JPH0817578A - 薄膜電場発光素子 - Google Patents
薄膜電場発光素子Info
- Publication number
- JPH0817578A JPH0817578A JP6153142A JP15314294A JPH0817578A JP H0817578 A JPH0817578 A JP H0817578A JP 6153142 A JP6153142 A JP 6153142A JP 15314294 A JP15314294 A JP 15314294A JP H0817578 A JPH0817578 A JP H0817578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- insulating film
- film
- auxiliary metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電極の断線がなく信頼性に優れる薄膜電場発光
素子を得る。 【構成】絶縁基板１上に複数の第１の電極２と、第１の
絶縁膜３と、発光層４と、第２の絶縁膜５を積層し、得
られた平坦部に前記第１の電極と立体的に交差して複数
の第２の電極６を設ける。補助金属電極８を前記平坦部
に続く段差部と絶縁基板に選択的に被覆し且つ前記交差
する領域から延在する第２の電極の端部に接続する。
素子を得る。 【構成】絶縁基板１上に複数の第１の電極２と、第１の
絶縁膜３と、発光層４と、第２の絶縁膜５を積層し、得
られた平坦部に前記第１の電極と立体的に交差して複数
の第２の電極６を設ける。補助金属電極８を前記平坦部
に続く段差部と絶縁基板に選択的に被覆し且つ前記交差
する領域から延在する第２の電極の端部に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型表示装置に用いる
薄膜電場発光素子に係り、特に電極に断線がなく信頼性
に優れる薄膜電場発光素子の電極構造に関する。
薄膜電場発光素子に係り、特に電極に断線がなく信頼性
に優れる薄膜電場発光素子の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界の印加によりエレクトロルミネセン
ス（ＥＬ）を呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光，
高速応答，広視野角，薄型軽量，高解像度など多くの優
れた特長を有することから、薄型表示装置の表示素子と
して注目されている。しかし、この様な優れた特長を有
しているにもかかわらず、実用化されている薄膜電場発
光素子の発光色は黄橙色に限られており、薄型表示装置
の多様化に対応するためには、カラー化が強く望まれて
いる。
ス（ＥＬ）を呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光，
高速応答，広視野角，薄型軽量，高解像度など多くの優
れた特長を有することから、薄型表示装置の表示素子と
して注目されている。しかし、この様な優れた特長を有
しているにもかかわらず、実用化されている薄膜電場発
光素子の発光色は黄橙色に限られており、薄型表示装置
の多様化に対応するためには、カラー化が強く望まれて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】薄膜電場発光素子を多
色化する方法として、幅広い発光スペクトル（白色）を
有する発光層から出る光を、カラーフィルターにより異
なる色（赤・緑・青）に分光してカラー化することがで
きる。図４は従来のカラーフィルターを備えた薄膜電場
発光素子を示す断面図である。
色化する方法として、幅広い発光スペクトル（白色）を
有する発光層から出る光を、カラーフィルターにより異
なる色（赤・緑・青）に分光してカラー化することがで
きる。図４は従来のカラーフィルターを備えた薄膜電場
発光素子を示す断面図である。
【０００４】ガラス基板１上に金属材料からなる第１の
電極２を設け、この上に第１の絶縁膜３、ＳｒＳ：Ｃ
ｅ，Ｅｕからなる発光層４、第２の絶縁膜５およびＩＴ
Ｏからなる透明電極である第２の電極６を設ける。第１
の電極２と第２の電極６は直交するようにストライプ状
に設け、それぞれ３〜５本／mm （０．２〜０．３mmピ
ッチ）程度に高精細にパターニングする。第１の絶縁膜
３、発光層４および第２の絶縁膜５は、メタルマスクを
用いた成膜や成膜後のエッチングにより、基板周辺部に
ある電極端子部を覆わないようにパターニングして形成
する。この薄膜電場発光素子の構造は、光を第２の電極
６側より取り出す。白色発光を呈するＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅ
ｕ発光層４と対向して設けたカラーフィルター７によ
り、赤・緑・青のカラー表示を得ることが出来る。
電極２を設け、この上に第１の絶縁膜３、ＳｒＳ：Ｃ
ｅ，Ｅｕからなる発光層４、第２の絶縁膜５およびＩＴ
Ｏからなる透明電極である第２の電極６を設ける。第１
の電極２と第２の電極６は直交するようにストライプ状
に設け、それぞれ３〜５本／mm （０．２〜０．３mmピ
ッチ）程度に高精細にパターニングする。第１の絶縁膜
３、発光層４および第２の絶縁膜５は、メタルマスクを
用いた成膜や成膜後のエッチングにより、基板周辺部に
ある電極端子部を覆わないようにパターニングして形成
する。この薄膜電場発光素子の構造は、光を第２の電極
６側より取り出す。白色発光を呈するＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅ
ｕ発光層４と対向して設けたカラーフィルター７によ
り、赤・緑・青のカラー表示を得ることが出来る。
【０００５】この薄膜電場発光素子の構造は、光を層の
上部より取り出すために、第２の電極６をＩＴＯからな
る透明導電材料から構成する必要がある。ところが従来
の薄膜電場発光素子においては第２の電極６を構成する
ＩＴＯ膜が透明性と電気導電性の良好な成膜領域では内
部応力が金属材料などと比べて非常に大きくなるために
基板周辺部の第１の絶縁膜３や第２の絶縁膜５のパター
ニング段差部において膜剥離が生じたり局所的な異常エ
ッチングにより断線欠陥が発生する。このため従来の素
子は信頼性に乏しいという問題があった。
上部より取り出すために、第２の電極６をＩＴＯからな
る透明導電材料から構成する必要がある。ところが従来
の薄膜電場発光素子においては第２の電極６を構成する
ＩＴＯ膜が透明性と電気導電性の良好な成膜領域では内
部応力が金属材料などと比べて非常に大きくなるために
基板周辺部の第１の絶縁膜３や第２の絶縁膜５のパター
ニング段差部において膜剥離が生じたり局所的な異常エ
ッチングにより断線欠陥が発生する。このため従来の素
子は信頼性に乏しいという問題があった。
【０００６】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は電極構造に改良を加えて断線欠陥がなく信頼性に優
れる薄膜電場発光素子を提供することにある。
的は電極構造に改良を加えて断線欠陥がなく信頼性に優
れる薄膜電場発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的は第１の発明
によれば絶縁基板上に複数の第１の電極、第１の絶縁
膜、発光層、第２の絶縁膜、複数の第２の電極、複数の
補助金属電極を有し、第１の電極、第１の絶縁膜、発光
層、第２の絶縁膜は順次積層されて絶縁基板上に段差部
と平坦部を形成し、第２の電極は第１の電極と立体的に
交差して前記平坦部に形成され、補助金属電極は前記段
差部と絶縁基板を選択的に被覆するとともに前記交差す
る領域から延在する第２の電極の端部に接続されるとす
ることにより達成される。
によれば絶縁基板上に複数の第１の電極、第１の絶縁
膜、発光層、第２の絶縁膜、複数の第２の電極、複数の
補助金属電極を有し、第１の電極、第１の絶縁膜、発光
層、第２の絶縁膜は順次積層されて絶縁基板上に段差部
と平坦部を形成し、第２の電極は第１の電極と立体的に
交差して前記平坦部に形成され、補助金属電極は前記段
差部と絶縁基板を選択的に被覆するとともに前記交差す
る領域から延在する第２の電極の端部に接続されるとす
ることにより達成される。
【０００８】また第２の発明によれば絶縁基板上に複数
の第１の電極、第１の絶縁膜、発光層、第２の絶縁膜、
複数の第２の電極、複数の補助金属電極を有し、第１の
電極、第１の絶縁膜、発光層、第２の絶縁膜は順次積層
されて絶縁基板上に段差部と平坦部を形成し、第２の電
極は第１の電極と立体的に交差して前記平坦部に形成さ
れ、補助金属電極は前記段差部と絶縁基板を選択的に被
覆するとともに第２の電極の長さ方向にわたって第２の
電極と選択的に接続されるとすることにより達成され
る。
の第１の電極、第１の絶縁膜、発光層、第２の絶縁膜、
複数の第２の電極、複数の補助金属電極を有し、第１の
電極、第１の絶縁膜、発光層、第２の絶縁膜は順次積層
されて絶縁基板上に段差部と平坦部を形成し、第２の電
極は第１の電極と立体的に交差して前記平坦部に形成さ
れ、補助金属電極は前記段差部と絶縁基板を選択的に被
覆するとともに第２の電極の長さ方向にわたって第２の
電極と選択的に接続されるとすることにより達成され
る。
【０００９】
【作用】成膜された金属の内部応力は、透明性と電気導
電性の良好な成膜領域におけるＩＴＯ膜の内部応力に比
して小さく、且つ引っ張り強度もＩＴＯに比して大きい
から段差部に補助金属電極を設けた場合には段差部の電
極に膜剥離や異常エッチングが起こらない。
電性の良好な成膜領域におけるＩＴＯ膜の内部応力に比
して小さく、且つ引っ張り強度もＩＴＯに比して大きい
から段差部に補助金属電極を設けた場合には段差部の電
極に膜剥離や異常エッチングが起こらない。
【００１０】補助金属電極が第２の電極の長さ方向に沿
って第２の電極と選択的に接続されるときは透明電極に
よる配線抵抗の増大を防止することができる。
って第２の電極と選択的に接続されるときは透明電極に
よる配線抵抗の増大を防止することができる。
【００１１】
実施例１ 図１はこの発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を示す
断面図である。ガラス基板１の上に第１の電極２、第１
の絶縁膜３、発光層４、第２の絶縁膜５、第２の電極
６、補助金属電極８が形成されている。この素子は透明
電極である第２の電極６が段差部を被覆せず替わりに補
助金属電極８が段差部を被覆していることが従来の素子
とは異なる。
断面図である。ガラス基板１の上に第１の電極２、第１
の絶縁膜３、発光層４、第２の絶縁膜５、第２の電極
６、補助金属電極８が形成されている。この素子は透明
電極である第２の電極６が段差部を被覆せず替わりに補
助金属電極８が段差部を被覆していることが従来の素子
とは異なる。
【００１２】このような素子は以下にようにして製造さ
れる。即ちガラス基板１に膜厚２００ｎｍのＷ（タング
ステン）をスパッタリング法で成膜しした後、ＣＦ4 と
Ｏ2の混合ガスでドライエッチングして第１の電極２を
形成し、次にスパッタリング法で膜厚２００ｎｍの窒化
シリコンＳｉ3 Ｎ4 を第１の絶縁膜３として被着し、そ
して電子ビーム蒸着法で膜厚１０００ｎｍのＳｒＳ：Ｃ
ｅ，Ｅｕからなる発光層４を被着し、次にスパッタリン
グ法で膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 を第２の絶縁膜５と
して被着する。第１の絶縁膜３、発光層４および第２の
絶縁膜５は、ガラス基板１の周辺部に形成する電極端子
部を覆わないようにメタルマスクを用いて成膜する。次
に膜厚２００ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法で成膜し
た後、塩酸と塩化第２鉄との混合水溶液でウエットエッ
チングして第２の電極６を形成する。そして膜厚５００
ｎｍのＡｌをスパッタリング法で成膜した後、リン酸と
硝酸の混合水溶液でウエットエッチングして補助金属電
極８を形成する。補助金属電極８は、第２の電極６の延
在させた端部と電気的に接続するように形成し、第１の
絶縁膜３と第２の絶縁膜５のパターニング段差部を被覆
するように形成する。本発明によればＡｌからなる補助
金属電極８を設けることによりパターニング段差部での
断線が防止される。補助金属電極８はＡｌ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉなどの金属材料やこれらの積層膜を適
用でき、成膜方法はスパッタリング法や電子ビーム蒸着
法が望ましい。また補助金属電極８は遮光性の金属材料
からなるため、画面表示部（第１の電極２と第２の電極
６との交差部分）を覆わないように形成する。
れる。即ちガラス基板１に膜厚２００ｎｍのＷ（タング
ステン）をスパッタリング法で成膜しした後、ＣＦ4 と
Ｏ2の混合ガスでドライエッチングして第１の電極２を
形成し、次にスパッタリング法で膜厚２００ｎｍの窒化
シリコンＳｉ3 Ｎ4 を第１の絶縁膜３として被着し、そ
して電子ビーム蒸着法で膜厚１０００ｎｍのＳｒＳ：Ｃ
ｅ，Ｅｕからなる発光層４を被着し、次にスパッタリン
グ法で膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 を第２の絶縁膜５と
して被着する。第１の絶縁膜３、発光層４および第２の
絶縁膜５は、ガラス基板１の周辺部に形成する電極端子
部を覆わないようにメタルマスクを用いて成膜する。次
に膜厚２００ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法で成膜し
た後、塩酸と塩化第２鉄との混合水溶液でウエットエッ
チングして第２の電極６を形成する。そして膜厚５００
ｎｍのＡｌをスパッタリング法で成膜した後、リン酸と
硝酸の混合水溶液でウエットエッチングして補助金属電
極８を形成する。補助金属電極８は、第２の電極６の延
在させた端部と電気的に接続するように形成し、第１の
絶縁膜３と第２の絶縁膜５のパターニング段差部を被覆
するように形成する。本発明によればＡｌからなる補助
金属電極８を設けることによりパターニング段差部での
断線が防止される。補助金属電極８はＡｌ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉなどの金属材料やこれらの積層膜を適
用でき、成膜方法はスパッタリング法や電子ビーム蒸着
法が望ましい。また補助金属電極８は遮光性の金属材料
からなるため、画面表示部（第１の電極２と第２の電極
６との交差部分）を覆わないように形成する。
【００１３】図２は、第１の発明の異なる実施例に係る
薄膜電場発光素子を示す断面図である。この素子は第２
の絶縁膜５を形成した後、膜厚５００ｎｍのＷをスパッ
タリング法で成膜した後、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスでド
ライエッチングして補助金属電極８１を形成し、次いで
膜厚２００ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法で成膜しウ
エットエッチングして第２の電極６１を形成する。 実施例２ 図３は、第２の発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を
示す平面図である。実施例１と同様に、ＩＴＯからなる
第２の電極６をパターニング形成する。次に膜厚１００
０ｎｍのＡｌをスパッタリング法で成膜した後、パター
ニングして補助金属電極８２を形成する。このとき、補
助金属電極８２の一部を第２の電極６上に残るように形
成する。第２の電極６上に補助金属電極８２を形成する
のは、ＩＴＯ透明導電膜から構成される第２の電極６の
電気抵抗が高いため（比抵抗〜１０-4Ω・ｃｍ）、対角
１０インチ以上のように表示画面が大型化（配線距離の
増加）して配線抵抗が増大することを防止するために、
電気抵抗が低い（比抵抗１０-5〜１０-6Ω・ｃｍ）補助
金属電極８２により、配線抵抗を減少させる。ただし第
１の電極２と第２の電極６が交差する部分から構成され
る表示画面の領域を横切る補助金属電極８２の一部は、
できるだけ微小な面積になるように形成する。例えば２
００μｍ巾の第２の電極６上に形成する補助金属電極８
２の部分は１０〜２０μｍ巾が望ましい。これは遮光性
の補助金属電極８２が表示画面を覆い素子の発光輝度が
低下することを防止するためである。
薄膜電場発光素子を示す断面図である。この素子は第２
の絶縁膜５を形成した後、膜厚５００ｎｍのＷをスパッ
タリング法で成膜した後、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスでド
ライエッチングして補助金属電極８１を形成し、次いで
膜厚２００ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法で成膜しウ
エットエッチングして第２の電極６１を形成する。 実施例２ 図３は、第２の発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を
示す平面図である。実施例１と同様に、ＩＴＯからなる
第２の電極６をパターニング形成する。次に膜厚１００
０ｎｍのＡｌをスパッタリング法で成膜した後、パター
ニングして補助金属電極８２を形成する。このとき、補
助金属電極８２の一部を第２の電極６上に残るように形
成する。第２の電極６上に補助金属電極８２を形成する
のは、ＩＴＯ透明導電膜から構成される第２の電極６の
電気抵抗が高いため（比抵抗〜１０-4Ω・ｃｍ）、対角
１０インチ以上のように表示画面が大型化（配線距離の
増加）して配線抵抗が増大することを防止するために、
電気抵抗が低い（比抵抗１０-5〜１０-6Ω・ｃｍ）補助
金属電極８２により、配線抵抗を減少させる。ただし第
１の電極２と第２の電極６が交差する部分から構成され
る表示画面の領域を横切る補助金属電極８２の一部は、
できるだけ微小な面積になるように形成する。例えば２
００μｍ巾の第２の電極６上に形成する補助金属電極８
２の部分は１０〜２０μｍ巾が望ましい。これは遮光性
の補助金属電極８２が表示画面を覆い素子の発光輝度が
低下することを防止するためである。
【００１４】
【発明の効果】第１の発明によれば補助金属電極が段差
部と絶縁基板を選択的に被覆し且つ交差する領域から延
在する第２の電極の端部に接続されるので段差部におけ
る電極の断線が防止され信頼性に優れる薄膜電場発光素
子が得られる。また第２の発明によれば補助金属電極が
前記段差部と絶縁基板を選択的に被覆し且つ第２の電極
の長さ方向に沿って第２の電極と選択的に接続されるか
ら、段差部における電極の断線が防止される上に第２の
電極の配線抵抗が小さくなり信頼性に優れるとともに大
面積の薄膜電場発光素子が得られる。
部と絶縁基板を選択的に被覆し且つ交差する領域から延
在する第２の電極の端部に接続されるので段差部におけ
る電極の断線が防止され信頼性に優れる薄膜電場発光素
子が得られる。また第２の発明によれば補助金属電極が
前記段差部と絶縁基板を選択的に被覆し且つ第２の電極
の長さ方向に沿って第２の電極と選択的に接続されるか
ら、段差部における電極の断線が防止される上に第２の
電極の配線抵抗が小さくなり信頼性に優れるとともに大
面積の薄膜電場発光素子が得られる。
【図１】第１の発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を
示す断面図
示す断面図
【図２】第１の発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光
素子を示す断面図
素子を示す断面図
【図３】第２の発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を
示す平面図
示す平面図
【図４】従来の薄膜電場発光素子を示す断面図
１ ガラス基板 ２ 第１の電極 ３ 第１の絶縁膜 ４ 発光層 ５ 第２の絶縁膜 ６ 第２の電極 ６１ 第２の電極 ６２ 第２の電極 ７ カラーフルタ ８ 補助金属電極 ８１ 補助金属電極 ８２ 補助金属電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河村 幸則 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板上に複数の第１の電極、第１の絶
縁膜、発光層、第２の絶縁膜、複数の第２の電極、複数
の補助金属電極を有し、 第１の電極、第１の絶縁膜、発光層、第２の絶縁膜は順
次積層されて絶縁基板上に段差部と平坦部を形成し、 第２の電極は第１の電極と立体的に交差して前記平坦部
に形成され、 補助金属電極は前記段差部と絶縁基板を選択的に被覆す
るとともに前記交差する領域から延在する第２の電極の
端部に接続されることを特徴とする薄膜電場発光素子。 - 【請求項２】絶縁基板上に複数の第１の電極、第１の絶
縁膜、発光層、第２の絶縁膜、複数の第２の電極、複数
の補助金属電極を有し、 第１の電極、第１の絶縁膜、発光層、第２の絶縁膜は順
次積層されて絶縁基板上に段差部と平坦部を形成し、 第２の電極は第１の電極と立体的に交差して前記平坦部
に形成され、 補助金属電極は前記段差部と絶縁基板を選択的に被覆す
るとともに第２の電極の長さ方向に沿って第２の電極と
選択的に接続されることを特徴とする薄膜電場発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153142A JPH0817578A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 薄膜電場発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153142A JPH0817578A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 薄膜電場発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817578A true JPH0817578A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15555941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6153142A Pending JPH0817578A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 薄膜電場発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817578A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100768995B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2007-10-22 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2011096682A (ja) * | 2000-05-08 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP6153142A patent/JPH0817578A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011096682A (ja) * | 2000-05-08 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| KR100768995B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2007-10-22 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 유기 발광 표시 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3927323B2 (ja) | 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP4561490B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3999837B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| CN104953039B (zh) | El显示装置及el显示装置的制造方法 | |
| JP2000091083A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| JP3918558B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2002117975A (ja) | 単純マトリクス式画素配列型有機電界発光装置の製造方法 | |
| JP4684592B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JPS61284091A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| US5133036A (en) | Thin-film matrix structure for an electroluminescent display in particular | |
| JPH08180974A (ja) | Ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH07114350A (ja) | エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 | |
| JPH0817578A (ja) | 薄膜電場発光素子 | |
| JP2000133450A (ja) | 有機ｅｌパネル | |
| JP3258780B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| US8390188B2 (en) | Light emitting unit of electroluminescence device capable of increasing aperture rate manufacturing method thereof | |
| JP2000133449A (ja) | 有機ｅｌ素子の積層構造 | |
| JP2001223079A (ja) | 有機ｅｌ表示素子 | |
| JPH0155757B2 (ja) | ||
| JP3870591B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板と有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 | |
| JP2003092190A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| JP3455128B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| CN102024912B (zh) | 电致发光装置的发光单元及其制造方法 | |
| JP4557069B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 | |
| US7420325B2 (en) | Display device |