明するための図、 第４図は従来の薄膜Ｅ Ｌ素子を説明するための要部断
面図である。 第１図において、 １１は透明ガラス基板、１２は透明電掻、１３は第一絶
縁層、１４は第一中間絶縁膜、ｌ５ネ茫所４Ｓ鏝ＥＬ！
Ｊｎ−餞例は肉＃ｒ酌口第１図 ＤＣ ’！／３：ＣＶ） 杢到庖１綽ｒｒＪｉＪｃｑ廚ｂ折Ｘ位６αＢ訂シ閏第３
図 １７ｆｊｌ７１ｈ Ｍ 簿躾ＥＬ景Ｊ／ｌ印如劃ｈ豹婢劃肘訃主帽第２図 氾／ｌ蕩繕ＥＬＩハ説明ｒａｔ舒打面閃第４図
部断面図、 第２図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の印加電圧と発光輝
度特性とを説明するための図、第３図は本発明に係る薄
膜ＥＬ素子の絶縁耐圧と効果を説明するための図、 第４図は従来の薄膜Ｅ Ｌ素子を説明するための要部断
面図である。 第１図において、 １１は透明ガラス基板、１２は透明電掻、１３は第一絶
縁層、１４は第一中間絶縁膜、ｌ５ネ茫所４Ｓ鏝ＥＬ！
Ｊｎ−餞例は肉＃ｒ酌口第１図 ＤＣ ’！／３：ＣＶ） 杢到庖１綽ｒｒＪｉＪｃｑ廚ｂ折Ｘ位６αＢ訂シ閏第３
図 １７ｆｊｌ７１ｈ Ｍ 簿躾ＥＬ景Ｊ／ｌ印如劃ｈ豹婢劃肘訃主帽第２図 氾／ｌ蕩繕ＥＬＩハ説明ｒａｔ舒打面閃第４図
Claims (2)
- （１） 相対向する一対の電極（１２、１８）の間隙に
、それぞれ絶縁層（１３、１７）を介してＥＬ発光層（
１５）を設けたＥＬ素子であって、 上記ＥＬ発光層（１５）は発光層構成元素からなる複
数の蒸発源を用いた多元蒸着法により形成された薄膜か
らなり、該ＥＬ発光層（１５）の両側に設けた絶縁層（
１３、１７）は原子層エピタキシー法により形成された
薄膜からなることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - （２） 上記ＥＬ発光層（１５）と両側の絶縁層（１３
、１７）との間に、スパッタリング法により形成された
５０〜５００Åの膜厚の中間絶縁膜（１４、１６）を介
在してなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜ＥＬ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052552A JPH02230690A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052552A JPH02230690A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230690A true JPH02230690A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12917972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052552A Pending JPH02230690A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230690A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206095A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-12-01 | エルコトレ−ド ア−ゲ− | 特に薄膜エレクトロルミネセンス構造体用組み合わせ膜 |
| JPS59146999A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法および製造装置 |
| JPS6276281A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | 新技術事業団 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPS6388787A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-19 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1052552A patent/JPH02230690A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206095A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-12-01 | エルコトレ−ド ア−ゲ− | 特に薄膜エレクトロルミネセンス構造体用組み合わせ膜 |
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| JPS6276281A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | 新技術事業団 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPS6388787A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-19 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
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