JPH06260286A - 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH06260286A JPH06260286A JP5046376A JP4637693A JPH06260286A JP H06260286 A JPH06260286 A JP H06260286A JP 5046376 A JP5046376 A JP 5046376A JP 4637693 A JP4637693 A JP 4637693A JP H06260286 A JPH06260286 A JP H06260286A
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- JP
- Japan
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- film
- light emitting
- carrier
- emitting film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、低電圧駆動で高輝度の発光を得るこ
とを目的とする。 【構成】透明基板(11)と、この透明基板(11)上に形成さ
れた透明電極(12)と、この透明電極(12)上に第１の絶縁
膜(13)を介して形成された発光膜(16)と、この発光膜(1
6)上に第２の絶縁膜(19)を介して形成された背面電極(2
0)とを具備する薄膜レクトロルミネッセンス素子におい
て、前記発光膜(16)と絶縁膜(13 ，19) との間の発光膜
側に該発光膜(16)の母材と同じもしくはバンドギャップ
が発光膜(16)よりも大きな材料からなるキャリア加速層
(15 ，17) を設け、かつ前記発光膜(16)と絶縁膜(13 ，
19) との間の絶縁膜側に注入電子の供給源としての機能
を持つキャリア供給層(14 ，18) を設けることを特徴と
する薄膜レクトロルミネッセンス素子。
とを目的とする。 【構成】透明基板(11)と、この透明基板(11)上に形成さ
れた透明電極(12)と、この透明電極(12)上に第１の絶縁
膜(13)を介して形成された発光膜(16)と、この発光膜(1
6)上に第２の絶縁膜(19)を介して形成された背面電極(2
0)とを具備する薄膜レクトロルミネッセンス素子におい
て、前記発光膜(16)と絶縁膜(13 ，19) との間の発光膜
側に該発光膜(16)の母材と同じもしくはバンドギャップ
が発光膜(16)よりも大きな材料からなるキャリア加速層
(15 ，17) を設け、かつ前記発光膜(16)と絶縁膜(13 ，
19) との間の絶縁膜側に注入電子の供給源としての機能
を持つキャリア供給層(14 ，18) を設けることを特徴と
する薄膜レクトロルミネッセンス素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜エレクトロルミネッ
センス（ＥＬ）素子に関し、特に表示装置に利用される
薄膜ＥＬ素子に関する。
センス（ＥＬ）素子に関し、特に表示装置に利用される
薄膜ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜ＥＬ素子としては、例えば図
２に示すものが知られている（特開平２−１９９７９４
号）。
２に示すものが知られている（特開平２−１９９７９４
号）。
【０００３】図中の１は、ガラス基板である。このガラ
ス基板１上には、透明電極２，厚い第１の絶縁膜３，第
１の中間電極４，薄い第２の絶縁膜５，蛍光（発光）層
６，薄い第３の絶縁膜７，第２の中間電極８，厚い第４
の絶縁膜９及び背面電極10が順次形成されている。ここ
で、前記中間電極４，８としては、Ａｌ，Ａｕ等の金属
やＩＴＯ（Ｉndium Ｔin Ｏxide）等の透明電極、ある
いは非常に高濃度にドナーをドープしたｎ型半導体でも
良い。但し、金属や半導体を用いる場合には、光を取り
出す側の中間電極は少なくとも光が透過する程度に十分
薄くしなければならない。
ス基板１上には、透明電極２，厚い第１の絶縁膜３，第
１の中間電極４，薄い第２の絶縁膜５，蛍光（発光）層
６，薄い第３の絶縁膜７，第２の中間電極８，厚い第４
の絶縁膜９及び背面電極10が順次形成されている。ここ
で、前記中間電極４，８としては、Ａｌ，Ａｕ等の金属
やＩＴＯ（Ｉndium Ｔin Ｏxide）等の透明電極、ある
いは非常に高濃度にドナーをドープしたｎ型半導体でも
良い。但し、金属や半導体を用いる場合には、光を取り
出す側の中間電極は少なくとも光が透過する程度に十分
薄くしなければならない。
【０００４】こうした構成の薄膜ＥＬ素子において、背
面電極10と透明電極２との間に電圧を印加し、発光膜６
に電界を加えると、中間電極４，８から電子が薄い第２
の絶縁膜５，第３の絶縁膜７をトンネリングして発光膜
６中に注入される。注入電子は発光膜６内に生じている
電界によって加速され、発光膜６中の発光中心に衝突
し、発光中心を励起する。
面電極10と透明電極２との間に電圧を印加し、発光膜６
に電界を加えると、中間電極４，８から電子が薄い第２
の絶縁膜５，第３の絶縁膜７をトンネリングして発光膜
６中に注入される。注入電子は発光膜６内に生じている
電界によって加速され、発光膜６中の発光中心に衝突
し、発光中心を励起する。
【０００５】中間電極４，８がない場合、発光膜６に注
入される電子は、絶縁膜５，７と発光膜６との界面に存
在する準位（トラップ）から供給される。従って、同一
電界において、中間電極４，８がある場合の方が注入電
子が多くなり、発光輝度も増加する。
入される電子は、絶縁膜５，７と発光膜６との界面に存
在する準位（トラップ）から供給される。従って、同一
電界において、中間電極４，８がある場合の方が注入電
子が多くなり、発光輝度も増加する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の薄膜
ＥＬ素子においては、中間電極４，８から発光膜６に注
入された電子の内、電界による加速で得られたエネルギ
ーが発光中心を励起するのに必要なエネルギーよりも大
きい電子のみが輝度向上に貢献する。従って、中間電極
４、８から発光膜６に注入直後の電子は、十分なエネル
ギーが電界によって得られていないため、発光中心に衝
突してもエネルギーを失うだけで、発光中心を励起する
ことができない。
ＥＬ素子においては、中間電極４，８から発光膜６に注
入された電子の内、電界による加速で得られたエネルギ
ーが発光中心を励起するのに必要なエネルギーよりも大
きい電子のみが輝度向上に貢献する。従って、中間電極
４、８から発光膜６に注入直後の電子は、十分なエネル
ギーが電界によって得られていないため、発光中心に衝
突してもエネルギーを失うだけで、発光中心を励起する
ことができない。
【０００７】本発明は上記事情を鑑みてなされたもの
で、中間電極から注入された電子が無駄なく発光中心を
励起することができる薄膜ＥＬ素子を提供することを目
的とする。
で、中間電極から注入された電子が無駄なく発光中心を
励起することができる薄膜ＥＬ素子を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板と、
この透明基板上に形成された透明電極と、この透明電極
上に第１の絶縁膜を介して形成された発光膜と、この発
光膜上に第２の絶縁膜を介して形成された背面電極とを
具備する薄膜レクトロルミネッセンス素子において、前
記発光膜と絶縁膜との間の発光膜側に該発光膜の母材と
同じもしくはバンドギャップが発光膜よりも大きな材料
からなるキャリア加速層を設け、かつ前記発光膜と絶縁
膜との間の絶縁膜側に注入電子の供給源としての機能を
持つキャリア供給層を設けることを特徴とする薄膜レク
トロルミネッセンス素子である。
この透明基板上に形成された透明電極と、この透明電極
上に第１の絶縁膜を介して形成された発光膜と、この発
光膜上に第２の絶縁膜を介して形成された背面電極とを
具備する薄膜レクトロルミネッセンス素子において、前
記発光膜と絶縁膜との間の発光膜側に該発光膜の母材と
同じもしくはバンドギャップが発光膜よりも大きな材料
からなるキャリア加速層を設け、かつ前記発光膜と絶縁
膜との間の絶縁膜側に注入電子の供給源としての機能を
持つキャリア供給層を設けることを特徴とする薄膜レク
トロルミネッセンス素子である。
【０００９】図１は、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の概念
図を示す。図中の11は、ガラス基板である。このガラス
基板11上には、透明電極12，第１の絶縁膜13，第１のキ
ャリア供給層14，第１のキャリア加速層15，蛍光（発
光）層16，第２のキャリア加速層17，第２のキャリア供
給層18，第２の絶縁膜19及び背面電極20が順次形成され
ている。ここで、前記キャリア供給層14，18は、従来例
の中間電極と同様に注入電子の供給源としての機能を持
つ。従って、その材質としては、従来例の場合と同様、
Ａｌ，Ａｕ等からなる金属膜やＩＴＯ（Ｉndium Ｔin
Ｏxide）等の透明電極、あるいは非常に高濃度にドナー
をドープしたｎ型半導体等を用いる。一方、キャリア加
速層15，17には、発光膜26の母材と同じ、又はバンドギ
ャップが発光膜16より大きな母材を使用し、この層には
発光中心をドープしない。
図を示す。図中の11は、ガラス基板である。このガラス
基板11上には、透明電極12，第１の絶縁膜13，第１のキ
ャリア供給層14，第１のキャリア加速層15，蛍光（発
光）層16，第２のキャリア加速層17，第２のキャリア供
給層18，第２の絶縁膜19及び背面電極20が順次形成され
ている。ここで、前記キャリア供給層14，18は、従来例
の中間電極と同様に注入電子の供給源としての機能を持
つ。従って、その材質としては、従来例の場合と同様、
Ａｌ，Ａｕ等からなる金属膜やＩＴＯ（Ｉndium Ｔin
Ｏxide）等の透明電極、あるいは非常に高濃度にドナー
をドープしたｎ型半導体等を用いる。一方、キャリア加
速層15，17には、発光膜26の母材と同じ、又はバンドギ
ャップが発光膜16より大きな母材を使用し、この層には
発光中心をドープしない。
【００１０】
【作用】図１の構成の薄膜ＥＬ素子において、背面電極
20と透明電極12との間に電圧を印加すると、キャリア供
給層14，18からキャリア加速層15，17に注入された電子
は、発光中心に衝突する（運動エネルギーを失う）こと
なく、発光中心を十分に励起できるエネルギーを持っ
て、発光膜16に注入される。従って、発光膜16に注入さ
れたすべての電子は、発光中心を励起することができる
ので、高効率の発光を得ることができる。
20と透明電極12との間に電圧を印加すると、キャリア供
給層14，18からキャリア加速層15，17に注入された電子
は、発光中心に衝突する（運動エネルギーを失う）こと
なく、発光中心を十分に励起できるエネルギーを持っ
て、発光膜16に注入される。従って、発光膜16に注入さ
れたすべての電子は、発光中心を励起することができる
ので、高効率の発光を得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照して
説明する。 （実施例１）図３を参照する。この実施例１に係る薄膜
ＥＬ素子は、Ｍｎをドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍ
ｎ）を蛍光（発光）膜としたものである。
説明する。 （実施例１）図３を参照する。この実施例１に係る薄膜
ＥＬ素子は、Ｍｎをドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍ
ｎ）を蛍光（発光）膜としたものである。
【００１２】図中の符号31は、ガラス基板である。この
ガラス基板31上には、ＩＴＯ透明電極32，第１の絶縁膜
としてのＨｆＯ2 絶縁膜33，ｎ型のＺｎＯ膜34，ＺｎＳ
膜35，Ｍｎをドープした硫化亜鉛からなる発光膜36，Ｚ
ｎＳ膜37，ｎ型のＺｎＯ膜38，第２の絶縁膜としてのＨ
ｆＯ2 絶縁膜39が順次形成され、更に前記ＨｆＯ2 絶縁
膜39上に背面電極としてのＡｇ電極40が形成されてい
る。ここで、上記各膜，電極は真空蒸着法やスパッタ法
等により形成される。また、前記ｎ型のＺｎＯ膜34，38
はキャリア供給層に相当し、ＺｎＳ膜35，37はキャリア
加速層に相当する。
ガラス基板31上には、ＩＴＯ透明電極32，第１の絶縁膜
としてのＨｆＯ2 絶縁膜33，ｎ型のＺｎＯ膜34，ＺｎＳ
膜35，Ｍｎをドープした硫化亜鉛からなる発光膜36，Ｚ
ｎＳ膜37，ｎ型のＺｎＯ膜38，第２の絶縁膜としてのＨ
ｆＯ2 絶縁膜39が順次形成され、更に前記ＨｆＯ2 絶縁
膜39上に背面電極としてのＡｇ電極40が形成されてい
る。ここで、上記各膜，電極は真空蒸着法やスパッタ法
等により形成される。また、前記ｎ型のＺｎＯ膜34，38
はキャリア供給層に相当し、ＺｎＳ膜35，37はキャリア
加速層に相当する。
【００１３】こうした構成の薄膜ＥＬ素子において、電
圧を印加すると、ｎ型のＺｎＯ膜34，38からＺｎＳ膜3
5，37に電子が注入され、加速された後、前記発光膜36
に注入される。そして、加速された注入電子は、発光中
心であるＭｎを励起し、黄橙色の光を放射する。
圧を印加すると、ｎ型のＺｎＯ膜34，38からＺｎＳ膜3
5，37に電子が注入され、加速された後、前記発光膜36
に注入される。そして、加速された注入電子は、発光中
心であるＭｎを励起し、黄橙色の光を放射する。
【００１４】このように、実施例１によれば、発光膜36
とＨｆＯ2 絶縁膜33，39との間の発光膜36側にＺｎＳ膜
35，37を、かつ絶縁膜33，39側にｎ型のＺｎＯ膜34，38
を設けた構成になっているため、注入された電子が発光
中心を無駄なく励起し、低電圧駆動で高輝度の発光を得
ることができる。 （実施例２）図４を参照する。但し、図３と同部材は同
符号を付して説明を省略する。
とＨｆＯ2 絶縁膜33，39との間の発光膜36側にＺｎＳ膜
35，37を、かつ絶縁膜33，39側にｎ型のＺｎＯ膜34，38
を設けた構成になっているため、注入された電子が発光
中心を無駄なく励起し、低電圧駆動で高輝度の発光を得
ることができる。 （実施例２）図４を参照する。但し、図３と同部材は同
符号を付して説明を省略する。
【００１５】この実施例２に係る薄膜ＥＬ素子は、発光
膜をｎ層形成したものである。同素子は、キャリア供給
層であるｎ型のＺｎＯ膜34，38間に、キャリア加速層と
しての第１〜第（ｎ＋１）ＺｎＳ膜351 ，352 ，353 ，
35n ，35n+1 と第１〜第ｎ発光膜361 ，362 ，363 ，36
n ，36n+1 を挟んだ多層構造になっている。
膜をｎ層形成したものである。同素子は、キャリア供給
層であるｎ型のＺｎＯ膜34，38間に、キャリア加速層と
しての第１〜第（ｎ＋１）ＺｎＳ膜351 ，352 ，353 ，
35n ，35n+1 と第１〜第ｎ発光膜361 ，362 ，363 ，36
n ，36n+1 を挟んだ多層構造になっている。
【００１６】こうした構成の薄膜ＥＬ素子において、電
圧を印加（例えば、Ａｇ電極40にマイナス）すると、ｎ
型のＺｎＯ膜38から第１ＺｎＳ膜351 に注入された電子
は加速された後、第１発光膜361 に注入される。そし
て、発光中心であるＭｎを励起する。第１発光膜361 に
注入された電子の内、Ｍｎの励起に使用されずに発光膜
を通過した電子は、次の第２ＺｎＳ膜352 で再び加速さ
れ、第２発光膜362 に注入される。以下、同様に、発光
膜で励起されなかった電子は、次の加速層で加速され発
光膜に導かれる。従って、キャリア供給層から注入され
た電子のすべてを発光中心の励起に使用することができ
る。
圧を印加（例えば、Ａｇ電極40にマイナス）すると、ｎ
型のＺｎＯ膜38から第１ＺｎＳ膜351 に注入された電子
は加速された後、第１発光膜361 に注入される。そし
て、発光中心であるＭｎを励起する。第１発光膜361 に
注入された電子の内、Ｍｎの励起に使用されずに発光膜
を通過した電子は、次の第２ＺｎＳ膜352 で再び加速さ
れ、第２発光膜362 に注入される。以下、同様に、発光
膜で励起されなかった電子は、次の加速層で加速され発
光膜に導かれる。従って、キャリア供給層から注入され
た電子のすべてを発光中心の励起に使用することができ
る。
【００１７】このように、実施例２によれば、キャリア
加速層としての第１〜第（ｎ＋１）ＺｎＳ膜351 ，3
52 ，353 ，35n ，35n+1 と第１〜第ｎ発光膜361 ，36
2 ，363，36n ，36n+1 を、キャリア供給層であるｎ型
のＺｎＯ膜34，38間に挟んだ積層構造になっているた
め、実施例１の素子と比べて発光強度を強くできる。 （実施例３）図５を参照する。但し、図３と同部材は同
符号を付して説明を省略する。
加速層としての第１〜第（ｎ＋１）ＺｎＳ膜351 ，3
52 ，353 ，35n ，35n+1 と第１〜第ｎ発光膜361 ，36
2 ，363，36n ，36n+1 を、キャリア供給層であるｎ型
のＺｎＯ膜34，38間に挟んだ積層構造になっているた
め、実施例１の素子と比べて発光強度を強くできる。 （実施例３）図５を参照する。但し、図３と同部材は同
符号を付して説明を省略する。
【００１８】図４の素子では、キャリア供給層が素子の
両側にのみ存在しているので、発光中心を励起する電子
数は、両電極付近の発光膜の方が素子中央付近の発光膜
よりも多い。従って、電極付近での発光強度が強く、素
子中央部の発光強度が弱くなる。実施例４の薄膜ＥＬ素
子は、この点を改善したものである。即ち、この薄膜Ｅ
Ｌ素子は、キャリア供給層としてのｎ型のＺｎＯ膜41と
キャリア加速層としてのＺｎＳ膜42と発光膜36を互いに
積層した多層構造となっている。
両側にのみ存在しているので、発光中心を励起する電子
数は、両電極付近の発光膜の方が素子中央付近の発光膜
よりも多い。従って、電極付近での発光強度が強く、素
子中央部の発光強度が弱くなる。実施例４の薄膜ＥＬ素
子は、この点を改善したものである。即ち、この薄膜Ｅ
Ｌ素子は、キャリア供給層としてのｎ型のＺｎＯ膜41と
キャリア加速層としてのＺｎＳ膜42と発光膜36を互いに
積層した多層構造となっている。
【００１９】こうした薄膜ＥＬ素子に電圧を印加する
と、各ＺｎＯ膜41から隣のＺｎＳ膜42に電子が注入さ
れ、加速の後、各発光膜36の発光中心を励起する。この
時、各発光膜36に注入される電子数は同じであるため、
そこの発光強度も同じになる。このように、実施例３に
係る薄膜ＥＬ素子によれば、途中にキャリア供給層とし
てのｎ型のＺｎＯ膜41を設けてＺｎＳ膜42及び発光膜36
を介在させて互いに積層した多層構造た構成になってい
るため、図４の素子に比べて均一で更に発光強度が強く
なる。
と、各ＺｎＯ膜41から隣のＺｎＳ膜42に電子が注入さ
れ、加速の後、各発光膜36の発光中心を励起する。この
時、各発光膜36に注入される電子数は同じであるため、
そこの発光強度も同じになる。このように、実施例３に
係る薄膜ＥＬ素子によれば、途中にキャリア供給層とし
てのｎ型のＺｎＯ膜41を設けてＺｎＳ膜42及び発光膜36
を介在させて互いに積層した多層構造た構成になってい
るため、図４の素子に比べて均一で更に発光強度が強く
なる。
【００２０】なお、上記実施例では、発光母材層として
ＺｎＳを用いた場合について述べたが、これに限らず、
ＣａＳ（カルシウムサルファイド），ＳｒＳ（ストロン
チウムサルファイド）を用いても、上記実施例と同様に
適用できる。
ＺｎＳを用いた場合について述べたが、これに限らず、
ＣａＳ（カルシウムサルファイド），ＳｒＳ（ストロン
チウムサルファイド）を用いても、上記実施例と同様に
適用できる。
【００２１】また、上記実施例では、発光中心物質とし
てＭｎを用いた場合について述べたが、これに限らず、
Ｅｒ（緑），Ｈｏ（緑），Ｄｙ（黄），Ｔｂ（緑），Ｓ
ｍ（赤），Ｔｍ（青），Ｎｂ（橙）などの発光中心物質
も使用できる。
てＭｎを用いた場合について述べたが、これに限らず、
Ｅｒ（緑），Ｈｏ（緑），Ｄｙ（黄），Ｔｂ（緑），Ｓ
ｍ（赤），Ｔｍ（青），Ｎｂ（橙）などの発光中心物質
も使用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、中間
電極から注入された電子が無駄なく発光中心を励起する
ことができ、低電圧駆動で高輝度の発光が得られる薄膜
ＥＬ素子を提供できる。
電極から注入された電子が無駄なく発光中心を励起する
ことができ、低電圧駆動で高輝度の発光が得られる薄膜
ＥＬ素子を提供できる。
【図１】本発明のに係る薄膜ＥＬ素子の概念図。
【図２】従来の薄膜ＥＬ素子の断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る薄膜ＥＬ素子の断面
図。
図。
【図４】本発明の実施例２に係る薄膜ＥＬ素子の断面
図。
図。
【図５】本発明の実施例３に係る薄膜ＥＬ素子の断面
図。
図。
31…ガラス基板、 32…ＩＴＯ透明電極、 33
…ＨｆＯ2 絶縁膜、34，38，41…ＺｎＯ膜、 35，351
〜35n+1 …ＺｎＳ膜、36，361 〜36n+1 …発光膜、
37…ＺｎＳ膜、39…ＨｆＯ2 絶縁
膜、 40…Ａｇ電極（背面電極）。
…ＨｆＯ2 絶縁膜、34，38，41…ＺｎＯ膜、 35，351
〜35n+1 …ＺｎＳ膜、36，361 〜36n+1 …発光膜、
37…ＺｎＳ膜、39…ＨｆＯ2 絶縁
膜、 40…Ａｇ電極（背面電極）。
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板と、この透明基板上に形成され
た透明電極と、この透明電極上に第１の絶縁膜を介して
形成された発光膜と、この発光膜上に第２の絶縁膜を介
して形成された背面電極とを具備する薄膜レクトロルミ
ネッセンス素子において、 前記発光膜と絶縁膜との間の発光膜側に該発光膜の母材
と同じもしくはバンドギャップが発光膜よりも大きな材
料からなるキャリア加速層を設け、かつ前記発光膜と絶
縁膜との間の絶縁膜側に注入電子の供給源としての機能
を持つキャリア供給層を設けることを特徴とする薄膜レ
クトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046376A JPH06260286A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046376A JPH06260286A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260286A true JPH06260286A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12745434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5046376A Withdrawn JPH06260286A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1388904A2 (en) | 2002-08-09 | 2004-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US8183559B2 (en) | 2002-05-21 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP5046376A patent/JPH06260286A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8183559B2 (en) | 2002-05-21 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
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