JPH0290493A - 交流駆動型薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
交流駆動型薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH0290493A JPH0290493A JP63241253A JP24125388A JPH0290493A JP H0290493 A JPH0290493 A JP H0290493A JP 63241253 A JP63241253 A JP 63241253A JP 24125388 A JP24125388 A JP 24125388A JP H0290493 A JPH0290493 A JP H0290493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- fluorescent
- thin film
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、交流駆動型薄膜ＥＬ素子の改良に関するもの
である。
である。
［発明の概要コ
本発明は、蛍光膜を形成するための下地基板に改良を加
え、その基板に蛍光膜をエピタキシャル成長させること
により、蛍光膜の結晶性を改善したものである。
え、その基板に蛍光膜をエピタキシャル成長させること
により、蛍光膜の結晶性を改善したものである。
［従来の技術］
従来、交流駆動型薄膜ＥＬ素子として、第３図の模式的
断面図に示すものが多用されている。即ち、同図におい
て、１はガラス基板、２は透明電極、３は蛍光膜、４，
５は蛍光膜をサンドインチ状にはさむ保護用絶縁膜、６
はアルミ電極である。
断面図に示すものが多用されている。即ち、同図におい
て、１はガラス基板、２は透明電極、３は蛍光膜、４，
５は蛍光膜をサンドインチ状にはさむ保護用絶縁膜、６
はアルミ電極である。
そして前記絶縁膜材料としては、Ｙ２Ｏ，。
ＡＱ２０ａｔ ＳｉＮ、ＳｉＯ□等がＥＢ蒸着法、スパ
ッタリング法、ＡＬＥ法等の方法により形成され、蛍光
膜材料としては、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣａＳ。
ッタリング法、ＡＬＥ法等の方法により形成され、蛍光
膜材料としては、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣａＳ。
ＳｒＳ等に各種発光中心となる不純物を添加し、これも
ＥＢ法、スパッタリング法、ＡＬＥ法等の方法により形
成されている。
ＥＢ法、スパッタリング法、ＡＬＥ法等の方法により形
成されている。
［発明が解決しようとするＳ題］
しかしながら、前記構成のＥＬ素子にあっては、非晶質
のガラス基板上に各薄膜を形成するため、成膜手法に様
々な工夫を凝らしても、絶縁膜は非晶質乃至は結晶性の
悪い（結晶粒径が小さい）多結晶となる。したがって更
にその上に形成される蛍光膜についても、下地結晶の影
響を受け、結晶性の良好な膜を形成するのが困難である
。
のガラス基板上に各薄膜を形成するため、成膜手法に様
々な工夫を凝らしても、絶縁膜は非晶質乃至は結晶性の
悪い（結晶粒径が小さい）多結晶となる。したがって更
にその上に形成される蛍光膜についても、下地結晶の影
響を受け、結晶性の良好な膜を形成するのが困難である
。
また、ガラス基板を用いるため、その歪点以上に温度を
上げることができず、成膜温度の熱処理温度についても
５００〜６００℃が限界であり（石英ガラス以外は）、
この点も結晶性の改善を図る上での障碍となっている。
上げることができず、成膜温度の熱処理温度についても
５００〜６００℃が限界であり（石英ガラス以外は）、
この点も結晶性の改善を図る上での障碍となっている。
［発明の目的］
本発明は、従来の交流駆動型薄膜ＥＬ素子に較べ、蛍光
膜の結晶性向上が図れると共に膜厚が小でも輝度が増大
し、より薄膜化が可能となり、さらに低駆動電圧が実現
できる改良された交流駆動型薄膜ＥＬ素子を提供するこ
とを目的としているものである。
膜の結晶性向上が図れると共に膜厚が小でも輝度が増大
し、より薄膜化が可能となり、さらに低駆動電圧が実現
できる改良された交流駆動型薄膜ＥＬ素子を提供するこ
とを目的としているものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記目的を達成するため、半導体単結晶基板
と、その基板上に形成された金属膜と、その金属膜上に
形成された絶縁膜と、その絶縁膜上に形成された蛍光膜
とを含む構成、および前記基板と金属膜との間に絶縁膜
を介装した構成とすることにより、上述した問題点の解
決を図ったものである。
と、その基板上に形成された金属膜と、その金属膜上に
形成された絶縁膜と、その絶縁膜上に形成された蛍光膜
とを含む構成、および前記基板と金属膜との間に絶縁膜
を介装した構成とすることにより、上述した問題点の解
決を図ったものである。
［作用］
上記構成の交流駆動型薄膜ＥＬ素子においては、下地基
板が半導体単結晶基板とされ、そのうえに金属膜、絶縁
膜が順次に形成され、絶縁膜に蛍光膜が形成されている
ので、結晶性の良い蛍光膜が得られる。
板が半導体単結晶基板とされ、そのうえに金属膜、絶縁
膜が順次に形成され、絶縁膜に蛍光膜が形成されている
ので、結晶性の良い蛍光膜が得られる。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例を示す交流駆動型薄膜ＥＬ
素子の模式的構成を示すものである。
素子の模式的構成を示すものである。
同図において、１０はＳｉ基板であって、このＳｉ基板
１０上に、金属膜１１、第１の絶縁膜１２、蛍光膜１３
、第２の絶縁膜１４、透明電極１５が順次に層状に形成
されている。
１０上に、金属膜１１、第１の絶縁膜１２、蛍光膜１３
、第２の絶縁膜１４、透明電極１５が順次に層状に形成
されている。
上記薄膜Ｅ、Ｌ素子の構成において、Ｓｉ基板１０には
、ＳＬが（１００）または（１１１）面方位の結晶構造
のものを、金属膜１１にはｐｔ。
、ＳＬが（１００）または（１１１）面方位の結晶構造
のものを、金属膜１１にはｐｔ。
Ｍｏ等の高融点金属を、第１の絶縁膜１２には、ＡＡＮ
を、蛍光膜１３にはＭｎ、 Ｔｂ Ｆ ３ ｔ Ｓ ｍ
ｙ Ｔｍ等の発光中心を含む六方晶（ウルツ鉱石）構造
のＺｎＳを、第２の絶縁膜１４にはＳｉＯ２，Ａ２０３
゜ＳｉＮ、Ｙ２Ｏ，等を、透明電極１５にはＩＴｏ。
を、蛍光膜１３にはＭｎ、 Ｔｂ Ｆ ３ ｔ Ｓ ｍ
ｙ Ｔｍ等の発光中心を含む六方晶（ウルツ鉱石）構造
のＺｎＳを、第２の絶縁膜１４にはＳｉＯ２，Ａ２０３
゜ＳｉＮ、Ｙ２Ｏ，等を、透明電極１５にはＩＴｏ。
ＺｎＯ等を選択使用している。
上記構成の薄膜ＥＬ素子は、例えば下記の作製方法によ
って容易に得られる。
って容易に得られる。
即ち、単結晶Ｓｉ （１１１）基板上に、例えばＤＣス
パッタ法、ＥＢ蒸発源を用いた超高真空ＭＢＥ法等の薄
膜形成法によって高融点金属（Ｐｔｌ Ｗ、Ｍｏ等）を
堆積させる際に、適当な条件（基板温度、成膜レート等
）を選べば、面心立方最密六方バッキングの結晶構造を
とってエピタキシャル成長させることができる。
パッタ法、ＥＢ蒸発源を用いた超高真空ＭＢＥ法等の薄
膜形成法によって高融点金属（Ｐｔｌ Ｗ、Ｍｏ等）を
堆積させる際に、適当な条件（基板温度、成膜レート等
）を選べば、面心立方最密六方バッキングの結晶構造を
とってエピタキシャル成長させることができる。
次に、その上に六方晶形の絶縁膜、例えばＡＱＮ （ウ
ルツ鉱型結晶）を超高真空のＭ Ｂ 、Ｅ法（分子線エ
ピタキシャル成長法）、、ＭＯＣ：ＶＤ法（有機金属化
学気相法）、ＡＬＥ法（原子層エピタキシャル成長法）
等の堆積法でエピタキシャル成長させる。
ルツ鉱型結晶）を超高真空のＭ Ｂ 、Ｅ法（分子線エ
ピタキシャル成長法）、、ＭＯＣ：ＶＤ法（有機金属化
学気相法）、ＡＬＥ法（原子層エピタキシャル成長法）
等の堆積法でエピタキシャル成長させる。
更にその上にＡＬＥ法、ＭＢＥ法またはＭ、ＯＣＶＤ法
等により、ウルツ鉱型結晶構造をもっＺｎＳ膜をエピタ
キシャル成長させる。その際、望む発光色により、Ｍｎ
、 Ｔｂ Ｆ ３＋ Ｓ ｍｇ Ｔｍ、 Ｐ ｒ等の発
光中心を添加しておく。
等により、ウルツ鉱型結晶構造をもっＺｎＳ膜をエピタ
キシャル成長させる。その際、望む発光色により、Ｍｎ
、 Ｔｂ Ｆ ３＋ Ｓ ｍｇ Ｔｍ、 Ｐ ｒ等の発
光中心を添加しておく。
次にＳｉｎ、、Ａ、０３．ＳｉＮ、Ｙ２Ｏ３等の第２絶
縁膜を堆積させ、最後にＩＴＯ，ＺｎＯ等の透明電極を
形成し、薄膜ＥＬ素子とする。ただし、前記第２絶縁膜
を省いてＭＩＳ型のＥＬ素子とすることができる。
縁膜を堆積させ、最後にＩＴＯ，ＺｎＯ等の透明電極を
形成し、薄膜ＥＬ素子とする。ただし、前記第２絶縁膜
を省いてＭＩＳ型のＥＬ素子とすることができる。
第２図に示したものは、本発明の他の実施例であって、
前記構成のＳｉ基板１０と金属膜１１とのあいだに前記
と同様なＡＱＮ （ウルツ鉱型結晶）のエピタキシャル
絶縁膜１６を形成したものである。
前記構成のＳｉ基板１０と金属膜１１とのあいだに前記
と同様なＡＱＮ （ウルツ鉱型結晶）のエピタキシャル
絶縁膜１６を形成したものである。
上記各薄膜ＥＬ素子の構成上の特徴は、蛍光膜を堆積す
るための下地基板表面が六方晶（ウルツ鉱型）の絶縁膜
で覆われている点にある。
るための下地基板表面が六方晶（ウルツ鉱型）の絶縁膜
で覆われている点にある。
これに対し、従来のＥＬ素子は、前述したように、ガラ
ス基板上の非晶質乃至多結晶である絶縁膜にＥＢ法等で
ＺｎＳ膜が形成されたものであり、その多くは立方晶（
せん亜鉱型）で、（１１１）に配向しているが、結晶性
（配向性）の悪い多結晶であるため、その上に形成され
る蛍光膜にあっては、下地結晶の影響を受け、結晶性の
良好な膜を形成するのが難しい。
ス基板上の非晶質乃至多結晶である絶縁膜にＥＢ法等で
ＺｎＳ膜が形成されたものであり、その多くは立方晶（
せん亜鉱型）で、（１１１）に配向しているが、結晶性
（配向性）の悪い多結晶であるため、その上に形成され
る蛍光膜にあっては、下地結晶の影響を受け、結晶性の
良好な膜を形成するのが難しい。
また、前記下地基板を用い、ＡＬＥ法、ＭＳＤ法により
、六方晶（ウルツ鉱型）のＣ軸配向多結晶膜を作製した
報告があり、それぞれＥＬ素子特性において、高効率化
、低電圧駆動が達成できたとしている。
、六方晶（ウルツ鉱型）のＣ軸配向多結晶膜を作製した
報告があり、それぞれＥＬ素子特性において、高効率化
、低電圧駆動が達成できたとしている。
前記実施例で示したものは、それを更に押し進め、Ｓｉ
単結晶基板上に六方晶の高融点金属および絶縁膜をエピ
タキシャル成長させ、ＺｎＳ六方晶エピタキシャル薄膜
形成を可能とし、更に一層の結晶性の向上を実現したも
のである。
単結晶基板上に六方晶の高融点金属および絶縁膜をエピ
タキシャル成長させ、ＺｎＳ六方晶エピタキシャル薄膜
形成を可能とし、更に一層の結晶性の向上を実現したも
のである。
実際の素子形態としては、図面に示した構成の基本素子
を任意の形状にて、静止画像または透明電極と下部の金
属電極を共に平行な線状にし、それらが互いに直交する
ような、いわゆるマトリックス状にし、かつＳｉ基板部
の画素間の分離を誘電体およびｐｎ接合を用いて行えば
、単純マトリックス駆動型とすることができる。更には
同様に素子分離を行えば、駆動制御回路をＳｉ基板上に
作り込むことも可能である。
を任意の形状にて、静止画像または透明電極と下部の金
属電極を共に平行な線状にし、それらが互いに直交する
ような、いわゆるマトリックス状にし、かつＳｉ基板部
の画素間の分離を誘電体およびｐｎ接合を用いて行えば
、単純マトリックス駆動型とすることができる。更には
同様に素子分離を行えば、駆動制御回路をＳｉ基板上に
作り込むことも可能である。
その場合、第２図に示すように、Ｓｉ基板と金属膜との
あいだにエピタキシャル絶縁膜１６を形成したものにあ
っては、Ｓｉ基板との電気的分離、画素間、ＥＬ発光部
（画素）とＳｉ基板内の駆動回路と、の分離が容易にな
る。
あいだにエピタキシャル絶縁膜１６を形成したものにあ
っては、Ｓｉ基板との電気的分離、画素間、ＥＬ発光部
（画素）とＳｉ基板内の駆動回路と、の分離が容易にな
る。
［発明の効果］
以上に述べたように、本発明は、下地基板に半導体単結
晶基板を用い、その上に金属膜、絶縁膜、蛍光膜を順次
に形成して薄膜ＥＬ素子を構成するものであるから、従
来のＥＬ素子より一層蛍光膜の結晶性を向上させること
ができる。そして蛍光膜の結晶性の改善により、下記の
効果が得られる。
晶基板を用い、その上に金属膜、絶縁膜、蛍光膜を順次
に形成して薄膜ＥＬ素子を構成するものであるから、従
来のＥＬ素子より一層蛍光膜の結晶性を向上させること
ができる。そして蛍光膜の結晶性の改善により、下記の
効果が得られる。
（１）効率の向上、高輝度化が実現できる。
交流駆動型薄膜ＥＬ素子の原理は、絶縁膜／蛍光膜の界
面またはその近傍の準位から放出された電子を電解によ
り加速し、発光中心原子（活性物質）に衝突させ、その
原子を励起状態し、その原子が基底状態に戻る際にエネ
ルギーを光として放出するものと考えられていることか
ら、結晶性の改善（とくに蛍光層であるＺｎＳを六方晶
でエピタキシャルすること）の効果は、界面から放出さ
れた電子を電界により加速する際に、結晶欠陥その他に
よる散乱等の損失を低減し、かつ非発光チャンネルを減
少させ、効率の向上が図れる。
面またはその近傍の準位から放出された電子を電解によ
り加速し、発光中心原子（活性物質）に衝突させ、その
原子を励起状態し、その原子が基底状態に戻る際にエネ
ルギーを光として放出するものと考えられていることか
ら、結晶性の改善（とくに蛍光層であるＺｎＳを六方晶
でエピタキシャルすること）の効果は、界面から放出さ
れた電子を電界により加速する際に、結晶欠陥その他に
よる散乱等の損失を低減し、かつ非発光チャンネルを減
少させ、効率の向上が図れる。
また、結晶性の向上により、界面からの電子を初期電子
とするなだれ増倍を起し易くなり（低電圧でなだれを生
ずる）、結果として、これも効率の増大に寄与する。
とするなだれ増倍を起し易くなり（低電圧でなだれを生
ずる）、結果として、これも効率の増大に寄与する。
さらに、効率が増大すると、結果として同電圧でも高輝
度となり、閾値電位が低下すると共に蛍光層の膜厚を簿
＜シても高輝度となるため、この膜厚の減少による低電
圧化も実現できる。
度となり、閾値電位が低下すると共に蛍光層の膜厚を簿
＜シても高輝度となるため、この膜厚の減少による低電
圧化も実現できる。
（２）半導体結晶を基板とすることによる効果前述した
如く、誘電体膜およびｐｎ接合の逆バイアスを用いた素
子または画素間分離を行えば、ＥＬ素子の駆動制御回路
を画素（ＥＬ発光部）以外の基板部分に集積化すること
ができる。
如く、誘電体膜およびｐｎ接合の逆バイアスを用いた素
子または画素間分離を行えば、ＥＬ素子の駆動制御回路
を画素（ＥＬ発光部）以外の基板部分に集積化すること
ができる。
また、いわゆる「アクティブ駆動ＪＥＬ素子を単一基板
を用いて実現できる。
を用いて実現できる。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の実施例を示す交
流駆動型薄膜ＥＬ素子の模式的構成図、第３図は従来の
交流駆動型薄膜ＥＬ素子の模式的構成図である。 １０・・・・・・・・・Ｓｉ基板、１１・・・・・・・
・・金属膜、１２・・・・・・・・・第１の絶縁膜、１
３・・・・・・・・・蛍光膜、１４・・・・・・・・・
第２の絶縁膜、１５・・・・・・・・・透明電極、１６
・・・・・・・・・絶縁膜。
流駆動型薄膜ＥＬ素子の模式的構成図、第３図は従来の
交流駆動型薄膜ＥＬ素子の模式的構成図である。 １０・・・・・・・・・Ｓｉ基板、１１・・・・・・・
・・金属膜、１２・・・・・・・・・第１の絶縁膜、１
３・・・・・・・・・蛍光膜、１４・・・・・・・・・
第２の絶縁膜、１５・・・・・・・・・透明電極、１６
・・・・・・・・・絶縁膜。
Claims (2)
- （１）半導体単結晶基板と、その基板上に形成された金
属膜と、その金属膜上に形成された絶縁膜と、その絶縁
膜上に形成された蛍光膜とを含む交流駆動型薄膜ＥＬ素
子。 - （２）半導体単結晶基板と金属膜との間に絶縁膜が介装
されている第１請求項記載の交流駆動型薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241253A JPH0290493A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 交流駆動型薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241253A JPH0290493A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 交流駆動型薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290493A true JPH0290493A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17071489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63241253A Pending JPH0290493A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 交流駆動型薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290493A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993021744A1 (en) * | 1992-04-16 | 1993-10-28 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
| KR100497154B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-06-23 | 한국과학기술연구원 | 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 및 그제조방법 |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP63241253A patent/JPH0290493A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993021744A1 (en) * | 1992-04-16 | 1993-10-28 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
| US5641582A (en) * | 1992-04-16 | 1997-06-24 | Komatsu Ltd. | Thin-film EL element |
| US5670207A (en) * | 1992-04-16 | 1997-09-23 | Komatsu Ltd. | Forming a thin-film EL element |
| KR100497154B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-06-23 | 한국과학기술연구원 | 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 및 그제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9281497B2 (en) | Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same | |
| US8278656B2 (en) | Substrate for the epitaxial growth of gallium nitride | |
| JPH0697704B2 (ja) | ＭＩＳ型ＺｎＳ青色発光素子 | |
| JP2833282B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法 | |
| JPH0290493A (ja) | 交流駆動型薄膜ｅｌ素子 | |
| US6819043B2 (en) | Electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| US9192018B2 (en) | Electroluminescence device, a production process of the same and a display apparatus | |
| JPH0298093A (ja) | 交流駆動型薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS59101794A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH05114482A (ja) | 透過型エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 | |
| JPH0574571A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH0883685A (ja) | 白色ｅｌ素子 | |
| JPH04237995A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH06132082A (ja) | 薄膜電界発光素子および製造法 | |
| JPH04332493A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH03145773A (ja) | 発光素子 | |
| JPH03141584A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JPH046279B2 (ja) | ||
| JPH0636876A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| Honda et al. | Emission Characteristics of GaN-Based EL Device with AC Operation | |
| JPS58175293A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPH01243391A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01200594A (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JPH0256895A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61211992A (ja) | Ｅｌパネルの製造方法 |