JPS6015115B2 - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
- Publication number
- JPS6015115B2 JPS6015115B2 JP55005131A JP513180A JPS6015115B2 JP S6015115 B2 JPS6015115 B2 JP S6015115B2 JP 55005131 A JP55005131 A JP 55005131A JP 513180 A JP513180 A JP 513180A JP S6015115 B2 JPS6015115 B2 JP S6015115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- zns
- layer
- light
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってEL(Electro
Lnmjnesceme)発光を呈する薄膜発光素子(
薄膜EL素子)の構造に関し、特に複数の発光層を穣層
して濠色発光を得る薄膜発光素子に関するものである。
Lnmjnesceme)発光を呈する薄膜発光素子(
薄膜EL素子)の構造に関し、特に複数の発光層を穣層
して濠色発光を得る薄膜発光素子に関するものである。
従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(1びV/の程度)を印加し、絶縁耐圧、
発光効率及び動作の安定性等を高めるために0.1〜2
.仇九%のMn(あるいはCu、祉、B省等)をドープ
したZnS、ZnSe等の半導体発光層をY203、T
i02等の誘電体薄膜でサンドィッチした三層構造Zn
S:Mn(又はZnSe:Mn)EL素子が開発され、
発光諸特性の向上が確かめられている。この薄膜EL素
子は数KHzの交流電界印加によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。またこの薄
膜EL素子の発光に関しては印加電圧を昇圧していく過
程と高電圧側より降圧していく過程で、同じ印加電圧に
対して発光輝度が異なるといったヒステリシス特性を有
していることが発見され、そしてこのヒステリシス特性
を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧する過程に於い
て、光、電界、熱等が付与されると薄膜EL素子はその
強度に対応した発光輝度の状態に励起され、光、電界、
熱等を除去して元の状態に戻しても発光輝度は高くなっ
た状態で維持される、いわゆるメモリー現象が表示技術
の新たな利用分丹野を開拓するに至った。薄膜EL素子
の1例としてZnS:Mm薄膜EL素子の基本的構造を
第1図に示す。添附図面に塞いて薄膜EL素子の構造を
具体的に説明すると、ガラス基板1上にln203、S
n02等の透明電極2、さらにその上に積層してY20
3、Ti02、AI203、Si3N4、SiO2等か
らなる第1の誘電体層3がスパッタあるいは電子ビーム
蒸着法等により重畳形成されている。
的に高い電界(1びV/の程度)を印加し、絶縁耐圧、
発光効率及び動作の安定性等を高めるために0.1〜2
.仇九%のMn(あるいはCu、祉、B省等)をドープ
したZnS、ZnSe等の半導体発光層をY203、T
i02等の誘電体薄膜でサンドィッチした三層構造Zn
S:Mn(又はZnSe:Mn)EL素子が開発され、
発光諸特性の向上が確かめられている。この薄膜EL素
子は数KHzの交流電界印加によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。またこの薄
膜EL素子の発光に関しては印加電圧を昇圧していく過
程と高電圧側より降圧していく過程で、同じ印加電圧に
対して発光輝度が異なるといったヒステリシス特性を有
していることが発見され、そしてこのヒステリシス特性
を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧する過程に於い
て、光、電界、熱等が付与されると薄膜EL素子はその
強度に対応した発光輝度の状態に励起され、光、電界、
熱等を除去して元の状態に戻しても発光輝度は高くなっ
た状態で維持される、いわゆるメモリー現象が表示技術
の新たな利用分丹野を開拓するに至った。薄膜EL素子
の1例としてZnS:Mm薄膜EL素子の基本的構造を
第1図に示す。添附図面に塞いて薄膜EL素子の構造を
具体的に説明すると、ガラス基板1上にln203、S
n02等の透明電極2、さらにその上に積層してY20
3、Ti02、AI203、Si3N4、SiO2等か
らなる第1の誘電体層3がスパッタあるいは電子ビーム
蒸着法等により重畳形成されている。
第1の誘電体層3上にはZnS:Mn隣結べレットを電
子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層4が
形成されている。この時葵着用のZnS:Mn煉結べレ
ットには活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたべレットが使用される。Z鷹発光層4上には第1
の誘電体層3と同様の材質から成る第2の誘電体層5が
積層され、更にその上にAI等から成る背面電極6が蒸
着形成されている。透明電極2と背面電極6は交流電源
7に接続され、薄膜EL素子が駆動される。電極2,6
間にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4の両側の誘
電体層3,5間に上記AC電圧が誘起されることになり
、従ってZnS発光層4内に発生した電界によって伝導
体に励起されかつ加速されて充分なエネルギーを得た電
子が、直接Mn発光センターを励起し、励起されたMn
発光センターが基底状態に戻る際に黄燈色の発光を行な
う。
子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層4が
形成されている。この時葵着用のZnS:Mn煉結べレ
ットには活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたべレットが使用される。Z鷹発光層4上には第1
の誘電体層3と同様の材質から成る第2の誘電体層5が
積層され、更にその上にAI等から成る背面電極6が蒸
着形成されている。透明電極2と背面電極6は交流電源
7に接続され、薄膜EL素子が駆動される。電極2,6
間にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4の両側の誘
電体層3,5間に上記AC電圧が誘起されることになり
、従ってZnS発光層4内に発生した電界によって伝導
体に励起されかつ加速されて充分なエネルギーを得た電
子が、直接Mn発光センターを励起し、励起されたMn
発光センターが基底状態に戻る際に黄燈色の発光を行な
う。
即ち高電界で加速された電子がZnS発光層4中の発光
センターであるZnサィトに入ったMn原子の電子を励
起し、基底状態に落ちる時、略々5850Aをピークに
幅広い波長領域で、強い発光を呈する。活性物質として
Mn以外に希土類の※化物を用いた場合にはこの希士類
に特有の緑色その他の発光色が得られる。上記の如き構
造を有する薄膜EL素子はスペース・ファクタの利点を
生かした平面薄型ディスプレイ・デバイスとして、文字
及び図形を含むコンピューターの出力表示端末機器その
他種々の表示装置に文字、記号、静止画像、勤画像等の
表示手段として利用することができる。
センターであるZnサィトに入ったMn原子の電子を励
起し、基底状態に落ちる時、略々5850Aをピークに
幅広い波長領域で、強い発光を呈する。活性物質として
Mn以外に希土類の※化物を用いた場合にはこの希士類
に特有の緑色その他の発光色が得られる。上記の如き構
造を有する薄膜EL素子はスペース・ファクタの利点を
生かした平面薄型ディスプレイ・デバイスとして、文字
及び図形を含むコンピューターの出力表示端末機器その
他種々の表示装置に文字、記号、静止画像、勤画像等の
表示手段として利用することができる。
平面簿型表示装置としての薄膜ELパネルは従来のブラ
ウン管(CRT)と比較して動作電圧が低く、同じ平面
型ディスプレイ・デバイスであるプラズマデイスプレィ
パネル(PDP)と比較すれば重量や強度面で優れてお
り、液晶(LCD)に比べて動作可能温度範囲が広く、
応答速度が速い等多くの利点を有している。また純固体
マトリックス型パネルとして使用できるため動作寿命が
長く、そのアドレスの正確さとともにコンピューター等
の入出力表示手段として非常に有効なものである。薄膜
EL素子の発光色に関しては、発光層を多層に積層して
各発光層の発光色を混合した浪合発光を得る技術が開発
されている。
ウン管(CRT)と比較して動作電圧が低く、同じ平面
型ディスプレイ・デバイスであるプラズマデイスプレィ
パネル(PDP)と比較すれば重量や強度面で優れてお
り、液晶(LCD)に比べて動作可能温度範囲が広く、
応答速度が速い等多くの利点を有している。また純固体
マトリックス型パネルとして使用できるため動作寿命が
長く、そのアドレスの正確さとともにコンピューター等
の入出力表示手段として非常に有効なものである。薄膜
EL素子の発光色に関しては、発光層を多層に積層して
各発光層の発光色を混合した浪合発光を得る技術が開発
されている。
この場合発光層の母体材料としてはZnS、ZnSe等
がよく用いられるが、これらの薄膜の膜成長は異種物質
層上に成長するよりも、同一物質層上へ成長する方が成
長しやすく、結晶性も良好となる。従って同一母材で発
光層を積層化していく場合、後から形成する層の方が結
晶性が良好となり、発光にも有光に作用するものと考え
られる。即ち、結晶性が良くなると、母材の伝導帯に励
起された一次電子は、散乱をあまり受けることなく容易
に加速されて、発光中心を有効に衝突励起し、そのため
に発光輝度は上昇する。従って母材が同一で発光中心と
なる活性物質の異なる2つ以上の発光層を積層化して、
各発光層での発光色の混合色発光を得ようとする場合は
、発光効率の低い発光層の母体の結晶性を少しでも高め
てその層の輝度向上を計ることを目的に、その積層順序
を発光効率の高い層から順次積層化していく方式が適し
ており、これによって混合色の色度コントロールが容易
になり、目的とする色度の混合色が高い発光輝度で得ら
れる。
がよく用いられるが、これらの薄膜の膜成長は異種物質
層上に成長するよりも、同一物質層上へ成長する方が成
長しやすく、結晶性も良好となる。従って同一母材で発
光層を積層化していく場合、後から形成する層の方が結
晶性が良好となり、発光にも有光に作用するものと考え
られる。即ち、結晶性が良くなると、母材の伝導帯に励
起された一次電子は、散乱をあまり受けることなく容易
に加速されて、発光中心を有効に衝突励起し、そのため
に発光輝度は上昇する。従って母材が同一で発光中心と
なる活性物質の異なる2つ以上の発光層を積層化して、
各発光層での発光色の混合色発光を得ようとする場合は
、発光効率の低い発光層の母体の結晶性を少しでも高め
てその層の輝度向上を計ることを目的に、その積層順序
を発光効率の高い層から順次積層化していく方式が適し
ており、これによって混合色の色度コントロールが容易
になり、目的とする色度の混合色が高い発光輝度で得ら
れる。
また、この方式によれべ目的とする色度の浪合色を得る
のに必要な低発光効率層の膜厚を薄くできることから発
光層全体の膜厚も薄くできることが期待でき、動作電圧
の低減化も計れる。本発明は以上の考案に基し、てなさ
れたものであり、複数の発光層を有する新規有用な薄膜
発光素子の構造を提供することを目的とするものである
。
のに必要な低発光効率層の膜厚を薄くできることから発
光層全体の膜厚も薄くできることが期待でき、動作電圧
の低減化も計れる。本発明は以上の考案に基し、てなさ
れたものであり、複数の発光層を有する新規有用な薄膜
発光素子の構造を提供することを目的とするものである
。
本発明の一実施例である発光層がZnS:Mn層の上に
ZnS:TbF3層を積層した形の薄膜発光素子につい
て、発光層の積層順序を逆にした素子と比較しつつ以下
詳細に説明する。
ZnS:TbF3層を積層した形の薄膜発光素子につい
て、発光層の積層順序を逆にした素子と比較しつつ以下
詳細に説明する。
薄膜EL素子の発光層をZnS:Mnとすると黄燈色発
光ZnS:ThF3とすると緑色発光を呈することは実
験的に確められている。
光ZnS:ThF3とすると緑色発光を呈することは実
験的に確められている。
そして発光効率はZnS:Mnの方がZnS:TbF8
よりも高い。第2図に本発明による積層順序で作製した
薄膜EL素子の素子構造の一例を、第3図に比較のため
に第2図のものと発光層の積層順序を逆にしたものの素
子構造を示す。図中、第1図と同一符号は同一内容を示
し説明を省略する。第2図、第3図の素子は発光層であ
るZnS:Mn層4とZ鷹:TbF3層4′との膜厚比
をある値に設定し、第2図のZnS:Mn層4と第3図
のZnS:Mn層4、第2図のZnS:TbF3層4′
と第3図のZnS:T班3層4′は膿厚を等しく設定し
た。この様にして作製した混合色発光EL素子のうちの
一例について、その発光色の色度を第4図に示す。第4
図でaはZnS:Mn、bはZnS:TbF3、cが本
発明によるZnS:Mn層の上にZnS:TbF3層を
積層した素子、dはZnS:TbF3層の上にZnS:
Mn層を積層した素子の色度である。
よりも高い。第2図に本発明による積層順序で作製した
薄膜EL素子の素子構造の一例を、第3図に比較のため
に第2図のものと発光層の積層順序を逆にしたものの素
子構造を示す。図中、第1図と同一符号は同一内容を示
し説明を省略する。第2図、第3図の素子は発光層であ
るZnS:Mn層4とZ鷹:TbF3層4′との膜厚比
をある値に設定し、第2図のZnS:Mn層4と第3図
のZnS:Mn層4、第2図のZnS:TbF3層4′
と第3図のZnS:T班3層4′は膿厚を等しく設定し
た。この様にして作製した混合色発光EL素子のうちの
一例について、その発光色の色度を第4図に示す。第4
図でaはZnS:Mn、bはZnS:TbF3、cが本
発明によるZnS:Mn層の上にZnS:TbF3層を
積層した素子、dはZnS:TbF3層の上にZnS:
Mn層を積層した素子の色度である。
c,dの位置はZnS:Mn層及びZnS:TbF3層
の膜厚をある値に設定した場合の一つの例である。
の膜厚をある値に設定した場合の一つの例である。
cとdを比較するとcでは発光効率の低いZnS:Th
F3層の母体(ZnS)の結晶性が向上したために、緑
の発光輝度が高くなり、色度位置をdに比べ、ZnS:
TbF3の緑色‘b’側に引き寄せられていることがわ
かる。
F3層の母体(ZnS)の結晶性が向上したために、緑
の発光輝度が高くなり、色度位置をdに比べ、ZnS:
TbF3の緑色‘b’側に引き寄せられていることがわ
かる。
一方dは発光効率の低いZnS:TbF3の緑色発光に
、発光効率の高いZnS:Mnの黄燈色発光が母体(Z
nS)の結晶性の向上により更に強められて加わるため
に発光色度はZnS:Mnの黄燈色(a}側に強く引き
寄せられている。即ち、これは同一母材の発光層を積層
化する場合、後で形成した発光層の発光が結晶性の向上
によって強められていることを示す。素子の動作電圧、
即ち素子の膜厚が制限される場合は、本発明の積層順序
で素子作製を行うことが、色度コントロール及び目的と
する色度での光の高輝度化に対して有効である。
、発光効率の高いZnS:Mnの黄燈色発光が母体(Z
nS)の結晶性の向上により更に強められて加わるため
に発光色度はZnS:Mnの黄燈色(a}側に強く引き
寄せられている。即ち、これは同一母材の発光層を積層
化する場合、後で形成した発光層の発光が結晶性の向上
によって強められていることを示す。素子の動作電圧、
即ち素子の膜厚が制限される場合は、本発明の積層順序
で素子作製を行うことが、色度コントロール及び目的と
する色度での光の高輝度化に対して有効である。
第1図は従釆の薄膜発光素子の基本的構造を示す構成図
である。 第2図は本発明の1実施例を示す薄膜発光素子の構成図
である。第3図は本発明の1実施例を比較説明するため
の薄膜発光素子の構成図である。第4図はCIE色度図
である。4・・・・・・ZnS:Nn発光層、4′・・
・・・・ZnS:TbF3光層。 第1図 第2図 第3図 第4図
である。 第2図は本発明の1実施例を示す薄膜発光素子の構成図
である。第3図は本発明の1実施例を比較説明するため
の薄膜発光素子の構成図である。第4図はCIE色度図
である。4・・・・・・ZnS:Nn発光層、4′・・
・・・・ZnS:TbF3光層。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 1 母体材料が同一で、該母体材料中にドープされた発
光中心となる活性物質が異なる複数の発光層を積層し、
各発光層の呈する発光色の混色発光を得る薄膜発光素子
に於いて、前記発光層は発光効率の高い発光層から順次
表示面側より積層されていることを特徴とする薄膜発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55005131A JPS6015115B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55005131A JPS6015115B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 薄膜発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56102098A JPS56102098A (en) | 1981-08-15 |
| JPS6015115B2 true JPS6015115B2 (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=11602752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55005131A Expired JPS6015115B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015115B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202685A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 固体発光装置 |
-
1980
- 1980-01-18 JP JP55005131A patent/JPS6015115B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56102098A (en) | 1981-08-15 |
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