JPH0515038B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0515038B2 JPH0515038B2 JP63231450A JP23145088A JPH0515038B2 JP H0515038 B2 JPH0515038 B2 JP H0515038B2 JP 63231450 A JP63231450 A JP 63231450A JP 23145088 A JP23145088 A JP 23145088A JP H0515038 B2 JPH0515038 B2 JP H0515038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- thin film
- electrode
- layer
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、薄膜発光素子の構造に関する。
(ロ) 従来技術・発明が解決しようとする問題点
従来の薄膜発光素子の構造としては、例えば、
第２図に示すように構成したものが知られてい
る。
第２図に示すように構成したものが知られてい
る。
この第２図の薄膜発光素子は、ガラス基板１の
上に第１の電極（透明電極）２をスパツタ等で膜
形成して電極パターンを構成し、次で、第１の絶
縁層３を形成している。さらに、この第１の絶縁
層３の上にZnS：Mn（硫化亜鉛）等からなる発光
層４を蒸着、またはスパツタ等で形成した後、真
空中熱処理を施し、第２の絶縁層５をスパツタ等
で形成する。そして、この第２の絶縁層５の上に
第２の電極（金属電極）６を形成したものであ
る。
上に第１の電極（透明電極）２をスパツタ等で膜
形成して電極パターンを構成し、次で、第１の絶
縁層３を形成している。さらに、この第１の絶縁
層３の上にZnS：Mn（硫化亜鉛）等からなる発光
層４を蒸着、またはスパツタ等で形成した後、真
空中熱処理を施し、第２の絶縁層５をスパツタ等
で形成する。そして、この第２の絶縁層５の上に
第２の電極（金属電極）６を形成したものであ
る。
また、このように構成された第２図の薄膜発光
素子は、第１の電極２と第２の電極６に駆動用の
交流電源（図示しない）が接続され、その交流電
圧の印加に応答して発光層４が発光を行うもので
ある。
素子は、第１の電極２と第２の電極６に駆動用の
交流電源（図示しない）が接続され、その交流電
圧の印加に応答して発光層４が発光を行うもので
ある。
しかし、上記した従来例のものにおいては、発
光層に1000Å程度の発光に寄与しないデツドレイ
ヤが生ずるため、発光特性が悪化するという欠点
があつた。
光層に1000Å程度の発光に寄与しないデツドレイ
ヤが生ずるため、発光特性が悪化するという欠点
があつた。
この発明は上記した点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、発光層にデツド
レイヤの生じない発光特性のよい薄膜発光素子の
構造を提供することにある。
あり、その目的とするところは、発光層にデツド
レイヤの生じない発光特性のよい薄膜発光素子の
構造を提供することにある。
(ハ) 問題を解決するための手段
この発明の薄膜発光素子の構造は、ガラス基板
の上に、第１の電極と、第１の絶縁層と、発光層
と、第２の絶縁層と、第２の電極とを順次積層
し、前記第１または第２の電極の内、少くともそ
の一方が透明電極で構成された薄膜発光素子にお
いて、前記発光層をZnSeとZnSとCuSとからなる
薄膜で形成すると共に真空中熱拡散処理を施した
ものである。
の上に、第１の電極と、第１の絶縁層と、発光層
と、第２の絶縁層と、第２の電極とを順次積層
し、前記第１または第２の電極の内、少くともそ
の一方が透明電極で構成された薄膜発光素子にお
いて、前記発光層をZnSeとZnSとCuSとからなる
薄膜で形成すると共に真空中熱拡散処理を施した
ものである。
(ニ) 作用
この発明によれば、薄膜発送素子の発光層を
ZnSeとZnSとCuSとからなる薄膜で形成すると共
に真空中熱拡散処理を施したので、結晶性の悪い
層を作るZnSはZnSeの上に形成されて、このた
め、ZnSによるデツドレイヤは生じない。すなわ
ち、ZnSeがとる結晶構造である閃亜鉛構造を下
地に用いることにより、ZnSの結晶構造をウルツ
鉱構造にさせずに閃亜鉛構造とさせるものであ
る。
ZnSeとZnSとCuSとからなる薄膜で形成すると共
に真空中熱拡散処理を施したので、結晶性の悪い
層を作るZnSはZnSeの上に形成されて、このた
め、ZnSによるデツドレイヤは生じない。すなわ
ち、ZnSeがとる結晶構造である閃亜鉛構造を下
地に用いることにより、ZnSの結晶構造をウルツ
鉱構造にさせずに閃亜鉛構造とさせるものであ
る。
また、ZnS膜の閃亜鉛鉱構造は膜厚方向に結晶
性の良い発光層であるから、発光輝度、発光立ち
上がり特性などの発光特性が向上する。
性の良い発光層であるから、発光輝度、発光立ち
上がり特性などの発光特性が向上する。
(ホ) 実施例
実施例について第１図を参照して説明する。
なお、上述した従来例と同一部分には同一符号
を付してその説明を省略する。
を付してその説明を省略する。
ガラス基板１上に透明電極である第１の電極２
と第１の絶縁層３をスパツタ等で形成する。そし
て閃亜鉛鉱構造であるZnSeの薄膜を電子ビー
ム蒸着等により数千オングストロームの膜厚で形
成する。更に、閃亜鉛鉱構造の結晶成長を促進さ
せるため、ZnSe上に閃亜鉛鉱型構造のウルツ
鉱型構造の両方の構造を取りうるZnSの薄膜を
電子ビーム蒸着等により数千オグストロームの膜
厚で形成する。そして、発光センターとなるCuS
等を積層した後、真空中、400〜600℃程度の温
度で数時間熱拡散処理を施す。この熱拡散処理に
より、ZnSeとZnSとCuSの層は互いに拡散
し、閃亜鉛鉱構造の柱状の結晶性のよい発光層と
なる。
と第１の絶縁層３をスパツタ等で形成する。そし
て閃亜鉛鉱構造であるZnSeの薄膜を電子ビー
ム蒸着等により数千オングストロームの膜厚で形
成する。更に、閃亜鉛鉱構造の結晶成長を促進さ
せるため、ZnSe上に閃亜鉛鉱型構造のウルツ
鉱型構造の両方の構造を取りうるZnSの薄膜を
電子ビーム蒸着等により数千オグストロームの膜
厚で形成する。そして、発光センターとなるCuS
等を積層した後、真空中、400〜600℃程度の温
度で数時間熱拡散処理を施す。この熱拡散処理に
より、ZnSeとZnSとCuSの層は互いに拡散
し、閃亜鉛鉱構造の柱状の結晶性のよい発光層と
なる。
そして、上記した発光層４の上に、第２の絶縁
層５と金属電極である第２の電極６をスパツタ等
で形成する。
層５と金属電極である第２の電極６をスパツタ等
で形成する。
このように、この発明の薄膜発光素子は、発光
層の結晶性を向上させて、発光特性を改善したも
のである。
層の結晶性を向上させて、発光特性を改善したも
のである。
(ヘ) 発明の効果
この発明による薄膜発光素子の構造によれば、
前述のように構成したので、デツドレイヤの生じ
ない発光特性のよい薄膜発光素子を得ることがで
きる。
前述のように構成したので、デツドレイヤの生じ
ない発光特性のよい薄膜発光素子を得ることがで
きる。
しかも、構造が簡単であるため実施も容易であ
る等の優れた特長を有している。
る等の優れた特長を有している。
第１図Ａ，Ｂはこの発明に係る薄膜発光素子の
構造を示し、第１図Ａは断面図、第１図Ｂは発光
層の拡大断面図である。第２図は従来例を示す断
面図である。 主要部分の符号の説明、１：ガラス基板、２：
第１の電極、３：第１の絶縁層、４：発光層、
５：第２の絶縁層、６：第２の電極、：ZnSe、
：ZnS、：CuS。
構造を示し、第１図Ａは断面図、第１図Ｂは発光
層の拡大断面図である。第２図は従来例を示す断
面図である。 主要部分の符号の説明、１：ガラス基板、２：
第１の電極、３：第１の絶縁層、４：発光層、
５：第２の絶縁層、６：第２の電極、：ZnSe、
：ZnS、：CuS。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス基板の上に、第１の電極と、第１の絶
縁層と、発光層と、第２の絶縁層と、第２の電極
とを順次積層し、前記第１または第２の電極の
内、少なくともその一方が透明電極で構成された
薄膜発光素子において、 前記発光層をZnSe、ZnS、CuSの順に積層した
薄膜で形成すると共に、真空中熱拡散処理を施し
たことを特徴とする薄膜発光素子の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63231450A JPH0282492A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 薄膜発光素子の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63231450A JPH0282492A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 薄膜発光素子の構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282492A JPH0282492A (ja) | 1990-03-23 |
| JPH0515038B2 true JPH0515038B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16923714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63231450A Granted JPH0282492A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 薄膜発光素子の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282492A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61211992A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-20 | 富士通株式会社 | Ｅｌパネルの製造方法 |
| JPS6244984A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-26 | 株式会社日立製作所 | 薄膜エレクトロ・ルミネセンス素子およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP63231450A patent/JPH0282492A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61211992A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-20 | 富士通株式会社 | Ｅｌパネルの製造方法 |
| JPS6244984A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-26 | 株式会社日立製作所 | 薄膜エレクトロ・ルミネセンス素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0282492A (ja) | 1990-03-23 |
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