JPS63276897A - 薄膜ｅｌ表示素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示素子Info
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- JPS63276897A JPS63276897A JP62111214A JP11121487A JPS63276897A JP S63276897 A JPS63276897 A JP S63276897A JP 62111214 A JP62111214 A JP 62111214A JP 11121487 A JP11121487 A JP 11121487A JP S63276897 A JPS63276897 A JP S63276897A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蛍光体材料に電界を印加させて発光さけるよ
うにした薄膜ＥＬ表示素子に関する。
うにした薄膜ＥＬ表示素子に関する。
近年、ｌ膜ＥＬ表示素子は、各種装置のディスプレイに
応用されつつある。従来の一般的な薄膜ＥＬ表示素子は
、第３図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明型
８ｉＷＡ２と絶縁膜３とＥＬ１発光膜１と絶縁膜５と対
向電極膜６とが順次積層された２重絶縁型６ＦＩＩ４構
造で構成されている。この薄膜ＥＬ表示素子は、透明電
極膜２と対向電極膜６との間に数１０Ｈ２から数に１１
２の交流電界を印加することにより、ＥＬ発光膜４の活
性種イオンが励起され、発光するようになっている。
応用されつつある。従来の一般的な薄膜ＥＬ表示素子は
、第３図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明型
８ｉＷＡ２と絶縁膜３とＥＬ１発光膜１と絶縁膜５と対
向電極膜６とが順次積層された２重絶縁型６ＦＩＩ４構
造で構成されている。この薄膜ＥＬ表示素子は、透明電
極膜２と対向電極膜６との間に数１０Ｈ２から数に１１
２の交流電界を印加することにより、ＥＬ発光膜４の活
性種イオンが励起され、発光するようになっている。
しかしながら、従来の薄膜ＥＬ表示素子は、第４図に示
すように、透明電極膜２と対向電極ＰＩＡ６との交叉す
る部分にて絶縁破壊部７が一部に発生し、この絶縁破壊
部７においては、対向電極膜６が除去されて断線状態と
なり、点灯部６ａは発光するものの、点灯部６ｂ、６ｃ
を含む他の多くの点灯部は非発光状態となる。そのため
、輝度むら等が生じ正常なＥＬ発光が得られなかった。
すように、透明電極膜２と対向電極ＰＩＡ６との交叉す
る部分にて絶縁破壊部７が一部に発生し、この絶縁破壊
部７においては、対向電極膜６が除去されて断線状態と
なり、点灯部６ａは発光するものの、点灯部６ｂ、６ｃ
を含む他の多くの点灯部は非発光状態となる。そのため
、輝度むら等が生じ正常なＥＬ発光が得られなかった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、輝度
むらのない信頼性の高い１ｉｌｌ［ｌＥＬ表示素子を提
供することにある。
むらのない信頼性の高い１ｉｌｌ［ｌＥＬ表示素子を提
供することにある。
本発明は透明基板上に、少なくとも透明電極膜と絶縁膜
と２１発光膜と対向電極膜とを備えた薄膜Ｅ１表示素子
において、前記透明電極膜と対向電極膜とが相互に対向
していない部分にて少なくとも前記一方の電極膜と電気
的に接続され、かつ他方の電極膜と交叉して連続配線さ
れているバイパス電極が設けられ、少なくとも前記バイ
パス電極の他方の電極膜と相互に対向する部分には、絶
縁保護膜が形成されていることを特徴とする。
と２１発光膜と対向電極膜とを備えた薄膜Ｅ１表示素子
において、前記透明電極膜と対向電極膜とが相互に対向
していない部分にて少なくとも前記一方の電極膜と電気
的に接続され、かつ他方の電極膜と交叉して連続配線さ
れているバイパス電極が設けられ、少なくとも前記バイ
パス電極の他方の電極膜と相互に対向する部分には、絶
縁保護膜が形成されていることを特徴とする。
このように、本発明では、バイパス電極が少なくとも透
明電極膜または対向電極膜のいずれかに設けられ、透明
電極膜側の場合にはこのバイパス電極上に絶縁保護膜が
形成されているので、バイパス電極の絶縁破壊は防止さ
れ仮に透明電極膜と対向ｍ極膜とが相互に対向している
表示セグメント部にて絶縁破壊が発生して、電極膜の断
線が生じても他の表示セグメント部への電圧印加が断た
れることがなく、輝度むらを抑制することができる。
明電極膜または対向電極膜のいずれかに設けられ、透明
電極膜側の場合にはこのバイパス電極上に絶縁保護膜が
形成されているので、バイパス電極の絶縁破壊は防止さ
れ仮に透明電極膜と対向ｍ極膜とが相互に対向している
表示セグメント部にて絶縁破壊が発生して、電極膜の断
線が生じても他の表示セグメント部への電圧印加が断た
れることがなく、輝度むらを抑制することができる。
本発明によるｗＪＩＩＥＬ表示素子は、例えば次のよう
にして製造される。まず、ガラス等の透明基板上に、例
えばＩｎｚ ０３−８ｎＯｚ系の透明電極膜をスパッタ
リングや真空ＷＳＳ演法より所定形状パターン成膜する
。次にこの透明基板上に例えばＭ。
にして製造される。まず、ガラス等の透明基板上に、例
えばＩｎｚ ０３−８ｎＯｚ系の透明電極膜をスパッタ
リングや真空ＷＳＳ演法より所定形状パターン成膜する
。次にこの透明基板上に例えばＭ。
ＮＬ、 １％、 ＴＬ、 Ｔａ等の低比抵抗の金属等か
らなるバイパス電極をスパッタリングや真空熱＠法によ
り所定形状に成膜する。そして、前記バイパス電極上に
例えばＴａ２０５ 、 ｓｔｃ、 ＳＬ３ Ｎ４ 、５
ｉＯｚ 。
らなるバイパス電極をスパッタリングや真空熱＠法によ
り所定形状に成膜する。そして、前記バイパス電極上に
例えばＴａ２０５ 、 ｓｔｃ、 ＳＬ３ Ｎ４ 、５
ｉＯｚ 。
Ｙ２Ｏ３等の金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物等
からなる絶縁保護膜をスパッタリング法などにより形成
する。
からなる絶縁保護膜をスパッタリング法などにより形成
する。
次にこの透明基板上に例えばＴａ２０５ 、 ＳＬＣ。
ＳＬ２ Ｎ４ 、５ｔＯｚ 、 Ｙ２０ｓ等の金ｍｌＩ
！！化物、金属窒化物、金属炭素化物等からなる絶縁膜
をスパッタリング法などにより形成する。そして、上記
絶縁膜上に、各種付活剤をドープした硫化亜鉛などから
なる２１発光膜をスパッタリング法などにより形成し、
さらに、上記と同様な絶ＲＷ４を形成し、最後にアルミ
ニウムなどからなる対向電極膜を形成してＭＩＩＩＥＬ
表示素子を得ることができる。
！！化物、金属窒化物、金属炭素化物等からなる絶縁膜
をスパッタリング法などにより形成する。そして、上記
絶縁膜上に、各種付活剤をドープした硫化亜鉛などから
なる２１発光膜をスパッタリング法などにより形成し、
さらに、上記と同様な絶ＲＷ４を形成し、最後にアルミ
ニウムなどからなる対向電極膜を形成してＭＩＩＩＥＬ
表示素子を得ることができる。
（実施例）
第１図および第２図には、本発明によるＥＬ発光素子の
実施例が示されている。
実施例が示されている。
すなわち、第１図および第２図に示すように、透明ガラ
ス基板１の上にＩｎｚ ０ｘ−８ｎＯｚ系の透明電極膜
２をスパッタリング法により形成する。
ス基板１の上にＩｎｚ ０ｘ−８ｎＯｚ系の透明電極膜
２をスパッタリング法により形成する。
ざらにこの透明ガラス基板１の上にＮからなる厚さ約２
０００人のバイパス電極８をスパッタリング法により形
成する。次に前記バイパス電極８の上にＳＬ Ｏｚから
なる厚さ約３０００人の絶縁膜１１１１９をスパッタリ
ング法によって被覆して形成する。・次にＴａｚＯｓか
らなる厚さ約３０００人の絶縁膜１０と、マンガンをド
ープした硫化亜鉛からなるＥＬ発光！１１１と、Ｔａ２
ｅｓからなる厚さ約３０００．Ａの絶縁５１１２と、Ｍ
からなる対向電極膜１３とをスパッタリング法により順
次積層して形成する。
０００人のバイパス電極８をスパッタリング法により形
成する。次に前記バイパス電極８の上にＳＬ Ｏｚから
なる厚さ約３０００人の絶縁膜１１１１９をスパッタリ
ング法によって被覆して形成する。・次にＴａｚＯｓか
らなる厚さ約３０００人の絶縁膜１０と、マンガンをド
ープした硫化亜鉛からなるＥＬ発光！１１１と、Ｔａ２
ｅｓからなる厚さ約３０００．Ａの絶縁５１１２と、Ｍ
からなる対向電極膜１３とをスパッタリング法により順
次積層して形成する。
こうして得たＭＷＡＥＬ表示素子は、少なくとも透明電
極膜か対向電極膜のいずれかにバイパス電極が鰻けられ
、このバイパス電極に絶縁保護膜が形成されているので
、バイパス電極の絶縁破壊は防止され、仮に透明電極膜
と対向電極膜とが相互に対向している表示セグメント部
にて絶縁破壊が発生して、Ｗｉ電極膜断線が生じても他
の表示セグメント部への電圧印加が断たれることがなく
、輝度むらを抑制することができる。
極膜か対向電極膜のいずれかにバイパス電極が鰻けられ
、このバイパス電極に絶縁保護膜が形成されているので
、バイパス電極の絶縁破壊は防止され、仮に透明電極膜
と対向電極膜とが相互に対向している表示セグメント部
にて絶縁破壊が発生して、Ｗｉ電極膜断線が生じても他
の表示セグメント部への電圧印加が断たれることがなく
、輝度むらを抑制することができる。
なお、上記実施例においては、バイパス電極８は透明ガ
ラス基板１上に透明電極膜２と電気的に接続して設けら
れているが、バイパス電極８を対向電極膜１３側に該対
向電極１１１３と電気的に接続して設けてもよい。そし
て、この例においてはバイパス電極の少なくとも透明電
極膜と相互に対向する部分は絶縁保護膜がバイパス電極
の下部に形成されている。
ラス基板１上に透明電極膜２と電気的に接続して設けら
れているが、バイパス電極８を対向電極膜１３側に該対
向電極１１１３と電気的に接続して設けてもよい。そし
て、この例においてはバイパス電極の少なくとも透明電
極膜と相互に対向する部分は絶縁保護膜がバイパス電極
の下部に形成されている。
（発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、透明電極膜と対
向Ｎ極膜とが相互に対向していない部分にて少なくとも
前記一方の電極膜と電気的に接続され、かつ他方の電極
膜と交叉して連続配線されているバイパス電極が設けら
れ、少なくとも前記バイパス電極の他方の電極膜と相互
に対向する部分には、絶縁保護膜が形成されているので
バイパス電極の絶縁破壊は防止されて断線することがな
く、絶縁破壊による表示欠陥が生じてもその拡大が抑制
され、輝度むらのない高品位の薄１！１ＩＥＬ表示素子
を提供することができる。
向Ｎ極膜とが相互に対向していない部分にて少なくとも
前記一方の電極膜と電気的に接続され、かつ他方の電極
膜と交叉して連続配線されているバイパス電極が設けら
れ、少なくとも前記バイパス電極の他方の電極膜と相互
に対向する部分には、絶縁保護膜が形成されているので
バイパス電極の絶縁破壊は防止されて断線することがな
く、絶縁破壊による表示欠陥が生じてもその拡大が抑制
され、輝度むらのない高品位の薄１！１ＩＥＬ表示素子
を提供することができる。
第１図は本発明による薄膜Ｅ１表示素子の一実施例を示
す断面図、第２図は同薄膜ＥＬ表示素子の透明電極膜お
よびバイパス電極と対向電極膜との交叉状態を示す平面
図、第３図は従来の薄膜ＥＬ表示素子の一例を示す断面
図、第４図は同薄膜ＥＬ表示素子の絶縁破壊状態を示す
平面図である。 １・・・・・・透明ガラス基板、 ２・・・・・・透明電極膜、 ８・・・・・・バイパス電極、 ９・・・・・・絶縁保護膜、 １０．１２・・・・・・絶縁膜、 １１・・・・・・ＥＬ発光膜、 １３・・・・・・対向電極膜。 出願人 アルプス電気株式会社 〜 ＱＧ’） −
す断面図、第２図は同薄膜ＥＬ表示素子の透明電極膜お
よびバイパス電極と対向電極膜との交叉状態を示す平面
図、第３図は従来の薄膜ＥＬ表示素子の一例を示す断面
図、第４図は同薄膜ＥＬ表示素子の絶縁破壊状態を示す
平面図である。 １・・・・・・透明ガラス基板、 ２・・・・・・透明電極膜、 ８・・・・・・バイパス電極、 ９・・・・・・絶縁保護膜、 １０．１２・・・・・・絶縁膜、 １１・・・・・・ＥＬ発光膜、 １３・・・・・・対向電極膜。 出願人 アルプス電気株式会社 〜 ＱＧ’） −
Claims (1)
- 透明基板上に、少なくとも透明電極膜と絶縁膜とＥＬ
発光膜と対向電極膜とを備えた薄膜ＥＬ表示素子におい
て、前記透明電極膜と対向電極膜とが相互に対向してい
ない部分にて少なくとも前記一方の電極膜と電気的に接
続され、かつ他方の電極膜と交叉して連続配線されてい
るバイパス電極が設けられ、少なくとも前記バイパス電
極の他方の電極膜と相互に対向する部分には、絶縁保護
膜が形成されていることを特徴とする薄膜ＥＬ表示素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111214A JPS63276897A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111214A JPS63276897A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276897A true JPS63276897A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14555416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111214A Pending JPS63276897A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276897A (ja) |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111214A patent/JPS63276897A/ja active Pending
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