KR970005102B1 - 박막형 전장 발광 표시소자 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

박막형 전장 발광 표시소자

제1도는 종래의 전장 발광 표시소자의 단면도.

제2도는 본 발명에 따른 전장 발광 표시소자의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 기판 12 : 전면전극

13 : 제1 절연막 14 : 발광막

15 : 제2 절연막 16 : 배면전극

본 발명은 박막형 전장 발광(Electro Luminescense : 이하 EL이라 칭함) 표시소자에 관한 것으로, 특히 배면전극의 스텝커버리지(Stepcoverage)를 개선하여 에지(edge) 부분에서의 브레이크 다운(Break down)을 방지할 수 있는 박막형 전장 발광 표시소자에 관한 것이다.

일반적으로 EL표시소자는 EL물질에 전계를 가하여 전기에너지를 빛에너지로 변환하는 소자를 말한다. 즉, EL표시소자는 전면전극과 배면전극 사이에 전압을 인가하면 상기 전극들이 교차되는 발광층에 화소가 형성되어 발광을 하게 되고, 상기 빛은 투명한 전면유리를 통하여 방출된다.

제1도는 종래의 박막형 전장 발광 표시소자의 단면도로서, 투명한 전면유리(1) 상부표면에 ITO 또는 SnO₂등의 물질이 스트라이프(Stripe) 형태로 형성된 전면전극(2)과, 상기 전면유리(1)의 노출된 부분과 전면전극(2) 상부에 Sio₂, Si₃N₄또는 Y₂O₃등의 물질로 형성된 제1 절연막(3)과, 상기 제1 절연막(3) 상부에 소정의 색광을 발광할 수 있도록 활성물지로 Mn이 도우프된 ZnS으로 이루어진 발광막(4)과, 상기 발광막(4)상의 전면에 상기 제1 절연막(3)과 동일한 물지로 형성된 제2 절연막(5)과, 상기 제2 절연막(5)과 전면유리(1)의 상부에 Al등의 도전성 물질은 스트라이프 형태로 상기 전면전극(2)과 교차되게 형성한 배면전극(6)으로 구성되어 있다.

제1도에서 제1 절연막(3) 및 발광막(4)과 제2 절연막(5)이 스퍼터링(Supptering)이나 CVD방법에 의해 하나의 새도우 마스크(Shadow mask)를 사용하여 순차적으로 형성하였다.

그러나 상기와 같이 형성된 박막형 EL표시소자는 하나의 새도우 마스크를 이용하여 제1 절연막(3), 발광막(4) 및 제2 절연막(5)을 순차적으로 형성함에 따라 에지부위(7)에서 상기 막들이 겹쳐져 스텝커버리지가 나빠지므로 상기 전면유리(1)와 제2 절연막(5)에 걸쳐 형성되는 배면전극(6)의 두께가 상기 에지부위(7)에서 극히 얇아지게 되어 브레이크 다운이 쉽게 발생되는 문제점이 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 배면전극의 스텝커버리지를 개선하여 에지부분에서의 브레이크 다운을 방지할 수 있는 박막형 EL표시소자를 제공함에 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 박막형 전장 발광 표시소자에 있어서, 전면유리의 표면상에 스트라이프 형태로 형성된 전면전극과, 상기 노출된 전면유리와 전면전극상에 형성된 제1 절연막과, 상기 제1 절연막의 상에 제1 절연막보다 작게 형성된 발광막과, 상기 제1 절연막과 유전막상에 형성되며, 상기 제1 절연막보다 작으나 발광막을 완전히 도포하는 제2 절연막과, 상기 전면전극과 직교하여 스트라이프 형태로 전면유리와 제1 및 제2 절연막과 거쳐 형성된 배면전극으로 구성된다.

이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제2도는 본 발명에 따른 박막형 EL표시소자이다. 투명한 전면유리(11)상에 ITO등의 투명한 도전성의 물질로 이루어진 다수개의 전면전극(11)이 스트라이프 형태로 형성되어 있다. 상기 노출된 전면유리(11)와 전면전극(12)의 상부에 Ta₂O₂, Si₃N₄, SiO₂또는 Y₂O₂등의 절연물질로 이루어진 제1 절연막(13)이 형성되어 있다. 상기에서 도면에 나타나 있지 않지만 제1 절연막(13)이 전면전극(12)을 외부전원과 연결하기 위한 일부분을 제외한 나머지 부분이 도포되어 있다. 또한 상기 제1 절연막(13)의 상부에 ZnS의 물질로 발광막(14)이 형성되어 있다. 상기 발광막(14)은 소정의 색광을 발광할 수 있도록 소정의 불순물이 도핑되며, 상기 제1 절연막(13)보다 작다. 상기 노출된 제1 절연막(13)과 발광막(14)의 상부에 상기 제1 절연막(13)과 동일한 물질로 제2 절연막(15)이 형성되어 있으며, 상기 제2 절연막(15)은 제1 절연막(13)보다 작다. 또한, 상기 제2 절연막(15)상에 Al등 도전성 물질이 스트라이프 형태로 상기 전면전극(12)과 직교되어 다수개의 배면전극(16)이 형성되어 있다. 상기 배면전극(16)은 제2 절연막(15), 제1 절연막(13) 및 전면유리(11)에 걸쳐 형성되어 있다.

상기에서 노출된 전면유리(11)와 전면전극(12)의 상부에 제1 절연막(13), 발광막(14) 및 제2 절연막(15)이 각각 다른 새도우 마스크를 사용하여 다른 크기로 형성되므로 상기 제1 절연막(13), 발광막(14) 및 제2 절연막(15) 각각의 에지부분이 일치하지 않게 된다. 따라서 전면유리(11)와 제2 절연막(5)에 걸쳐 형성되는 배면전극(16)의 스텝커버리지가 개선되며, 상기 각층들(13)(14)(15)의 에지부분에서의 배면전극(16)의 두께가 종래의 것보다 2배 이상 두껍게 형성된다. 또한 제2 절연막(15)의 크기가 발광막(14)보다 크게하므로써 상기 제2 절연막(15)이 발광막(14)을 감싸게 된다.

지금부터 본 발명에 따른 박막형 EL표시소자를 제조하는 방법을 설명한다.

투명하고 절연체인 전면유리(11)상의 전표면에 TIO 또는 SnO₂등의 투명한 도전물질을 진공증착방법 또는 CVD방법에 의해 1000-2000Å 정도의 두께로 도포한후, 통상의 사진식각방법(Photolithography)에 의해 전면전극(12)을 형성한다. 그후 노출된 전면유리(11)와 전면전극(12) 상부에 Ta₂O₅, SiN₄, SiO₂또는 Y₂O₃등의 절연물질을 스퍼터링하거나 CVD방법에 의해 2000-4000Å 정도의 두께로 도포하여 제1 절연막(13)을 형성한다.

상기 제1 절연막(13)은 외부전원과 연결된 부부을 제외한 나머지 전면전극(12)을 도포하게 된다. 상기 제1 절연막(13)상에 ZnS을 5000-7000Å의 두께로 도포하여 발광막(14)을 형성한다. 상기 발광막(14) 형성시 Mn을 도핑하며, 상기 발광막(14)은 제1 절연막(13)보다 작게 형성한다. 그후 발광막(14)의 상부에 제1 절연막(13)과 동일한 제2 절연막(15)을 형성한다. 상기 제2 절연막(15)은 제1 절연막(13)보다 작으며, 발광막(14)보다 크게하여 상기 발광막(14)을 완전히 덮게 형성한다. 계속하여 상기 노출된 전면유리(11) 및 제1 절연막(13)과 제2 절연막(15)상에 Al등의 도전물질을 스퍼터링에 의해 2000-4000Å 두께로 도포한후, 통상의 사진식각방법에 의해 스트라이프 형태로 상기 전면전극(11)과 수직되게 배면전극(16)을 형성하면 본 발명에 따른 박막형 EL표시소자가 완성된다.

상술한 바와 같이 제1 및 제2 절연막과 유전막을 서로 다른 크기로 형성하여 에지(edge)부분에서의 스텝커버리지를 개선할 수 있으며, 에지부분에 배면전극에 두껍게 형성되어 브레이크 다운을 방지할 수 있다. 또한 발광막이 제2 절연막에 의해 덮어짐에 따라 발광막으로 침투되는 습기를 방지하여 소자의 신뢰성을 향상시키는 잇점이 있다.

Claims (1)

1. 박막형 전장 발광 표시소자에 있어서, 전면유리의 표면상에 스트라이프 형태로 형성된 전면전극과, 상기 노출된 전면유리와 전면전극상에 형성된 제1 절연막과, 상기 제1 절연막의 상에 제1 절연막보다 작게 형성된 발광막과, 상기 제1 절연막과 발광막상에 형성되며, 상기 제1 절연막보다 작으나 발광막을 완전히 포함하는 제2 절연막과, 상기 전면전극과 직교하여 스트라이프 형태로 전면유리와 제1 및 제2과 거쳐 형성된 배면전극으로 구성되어짐을 특징으로 하는 박막형 전장 발광 표시소자.

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