JPH02135694A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH02135694A JPH02135694A JP63290935A JP29093588A JPH02135694A JP H02135694 A JPH02135694 A JP H02135694A JP 63290935 A JP63290935 A JP 63290935A JP 29093588 A JP29093588 A JP 29093588A JP H02135694 A JPH02135694 A JP H02135694A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、透明基板上に発光層、電極、絶縁層を薄膜形
成してなる薄膜ＥＬ素子に関する。
成してなる薄膜ＥＬ素子に関する。
〈従来の技術〉
従来、この種の薄膜ＥＬ素子として、例えば第２図に示
すようなものが知られている。この薄膜ＥＬ素子は、ガ
ラス基板ｌ上に錫添付インジウム（以下、ＩＴＯと略す
）からなる多数の透明電極２をストライプ状に設け、こ
の上をＳｉＯ＊や５ｉｓＮ４からなる第１絶縁膜３で絶
縁し、この第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍｎからなる発光
層４を電子ビーム蒸着した後、さらにこの上を上述と同
種の第２絶隷膜５で絶縁し、最後にこの第２絶縁膜５上
にＡ１２からなる多数の背面電極６を上記透明電極２と
直交する方向に設けてなる。そして、上記透明電極２と
背面電極６の１本ずつの端部に電圧を印加するため設け
られる端子電極ＩＩと１２は、製造工数削減のため上記
背面電極６の形成と同時に、上記第２絶縁膜５およびガ
ラス基板１の全面にＡ１２６゜を蒸着し、さらにこの上
にはんだ付けの便宜のためＮｉｌ ３を蒸着した後、図
示の如く前者は透明電極２に継がるように、後者は背面
電極６と一体にエツチングでパターン形成される。
すようなものが知られている。この薄膜ＥＬ素子は、ガ
ラス基板ｌ上に錫添付インジウム（以下、ＩＴＯと略す
）からなる多数の透明電極２をストライプ状に設け、こ
の上をＳｉＯ＊や５ｉｓＮ４からなる第１絶縁膜３で絶
縁し、この第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍｎからなる発光
層４を電子ビーム蒸着した後、さらにこの上を上述と同
種の第２絶隷膜５で絶縁し、最後にこの第２絶縁膜５上
にＡ１２からなる多数の背面電極６を上記透明電極２と
直交する方向に設けてなる。そして、上記透明電極２と
背面電極６の１本ずつの端部に電圧を印加するため設け
られる端子電極ＩＩと１２は、製造工数削減のため上記
背面電極６の形成と同時に、上記第２絶縁膜５およびガ
ラス基板１の全面にＡ１２６゜を蒸着し、さらにこの上
にはんだ付けの便宜のためＮｉｌ ３を蒸着した後、図
示の如く前者は透明電極２に継がるように、後者は背面
電極６と一体にエツチングでパターン形成される。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところが、・従来の薄膜ＥＬ素子の上記端子電極１１．
１２は、ＡＱとＮｉの積層膜からなるため機械的強度が
低く、しかも３本／ｆｆ１Ｉ１１程度に高精細度加工さ
れるため、輝度特性安定化のため施されろエージング処
理等において、疵が発生しやすい。
１２は、ＡＱとＮｉの積層膜からなるため機械的強度が
低く、しかも３本／ｆｆ１Ｉ１１程度に高精細度加工さ
れるため、輝度特性安定化のため施されろエージング処
理等において、疵が発生しやすい。
そのため、端子部の断線が多発して、製品の信頼性を低
下させ、製品の不良率を増大させるという欠点がある。
下させ、製品の不良率を増大させるという欠点がある。
そこで、本発明の目的は、端子電極を機械的強度の高い
構造にし、併せてこの構造で湿気が素子本体へ侵入する
ことがないようにして、表示品位と信頼性を向上させ、
不良率を低減させることができる薄膜ＥＬ素子を提供す
ることである。
構造にし、併せてこの構造で湿気が素子本体へ侵入する
ことがないようにして、表示品位と信頼性を向上させ、
不良率を低減させることができる薄膜ＥＬ素子を提供す
ることである。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するため、本発明の薄膜ＥＬ素子は、発
光層の両側に互いに直交するようにストライプ状に設け
られた各電極の端部に、電圧印加のために設けられる各
端子電極を、錫添加酸化インジウムと無電解Ｎｉめっき
層の積層構造としている。
光層の両側に互いに直交するようにストライプ状に設け
られた各電極の端部に、電圧印加のために設けられる各
端子電極を、錫添加酸化インジウムと無電解Ｎｉめっき
層の積層構造としている。
〈作用〉
薄膜ＥＬ素子の端子電極は、高硬度のセラミックスたる
錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）の上にＮｉを無電解め
っきして形成しているので、従来の八ρとＮｉの積層膜
からなる端子電極よりも機械的強度が高く、エージング
処理中の疵による断線が生しにくく、無電解めっきによ
るＩＴＯ上のＮｉは密着性が良いため、はんだ付が十分
可能である。
錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）の上にＮｉを無電解め
っきして形成しているので、従来の八ρとＮｉの積層膜
からなる端子電極よりも機械的強度が高く、エージング
処理中の疵による断線が生しにくく、無電解めっきによ
るＩＴＯ上のＮｉは密着性が良いため、はんだ付が十分
可能である。
〈実施例〉
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は薄膜ＥＬ素子の一例を夫々
背面電極および透明電極の端子電極部で切断した断面図
であり、ｌはガラス基板、２．Ａ、Ｂはこのガラス基板
１上にｔＴｏをスパッタリング等で厚さｌ０００〜３０
００人に蒸着し、フォトエッヂングで多数本のストライ
プ状に互いに分離ざ仕てパターン形成してなる透明電極
、背面電極側端子電極、透明電極側端子電極、３は上記
透明電極２を埋め込むようにスパッタリングで５ｉｆｔ
を厚さ２００〜８００人に、次いでＳｉ３Ｎ４を厚さ１
０００〜３０００人に夫々蒸着した第１絶縁膜、４はこ
の第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍｎベレットを電子ビーム
で加熱して厚さ５０００〜９０００人に蒸着し、５００
〜６５０℃で熱処理してなる発光層、５はこの発光層４
上にスパッタリングで５ｉｓＮｔを厚さ１０００〜３０
００人に、次いでＡＬＯ＋を厚さ２００〜８００人に夫
々蒸着した第２絶縁膜である。
背面電極および透明電極の端子電極部で切断した断面図
であり、ｌはガラス基板、２．Ａ、Ｂはこのガラス基板
１上にｔＴｏをスパッタリング等で厚さｌ０００〜３０
００人に蒸着し、フォトエッヂングで多数本のストライ
プ状に互いに分離ざ仕てパターン形成してなる透明電極
、背面電極側端子電極、透明電極側端子電極、３は上記
透明電極２を埋め込むようにスパッタリングで５ｉｆｔ
を厚さ２００〜８００人に、次いでＳｉ３Ｎ４を厚さ１
０００〜３０００人に夫々蒸着した第１絶縁膜、４はこ
の第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍｎベレットを電子ビーム
で加熱して厚さ５０００〜９０００人に蒸着し、５００
〜６５０℃で熱処理してなる発光層、５はこの発光層４
上にスパッタリングで５ｉｓＮｔを厚さ１０００〜３０
００人に、次いでＡＬＯ＋を厚さ２００〜８００人に夫
々蒸着した第２絶縁膜である。
また、６．Ｃはこの第２絶縁膜５および上記背面、透明
画電極側端子Ａ、Ｂの内端縁を覆うようにＡＱを厚さ３
０００〜８０００人に蒸着し、フォトエッヂングで上記
透明電極２と直交する多数本のストライプ状に、または
上記透明電極２とその端子電極Ｂを接続するようにパタ
ーン形成してなる背面電極、電極接続線、７は素子本体
９の四周の電極接続線Ｃ部および背面電極の接続端６ａ
部にエポキシ樹脂等で接着され、素子本体９を外気から
封止するシールガラス、８はこのソールガラス７と素子
本体９間に防湿のため充填されたシリコン油、１０はシ
ールガラス７の外側の上記両端子電極Ａ、Ｂ上に最後に
無電解めっきにより厚さ１５００〜５０００人に形成さ
れたＮｉ膜である。
画電極側端子Ａ、Ｂの内端縁を覆うようにＡＱを厚さ３
０００〜８０００人に蒸着し、フォトエッヂングで上記
透明電極２と直交する多数本のストライプ状に、または
上記透明電極２とその端子電極Ｂを接続するようにパタ
ーン形成してなる背面電極、電極接続線、７は素子本体
９の四周の電極接続線Ｃ部および背面電極の接続端６ａ
部にエポキシ樹脂等で接着され、素子本体９を外気から
封止するシールガラス、８はこのソールガラス７と素子
本体９間に防湿のため充填されたシリコン油、１０はシ
ールガラス７の外側の上記両端子電極Ａ、Ｂ上に最後に
無電解めっきにより厚さ１５００〜５０００人に形成さ
れたＮｉ膜である。
なお、第２図の従来例と同一の部分には、同一番号を付
している。
している。
上記構成の薄膜ＥＬ素子において、端子電極Ａ。
Ｂは、高硬度のセラミックスたるＩＴＯの上にＮｉを無
電解めっきして形成されるので、従来のＡＱとＮｉの積
層膜からなる端子電極（第２図中６°、１３参照）より
ら機械的強度がはるかに高く、エージング処理等の工程
においても疵がつきにくく、端子電極部の断線が発生し
ない。また、無電解めっきによるＩＴＯ上のＮｉは密着
性が良いため駆動回路等とのはんだ付には何ら問題がな
い。
電解めっきして形成されるので、従来のＡＱとＮｉの積
層膜からなる端子電極（第２図中６°、１３参照）より
ら機械的強度がはるかに高く、エージング処理等の工程
においても疵がつきにくく、端子電極部の断線が発生し
ない。また、無電解めっきによるＩＴＯ上のＮｉは密着
性が良いため駆動回路等とのはんだ付には何ら問題がな
い。
一方、上記端子電極Ａ、Ｂは、下層のＩＴＯの透湿性が
高いため、同じＩＴＯからなる透明電極２と一体形成す
ると、外気に接する端子電極ＢからＩＴＯを通して素子
本体９へ湿気が侵入する。
高いため、同じＩＴＯからなる透明電極２と一体形成す
ると、外気に接する端子電極ＢからＩＴＯを通して素子
本体９へ湿気が侵入する。
しかし、上記実施例では、第１図（ｂ）に示すように透
明電極２と端子電極ＢのＩＴＯ層を分離し、両者を透湿
性のないＡ１２製の電極接続線Ｃで接続し、この部分に
素子本体９を外気から封止するシールガラス７を接着し
、ガラス内に撥水性のシリコン油８を充填しているので
、素子本体９への湿気の侵入が完全に防止でき、湿気で
薄膜ＥＬ素子の機能が損われることはない。
明電極２と端子電極ＢのＩＴＯ層を分離し、両者を透湿
性のないＡ１２製の電極接続線Ｃで接続し、この部分に
素子本体９を外気から封止するシールガラス７を接着し
、ガラス内に撥水性のシリコン油８を充填しているので
、素子本体９への湿気の侵入が完全に防止でき、湿気で
薄膜ＥＬ素子の機能が損われることはない。
なお、本発明が図示の実施例に限られないのはいうまで
もない。
もない。
〈発明の効果〉
以上の説明で明らかなように、本発明の薄膜ＥＬ素子は
、発光層の両側に互いに直交するようにストライプ状に
設けられた各電極の端部に電圧印加のために設けられる
各端子電極を、錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）と無電
解Ｎｉめっき層の積層構造としているので、従来のＡｌ
１とＮｉの２層膜からなる端子電極よりも機械的強度が
高く、エージング処理等の工程で疵がつきにくく、従来
と同じ良好なはんだ付は性を有しつつ、端子電解部に断
線が生じないから、表示品位と信頼性が向上し、不良率
が低減する。
、発光層の両側に互いに直交するようにストライプ状に
設けられた各電極の端部に電圧印加のために設けられる
各端子電極を、錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）と無電
解Ｎｉめっき層の積層構造としているので、従来のＡｌ
１とＮｉの２層膜からなる端子電極よりも機械的強度が
高く、エージング処理等の工程で疵がつきにくく、従来
と同じ良好なはんだ付は性を有しつつ、端子電解部に断
線が生じないから、表示品位と信頼性が向上し、不良率
が低減する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の薄膜ＥＬ素子の一
例を夫々背面電極および透明電極の端子電極部で切断し
た断面図、第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の斜視図である
。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁膜、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・シールガラス、訃・・シリコン油
、９・・・素子本体、ｔＯ・・・Ｎｉ膜、Ａ、Ｂ・・端
子電極、Ｃ・・・電極接続線。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆 はか１名第１図 第２図 と
例を夫々背面電極および透明電極の端子電極部で切断し
た断面図、第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の斜視図である
。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁膜、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・シールガラス、訃・・シリコン油
、９・・・素子本体、ｔＯ・・・Ｎｉ膜、Ａ、Ｂ・・端
子電極、Ｃ・・・電極接続線。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆 はか１名第１図 第２図 と
Claims (1)
- （１）発光層の両側に互いに直交するようにストライプ
状に設けられた各電極の端部に、電圧印加のために設け
られる各端子電極を、錫添加酸化インジウムと無電解Ｎ
ｉめっき層の積層構造とした薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290935A JPH0752668B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290935A JPH0752668B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198195A Division JP2542473B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135694A true JPH02135694A (ja) | 1990-05-24 |
| JPH0752668B2 JPH0752668B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=17762407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290935A Expired - Fee Related JPH0752668B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752668B2 (ja) |
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-
1988
- 1988-11-16 JP JP63290935A patent/JPH0752668B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0752668B2 (ja) | 1995-06-05 |
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