JPS64800B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS64800B2 JPS64800B2 JP58203372A JP20337283A JPS64800B2 JP S64800 B2 JPS64800 B2 JP S64800B2 JP 58203372 A JP58203372 A JP 58203372A JP 20337283 A JP20337283 A JP 20337283A JP S64800 B2 JPS64800 B2 JP S64800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- film
- laminated
- vapor deposition
- laminated film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 97
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 23
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、交流電解の印加によつてEL
（Electro Luminescence）発光を呈する薄膜EL
素子の構造の改良に関し、特に透明電極からの電
極取出構造が改良された薄膜EL素子に関する。
（Electro Luminescence）発光を呈する薄膜EL
素子の構造の改良に関し、特に透明電極からの電
極取出構造が改良された薄膜EL素子に関する。
先行技術の説明
第１図は、従来の薄膜EL素子における電極取
出構造を説明するための部分切欠斜視図である。
第１図を参照して、薄膜EL素子は、ガラス基板
１と、ガラス基板１上に形成された透明電極２
と、透明電極２のさらに上方に積層された第１絶
縁膜３、EL発光層４および第２絶縁膜５からな
るEL発光部と、EL発光部の上面にさらに積層さ
れた背面電極６とを備える。この種のEL発光素
子では、透明電極２および背面電極６は、それぞ
れ複数本の帯状電極から構成されており、かつ相
互に交差するように配置されてマトリツクス電極
群を構成している。この相互に交差する位置を表
示画面の１絵素として表示を実行するものであ
る。
出構造を説明するための部分切欠斜視図である。
第１図を参照して、薄膜EL素子は、ガラス基板
１と、ガラス基板１上に形成された透明電極２
と、透明電極２のさらに上方に積層された第１絶
縁膜３、EL発光層４および第２絶縁膜５からな
るEL発光部と、EL発光部の上面にさらに積層さ
れた背面電極６とを備える。この種のEL発光素
子では、透明電極２および背面電極６は、それぞ
れ複数本の帯状電極から構成されており、かつ相
互に交差するように配置されてマトリツクス電極
群を構成している。この相互に交差する位置を表
示画面の１絵素として表示を実行するものであ
る。
ところで、従来の薄膜EL素子では、透明電極
２は、In2O3およびSnO2からなるITO膜（Indium
Tin Oxide膜）により構成されている。またこの
透明電極２から外部へ電極を取出すために、基板
１上にAl−Ni積層膜７が蒸着およびフオトエツ
チングにより第１図に示すように形成されてい
る。その形成方法を次に説明する。まず、それぞ
れの透明電極２の一部をマスクして、下層がAl
膜であるAl−Ni積層膜を基板上に蒸着により形
成する（この場合、当然として、透明電極２と透
明電極２の間もAl−Ni積層膜で埋められる）。こ
のときに、Al−Ni積層膜７の蒸着端縁が透明電
極２上に接触して形成される。なお、この蒸着端
縁近傍は、後述するように、マスクの境界部分で
あるため、安定な状態の膜とはならない。次い
で、透明電極２と透明電極２との間の前記Al−
Ni積層膜を除去すると、第１図に示すような、
透明電極２の上にAl−Ni積層膜７がのりかかつ
たような構造のものが得られる。同様にAlから
なる背面電極６にもAl−Ni積層膜７が接続され
ており、電極取出用端子として機能している。
２は、In2O3およびSnO2からなるITO膜（Indium
Tin Oxide膜）により構成されている。またこの
透明電極２から外部へ電極を取出すために、基板
１上にAl−Ni積層膜７が蒸着およびフオトエツ
チングにより第１図に示すように形成されてい
る。その形成方法を次に説明する。まず、それぞ
れの透明電極２の一部をマスクして、下層がAl
膜であるAl−Ni積層膜を基板上に蒸着により形
成する（この場合、当然として、透明電極２と透
明電極２の間もAl−Ni積層膜で埋められる）。こ
のときに、Al−Ni積層膜７の蒸着端縁が透明電
極２上に接触して形成される。なお、この蒸着端
縁近傍は、後述するように、マスクの境界部分で
あるため、安定な状態の膜とはならない。次い
で、透明電極２と透明電極２との間の前記Al−
Ni積層膜を除去すると、第１図に示すような、
透明電極２の上にAl−Ni積層膜７がのりかかつ
たような構造のものが得られる。同様にAlから
なる背面電極６にもAl−Ni積層膜７が接続され
ており、電極取出用端子として機能している。
第２図は、第１図に示した従来の薄膜EL素子
における問題点を説明するための略図的部分切欠
断面図である。第２図から明らかなように、上述
したAl−Ni積層膜７の蒸着端縁８は、ITO膜か
らなる透明電極２上に接触して形成されている。
ところが、このようなAl−Ni積層膜７は蒸着に
より形成されるものであるため、蒸着端縁８近傍
では膜の付着条件が異なり、必ずしも安定な膜と
ならず、それによつて透明電極２が変質し高抵抗
化することがある。このため薄膜EL素子を駆動
した際に、駆動電流により、第２図の矢印Ａで示
す部分においてITO膜の断線による接続不良が頻
繁に発生するという欠点があつた。
における問題点を説明するための略図的部分切欠
断面図である。第２図から明らかなように、上述
したAl−Ni積層膜７の蒸着端縁８は、ITO膜か
らなる透明電極２上に接触して形成されている。
ところが、このようなAl−Ni積層膜７は蒸着に
より形成されるものであるため、蒸着端縁８近傍
では膜の付着条件が異なり、必ずしも安定な膜と
ならず、それによつて透明電極２が変質し高抵抗
化することがある。このため薄膜EL素子を駆動
した際に、駆動電流により、第２図の矢印Ａで示
す部分においてITO膜の断線による接続不良が頻
繁に発生するという欠点があつた。
発明の目的
それゆえに、この発明の目的は、ITO膜からな
る透明電極の劣化を生じさせない電極取出構造を
備えた薄膜EL素子を提供することにある。
る透明電極の劣化を生じさせない電極取出構造を
備えた薄膜EL素子を提供することにある。
発明の構成
この発明は、簡単に言えば、基板と、基板上に
形成されたIn2O3およびSnO2よりなる透明電極
と、該透明電極上に積層されたEL発光部および
背面電極と、該透明電極を外部に取出すために基
板上に蒸着により形成されるものであり、該透明
電極と密着するAl膜を下層とするAl−Ni積層膜
とを備える薄膜EL素子において、Al−Ni積層膜
の蒸着端縁が透明電極に接触しないように、透明
電極保護膜が透明電極の少なくとも一部を覆い、
Al−Ni積層膜の蒸着端縁が透明電極保護膜上に
位置するように形成されていることを特徴とす
る、薄膜EL素子である。
形成されたIn2O3およびSnO2よりなる透明電極
と、該透明電極上に積層されたEL発光部および
背面電極と、該透明電極を外部に取出すために基
板上に蒸着により形成されるものであり、該透明
電極と密着するAl膜を下層とするAl−Ni積層膜
とを備える薄膜EL素子において、Al−Ni積層膜
の蒸着端縁が透明電極に接触しないように、透明
電極保護膜が透明電極の少なくとも一部を覆い、
Al−Ni積層膜の蒸着端縁が透明電極保護膜上に
位置するように形成されていることを特徴とす
る、薄膜EL素子である。
この発明のその他の特徴は、以下の実施例の説
明により明らかとなろう。
明により明らかとなろう。
実施例の説明
第３図ないし第５図は、この発明の一実施例に
おける電極取出構造を製作するための各工程を示
す略図的部分切欠断面図である。第３図を参照し
て、背面電極（図示せず）としてAl膜を蒸着す
る際に、同時に少なくとも透明電極２の部分をす
べて覆うようにAlからなる透明電極保護膜１１
を蒸着形成する。次に、第４図に示すように、透
明電極保護膜１１の上面であり、かつ透明電極２
が下方に存在しない位置に、Al膜を下層とする
Al−Ni積層膜７を蒸着により形成する。さらに、
第５図に示すように、フオトエツチングなどの公
知の方法により、透明電極保護膜１１の一部を削
除し、この発明の第１の実施例の電極取出構造が
完成される。この場合、透明電極保護膜１１の成
分はAl−Ni積層膜７の下層であるAl膜と同じAl
であるが、この透明電極保護膜１１の端縁が、第
２図に示した従来のもののように、透明電極２を
変質させ、高抵抗化させることはない。理由を以
下に述べる。すなわち、上述のとおり、この透明
電極保護膜１１は、まず、背面電極（図示せず）
としてAl膜を蒸着する際に同時に、少なくとも
透明電極２の部分をすべて覆うように、蒸着形成
して作られる。したがつて、膜の付着は全面に均
一になされているから、後にフオトエツチングに
よつて透明電極保護膜１１の一部を第５図のごと
く削除しても、透明電極保護膜１１の端縁近傍
で、膜が不安定化することはない。ひいては、従
来の場合に見られた、不安定な状態の膜に起因す
る、透明電極２の変質および高抵抗化を引き起こ
すということはない。
おける電極取出構造を製作するための各工程を示
す略図的部分切欠断面図である。第３図を参照し
て、背面電極（図示せず）としてAl膜を蒸着す
る際に、同時に少なくとも透明電極２の部分をす
べて覆うようにAlからなる透明電極保護膜１１
を蒸着形成する。次に、第４図に示すように、透
明電極保護膜１１の上面であり、かつ透明電極２
が下方に存在しない位置に、Al膜を下層とする
Al−Ni積層膜７を蒸着により形成する。さらに、
第５図に示すように、フオトエツチングなどの公
知の方法により、透明電極保護膜１１の一部を削
除し、この発明の第１の実施例の電極取出構造が
完成される。この場合、透明電極保護膜１１の成
分はAl−Ni積層膜７の下層であるAl膜と同じAl
であるが、この透明電極保護膜１１の端縁が、第
２図に示した従来のもののように、透明電極２を
変質させ、高抵抗化させることはない。理由を以
下に述べる。すなわち、上述のとおり、この透明
電極保護膜１１は、まず、背面電極（図示せず）
としてAl膜を蒸着する際に同時に、少なくとも
透明電極２の部分をすべて覆うように、蒸着形成
して作られる。したがつて、膜の付着は全面に均
一になされているから、後にフオトエツチングに
よつて透明電極保護膜１１の一部を第５図のごと
く削除しても、透明電極保護膜１１の端縁近傍
で、膜が不安定化することはない。ひいては、従
来の場合に見られた、不安定な状態の膜に起因す
る、透明電極２の変質および高抵抗化を引き起こ
すということはない。
さて、次に、第５図から明らかなように、Al
−Ni積層膜７の蒸着端縁８は透明電極２とは直
接接触しておらず、透明電極保護膜１１の上面に
接触していることがわかる。したがつて、Al−
Ni積層膜７の蒸着端縁８による透明電極２の劣
化はもはや発生しない。なお、この第１の実施例
では、透明電極保護膜１１はAlから形成されて
いるため、透明電極２とAl−Ni積層膜７とを電
気的に接続する機能も果たす。
−Ni積層膜７の蒸着端縁８は透明電極２とは直
接接触しておらず、透明電極保護膜１１の上面に
接触していることがわかる。したがつて、Al−
Ni積層膜７の蒸着端縁８による透明電極２の劣
化はもはや発生しない。なお、この第１の実施例
では、透明電極保護膜１１はAlから形成されて
いるため、透明電極２とAl−Ni積層膜７とを電
気的に接続する機能も果たす。
第５図に示した実施例では、Al−Ni積層膜７
の全体が透明電極保護膜１１上に形成されていた
が、第６図に示すように、Al−Ni積層膜７は、
透明電極保護膜１１の外側で基板１上に直接接触
していてもよい。
の全体が透明電極保護膜１１上に形成されていた
が、第６図に示すように、Al−Ni積層膜７は、
透明電極保護膜１１の外側で基板１上に直接接触
していてもよい。
第７図ないし第９図は、この発明の第２の実施
例の電極取出構造の製作工程を示す略図的部分切
欠断面図である。第７図を参照して、第３図に示
した第１の実施例における工程と同様に、背面電
極（図示せず）となるAl膜を蒸着する際に、同
時に少なくとも透明電極２の部分をすべて覆うよ
うにAlからなる透明電極保護膜１１を蒸着によ
り形成する。次に、第８図に示すように、Al−
Ni積層膜７を、その蒸着端縁８が透明電極保護
膜１１の上方であり、透明電極２の上方に位置す
る点にくるように蒸着により形成する。次に、第
９図に示すようにたとえばフオトエツチングによ
り、透明電極保護膜１１およびAl−Ni積層膜７
の一部を除去し、この発明の一実施例の電極取出
構造が得られる。第９図から明らかなように、こ
の実施例においても、Al−Ni積層膜を蒸着形成
する際に蒸着端縁８と透明電極２の間にはAlか
らなる透明電極保護膜１１が存在する。したがつ
てITO膜からなる透明電極２の劣化を確実に防止
することができる。
例の電極取出構造の製作工程を示す略図的部分切
欠断面図である。第７図を参照して、第３図に示
した第１の実施例における工程と同様に、背面電
極（図示せず）となるAl膜を蒸着する際に、同
時に少なくとも透明電極２の部分をすべて覆うよ
うにAlからなる透明電極保護膜１１を蒸着によ
り形成する。次に、第８図に示すように、Al−
Ni積層膜７を、その蒸着端縁８が透明電極保護
膜１１の上方であり、透明電極２の上方に位置す
る点にくるように蒸着により形成する。次に、第
９図に示すようにたとえばフオトエツチングによ
り、透明電極保護膜１１およびAl−Ni積層膜７
の一部を除去し、この発明の一実施例の電極取出
構造が得られる。第９図から明らかなように、こ
の実施例においても、Al−Ni積層膜を蒸着形成
する際に蒸着端縁８と透明電極２の間にはAlか
らなる透明電極保護膜１１が存在する。したがつ
てITO膜からなる透明電極２の劣化を確実に防止
することができる。
なお、上述した工程に限らず、第８図に示した
状態からフオトエツチングにより第１０図に同じ
く部分切欠断面図で示すような構造に形成しても
よい。すなわち透明電極保護膜１１の端縁とAl
−Ni積層膜７の蒸着端縁８とが段違いとなるよ
うに構成してもよい。
状態からフオトエツチングにより第１０図に同じ
く部分切欠断面図で示すような構造に形成しても
よい。すなわち透明電極保護膜１１の端縁とAl
−Ni積層膜７の蒸着端縁８とが段違いとなるよ
うに構成してもよい。
第１１図は、この発明の第３の実施例を説明す
るための部分切欠断面図である。ここでは、基板
１上に形成された透明電極２上に、第１絶縁膜３
を通常より広めに形成しておく。この第１絶縁膜
３の一部をも覆うように、Al−Ni積層膜７を蒸
着により形成する。このようにすればAl−Ni積
層膜７の蒸着端縁８は第１絶縁膜３上に位置され
る。したがつてAl−Ni積層膜７の蒸着端縁８は
第１絶縁膜３と接触し、透明電極２とは直接接触
しないため、透明電極２の劣化が発生することは
ない。この実施例では、前述した各実施例におけ
る透明電極保護膜１１として独自の部材は存在せ
ず、第１絶縁膜３が透明電極保護膜１１としての
機能をも果たすことになる。また、第１絶縁膜の
代りに第２絶縁膜を用いてもよい。
るための部分切欠断面図である。ここでは、基板
１上に形成された透明電極２上に、第１絶縁膜３
を通常より広めに形成しておく。この第１絶縁膜
３の一部をも覆うように、Al−Ni積層膜７を蒸
着により形成する。このようにすればAl−Ni積
層膜７の蒸着端縁８は第１絶縁膜３上に位置され
る。したがつてAl−Ni積層膜７の蒸着端縁８は
第１絶縁膜３と接触し、透明電極２とは直接接触
しないため、透明電極２の劣化が発生することは
ない。この実施例では、前述した各実施例におけ
る透明電極保護膜１１として独自の部材は存在せ
ず、第１絶縁膜３が透明電極保護膜１１としての
機能をも果たすことになる。また、第１絶縁膜の
代りに第２絶縁膜を用いてもよい。
なお、上述した各実施例における膜厚は、実験
によれば、背面電極としてのAl膜が2000〜10000
Å、Al−Ni積層膜７のAl膜は第６図の構造のと
きには2000〜10000Å、第５図、第９図および第
１０図の構造のときには1000Å以上、背面電極の
Al膜との総膜厚が10000Å以下が適当であること
が確められた。これは、端子接続部のAl膜厚が
厚すぎると、端子の信頼性が低下するためであ
る。なお、Al−Ni積層膜７におけるNi膜の膜厚
は、1000〜10000Åが適当であることが確められ
ている。
によれば、背面電極としてのAl膜が2000〜10000
Å、Al−Ni積層膜７のAl膜は第６図の構造のと
きには2000〜10000Å、第５図、第９図および第
１０図の構造のときには1000Å以上、背面電極の
Al膜との総膜厚が10000Å以下が適当であること
が確められた。これは、端子接続部のAl膜厚が
厚すぎると、端子の信頼性が低下するためであ
る。なお、Al−Ni積層膜７におけるNi膜の膜厚
は、1000〜10000Åが適当であることが確められ
ている。
発明の効果
以上のように、この発明によれば、Al−Ni積
層膜の蒸着端縁が、透明電極と直接接触しないよ
うに、透明電極保護膜が透明電極の少なくとも一
部を覆い、Al−Ni積層膜の蒸着端縁が該透明電
極保護膜上に位置するように形成されているた
め、Al−Ni積層膜の蒸着端縁に起因する透明電
極の劣化が生じないため、透明電極と電極取出用
Al−Ni積層膜との接続の信頼性を飛躍的に改善
することが可能となる。
層膜の蒸着端縁が、透明電極と直接接触しないよ
うに、透明電極保護膜が透明電極の少なくとも一
部を覆い、Al−Ni積層膜の蒸着端縁が該透明電
極保護膜上に位置するように形成されているた
め、Al−Ni積層膜の蒸着端縁に起因する透明電
極の劣化が生じないため、透明電極と電極取出用
Al−Ni積層膜との接続の信頼性を飛躍的に改善
することが可能となる。
第１図は、従来の薄膜EL素子の構造を説明す
るための略図的部分切欠斜視図である。第２図
は、第１図に示した薄膜EL素子の電極取出構造
を説明するための部分切欠断面図である。第３図
ないし第５図は、この発明の第１の実施例の製造
工程を説明するための各部分切欠断面図である。
第６図は、第５図に示した実施例の電極取出構造
の変形例を示す部分切欠断面図である。第７図な
いし第９図は、この発明の第２の実施例の電極取
出構造を製作する各工程を示す部分切欠断面図で
ある。第１０図は、第７図ないし第９図に示した
実施例の変形例を説明するための部分切欠断面図
である。第１１図は、この発明の第３の実施例の
電極取出構造を説明するための部分切欠断面図で
ある。 １……基板、２……透明電極、３……EL発光
部を形成する第１絶縁膜、４……EL発光部を形
成するEL発光層、５……EL発光部を形成する第
２絶縁膜、６……背面電極、７……Al−Ni積層
膜、８……蒸着端縁、１１……透明電極保護膜。
るための略図的部分切欠斜視図である。第２図
は、第１図に示した薄膜EL素子の電極取出構造
を説明するための部分切欠断面図である。第３図
ないし第５図は、この発明の第１の実施例の製造
工程を説明するための各部分切欠断面図である。
第６図は、第５図に示した実施例の電極取出構造
の変形例を示す部分切欠断面図である。第７図な
いし第９図は、この発明の第２の実施例の電極取
出構造を製作する各工程を示す部分切欠断面図で
ある。第１０図は、第７図ないし第９図に示した
実施例の変形例を説明するための部分切欠断面図
である。第１１図は、この発明の第３の実施例の
電極取出構造を説明するための部分切欠断面図で
ある。 １……基板、２……透明電極、３……EL発光
部を形成する第１絶縁膜、４……EL発光部を形
成するEL発光層、５……EL発光部を形成する第
２絶縁膜、６……背面電極、７……Al−Ni積層
膜、８……蒸着端縁、１１……透明電極保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、基板上に形成されたIn2O3および
SnO2よりなる透明電極と、該透明電極上に積層
されたEL発光部および背面電極と、該透明電極
を外部に取出すために基板上に蒸着により形成さ
れるものであり、該透明電極と密着するAl膜を
下層とするAl−Ni積層膜とを備える薄膜EL素子
において、 前記Al−Ni積層膜の蒸着端縁が前記透明電極
に接触しないように、透明電極保護膜が、前記透
明電極の少なくとも一部を覆い、前記Al−Ni積
層膜の蒸着端縁が該透明電極保護膜上に位置する
ように形成されていることを特徴とする、薄膜
EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203372A JPS6095885A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203372A JPS6095885A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095885A JPS6095885A (ja) | 1985-05-29 |
| JPS64800B2 true JPS64800B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=16472939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203372A Granted JPS6095885A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095885A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250586A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ｅｌパネルの電極形成方法 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58203372A patent/JPS6095885A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6095885A (ja) | 1985-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1197182A (ja) | 発光ディスプレイパネル | |
| US20030038591A1 (en) | Organic electroluminescence display panel and fabrication method thereof | |
| US6781293B2 (en) | Organic EL device with high contrast ratio and method for manufacturing the same | |
| US6717357B2 (en) | Organic electroluminescent display panel | |
| US20020167269A1 (en) | Luminescent display device and method of manufacturing same | |
| GB2348050A (en) | Organic light emitting display | |
| JPH05299177A (ja) | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 | |
| JPS64800B2 (ja) | ||
| JP2793102B2 (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPH0752668B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2542473B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| US4676603A (en) | Multiplexable liquid crystal cell | |
| JP3075240B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP3234028B2 (ja) | 気体放電表示パネル | |
| JPH044398Y2 (ja) | ||
| JPH056318B2 (ja) | ||
| US5739547A (en) | Reflection type display | |
| JP2002196699A (ja) | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 | |
| JP3528571B2 (ja) | Ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH1084146A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPH0410616Y2 (ja) | ||
| KR970005102B1 (ko) | 박막형 전장 발광 표시소자 | |
| JPH03112088A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| KR20070050767A (ko) | 유기 발광 소자 패널 | |
| JP2721076B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネル |