JPS63276896A - 薄膜ｅｌ表示素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示素子Info
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- JPS63276896A JPS63276896A JP62111213A JP11121387A JPS63276896A JP S63276896 A JPS63276896 A JP S63276896A JP 62111213 A JP62111213 A JP 62111213A JP 11121387 A JP11121387 A JP 11121387A JP S63276896 A JPS63276896 A JP S63276896A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蛍光体材料に電界を印加させて発光させるよ
うにした薄膜Ｅ１表示素子に関する。
うにした薄膜Ｅ１表示素子に関する。
近年、薄膜Ｅ１表示素子は、各種装置のディスプレイに
応用されつつある。従来の一般的な薄膜Ｅ１表示素子は
、第３図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明電
極膜２と絶縁ｌ１３とＥＬ発光膜４と絶Ｒ膜５と対向電
極膜６とが順次Ｍ４層された２重絶縁型６層構造で構成
されている。このＷＩ膜ＥＬ表示素子は、透明電極１２
と対向′ＩＩｉ極膜６との闇に数ｉｏｔ＋ｚから数にＨ
ｚの交流電界を印加することにより、ＥＬ発光膜４の活
性種イオンが励起され、発光するようになっている。
応用されつつある。従来の一般的な薄膜Ｅ１表示素子は
、第３図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明電
極膜２と絶縁ｌ１３とＥＬ発光膜４と絶Ｒ膜５と対向電
極膜６とが順次Ｍ４層された２重絶縁型６層構造で構成
されている。このＷＩ膜ＥＬ表示素子は、透明電極１２
と対向′ＩＩｉ極膜６との闇に数ｉｏｔ＋ｚから数にＨ
ｚの交流電界を印加することにより、ＥＬ発光膜４の活
性種イオンが励起され、発光するようになっている。
しかしながら、従来の＊１ｌＩＥＬ表示素子は、第４図
に示すように、透明電極膜２と対向電極膜６との交叉す
る部分にて絶縁破壊部７が一部に発生し、この絶縁破壊
部７においては、対向電極膜６が除去された断線状態と
なり、点灯１１１６ａは発光するものの点灯部６ｂ、６
ｃを含む他の多くの点灯部は非発光状態となる。そのた
め、輝度むら等が生じ正常なＥＬ発光が得られなかった
。
に示すように、透明電極膜２と対向電極膜６との交叉す
る部分にて絶縁破壊部７が一部に発生し、この絶縁破壊
部７においては、対向電極膜６が除去された断線状態と
なり、点灯１１１６ａは発光するものの点灯部６ｂ、６
ｃを含む他の多くの点灯部は非発光状態となる。そのた
め、輝度むら等が生じ正常なＥＬ発光が得られなかった
。
本発明の目的は、上記従来の問題点を解決し、輝度むら
のない信頼性の高い薄膜ＥＬ表示素子を提供することに
ある。
のない信頼性の高い薄膜ＥＬ表示素子を提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、少なくとも透明な表示用電極膜と対面電極膜
のいずれか一方と配線電ｗＡＩ！３とが電気的接続され
、該配線電極膜を直接被覆して形成された第１絶縁膜と
、前記表示用電極膜と第１絶縁膜との上に順次積層して
形成された第２絶縁膜とＥＬ発光膜と第３絶縁膜と対向
ＩＡｆ極膜とを備えていることを特徴とする。
のいずれか一方と配線電ｗＡＩ！３とが電気的接続され
、該配線電極膜を直接被覆して形成された第１絶縁膜と
、前記表示用電極膜と第１絶縁膜との上に順次積層して
形成された第２絶縁膜とＥＬ発光膜と第３絶縁膜と対向
ＩＡｆ極膜とを備えていることを特徴とする。
このように、本発明では、表示用電極膜と配線電極膜と
を設け、配線Ｎ極膜上に第１絶縁膜を形成しているので
、配線電極膜の絶縁破壊は防止され、仮に表示用電極膜
の一部が絶縁破壊によって除去されて非点灯となっても
、他の表示用電極膜への電圧印加が断たれることがなく
、絶縁破壊による輝度むらを抑制することができる。
を設け、配線Ｎ極膜上に第１絶縁膜を形成しているので
、配線電極膜の絶縁破壊は防止され、仮に表示用電極膜
の一部が絶縁破壊によって除去されて非点灯となっても
、他の表示用電極膜への電圧印加が断たれることがなく
、絶縁破壊による輝度むらを抑制することができる。
本発明による１ｉｌｌｌＥＬ表示素子は、例えば次のよ
うにして製造される。まず、ガラス等の透明基板上に、
例えばＩｎ２Ｏ３−８ｎ０２系の透明な表示用電極膜お
よび配線電極膜をスパッタリングや真空蒸着法により所
定形状にパターン成膜する。該配置！１？ｌｆ極膜上に
、例えばＴａ２０ ｓ 、 Ｓ＝Ｃ。
うにして製造される。まず、ガラス等の透明基板上に、
例えばＩｎ２Ｏ３−８ｎ０２系の透明な表示用電極膜お
よび配線電極膜をスパッタリングや真空蒸着法により所
定形状にパターン成膜する。該配置！１？ｌｆ極膜上に
、例えばＴａ２０ ｓ 、 Ｓ＝Ｃ。
５ＬｓＮ４．５Ｌ（ｌｚ、Ｙ２Ｏ３等の金属酸化物、金
属窒化物、金属炭素化物等からなる第１絶縁膜をスッパ
リング法などにより形成する。さらに、前記表示用電極
膜と第１絶縁膜との上に例えばＴａ２０ ｓ 、 ＳＬ
Ｃ、ＳＬ３ Ｎ ４ 、 ＳＬＯ２、Ｙ２０３等の金属
酸化物、金属窒化物、金属炭素化物等からなる第２絶縁
膜をスパッタリング法などにより形成する。そして、上
記絶縁膜上に、各種付活剤をドープした硫化亜鉛などか
らなるＥ、Ｌ′Ｒ，光膜をスパッタリング法などにより
形成し、さらに、上記と同様な第３絶Ｒｍを形成し、最
後にアルミニウムなどからなる対向電極を形成して薄膜
ＥＬ表示素子を得ることができる。
属窒化物、金属炭素化物等からなる第１絶縁膜をスッパ
リング法などにより形成する。さらに、前記表示用電極
膜と第１絶縁膜との上に例えばＴａ２０ ｓ 、 ＳＬ
Ｃ、ＳＬ３ Ｎ ４ 、 ＳＬＯ２、Ｙ２０３等の金属
酸化物、金属窒化物、金属炭素化物等からなる第２絶縁
膜をスパッタリング法などにより形成する。そして、上
記絶縁膜上に、各種付活剤をドープした硫化亜鉛などか
らなるＥ、Ｌ′Ｒ，光膜をスパッタリング法などにより
形成し、さらに、上記と同様な第３絶Ｒｍを形成し、最
後にアルミニウムなどからなる対向電極を形成して薄膜
ＥＬ表示素子を得ることができる。
（実施例〕
第１図および第２図には、本発明による弁膜ＥＬ表示素
子の実施例が示されている。
子の実施例が示されている。
すなわち、第１図に示すように、透明ガラス基板１の上
にＩｎｚ Ｏｓ −３ｎＯ２系の表示用電極膜８および
透明電極ＩＩ９をスパッタリング法により形成する。次
に、Ｎの金ＪＩｌ膜をこの透明電極膜９の上に約２００
ＯＡの厚さでスパッタリング法により被覆し、配線電極
膜１１を形成する。さらにこの配線電極１１１１の上に
５ＬＯｚからなる厚さ約３００ＯＡの第１絶縁１１１２
をスパッタリング法によって被覆して形成する。
にＩｎｚ Ｏｓ −３ｎＯ２系の表示用電極膜８および
透明電極ＩＩ９をスパッタリング法により形成する。次
に、Ｎの金ＪＩｌ膜をこの透明電極膜９の上に約２００
ＯＡの厚さでスパッタリング法により被覆し、配線電極
膜１１を形成する。さらにこの配線電極１１１１の上に
５ＬＯｚからなる厚さ約３００ＯＡの第１絶縁１１１２
をスパッタリング法によって被覆して形成する。
次に、Ｔａ２０ ｓからなる厚さ約３０００Ａの第２絶
縁膜１３と、マンガンをドープした硫化亜鉛からなるＥ
Ｌ発光１１０１４と、Ｔａ２Ｏ５からなる厚さ約３００
ＯＡの第３絶縁ＷＡ１５とＮからなる対向電極１１１６
とをスパッタリング法により順次積層して形成する。こ
うして得た薄１１ＥＬ表示素子は、表示用電極膜と配線
電極膜とを設け、配線電極股上に第１絶縁膜を形成して
いるので、配置電極膜の絶縁破壊は防止され、仮に表示
用電極膜の一部が絶縁破壊によって除去されて非点灯と
なっても、他の表示用電極膜への電圧印加が断たれるこ
とがなく、絶縁破壊による輝度むらを抑制することがで
きる。
縁膜１３と、マンガンをドープした硫化亜鉛からなるＥ
Ｌ発光１１０１４と、Ｔａ２Ｏ５からなる厚さ約３００
ＯＡの第３絶縁ＷＡ１５とＮからなる対向電極１１１６
とをスパッタリング法により順次積層して形成する。こ
うして得た薄１１ＥＬ表示素子は、表示用電極膜と配線
電極膜とを設け、配線電極股上に第１絶縁膜を形成して
いるので、配置電極膜の絶縁破壊は防止され、仮に表示
用電極膜の一部が絶縁破壊によって除去されて非点灯と
なっても、他の表示用電極膜への電圧印加が断たれるこ
とがなく、絶縁破壊による輝度むらを抑制することがで
きる。
なお、上記実施例においては、配線電極膜１０は二層構
造となっているが、これは単層でも多層でも良く、また
、金属膜９を設けなくてもよい。
造となっているが、これは単層でも多層でも良く、また
、金属膜９を設けなくてもよい。
〔発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、透明基板上に相
互に電気的接続された透明な表示用′ｄｉ極膜および配
線電極膜と、該配線電極膜を直接被覆して形成された第
１絶縁膜とを設けたので、配線電極膜の絶縁破壊は防止
され、断線することがないので絶縁破壊による表示欠陥
の拡大が抑制され、輝度むらが減少して高品位のＩＩＩ
ＥＬ表示素子を提供することができる。
互に電気的接続された透明な表示用′ｄｉ極膜および配
線電極膜と、該配線電極膜を直接被覆して形成された第
１絶縁膜とを設けたので、配線電極膜の絶縁破壊は防止
され、断線することがないので絶縁破壊による表示欠陥
の拡大が抑制され、輝度むらが減少して高品位のＩＩＩ
ＥＬ表示素子を提供することができる。
第１図は本発明による薄膜Ｅ１表示素子の一実施例を示
す断面図、第２図は同薄ｇｌＥＬ表示素子の表示用電極
膜および配線ｍ極膜と対向電極膜との交叉状態を示す平
面図、第３図は従来のｔｄＷＡＥＬ表示素子の一例を示
す断面図、第４図は同簿膜ＥＬ表示素子の絶縁破壊状態
を示す平面図である。 １・・・透明ガラス基板、８・・・表示用電極膜、１１
・・・配線電極膜、１２・・・第１絶縁膜、１３・・・
第２絶縁膜、１４・・・ＥＬＦ光膜、１５・・・第３絶
縁膜、１６・・・対向′：ｆｉ極膜。
す断面図、第２図は同薄ｇｌＥＬ表示素子の表示用電極
膜および配線ｍ極膜と対向電極膜との交叉状態を示す平
面図、第３図は従来のｔｄＷＡＥＬ表示素子の一例を示
す断面図、第４図は同簿膜ＥＬ表示素子の絶縁破壊状態
を示す平面図である。 １・・・透明ガラス基板、８・・・表示用電極膜、１１
・・・配線電極膜、１２・・・第１絶縁膜、１３・・・
第２絶縁膜、１４・・・ＥＬＦ光膜、１５・・・第３絶
縁膜、１６・・・対向′：ｆｉ極膜。
Claims (1)
- 少なくとも透明な表示用電極膜と対向電極膜のいずれ
か一方と配線電極膜とが電気的接続され、該配線電極膜
を直接被覆して形成された第１絶縁膜と、前記表示用電
極膜と第１絶縁膜との上に順次積層して形成された第２
絶縁膜とＥＬ発光膜と第３絶縁膜と対向電極膜とを備え
ていることを特徴とする薄膜ＥＬ表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111213A JPS63276896A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111213A JPS63276896A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276896A true JPS63276896A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14555393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111213A Pending JPS63276896A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276896A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424834B1 (ko) * | 1999-09-29 | 2004-03-27 | 산요덴키가부시키가이샤 | Ｅｌ 표시 장치 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111213A patent/JPS63276896A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424834B1 (ko) * | 1999-09-29 | 2004-03-27 | 산요덴키가부시키가이샤 | Ｅｌ 표시 장치 |
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