JPH0752668B2 - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH0752668B2 JPH0752668B2 JP63290935A JP29093588A JPH0752668B2 JP H0752668 B2 JPH0752668 B2 JP H0752668B2 JP 63290935 A JP63290935 A JP 63290935A JP 29093588 A JP29093588 A JP 29093588A JP H0752668 B2 JPH0752668 B2 JP H0752668B2
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、透明基板上に発光層，電極，絶縁層を薄膜形
成してなる薄膜EL素子に関する。
成してなる薄膜EL素子に関する。
〈従来の技術〉 従来、この種の薄膜EL素子として、例えば第２図に示す
ようなものが知られている。この薄膜EL素子は、ガラス
基板１上に錫添加インジウム（以下、ITOと略す）から
なる多数の透明電極２をストライプ状に設け、この上を
SiO2やSi3N4からなる第１絶縁膜３で絶縁し、この第１
絶縁膜３上にZnS:Mnからなる発光層４を電子ビーム蒸着
した後、さらにこの上を上述と同種の第２絶縁膜５で絶
縁し、最後にこの第２絶縁膜５上にAlからなる多数の背
面電極６を上記透明電極２と直交する方向に設けてな
る。そして、上記透明電極２と背面電極６の１本ずつの
端部に電圧を印加するため設けられる端子電極11と12
は、製造工数削減のため上記背面電極６の形状と同時
に、上記第２絶縁膜５およびガラス基板１の全面にAl
6′を蒸着し、さらにこの上にはんだ付けの便宜のためN
i13を蒸着した後、図示の如く前者は透明電極２に継が
るように、後者は背面電極６と一体にエッチングでパタ
ーン形成される。
ようなものが知られている。この薄膜EL素子は、ガラス
基板１上に錫添加インジウム（以下、ITOと略す）から
なる多数の透明電極２をストライプ状に設け、この上を
SiO2やSi3N4からなる第１絶縁膜３で絶縁し、この第１
絶縁膜３上にZnS:Mnからなる発光層４を電子ビーム蒸着
した後、さらにこの上を上述と同種の第２絶縁膜５で絶
縁し、最後にこの第２絶縁膜５上にAlからなる多数の背
面電極６を上記透明電極２と直交する方向に設けてな
る。そして、上記透明電極２と背面電極６の１本ずつの
端部に電圧を印加するため設けられる端子電極11と12
は、製造工数削減のため上記背面電極６の形状と同時
に、上記第２絶縁膜５およびガラス基板１の全面にAl
6′を蒸着し、さらにこの上にはんだ付けの便宜のためN
i13を蒸着した後、図示の如く前者は透明電極２に継が
るように、後者は背面電極６と一体にエッチングでパタ
ーン形成される。
〈発明が解決しようとする課題〉 ところが、従来の薄膜EL素子の上記端子電極11,12は、A
lとNiの積層膜からなるため機械的強度が低く、しかも
３本/mm程度に高精細度加工されるため、輝度特性安定
化のため施されるエージング処理等において、疵が発生
しやすい。そのため、端子部の断線が多発して、製品の
信頼性を低下させ、製品の不良率を増大させるという欠
点がある。
lとNiの積層膜からなるため機械的強度が低く、しかも
３本/mm程度に高精細度加工されるため、輝度特性安定
化のため施されるエージング処理等において、疵が発生
しやすい。そのため、端子部の断線が多発して、製品の
信頼性を低下させ、製品の不良率を増大させるという欠
点がある。
そこで、本発明の目的は、端子電極を機械的強度の高い
構造にし、併せてこの構造で湿気が素子本体へ侵入する
ことがないようにして、表示品位と信頼性を向上させ、
不良率を低減させることができる薄膜EL素子を提供する
ことである。
構造にし、併せてこの構造で湿気が素子本体へ侵入する
ことがないようにして、表示品位と信頼性を向上させ、
不良率を低減させることができる薄膜EL素子を提供する
ことである。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するため、本発明の薄膜EL素子は、透光
性基板上に、ストライプ状の透明電極，第１絶縁膜，発
光層，第２絶縁膜および上記透明電極に直交するストラ
イプ状の背面電極を順次積層してなる薄膜EL素子におい
て、この薄膜EL素子の素子本体以外の上記透光性基板上
に、上記各透明電極の端部から間隔をおいてその透明電
極と一直線をなすように錫添加酸化インジウムと無電解
ニッケルめっき層を順次積層するとともに、上記間隔を
アルミニウムで接続してなる透明電極側の端子電極と、
上記素子本体以外の上記透光性基板上に、上記各背面電
極の端部に接続されてその背面電極と一直線をなすよう
に錫添加酸化インジウムと無電解ニッケルめっき層を順
次積層してなる背面電極側の端子電極と、上記透明電極
側の端子電極のアルミニウムとの接続部および上記背面
電極側の端子電極の背面電極との接続部に被さるように
外周縁が接着され、素子本体を覆って外気から封止する
透光性のシール蓋を備えたことを特徴としている。
性基板上に、ストライプ状の透明電極，第１絶縁膜，発
光層，第２絶縁膜および上記透明電極に直交するストラ
イプ状の背面電極を順次積層してなる薄膜EL素子におい
て、この薄膜EL素子の素子本体以外の上記透光性基板上
に、上記各透明電極の端部から間隔をおいてその透明電
極と一直線をなすように錫添加酸化インジウムと無電解
ニッケルめっき層を順次積層するとともに、上記間隔を
アルミニウムで接続してなる透明電極側の端子電極と、
上記素子本体以外の上記透光性基板上に、上記各背面電
極の端部に接続されてその背面電極と一直線をなすよう
に錫添加酸化インジウムと無電解ニッケルめっき層を順
次積層してなる背面電極側の端子電極と、上記透明電極
側の端子電極のアルミニウムとの接続部および上記背面
電極側の端子電極の背面電極との接続部に被さるように
外周縁が接着され、素子本体を覆って外気から封止する
透光性のシール蓋を備えたことを特徴としている。
〈作用〉 薄膜EL素子の端子電極A,Bは、透光性基板１上に高硬度
のセラミックスたる錫添加酸化インジウムITOと無電解
ニッケルめっき層10を順次積層してなるので、従来のAl
とNiの積層膜からなる端子電極よりも機械的強度が高
く、エージング処理中の疵による断線が生じにくく、無
電解めっきによるITO上のNiは密着性が良いため、はん
だ付が十分可能である。
のセラミックスたる錫添加酸化インジウムITOと無電解
ニッケルめっき層10を順次積層してなるので、従来のAl
とNiの積層膜からなる端子電極よりも機械的強度が高
く、エージング処理中の疵による断線が生じにくく、無
電解めっきによるITO上のNiは密着性が良いため、はん
だ付が十分可能である。
また、透明電極２とその端子電極Ｂの下層は、透湿性の
高いITOからなるが、これらの間は分離され、透湿性の
ないアルミニウムＣで互いに接続されるとともに、この
アルミニウムＣとITOとの接続部および背面電極側の端
子電極ＡのITOと背面電極６（例えばAl製）との接続部6
aには、透光性のシール蓋７の外周縁が被さるように接
着され、素子本体９が外気から封止されるので、外部か
らITOを経る素子本体９への湿気の侵入が防止され、湿
気で薄膜EL素子の機能が損なわれることがない。
高いITOからなるが、これらの間は分離され、透湿性の
ないアルミニウムＣで互いに接続されるとともに、この
アルミニウムＣとITOとの接続部および背面電極側の端
子電極ＡのITOと背面電極６（例えばAl製）との接続部6
aには、透光性のシール蓋７の外周縁が被さるように接
着され、素子本体９が外気から封止されるので、外部か
らITOを経る素子本体９への湿気の侵入が防止され、湿
気で薄膜EL素子の機能が損なわれることがない。
さらに、透光性基板１と各端子電極A,Bの上層のニッケ
ル層10の間には、下層のセラミックスたるITO層がある
ので、ニッケル層の透光性基板１に対する密着性が向上
し、端子電極A,Bの剥離が防止される。
ル層10の間には、下層のセラミックスたるITO層がある
ので、ニッケル層の透光性基板１に対する密着性が向上
し、端子電極A,Bの剥離が防止される。
〈実施例〉 以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は薄膜EL素子の一例を夫々背面電
極および透明電極の端子電極部で切断した断面図であ
り、１は透光性基板としてのガラス基板、2,A,Bはこの
ガラス基板１上にITOをスパッタリング等で厚さ1000〜3
000Åに蒸着し、フォトエッチングで多数本のストライ
プ状に互いに分離させてパターン形成してなる透明電
極，背面電極側端子電極，透明電極側端子電極、３は上
記透明電極２を埋め込むようにスパッタリングでSiO2を
厚さ200〜800Åに、次いでSi3N4を厚さ1000〜3000Åに
夫々蒸着した第１絶縁膜、４はこの第１絶縁膜３上にZn
S:Mnペレットを電子ビームで加熱して厚さ5000〜9000Å
に蒸着し、500〜650℃で熱処理してなる発光層、５はこ
の発光層４上にスパッタリングでSi3N4を厚さ1000〜300
0Åに、次いでAl2O3を厚さ200〜800Åに夫々蒸着した第
２絶縁膜である。
極および透明電極の端子電極部で切断した断面図であ
り、１は透光性基板としてのガラス基板、2,A,Bはこの
ガラス基板１上にITOをスパッタリング等で厚さ1000〜3
000Åに蒸着し、フォトエッチングで多数本のストライ
プ状に互いに分離させてパターン形成してなる透明電
極，背面電極側端子電極，透明電極側端子電極、３は上
記透明電極２を埋め込むようにスパッタリングでSiO2を
厚さ200〜800Åに、次いでSi3N4を厚さ1000〜3000Åに
夫々蒸着した第１絶縁膜、４はこの第１絶縁膜３上にZn
S:Mnペレットを電子ビームで加熱して厚さ5000〜9000Å
に蒸着し、500〜650℃で熱処理してなる発光層、５はこ
の発光層４上にスパッタリングでSi3N4を厚さ1000〜300
0Åに、次いでAl2O3を厚さ200〜800Åに夫々蒸着した第
２絶縁膜である。
また、6,Cはこの第２絶縁膜５および上記背面，透明両
電極側端子A,Bの内端縁を覆うようにAlを厚さ3000〜800
0Åに蒸着し、フォトエッチングで上記透明電極２と直
交する多数本のストライプ状に、または上記透明電極２
とその端子電極Ｂを接続するようにパターン形成してな
る背面電極，電極接続線、７は素子本体９の四周の電極
接続線Ｃ部および背面電極の接続端6a部にエポキシ樹脂
等で接着され、素子本体９を外気から封止する透光性の
シール蓋としてのシールガラス、８はこのシールガラス
７と素子本体９間に防湿のため充填されたシリコン油、
10はシールガラス７の外側の上記両端子電極A,B上に最
後に無電解めっきにより厚さ1500〜5000Åに形成された
Ni膜である。なお、第２図の従来例と同一の部分には、
同一番号を付している。
電極側端子A,Bの内端縁を覆うようにAlを厚さ3000〜800
0Åに蒸着し、フォトエッチングで上記透明電極２と直
交する多数本のストライプ状に、または上記透明電極２
とその端子電極Ｂを接続するようにパターン形成してな
る背面電極，電極接続線、７は素子本体９の四周の電極
接続線Ｃ部および背面電極の接続端6a部にエポキシ樹脂
等で接着され、素子本体９を外気から封止する透光性の
シール蓋としてのシールガラス、８はこのシールガラス
７と素子本体９間に防湿のため充填されたシリコン油、
10はシールガラス７の外側の上記両端子電極A,B上に最
後に無電解めっきにより厚さ1500〜5000Åに形成された
Ni膜である。なお、第２図の従来例と同一の部分には、
同一番号を付している。
上記構成の薄膜EL素子において、端子電極A,Bは、高硬
度のセラミックスたるITOの上にNiを無電解めっきして
形成されるので、従来のAlとNiの積層膜からなる端子電
極（第２図中６′,13参照）よりも機械的強度がはるか
に高く、エージング処理等の工程においても疵がつきに
くく、端子電極部の断線が発生しない。また、無電解め
っきによるITO上のNiは密着性が良いため駆動回路等と
のはんだ付には何ら問題がない。
度のセラミックスたるITOの上にNiを無電解めっきして
形成されるので、従来のAlとNiの積層膜からなる端子電
極（第２図中６′,13参照）よりも機械的強度がはるか
に高く、エージング処理等の工程においても疵がつきに
くく、端子電極部の断線が発生しない。また、無電解め
っきによるITO上のNiは密着性が良いため駆動回路等と
のはんだ付には何ら問題がない。
一方、上記端子電極A,Bは、下層のITOの透湿性が高いた
め、同じITOからなる透明電極２と一体形成すると、外
気に接する端子電極ＢからITOを通して素子本体９へ湿
気が侵入する。しかし、上記実施例では、第１図（ｂ）
に示すように透明電極２と端子電極ＢのITO層を分離
し、両者を透湿性のないAl製の電極接続線Ｃで接続し、
この部分に素子本体９を外気から封止するシールガラス
７を接着し、ガラス内に撥水性のシリコン油８を充填し
ているので、素子本体９への湿気の侵入が完全に防止で
き、湿気で薄膜EL素子の機能が損われることはない。
め、同じITOからなる透明電極２と一体形成すると、外
気に接する端子電極ＢからITOを通して素子本体９へ湿
気が侵入する。しかし、上記実施例では、第１図（ｂ）
に示すように透明電極２と端子電極ＢのITO層を分離
し、両者を透湿性のないAl製の電極接続線Ｃで接続し、
この部分に素子本体９を外気から封止するシールガラス
７を接着し、ガラス内に撥水性のシリコン油８を充填し
ているので、素子本体９への湿気の侵入が完全に防止で
き、湿気で薄膜EL素子の機能が損われることはない。
また、ガラス基板１と端子電極A,Bの上層のニッケル膜1
0の間には、下層のセラミックスたるITO膜があるので、
ニッケル膜10のガラス基板１に対する密着性が向上し、
端子電極A,Bの剥離が防止される。
0の間には、下層のセラミックスたるITO膜があるので、
ニッケル膜10のガラス基板１に対する密着性が向上し、
端子電極A,Bの剥離が防止される。
なお、本発明が図示の実施例に限られないのはいうまで
もない。
もない。
〈発明の効果〉 以上の説明で明らかなように、本発明の薄膜EL素子は、
素子本体以外の透光性基板上に、各透明電極の端部から
間隔をおいてその透明電極と一直線をなすように錫添加
酸化インジウムと無電解ニッケルめっき層を順次積層す
るとともに、上記間隔をアルミニウムで接続してなる透
明電極側の端子電極と、上記素子本体以外の上記透光性
基板上に、各背面電極の端部に接続されてその背面電極
と一直線をなすように錫添加酸化インジウムと無電解ニ
ッケルめっき層を順次積層してなる背面電極側の端子電
極と、上記透明電極側の端子電極のアルミニウムとの接
続部および上記背面電極側の端子電極の背面電極との接
続部に被さるように外周縁が接着され、素子本体を覆っ
て外気から封止する透光性のシール蓋を備えているの
で、従来のAlとNiの２層膜からなる端子電極よりも機械
的強度が高く、エージング処理等の工程で疵がつきにく
く、従来と同じ良好なはんだ付け性を有しつつ、端子電
極部に断線が生じず、素子本体への湿気の侵入が防止さ
れ、端子電極の剥離が防止されるので、素子の機能が損
なわれず、表示品位と信頼性が向上し、不良率が低減す
る。
素子本体以外の透光性基板上に、各透明電極の端部から
間隔をおいてその透明電極と一直線をなすように錫添加
酸化インジウムと無電解ニッケルめっき層を順次積層す
るとともに、上記間隔をアルミニウムで接続してなる透
明電極側の端子電極と、上記素子本体以外の上記透光性
基板上に、各背面電極の端部に接続されてその背面電極
と一直線をなすように錫添加酸化インジウムと無電解ニ
ッケルめっき層を順次積層してなる背面電極側の端子電
極と、上記透明電極側の端子電極のアルミニウムとの接
続部および上記背面電極側の端子電極の背面電極との接
続部に被さるように外周縁が接着され、素子本体を覆っ
て外気から封止する透光性のシール蓋を備えているの
で、従来のAlとNiの２層膜からなる端子電極よりも機械
的強度が高く、エージング処理等の工程で疵がつきにく
く、従来と同じ良好なはんだ付け性を有しつつ、端子電
極部に断線が生じず、素子本体への湿気の侵入が防止さ
れ、端子電極の剥離が防止されるので、素子の機能が損
なわれず、表示品位と信頼性が向上し、不良率が低減す
る。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の薄膜EL素子の一例を夫
々背面電極および透明電極の端子電極部で切断した断面
図、第２図は従来の薄膜EL素子の斜視図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３…第１絶縁膜、４…
発光層、５…第２絶縁層、６…背面電極、７…シールガ
ラス、８…シリコン油、９…素子本体、10…Ni膜、A,B
…端子電極、Ｃ…電極接続線。
々背面電極および透明電極の端子電極部で切断した断面
図、第２図は従来の薄膜EL素子の斜視図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３…第１絶縁膜、４…
発光層、５…第２絶縁層、６…背面電極、７…シールガ
ラス、８…シリコン油、９…素子本体、10…Ni膜、A,B
…端子電極、Ｃ…電極接続線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上出 久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−61398（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−298990（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−125824（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−188093（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】透光性基板上に、ストライプ状の透明電
極，第１絶縁膜，発光層，第２絶縁膜および上記透明電
極に直交するストライプ状の背面電極を順次積層してな
る薄膜EL素子において、 この薄膜EL素子の素子本体以外の上記透光性基板上に、
上記各透明電極の端部から間隔をおいてその透明電極と
一直線をなすように錫添加酸化インジウムと無電解ニッ
ケルめっき層を順次積層するとともに、上記間隔をアル
ミニウムで接続してなる透明電極側の端子電極と、 上記素子本体以外の上記透光性基板上に、上記各背面電
極の端部に接続されてその背面電極と一直線をなすよう
に錫添加酸化インジウムと無電解ニッケルめっき層を順
次積層してなる背面電極側の端子電極と、 上記透明電極側の端子電極のアルミニウムとの接続部お
よび上記背面電極側の端子電極の背面電極との接続部に
被さるように外周縁が接着され、素子本体を覆って外気
から封止する透光性のシール蓋を備えたことを特徴とす
る薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290935A JPH0752668B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290935A JPH0752668B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198195A Division JP2542473B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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