JPS64800B2 - - Google Patents
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- JPS64800B2 JPS64800B2 JP58203372A JP20337283A JPS64800B2 JP S64800 B2 JPS64800 B2 JP S64800B2 JP 58203372 A JP58203372 A JP 58203372A JP 20337283 A JP20337283 A JP 20337283A JP S64800 B2 JPS64800 B2 JP S64800B2
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、交流電解の印加によつてEL
（Electro Luminescence）発光を呈する薄膜EL
素子の構造の改良に関し、特に透明電極からの電
極取出構造が改良された薄膜EL素子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention provides electrolytic
(Electro Luminescence) Thin film EL that emits light
This invention relates to improvements in the structure of devices, and in particular to thin film EL devices with improved electrode extraction structures from transparent electrodes.
先行技術の説明
第１図は、従来の薄膜EL素子における電極取
出構造を説明するための部分切欠斜視図である。
第１図を参照して、薄膜EL素子は、ガラス基板
１と、ガラス基板１上に形成された透明電極２
と、透明電極２のさらに上方に積層された第１絶
縁膜３、EL発光層４および第２絶縁膜５からな
るEL発光部と、EL発光部の上面にさらに積層さ
れた背面電極６とを備える。この種のEL発光素
子では、透明電極２および背面電極６は、それぞ
れ複数本の帯状電極から構成されており、かつ相
互に交差するように配置されてマトリツクス電極
群を構成している。この相互に交差する位置を表
示画面の１絵素として表示を実行するものであ
る。Description of Prior Art FIG. 1 is a partially cutaway perspective view for explaining an electrode extraction structure in a conventional thin film EL element.
Referring to FIG. 1, the thin film EL element includes a glass substrate 1 and a transparent electrode 2 formed on the glass substrate 1.
, an EL light emitting section consisting of a first insulating film 3, an EL light emitting layer 4 and a second insulating film 5 which are laminated further above the transparent electrode 2, and a back electrode 6 which is further laminated on the upper surface of the EL light emitting portion. Be prepared. In this type of EL light emitting device, the transparent electrode 2 and the back electrode 6 are each composed of a plurality of strip-shaped electrodes, and are arranged to intersect with each other to form a matrix electrode group. Display is performed using the mutually intersecting positions as one pixel on the display screen.
ところで、従来の薄膜EL素子では、透明電極
２は、In2O3およびSnO2からなるITO膜（Indium
Tin Oxide膜）により構成されている。またこの
透明電極２から外部へ電極を取出すために、基板
１上にAl−Ni積層膜７が蒸着およびフオトエツ
チングにより第１図に示すように形成されてい
る。その形成方法を次に説明する。まず、それぞ
れの透明電極２の一部をマスクして、下層がAl
膜であるAl−Ni積層膜を基板上に蒸着により形
成する（この場合、当然として、透明電極２と透
明電極２の間もAl−Ni積層膜で埋められる）。こ
のときに、Al−Ni積層膜７の蒸着端縁が透明電
極２上に接触して形成される。なお、この蒸着端
縁近傍は、後述するように、マスクの境界部分で
あるため、安定な状態の膜とはならない。次い
で、透明電極２と透明電極２との間の前記Al−
Ni積層膜を除去すると、第１図に示すような、
透明電極２の上にAl−Ni積層膜７がのりかかつ
たような構造のものが得られる。同様にAlから
なる背面電極６にもAl−Ni積層膜７が接続され
ており、電極取出用端子として機能している。 By the way, in the conventional thin film EL element, the transparent electrode 2 is an ITO film (Indium
It consists of a tin oxide film). In order to take out the electrode from the transparent electrode 2 to the outside, an Al--Ni laminated film 7 is formed on the substrate 1 by vapor deposition and photoetching, as shown in FIG. The method for forming it will be explained next. First, a part of each transparent electrode 2 is masked so that the lower layer is Al.
An Al--Ni laminated film is formed on the substrate by vapor deposition (in this case, the gap between the transparent electrodes 2 is also filled with the Al--Ni laminated film). At this time, the vapor deposition edge of the Al--Ni laminated film 7 is formed in contact with the transparent electrode 2. Note that, as will be described later, the vicinity of this evaporation edge is the boundary portion of the mask, and therefore the film is not in a stable state. Next, the Al-
When the Ni laminated film is removed, as shown in Figure 1,
A structure in which the Al--Ni laminated film 7 is placed on the transparent electrode 2 is obtained. Similarly, the Al--Ni laminated film 7 is connected to the back electrode 6 made of Al, and functions as an electrode extraction terminal.
第２図は、第１図に示した従来の薄膜EL素子
における問題点を説明するための略図的部分切欠
断面図である。第２図から明らかなように、上述
したAl−Ni積層膜７の蒸着端縁８は、ITO膜か
らなる透明電極２上に接触して形成されている。
ところが、このようなAl−Ni積層膜７は蒸着に
より形成されるものであるため、蒸着端縁８近傍
では膜の付着条件が異なり、必ずしも安定な膜と
ならず、それによつて透明電極２が変質し高抵抗
化することがある。このため薄膜EL素子を駆動
した際に、駆動電流により、第２図の矢印Ａで示
す部分においてITO膜の断線による接続不良が頻
繁に発生するという欠点があつた。 FIG. 2 is a schematic partial cutaway sectional view for explaining the problems in the conventional thin film EL element shown in FIG. As is clear from FIG. 2, the vapor deposition edge 8 of the Al--Ni laminated film 7 described above is formed in contact with the transparent electrode 2 made of an ITO film.
However, since such an Al-Ni laminated film 7 is formed by vapor deposition, the adhesion conditions of the film are different near the vapor deposition edge 8, and the film is not necessarily stable. It may deteriorate and become highly resistant. For this reason, when driving the thin film EL element, the drive current frequently causes connection failures due to disconnection of the ITO film in the area indicated by arrow A in FIG. 2, which is a drawback.
発明の目的
それゆえに、この発明の目的は、ITO膜からな
る透明電極の劣化を生じさせない電極取出構造を
備えた薄膜EL素子を提供することにある。OBJECT OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a thin film EL device having an electrode extraction structure that does not cause deterioration of the transparent electrode made of an ITO film.
発明の構成
この発明は、簡単に言えば、基板と、基板上に
形成されたIn2O3およびSnO2よりなる透明電極
と、該透明電極上に積層されたEL発光部および
背面電極と、該透明電極を外部に取出すために基
板上に蒸着により形成されるものであり、該透明
電極と密着するAl膜を下層とするAl−Ni積層膜
とを備える薄膜EL素子において、Al−Ni積層膜
の蒸着端縁が透明電極に接触しないように、透明
電極保護膜が透明電極の少なくとも一部を覆い、
Al−Ni積層膜の蒸着端縁が透明電極保護膜上に
位置するように形成されていることを特徴とす
る、薄膜EL素子である。Structure of the Invention Simply put, the present invention includes a substrate, a transparent electrode made of In 2 O 3 and SnO 2 formed on the substrate, an EL light emitting part and a back electrode laminated on the transparent electrode, The thin film EL element is formed by vapor deposition on a substrate in order to take out the transparent electrode to the outside, and includes an Al-Ni laminated film with an Al film as a lower layer that is in close contact with the transparent electrode. A transparent electrode protective film covers at least a portion of the transparent electrode so that the evaporated edge of the film does not contact the transparent electrode,
This is a thin film EL device characterized in that the evaporated edge of the Al--Ni laminated film is formed so as to be located on the transparent electrode protective film.
この発明のその他の特徴は、以下の実施例の説
明により明らかとなろう。 Other features of the invention will become clear from the following description of the embodiments.
実施例の説明
第３図ないし第５図は、この発明の一実施例に
おける電極取出構造を製作するための各工程を示
す略図的部分切欠断面図である。第３図を参照し
て、背面電極（図示せず）としてAl膜を蒸着す
る際に、同時に少なくとも透明電極２の部分をす
べて覆うようにAlからなる透明電極保護膜１１
を蒸着形成する。次に、第４図に示すように、透
明電極保護膜１１の上面であり、かつ透明電極２
が下方に存在しない位置に、Al膜を下層とする
Al−Ni積層膜７を蒸着により形成する。さらに、
第５図に示すように、フオトエツチングなどの公
知の方法により、透明電極保護膜１１の一部を削
除し、この発明の第１の実施例の電極取出構造が
完成される。この場合、透明電極保護膜１１の成
分はAl−Ni積層膜７の下層であるAl膜と同じAl
であるが、この透明電極保護膜１１の端縁が、第
２図に示した従来のもののように、透明電極２を
変質させ、高抵抗化させることはない。理由を以
下に述べる。すなわち、上述のとおり、この透明
電極保護膜１１は、まず、背面電極（図示せず）
としてAl膜を蒸着する際に同時に、少なくとも
透明電極２の部分をすべて覆うように、蒸着形成
して作られる。したがつて、膜の付着は全面に均
一になされているから、後にフオトエツチングに
よつて透明電極保護膜１１の一部を第５図のごと
く削除しても、透明電極保護膜１１の端縁近傍
で、膜が不安定化することはない。ひいては、従
来の場合に見られた、不安定な状態の膜に起因す
る、透明電極２の変質および高抵抗化を引き起こ
すということはない。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIGS. 3 to 5 are schematic partial cutaway sectional views showing each process for manufacturing an electrode extraction structure in an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, when depositing an Al film as a back electrode (not shown), a transparent electrode protective film 11 made of Al is simultaneously applied to cover at least all of the transparent electrode 2.
Formed by vapor deposition. Next, as shown in FIG. 4, the upper surface of the transparent electrode protective film 11 and the transparent electrode 2
Place an Al film as a lower layer in a position where there is no lower layer.
An Al-Ni laminated film 7 is formed by vapor deposition. moreover,
As shown in FIG. 5, a part of the transparent electrode protective film 11 is removed by a known method such as photoetching to complete the electrode extraction structure of the first embodiment of the present invention. In this case, the composition of the transparent electrode protective film 11 is the same Al film as the lower layer of the Al-Ni laminated film 7.
However, the edge of the transparent electrode protective film 11 does not alter the quality of the transparent electrode 2 and increase its resistance as in the conventional film shown in FIG. 2. The reason is explained below. That is, as described above, this transparent electrode protective film 11 first covers the back electrode (not shown).
At the same time as the aluminum film is deposited, it is formed by vapor deposition so as to cover at least all of the transparent electrode 2. Therefore, since the film is adhered uniformly over the entire surface, even if a part of the transparent electrode protective film 11 is later removed by photo-etching as shown in FIG. 5, the edges of the transparent electrode protective film 11 will be The membrane will not become unstable in the vicinity. As a result, the transparent electrode 2 does not undergo deterioration or increase in resistance due to an unstable film, which occurs in the conventional case.
さて、次に、第５図から明らかなように、Al
−Ni積層膜７の蒸着端縁８は透明電極２とは直
接接触しておらず、透明電極保護膜１１の上面に
接触していることがわかる。したがつて、Al−
Ni積層膜７の蒸着端縁８による透明電極２の劣
化はもはや発生しない。なお、この第１の実施例
では、透明電極保護膜１１はAlから形成されて
いるため、透明電極２とAl−Ni積層膜７とを電
気的に接続する機能も果たす。 Next, as is clear from Figure 5, Al
It can be seen that the vapor deposition edge 8 of the -Ni laminated film 7 is not in direct contact with the transparent electrode 2, but is in contact with the upper surface of the transparent electrode protection film 11. Therefore, Al−
Deterioration of the transparent electrode 2 due to the vapor deposition edge 8 of the Ni laminated film 7 no longer occurs. In this first embodiment, since the transparent electrode protective film 11 is made of Al, it also functions to electrically connect the transparent electrode 2 and the Al--Ni laminated film 7.
第５図に示した実施例では、Al−Ni積層膜７
の全体が透明電極保護膜１１上に形成されていた
が、第６図に示すように、Al−Ni積層膜７は、
透明電極保護膜１１の外側で基板１上に直接接触
していてもよい。 In the embodiment shown in FIG. 5, the Al-Ni laminated film 7
was formed entirely on the transparent electrode protective film 11, but as shown in FIG.
The transparent electrode protective film 11 may be in direct contact with the substrate 1 on the outside.
第７図ないし第９図は、この発明の第２の実施
例の電極取出構造の製作工程を示す略図的部分切
欠断面図である。第７図を参照して、第３図に示
した第１の実施例における工程と同様に、背面電
極（図示せず）となるAl膜を蒸着する際に、同
時に少なくとも透明電極２の部分をすべて覆うよ
うにAlからなる透明電極保護膜１１を蒸着によ
り形成する。次に、第８図に示すように、Al−
Ni積層膜７を、その蒸着端縁８が透明電極保護
膜１１の上方であり、透明電極２の上方に位置す
る点にくるように蒸着により形成する。次に、第
９図に示すようにたとえばフオトエツチングによ
り、透明電極保護膜１１およびAl−Ni積層膜７
の一部を除去し、この発明の一実施例の電極取出
構造が得られる。第９図から明らかなように、こ
の実施例においても、Al−Ni積層膜を蒸着形成
する際に蒸着端縁８と透明電極２の間にはAlか
らなる透明電極保護膜１１が存在する。したがつ
てITO膜からなる透明電極２の劣化を確実に防止
することができる。 7 to 9 are schematic partially cutaway sectional views showing the manufacturing process of an electrode extraction structure according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, similar to the process in the first embodiment shown in FIG. A transparent electrode protective film 11 made of Al is formed by vapor deposition so as to cover the entire structure. Next, as shown in Fig. 8, Al-
The Ni laminated film 7 is formed by vapor deposition so that its vapor deposition edge 8 is above the transparent electrode protective film 11 and at a point located above the transparent electrode 2. Next, as shown in FIG. 9, the transparent electrode protective film 11 and the Al-Ni laminated film 7 are etched, for example, by photoetching.
By removing a portion of the electrode, an electrode extraction structure according to an embodiment of the present invention is obtained. As is clear from FIG. 9, in this embodiment as well, a transparent electrode protective film 11 made of Al is present between the vapor deposition edge 8 and the transparent electrode 2 when forming the Al--Ni laminated film by vapor deposition. Therefore, deterioration of the transparent electrode 2 made of ITO film can be reliably prevented.
なお、上述した工程に限らず、第８図に示した
状態からフオトエツチングにより第１０図に同じ
く部分切欠断面図で示すような構造に形成しても
よい。すなわち透明電極保護膜１１の端縁とAl
−Ni積層膜７の蒸着端縁８とが段違いとなるよ
うに構成してもよい。 Note that the process is not limited to the above-described process, but may be formed by photoetching from the state shown in FIG. 8 into a structure as shown in the same partially cutaway cross-sectional view in FIG. 10. In other words, the edge of the transparent electrode protective film 11 and the Al
The structure may be such that the vapor deposition edge 8 of the -Ni laminated film 7 is at a different level.
第１１図は、この発明の第３の実施例を説明す
るための部分切欠断面図である。ここでは、基板
１上に形成された透明電極２上に、第１絶縁膜３
を通常より広めに形成しておく。この第１絶縁膜
３の一部をも覆うように、Al−Ni積層膜７を蒸
着により形成する。このようにすればAl−Ni積
層膜７の蒸着端縁８は第１絶縁膜３上に位置され
る。したがつてAl−Ni積層膜７の蒸着端縁８は
第１絶縁膜３と接触し、透明電極２とは直接接触
しないため、透明電極２の劣化が発生することは
ない。この実施例では、前述した各実施例におけ
る透明電極保護膜１１として独自の部材は存在せ
ず、第１絶縁膜３が透明電極保護膜１１としての
機能をも果たすことになる。また、第１絶縁膜の
代りに第２絶縁膜を用いてもよい。 FIG. 11 is a partially cutaway sectional view for explaining a third embodiment of the invention. Here, a first insulating film 3 is placed on a transparent electrode 2 formed on a substrate 1.
Make it wider than usual. An Al--Ni laminated film 7 is formed by vapor deposition so as to cover a part of the first insulating film 3 as well. In this way, the vapor deposition edge 8 of the Al--Ni laminated film 7 is located on the first insulating film 3. Therefore, since the vapor deposition edge 8 of the Al--Ni laminated film 7 contacts the first insulating film 3 and does not directly contact the transparent electrode 2, deterioration of the transparent electrode 2 does not occur. In this embodiment, there is no unique member as the transparent electrode protection film 11 in each of the embodiments described above, and the first insulating film 3 also functions as the transparent electrode protection film 11. Further, a second insulating film may be used instead of the first insulating film.
なお、上述した各実施例における膜厚は、実験
によれば、背面電極としてのAl膜が2000〜10000
Å、Al−Ni積層膜７のAl膜は第６図の構造のと
きには2000〜10000Å、第５図、第９図および第
１０図の構造のときには1000Å以上、背面電極の
Al膜との総膜厚が10000Å以下が適当であること
が確められた。これは、端子接続部のAl膜厚が
厚すぎると、端子の信頼性が低下するためであ
る。なお、Al−Ni積層膜７におけるNi膜の膜厚
は、1000〜10000Åが適当であることが確められ
ている。 According to experiments, the film thickness in each of the above-mentioned examples is 2000 to 10000.
Å, the Al film of the Al-Ni laminated film 7 has a thickness of 2,000 to 10,000 Å in the structure shown in FIG. 6, and more than 1,000 Å in the structures shown in FIGS.
It was confirmed that the total film thickness with the Al film is 10,000 Å or less. This is because if the Al film thickness at the terminal connection portion is too thick, the reliability of the terminal will decrease. Note that it has been confirmed that the appropriate thickness of the Ni film in the Al--Ni laminated film 7 is 1000 to 10000 Å.
発明の効果
以上のように、この発明によれば、Al−Ni積
層膜の蒸着端縁が、透明電極と直接接触しないよ
うに、透明電極保護膜が透明電極の少なくとも一
部を覆い、Al−Ni積層膜の蒸着端縁が該透明電
極保護膜上に位置するように形成されているた
め、Al−Ni積層膜の蒸着端縁に起因する透明電
極の劣化が生じないため、透明電極と電極取出用
Al−Ni積層膜との接続の信頼性を飛躍的に改善
することが可能となる。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the transparent electrode protective film covers at least a portion of the transparent electrode so that the vapor deposition edge of the Al-Ni laminated film does not come into direct contact with the transparent electrode. Since the vapor-deposited edge of the Ni laminated film is formed so as to be located on the transparent electrode protective film, deterioration of the transparent electrode due to the vapor-deposited edge of the Al-Ni laminated film does not occur, so that the transparent electrode and the electrode For taking out
It becomes possible to dramatically improve the reliability of the connection with the Al-Ni laminated film.
第１図は、従来の薄膜EL素子の構造を説明す
るための略図的部分切欠斜視図である。第２図
は、第１図に示した薄膜EL素子の電極取出構造
を説明するための部分切欠断面図である。第３図
ないし第５図は、この発明の第１の実施例の製造
工程を説明するための各部分切欠断面図である。
第６図は、第５図に示した実施例の電極取出構造
の変形例を示す部分切欠断面図である。第７図な
いし第９図は、この発明の第２の実施例の電極取
出構造を製作する各工程を示す部分切欠断面図で
ある。第１０図は、第７図ないし第９図に示した
実施例の変形例を説明するための部分切欠断面図
である。第１１図は、この発明の第３の実施例の
電極取出構造を説明するための部分切欠断面図で
ある。
１……基板、２……透明電極、３……EL発光
部を形成する第１絶縁膜、４……EL発光部を形
成するEL発光層、５……EL発光部を形成する第
２絶縁膜、６……背面電極、７……Al−Ni積層
膜、８……蒸着端縁、１１……透明電極保護膜。
FIG. 1 is a schematic partially cutaway perspective view for explaining the structure of a conventional thin film EL element. FIG. 2 is a partially cutaway sectional view for explaining the electrode extraction structure of the thin film EL element shown in FIG. 3 to 5 are partially cutaway sectional views for explaining the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a partially cutaway sectional view showing a modification of the electrode extraction structure of the embodiment shown in FIG. 7 to 9 are partially cutaway sectional views showing each step of manufacturing an electrode lead-out structure according to a second embodiment of the present invention. FIG. 10 is a partially cutaway sectional view for explaining a modification of the embodiment shown in FIGS. 7 to 9. FIG. FIG. 11 is a partially cutaway sectional view for explaining the electrode extraction structure of the third embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Substrate, 2...Transparent electrode, 3...First insulating film forming the EL light emitting part, 4...EL light emitting layer forming the EL light emitting part, 5...Second insulation forming the EL light emitting part Film, 6... Back electrode, 7... Al-Ni laminated film, 8... Vapor deposition edge, 11... Transparent electrode protective film.
Claims (1)
SnO2よりなる透明電極と、該透明電極上に積層
されたEL発光部および背面電極と、該透明電極
を外部に取出すために基板上に蒸着により形成さ
れるものであり、該透明電極と密着するAl膜を
下層とするAl−Ni積層膜とを備える薄膜EL素子
において、 前記Al−Ni積層膜の蒸着端縁が前記透明電極
に接触しないように、透明電極保護膜が、前記透
明電極の少なくとも一部を覆い、前記Al−Ni積
層膜の蒸着端縁が該透明電極保護膜上に位置する
ように形成されていることを特徴とする、薄膜
EL素子。[Claims] 1. A substrate, In 2 O 3 and In 2 O 3 formed on the substrate.
A transparent electrode made of SnO 2 , an EL light emitting part and a back electrode laminated on the transparent electrode, and a substrate that is formed by vapor deposition on a substrate in order to take out the transparent electrode to the outside, and is in close contact with the transparent electrode. In a thin film EL device comprising an Al-Ni laminated film with an Al film as a lower layer, a transparent electrode protective film is provided on the transparent electrode so that the vapor-deposited edge of the Al-Ni laminated film does not contact the transparent electrode. A thin film that covers at least a portion of the Al-Ni laminated film, and is formed such that the evaporated edge of the Al-Ni laminated film is located on the transparent electrode protective film.
EL element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203372A JPS6095885A (en) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | Thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP58203372A JPS6095885A (en) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | Thin film el element |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS6095885A JPS6095885A (en) | 1985-05-29 |
| JPS64800B2 true JPS64800B2 (en) | 1989-01-09 |
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Family Applications (1)
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| JP58203372A Granted JPS6095885A (en) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | Thin film el element |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPS6095885A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250586A (en) * | 1990-01-11 | 1991-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for electrode formation of thin film el panel |
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1983
- 1983-10-28 JP JP58203372A patent/JPS6095885A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6095885A (en) | 1985-05-29 |
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