JPH07282980A - 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH07282980A JPH07282980A JP6064292A JP6429294A JPH07282980A JP H07282980 A JPH07282980 A JP H07282980A JP 6064292 A JP6064292 A JP 6064292A JP 6429294 A JP6429294 A JP 6429294A JP H07282980 A JPH07282980 A JP H07282980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- heat
- substrate
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】破損しにくく、かつ安価に製作できる薄膜エレ
クトロルミネッセンス素子を得る。 【構成】基板として可撓性を有する耐熱性フィルム基板
１を用い、この基板上に、ＩＴＯからなる透明電極２、
SiO2とSi3N4 の複合膜からなる第１絶縁層３、Mnを添加
したZnS からなる発光層４、SiO2とSi3N4 の複合膜から
なる第２絶縁層５、アルミニウム膜からなる金属電極
６、さらにSiO2膜からなる保護膜７を、順次、形成させ
て薄膜エレクトロルミネッセンス素子を構成する。発光
層４は、基板加熱温度 250℃以下で、ＭＯＣＶＤ法で成
膜して形成する。
クトロルミネッセンス素子を得る。 【構成】基板として可撓性を有する耐熱性フィルム基板
１を用い、この基板上に、ＩＴＯからなる透明電極２、
SiO2とSi3N4 の複合膜からなる第１絶縁層３、Mnを添加
したZnS からなる発光層４、SiO2とSi3N4 の複合膜から
なる第２絶縁層５、アルミニウム膜からなる金属電極
６、さらにSiO2膜からなる保護膜７を、順次、形成させ
て薄膜エレクトロルミネッセンス素子を構成する。発光
層４は、基板加熱温度 250℃以下で、ＭＯＣＶＤ法で成
膜して形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平面ディスプレイ等に
使用される薄膜エレクトロルミネッセンス素子に関す
る。
使用される薄膜エレクトロルミネッセンス素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜エレクトロルミネッセンス素子（以
下、薄膜ＥＬ素子と略記する）は、厚さが数百ナノメー
ターの蛍光体薄膜の両側に、誘電体薄膜の絶縁層を設
け、これらを挟む電極に電圧を印加して発光させる素子
である。図４は、従来から用いられているこの種の薄膜
ＥＬ素子の基本構成を示す断面図である。
下、薄膜ＥＬ素子と略記する）は、厚さが数百ナノメー
ターの蛍光体薄膜の両側に、誘電体薄膜の絶縁層を設
け、これらを挟む電極に電圧を印加して発光させる素子
である。図４は、従来から用いられているこの種の薄膜
ＥＬ素子の基本構成を示す断面図である。
【０００３】この種の薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１１
の上に、インジウム・すず酸化物（ＩＴＯ）からなる透
明電極１２を蒸着したのち、さらに、高絶縁性誘電体膜
からなる第１絶縁層１３、蛍光体膜からなる発光層１
４、さらに高絶縁性誘電体膜からなる第２絶縁層１５を
蒸着し、最後にアルミニウム薄膜の金属電極１６を付け
て作製されている。
の上に、インジウム・すず酸化物（ＩＴＯ）からなる透
明電極１２を蒸着したのち、さらに、高絶縁性誘電体膜
からなる第１絶縁層１３、蛍光体膜からなる発光層１
４、さらに高絶縁性誘電体膜からなる第２絶縁層１５を
蒸着し、最後にアルミニウム薄膜の金属電極１６を付け
て作製されている。
【０００４】発光層１４の蛍光体には、 Cu あるいは M
n 等を添加した ZnSが通常用いられており、第１絶縁層
１３の上に蒸着成膜したのち、優れた安定性、高い発光
効率、高輝度を得るために 500〜 600〔℃〕の高温度で
の熱処理を行って結晶性を向上させている。また、第１
絶縁層１３および第２絶縁層１５には、高絶縁性のほ
か、高誘電性、防湿性、付着力、加工性等が要求され、
SiO2、Si3N4 、Ta2O5 、Al2O3 等が組み合わせて使用さ
れている。
n 等を添加した ZnSが通常用いられており、第１絶縁層
１３の上に蒸着成膜したのち、優れた安定性、高い発光
効率、高輝度を得るために 500〜 600〔℃〕の高温度で
の熱処理を行って結晶性を向上させている。また、第１
絶縁層１３および第２絶縁層１５には、高絶縁性のほ
か、高誘電性、防湿性、付着力、加工性等が要求され、
SiO2、Si3N4 、Ta2O5 、Al2O3 等が組み合わせて使用さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようにして作製さ
れた薄膜ＥＬ素子は、薄型で高輝度の発光が得られるの
で、平面ディスプレイ等に使用されている。従来の薄膜
ＥＬ素子では、上述したように、発光層の ZnSの結晶性
を向上させるために 500〜600 〔℃〕の高温度での熱処
理が必要であり、このため、素子の基板には、この高温
での熱処理工程に耐えられる特殊なガラス基板が用いら
れている。
れた薄膜ＥＬ素子は、薄型で高輝度の発光が得られるの
で、平面ディスプレイ等に使用されている。従来の薄膜
ＥＬ素子では、上述したように、発光層の ZnSの結晶性
を向上させるために 500〜600 〔℃〕の高温度での熱処
理が必要であり、このため、素子の基板には、この高温
での熱処理工程に耐えられる特殊なガラス基板が用いら
れている。
【０００６】しかしながら、ガラス基板は本質的に脆
く、ハンドリングに際して破損を生じる可能性が大きい
という難点があり、かつ高温工程に耐えるために特殊な
ガラスを使用せざるを得ないので、コストが高くなると
いう問題点があった。本発明の目的は、このような問題
点を解消し、破損しにくく、かつ安価に製作できる薄膜
ＥＬ素子を提供することにある。
く、ハンドリングに際して破損を生じる可能性が大きい
という難点があり、かつ高温工程に耐えるために特殊な
ガラスを使用せざるを得ないので、コストが高くなると
いう問題点があった。本発明の目的は、このような問題
点を解消し、破損しにくく、かつ安価に製作できる薄膜
ＥＬ素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明においては、薄膜ＥＬ素子を構成するため
の基板として、可撓性を有する耐熱性フィルムを用い、
この基板上に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に
より発光層を形成したことを特徴とする。さらに、上記
構成の薄膜ＥＬ素子の発光層を、ＭＯＣＶＤ法により 2
50〔℃〕以下で成膜することにより形成することとす
る。
めに、本発明においては、薄膜ＥＬ素子を構成するため
の基板として、可撓性を有する耐熱性フィルムを用い、
この基板上に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に
より発光層を形成したことを特徴とする。さらに、上記
構成の薄膜ＥＬ素子の発光層を、ＭＯＣＶＤ法により 2
50〔℃〕以下で成膜することにより形成することとす
る。
【０００８】
【作用】上記のように、薄膜ＥＬ素子を構成するための
基板として、可撓性を有する耐熱性フィルムを用いるこ
ととしたので、薄膜ＥＬ素子の可撓性が大幅に向上し、
ハンドリングに際しての破損がほぼ回避される。また、
耐熱性フィルムは、従来用いられているガラス基板に比
較して安価であるので、コストの安い素子を得ることが
できる。
基板として、可撓性を有する耐熱性フィルムを用いるこ
ととしたので、薄膜ＥＬ素子の可撓性が大幅に向上し、
ハンドリングに際しての破損がほぼ回避される。また、
耐熱性フィルムは、従来用いられているガラス基板に比
較して安価であるので、コストの安い素子を得ることが
できる。
【０００９】さらに、薄膜ＥＬ素子の発光層を、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いて 250〔℃〕以下で成膜、形成することと
したので、結晶粒が大きく、結晶性の良い膜が成長で
き、従来蒸着後におこなっていた 500〜600 〔℃〕での
高温熱処理を実施しなくても、ディスプレイとして十分
な輝度をもつ膜を成長できる。したがって、薄膜ＥＬ素
子を構成するための基板も、従来のように高温熱処理に
耐えるものである必要がなく、 250〔℃〕での成膜への
耐熱性を備えておれば、可撓性を有する耐熱性フィルム
を使用することができる。
ＶＤ法を用いて 250〔℃〕以下で成膜、形成することと
したので、結晶粒が大きく、結晶性の良い膜が成長で
き、従来蒸着後におこなっていた 500〜600 〔℃〕での
高温熱処理を実施しなくても、ディスプレイとして十分
な輝度をもつ膜を成長できる。したがって、薄膜ＥＬ素
子を構成するための基板も、従来のように高温熱処理に
耐えるものである必要がなく、 250〔℃〕での成膜への
耐熱性を備えておれば、可撓性を有する耐熱性フィルム
を使用することができる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面を用いて説
明する。図１は、本発明による薄膜ＥＬ素子の第１の実
施例の基本構成を示す断面図である。ポリイミド樹脂か
らなる耐熱性高分子フィルム基板１の上に、スパッタ法
によって、基板加熱温度 150〜 250〔℃〕で、 150〜20
0 〔nm〕厚のＩＴＯを成長させ、パターニングすること
により透明電極２が形成される。
明する。図１は、本発明による薄膜ＥＬ素子の第１の実
施例の基本構成を示す断面図である。ポリイミド樹脂か
らなる耐熱性高分子フィルム基板１の上に、スパッタ法
によって、基板加熱温度 150〜 250〔℃〕で、 150〜20
0 〔nm〕厚のＩＴＯを成長させ、パターニングすること
により透明電極２が形成される。
【００１１】第１絶縁層３は、ＳｉＯ2 層３ＡとＳｉ3
Ｎ4 層３Ｂとの複合膜で、透明電極２の上に、透明電極
２の側をＳｉＯ2 層３Ａとして、スパッタ法によって、
基板加熱温度 150〜250 〔℃〕で、200 〜 300〔nm〕成
長させ、形成される。発光層４は、Ｍｎを添加したＺｎ
Ｓからなり、ＭＯＣＶＤ法により、基板加熱温度 250
〔℃〕以下で、厚さが 500〜700 〔nm〕となるよう第１
絶縁層３の上に成膜、形成される。
Ｎ4 層３Ｂとの複合膜で、透明電極２の上に、透明電極
２の側をＳｉＯ2 層３Ａとして、スパッタ法によって、
基板加熱温度 150〜250 〔℃〕で、200 〜 300〔nm〕成
長させ、形成される。発光層４は、Ｍｎを添加したＺｎ
Ｓからなり、ＭＯＣＶＤ法により、基板加熱温度 250
〔℃〕以下で、厚さが 500〜700 〔nm〕となるよう第１
絶縁層３の上に成膜、形成される。
【００１２】第２絶縁層５は、第１絶縁層３と同様に、
ＳｉＯ2 層５ＢとＳｉ3 Ｎ4 層５Ａとの複合膜で、発光
層４を挟んで第１絶縁層３と対称となるように、発光層
４の側をＳｉ3 Ｎ4 層５Ａとして、スパッタ法によっ
て、基板加熱温度 150〜250 〔℃〕で、200 〜 300〔n
m〕成長させ、形成される。アルミニウム膜からなる金
属電極６は、ＳｉＯ2 層５Ｂの上に、スパッタ法によっ
て、基板加熱を行わないで、500 〜 700〔nm〕成長し、
パターニングしたものである。
ＳｉＯ2 層５ＢとＳｉ3 Ｎ4 層５Ａとの複合膜で、発光
層４を挟んで第１絶縁層３と対称となるように、発光層
４の側をＳｉ3 Ｎ4 層５Ａとして、スパッタ法によっ
て、基板加熱温度 150〜250 〔℃〕で、200 〜 300〔n
m〕成長させ、形成される。アルミニウム膜からなる金
属電極６は、ＳｉＯ2 層５Ｂの上に、スパッタ法によっ
て、基板加熱を行わないで、500 〜 700〔nm〕成長し、
パターニングしたものである。
【００１３】金属電極６をパターニング後に成膜される
保護膜７は、300 〜 500〔nm〕厚のＳｉＯ2 膜で形成さ
れる。この実施例の薄膜ＥＬ素子においては、発光した
光は耐熱性フィルム基板１を通して取り出されるので、
用いる耐熱性フィルムは、透過率の良いフィルムである
ことが必要である。
保護膜７は、300 〜 500〔nm〕厚のＳｉＯ2 膜で形成さ
れる。この実施例の薄膜ＥＬ素子においては、発光した
光は耐熱性フィルム基板１を通して取り出されるので、
用いる耐熱性フィルムは、透過率の良いフィルムである
ことが必要である。
【００１４】図２は、図１に示した第１の実施例の構成
の薄膜ＥＬ素子において、発光層４をなす ZnS層を、Ｍ
ＯＣＶＤ法により基板加熱温度２００〔℃〕で成長させ
た場合の素子の輝度−電圧特性である。従来の、蒸着
し、高温熱処理を行って得られる発光層での特性と、ほ
ぼ同等の特性が得られていることが判る。図３は、本発
明による薄膜ＥＬ素子の第２の実施例の基本構成を示す
断面図である。
の薄膜ＥＬ素子において、発光層４をなす ZnS層を、Ｍ
ＯＣＶＤ法により基板加熱温度２００〔℃〕で成長させ
た場合の素子の輝度−電圧特性である。従来の、蒸着
し、高温熱処理を行って得られる発光層での特性と、ほ
ぼ同等の特性が得られていることが判る。図３は、本発
明による薄膜ＥＬ素子の第２の実施例の基本構成を示す
断面図である。
【００１５】この実施例は、耐熱性フィルム基板１に金
属電極８を形成し、第２絶縁層５の上部に透明電極９を
形成している点が、第１の実施例と異なり、発光した光
を図中の上部の透明電極９側から取り出す方式の薄膜Ｅ
Ｌ素子である。なお、上述の第１の実施例、および第２
の実施例の薄膜ＥＬ素子においては、耐熱性フィルム基
板１として、ポリイミド樹脂からなる耐熱性フィルムを
用いているが、ポリイミド樹脂に限るものではなく、ポ
リアミドイミド、ＴＦＥ樹脂、ＦＥＰ樹脂、ＰＦＡ樹
脂、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン等の耐熱性フ
ィルムを用いて形成しても同等の効果を得られる。
属電極８を形成し、第２絶縁層５の上部に透明電極９を
形成している点が、第１の実施例と異なり、発光した光
を図中の上部の透明電極９側から取り出す方式の薄膜Ｅ
Ｌ素子である。なお、上述の第１の実施例、および第２
の実施例の薄膜ＥＬ素子においては、耐熱性フィルム基
板１として、ポリイミド樹脂からなる耐熱性フィルムを
用いているが、ポリイミド樹脂に限るものではなく、ポ
リアミドイミド、ＴＦＥ樹脂、ＦＥＰ樹脂、ＰＦＡ樹
脂、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン等の耐熱性フ
ィルムを用いて形成しても同等の効果を得られる。
【００１６】また、上述の第２の実施例の薄膜ＥＬ素子
においては、発光した光を図中の上部の透明電極９側か
ら取り出す方式であるので、耐熱性フィルム基板１を、
銅、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属箔からなる耐
熱性フィルム基板とし、金属電極８を成長する側にＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜を付けたものとしても同等の効果を得ら
れる。
においては、発光した光を図中の上部の透明電極９側か
ら取り出す方式であるので、耐熱性フィルム基板１を、
銅、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属箔からなる耐
熱性フィルム基板とし、金属電極８を成長する側にＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜を付けたものとしても同等の効果を得ら
れる。
【００１７】また、上述の第１の実施例及び第２の実施
例の薄膜ＥＬ素子においては、第１の絶縁層３、第２の
絶縁層５として、 SiO2 と Si3N4の複合膜を用いている
が、SiO2 とSiX O3-X N1+X の複合膜、あるいは SiO2
と Ta2O5の複合膜を用いてもよい。さらにまた、金属電
極８をアルミニウム膜で形成しているが、アルミニウム
とニッケルの複合膜を用いて形成してもよい。
例の薄膜ＥＬ素子においては、第１の絶縁層３、第２の
絶縁層５として、 SiO2 と Si3N4の複合膜を用いている
が、SiO2 とSiX O3-X N1+X の複合膜、あるいは SiO2
と Ta2O5の複合膜を用いてもよい。さらにまた、金属電
極８をアルミニウム膜で形成しているが、アルミニウム
とニッケルの複合膜を用いて形成してもよい。
【００１８】
【発明の効果】この発明では、上述のように、薄膜ＥＬ
素子を構成するための基板として、可撓性を有する耐熱
性フィルムを用いることとしたので、薄膜ＥＬ素子の可
撓性が大幅に向上し、ハンドリングに際しての破損がほ
ぼ回避されるようになった。また、耐熱性フィルムは、
従来用られているガラス基板に比較して安価であるの
で、コストの安い素子を得ることができるようになっ
た。
素子を構成するための基板として、可撓性を有する耐熱
性フィルムを用いることとしたので、薄膜ＥＬ素子の可
撓性が大幅に向上し、ハンドリングに際しての破損がほ
ぼ回避されるようになった。また、耐熱性フィルムは、
従来用られているガラス基板に比較して安価であるの
で、コストの安い素子を得ることができるようになっ
た。
【００１９】さらに、薄膜ＥＬ素子の発光層を、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いて150 〜 250〔℃〕で成膜、形成すること
としたので、従来蒸着後におこなっていた 500〜600
〔℃〕での高温熱処理を実施しなくても、結晶性の良い
膜が成長できる。したがって、上記のように薄膜ＥＬ素
子を構成するための基板として、可撓性を有する耐熱性
フィルムを用いて、ディスプレイとして十分な輝度をも
つ薄膜ＥＬ素子を得られるようになった。
ＶＤ法を用いて150 〜 250〔℃〕で成膜、形成すること
としたので、従来蒸着後におこなっていた 500〜600
〔℃〕での高温熱処理を実施しなくても、結晶性の良い
膜が成長できる。したがって、上記のように薄膜ＥＬ素
子を構成するための基板として、可撓性を有する耐熱性
フィルムを用いて、ディスプレイとして十分な輝度をも
つ薄膜ＥＬ素子を得られるようになった。
【００２０】また、可撓性を有する耐熱性フィルムを用
いた薄膜ＥＬ素子としたため、平面ディスプレイとして
ばかりでなく、曲面状のディスプレイとしても用いるこ
とができる。
いた薄膜ＥＬ素子としたため、平面ディスプレイとして
ばかりでなく、曲面状のディスプレイとしても用いるこ
とができる。
【図１】本発明の薄膜ＥＬ素子の第１の実施例の基本構
成を示す断面図
成を示す断面図
【図２】本発明の薄膜ＥＬ素子の第１の実施例における
輝度−電圧特性図
輝度−電圧特性図
【図３】本発明の薄膜ＥＬ素子の第２の実施例の基本構
成を示す断面図
成を示す断面図
【図４】従来のこの種の薄膜ＥＬ素子の基本構成を示す
断面図
断面図
１ 耐熱性フィルム基板 ２ 透明電極 ３ 第１絶縁層 ４ 発光層 ５ 第２絶縁層 ６ 金属電極 ７ 保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】耐熱性フィルムからなる基板上に、有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により、発光層を形成し
たことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセ
ンス素子において、前記発光層を基板加熱温度２５０
〔℃〕以下において成長させることを特徴とする薄膜エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】請求項１または２記載の薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子において、耐熱性フィルムは、ポリイ
ミド樹脂、ポリアミドイミド、ＴＦＥ樹脂、ＦＥＰ樹
脂、ＰＦＡ樹脂、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン
のうち、いずれか一つよりなる耐熱性高分子フィルムで
あることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項４】請求項１または２記載の薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子において、耐熱性フィルムは、片面に
絶縁膜を付設した、銅、アルミニウム、ステンレス鋼の
いずれか一つからなる金属箔であることを特徴とする薄
膜エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064292A JPH07282980A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064292A JPH07282980A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282980A true JPH07282980A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13254024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6064292A Pending JPH07282980A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07282980A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048007A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US8456078B2 (en) | 2007-01-31 | 2013-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Flexible display apparatus |
-
1994
- 1994-04-01 JP JP6064292A patent/JPH07282980A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8456078B2 (en) | 2007-01-31 | 2013-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Flexible display apparatus |
| JP2009048007A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020043929A1 (en) | Organic electroluminescence device with an improved heat radiation structure | |
| JP2003059644A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2007157501A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPH07282980A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH054797B2 (ja) | ||
| JP3258780B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| JPH0156517B2 (ja) | ||
| EP0327355B1 (en) | Thin film electroluminescent device | |
| JP2000091079A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH08162273A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05114482A (ja) | 透過型エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 | |
| JPH046279B2 (ja) | ||
| JP2000048962A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP3976892B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH10125471A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPH04249094A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造法 | |
| JPH03112089A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01204394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2008186778A (ja) | 照明装置 | |
| JPH02262295A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH06295787A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPS61267297A (ja) | 両面発光体 | |
| JPH0896957A (ja) | 薄膜電場発光素子の製造方法 | |
| JPH0124358B2 (ja) | ||
| JPS62219493A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 |