JPS59217990A - エレクトロルミネセンスパネルの製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネセンスパネルの製造方法Info
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- JPS59217990A JPS59217990A JP58091749A JP9174983A JPS59217990A JP S59217990 A JPS59217990 A JP S59217990A JP 58091749 A JP58091749 A JP 58091749A JP 9174983 A JP9174983 A JP 9174983A JP S59217990 A JPS59217990 A JP S59217990A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はエレクトロルミオ・センスパネルの製造方法、
特にその輝鹿−電圧特性を安定せしめる製造方法に関す
る。
特にその輝鹿−電圧特性を安定せしめる製造方法に関す
る。
（ｂ＋ 従来技術と問題点
表示装置の需要層が拡大されその方式が多様化するなか
でエレクトロルミネセンス（以下ｗＬと略称する少パネ
ルは平板形固体表示装置として、薄形でかつ表示ｔｌ＋
ｊ Ｍの大形化が可能であることを＊ｍきしている。
でエレクトロルミネセンス（以下ｗＬと略称する少パネ
ルは平板形固体表示装置として、薄形でかつ表示ｔｌ＋
ｊ Ｍの大形化が可能であることを＊ｍきしている。
従来性なわれている薄膜ＥＬ素子の例を第１図の断面図
に示す。図において、１はガラス基板、２はストライブ
状の透明電極、３及び５は透明絶縁層、４は発光層、６
は金属電極で透明電極２と直焚するストライプ状をなす
。発光層４は例えば多結晶硫化亜鉛（Ｚｎ８）薄膜に発
光中心として例えはマンガン（Ｍｎ）等の遷移金稿或い
は布上ｄＸｉ元素が添加されたものである。
に示す。図において、１はガラス基板、２はストライブ
状の透明電極、３及び５は透明絶縁層、４は発光層、６
は金属電極で透明電極２と直焚するストライプ状をなす
。発光層４は例えば多結晶硫化亜鉛（Ｚｎ８）薄膜に発
光中心として例えはマンガン（Ｍｎ）等の遷移金稿或い
は布上ｄＸｉ元素が添加されたものである。
交流電圧を選択された表示点を富む行及び列の電極２と
６きの間に印加して、発光層４内に１０’［ＶＡｆｆｉ
）程度の電界を形成し、これによって〃【１速された電
子を発光中心に衝突させてこれを励起し発光させること
によって表示が行なわれる。
６きの間に印加して、発光層４内に１０’［ＶＡｆｆｉ
）程度の電界を形成し、これによって〃【１速された電
子を発光中心に衝突させてこれを励起し発光させること
によって表示が行なわれる。
従来の薄膜１４３１．パネルの輝度−“電圧特性の例を
第２図に示す。図において横軸は前配電４へ間ζこ印加
される電圧、縦軸は輝度を示し、破線で示す曲線Ａは製
造直後の初期特性、実線で示す曲線Ｂは２００時間程度
動作後の特性を示す。
第２図に示す。図において横軸は前配電４へ間ζこ印加
される電圧、縦軸は輝度を示し、破線で示す曲線Ａは製
造直後の初期特性、実線で示す曲線Ｂは２００時間程度
動作後の特性を示す。
すなわち、薄膜Ｍｌ、パネルを製造して初めて動作させ
るとき初期の２００時間程度の間に、閾値電圧が数１０
（Ｖ：１程度高電圧側にシフトする現象があり、従来は
製造された全パネルに２００時間程度の安定化処理すな
わち電圧印刀口を行なりた後にその良否の判定を行なっ
ている。
るとき初期の２００時間程度の間に、閾値電圧が数１０
（Ｖ：１程度高電圧側にシフトする現象があり、従来は
製造された全パネルに２００時間程度の安定化処理すな
わち電圧印刀口を行なりた後にその良否の判定を行なっ
ている。
ｆｆ１１５０（℃）として処理時間を短縮するこきも可
能ではあるが、高温エージングは例えば薄膜の剥離など
の劣化現象を加速する結果となり好ましくない。
能ではあるが、高温エージングは例えば薄膜の剥離など
の劣化現象を加速する結果となり好ましくない。
前述の如き長時間の処理時間が必要とされることは生産
性が阻害されるのみならず、品質管理。
性が阻害されるのみならず、品質管理。
納期管理などについても強い制約条件であって、従来の
如き安定化処理を必要としない薄膜ＥＬパネルの＃遣方
法が要望されている。
如き安定化処理を必要としない薄膜ＥＬパネルの＃遣方
法が要望されている。
ＩｃＩ 発明の目的
本発明の目的は薄膜ＥＬパネルに関して、初期状態で既
に安定化した特性が得られる製造方法を提供することを
目的とする。
に安定化した特性が得られる製造方法を提供することを
目的とする。
（ｄｌ 発明の構成
本発明の前記目的は、基板上に遷移元素あるいは希土類
元素を発光中心として添加したｎ −Ｖｌ族化合物半導
体よりなる発光層を含む素子を形成し、該素子に水素雰
囲気中において加熱処理を行なう工程を含むエレクトロ
ルミネセンスパネルの製造方法により達成される。
元素を発光中心として添加したｎ −Ｖｌ族化合物半導
体よりなる発光層を含む素子を形成し、該素子に水素雰
囲気中において加熱処理を行なう工程を含むエレクトロ
ルミネセンスパネルの製造方法により達成される。
先に述べた薄膜ｇＬパネルの初期特性に見られイ氏
る比較的電界における発光は ＠３図に示すエネルギバ
ンド図に破線によって模式的に示した分布への如き浅い
界面準位からの電子の放出に起因する。
ンド図に破線によって模式的に示した分布への如き浅い
界面準位からの電子の放出に起因する。
すなわち、例えば硫化亜鉛（ＺｎＪよりなる発光層の例
えば窒化シリコン（＋１ｌｉｉｊＮ、）よりなる絶縁層
との界面にはタングリングボンドが存在し、これによっ
て界面準位が形成される。一般に薄膜ｈｉＬパネルにお
いては、これらの層はスパッタリング、蒸着等の方法で
形成された多結晶もしくは非晶質状態であって、第３図
に実ボメによって示す分布Ｂの如き深い準位を形成する
安定したタングリングポンド以外に、先に述べた分布人
の如き浅い準位を形成するダングリングボンドが多数存
在する。
えば窒化シリコン（＋１ｌｉｉｊＮ、）よりなる絶縁層
との界面にはタングリングボンドが存在し、これによっ
て界面準位が形成される。一般に薄膜ｈｉＬパネルにお
いては、これらの層はスパッタリング、蒸着等の方法で
形成された多結晶もしくは非晶質状態であって、第３図
に実ボメによって示す分布Ｂの如き深い準位を形成する
安定したタングリングポンド以外に、先に述べた分布人
の如き浅い準位を形成するダングリングボンドが多数存
在する。
この浅い準位を形成するダングリングボンドは不安定で
あって、動作中にＺｎ８発光層中に存在する水素イオン
（［ｌ」つ、酸素イオン（Ｕ−）等と結合して消滅し、
先に述べた如き輝度−電圧特性の変化を生じている。
あって、動作中にＺｎ８発光層中に存在する水素イオン
（［ｌ」つ、酸素イオン（Ｕ−）等と結合して消滅し、
先に述べた如き輝度−電圧特性の変化を生じている。
本発明の製造方法においては、前記の不安定なダングリ
ングボンドを水素と結合させて消滅させることによって
、初期状態で既に安定した特性を得るものである。
ングボンドを水素と結合させて消滅させることによって
、初期状態で既に安定した特性を得るものである。
ｌｅｔ 発明の実施例
以下本発明を実施例により図面を参照して具体的に発明
する。
する。
第４図は本発明の実施例の薄膜ＭＬ素子を示す断面図で
ある。
ある。
本実施例のｍａｗｂ素子には、ガラス基板ｌｌ上に、酸
化インジウム・錫（（ｌｎ８ｎ）ｔＵ３）を厚さ例えば
２００［ｗｉ］程屁にスパッタリングし、ストライプ状
にパターニングすることによって透明下部電極１２が形
成され、次いで第１の透明絶縁層１３が例んは窒化シリ
コン（ｉＪｉ３１’Ｊ、Ｊによりて厚さ３００［：ｎｍ
）程度に、発光層１４が例えはＭｎを含むＺｎＳによっ
て厚さ６００〔口ｍ〕程ｒｔｔに、第２の透明絶縁層１
５が倒えは、９＋３Ｎ、によって厚さ３００（ｎｍ）４
度に順次形成され、更に上部通４１６が例えばアルミニ
ウム（Ａｔ）によって前記透明下部電極１２に対して直
交するストライプ状に形成されている。
化インジウム・錫（（ｌｎ８ｎ）ｔＵ３）を厚さ例えば
２００［ｗｉ］程屁にスパッタリングし、ストライプ状
にパターニングすることによって透明下部電極１２が形
成され、次いで第１の透明絶縁層１３が例んは窒化シリ
コン（ｉＪｉ３１’Ｊ、Ｊによりて厚さ３００［：ｎｍ
）程度に、発光層１４が例えはＭｎを含むＺｎＳによっ
て厚さ６００〔口ｍ〕程ｒｔｔに、第２の透明絶縁層１
５が倒えは、９＋３Ｎ、によって厚さ３００（ｎｍ）４
度に順次形成され、更に上部通４１６が例えばアルミニ
ウム（Ａｔ）によって前記透明下部電極１２に対して直
交するストライプ状に形成されている。
前記の如く形成された薄膜Ｅｌ、素子に水素（Ｈ，）炉
中で温度５００［’Ｃ；）、時間１時間８Ｉ糺の／Ｊｌ
ｌ熱処理を行なう。
中で温度５００［’Ｃ；）、時間１時間８Ｉ糺の／Ｊｌ
ｌ熱処理を行なう。
この力０熱処理を行なった薄Ｉ莫Ｅｌ、素子にｔ［来技
術によるパッケージを施して薄１１ｆ％ １９ Ｌパネ
ルを完成する。
術によるパッケージを施して薄１１ｆ％ １９ Ｌパネ
ルを完成する。
本実施例の輝度−電圧特注の例を弔５図にボす。
本実施例ζこおいては敢初の′配圧印加時点から従来の
先に第２図に示したｙ口き低閾値電圧、低輝度の発光状
態がなく、２０Ｌ１時間以上の通電を何っても閾値■、
圧の変化は然祝し得る程度で安定した特性が得られてい
る。
先に第２図に示したｙ口き低閾値電圧、低輝度の発光状
態がなく、２０Ｌ１時間以上の通電を何っても閾値■、
圧の変化は然祝し得る程度で安定した特性が得られてい
る。
Ｃ（Ｊ）像な特注の安定比は、本発明の水素雰囲気中の
〃１１熱処理；こよって薄膜１号り素子内に導入された
１ＩＩｊＡ子かｔｌｆｌ Ｑｅの不安定なダングリング
ボンドと縮合してこれを？Ｆｊ戚させるごとによっても
たりされている。水素に代えて酸素を用いてもこの傾向
は認めりれるか、酸素は水素より拡散し難いため（こ幼
釆／：Ｊコ少！五く、乃・つ雀属電砿等を酸化するため
に過当ではない。
〃１１熱処理；こよって薄膜１号り素子内に導入された
１ＩＩｊＡ子かｔｌｆｌ Ｑｅの不安定なダングリング
ボンドと縮合してこれを？Ｆｊ戚させるごとによっても
たりされている。水素に代えて酸素を用いてもこの傾向
は認めりれるか、酸素は水素より拡散し難いため（こ幼
釆／：Ｊコ少！五く、乃・つ雀属電砿等を酸化するため
に過当ではない。
（１１発明の効果
以上説明した如く本発明によれは、薄８！％１ｆｌｌ、
素子のル？、＋廷−宿庄４月生の初期変イ［の原因であ
る不安ンＥな洩いＪＩＷ４位が短時間に効果的に排除さ
れて、従米何”ｉ イつれて−いる長時間の安定化処理
が不要とμり゛Ｃ製蔵ｌ／１俵Ｆ」数が大幅に知縮され
て、生産性のｌ１ｌＪ上２品負曾埋の迅速な対処による
品質の向上など幅広い幼米ｉ＋ｉ−得られる。
素子のル？、＋廷−宿庄４月生の初期変イ［の原因であ
る不安ンＥな洩いＪＩＷ４位が短時間に効果的に排除さ
れて、従米何”ｉ イつれて−いる長時間の安定化処理
が不要とμり゛Ｃ製蔵ｌ／１俵Ｆ」数が大幅に知縮され
て、生産性のｌ１ｌＪ上２品負曾埋の迅速な対処による
品質の向上など幅広い幼米ｉ＋ｉ−得られる。
弔１図はＩ！膜ＢＬ素子の従来例を示ず断面図、第２図
はその輝度−電圧特性の例を示す図、第３図は発光層の
界面の状態を説明するエイ、ルキバンド図、第４図は本
発明の実施例を示す断面図、第５図はその輝度−電圧特
性の例を示す図である。 図において、１１はガラス基板、１２は透明下部１凱
１３及び１５は透明杷酊層、１５は発光層、１６は金属
上部゛電極を示す。 第１図 第２ｇ 印加＃圧 ｆｆ） 第３ 瞥
はその輝度−電圧特性の例を示す図、第３図は発光層の
界面の状態を説明するエイ、ルキバンド図、第４図は本
発明の実施例を示す断面図、第５図はその輝度−電圧特
性の例を示す図である。 図において、１１はガラス基板、１２は透明下部１凱
１３及び１５は透明杷酊層、１５は発光層、１６は金属
上部゛電極を示す。 第１図 第２ｇ 印加＃圧 ｆｆ） 第３ 瞥
Claims (1)
- 基板上ζこ遷移元素あるいは希土類元素を発光中心とし
て添〃口したＵ〜■族化合物半導体よりなる発光層を含
む素子を形成し、該素子に水素雰囲気中ｌこおいて刃口
熱処理を竹なう工程を含むことを特徴とするエレクトロ
ルミネセンスパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58091749A JPS59217990A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | エレクトロルミネセンスパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58091749A JPS59217990A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | エレクトロルミネセンスパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217990A true JPS59217990A (ja) | 1984-12-08 |
Family
ID=14035177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58091749A Pending JPS59217990A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | エレクトロルミネセンスパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217990A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188492A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-05-06 | 日本メクトロン株式会社 | 発光体の製造法 |
| JPS6188493A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-05-06 | 日本メクトロン株式会社 | 発光体の製造法 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP58091749A patent/JPS59217990A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188492A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-05-06 | 日本メクトロン株式会社 | 発光体の製造法 |
| JPS6188493A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-05-06 | 日本メクトロン株式会社 | 発光体の製造法 |
| JPH0524637B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1993-04-08 | Nippon Mektron Kk | |
| JPH0524638B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1993-04-08 | Nippon Mektron Kk |
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