JP2848480B2 - 薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/06—Electrode terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Details Of Measuring Devices (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、車載用表示器、情報機
器のディスプレイ装置、或は時計表示器等に使用される
薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置及びそ
の製造方法に関する。
器のディスプレイ装置、或は時計表示器等に使用される
薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】自発光型の平面表示装置として、例えば
特公平３−８０３１４号公報に記載されている如く、ガ
ラス等の透明基板上に、透明な第一電極を形成し、その
上に絶縁層を介して、発光中心元素を添加した薄膜の発
光層を形成し、その上に絶縁層を介して第二電極を形成
した積層構造の薄膜ＥＬ表示装置が知られている。
特公平３−８０３１４号公報に記載されている如く、ガ
ラス等の透明基板上に、透明な第一電極を形成し、その
上に絶縁層を介して、発光中心元素を添加した薄膜の発
光層を形成し、その上に絶縁層を介して第二電極を形成
した積層構造の薄膜ＥＬ表示装置が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来装置は、第一
電極と第二電極間に交流電圧を印加することによって、
両電極間の発光層に交流電界をかけ、その部分の発光層
を高輝度発光させて文字、図形等を表示するが、電極間
に印加する交流電圧は２５０Ｖ程度と比較的高い電圧で
ある。
電極と第二電極間に交流電圧を印加することによって、
両電極間の発光層に交流電界をかけ、その部分の発光層
を高輝度発光させて文字、図形等を表示するが、電極間
に印加する交流電圧は２５０Ｖ程度と比較的高い電圧で
ある。
【０００４】ところで、従来装置では、図１１に示す如
く、第一電極及び第二電極が対向する部位、即ち発光部
の平面方向の角部Ｃが極めて鋭角であるため、該角部Ｃ
に電界が集中しやすいことが分かった。この結果、該角
部Ｃの部位における第一及び第２絶縁層、或いは発光層
の絶縁破壊が発生するという新たな問題を発見した。本
発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、両電極間に
位置する絶縁層及び発光層の絶縁破壊を効果的に防止し
得る薄膜ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供すること
を主な目的とするものである。
く、第一電極及び第二電極が対向する部位、即ち発光部
の平面方向の角部Ｃが極めて鋭角であるため、該角部Ｃ
に電界が集中しやすいことが分かった。この結果、該角
部Ｃの部位における第一及び第２絶縁層、或いは発光層
の絶縁破壊が発生するという新たな問題を発見した。本
発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、両電極間に
位置する絶縁層及び発光層の絶縁破壊を効果的に防止し
得る薄膜ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供すること
を主な目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板と、第一電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層、
及び第二電極をこの順序に積層形成してなり、且つ前記
基板上に形成された発光素子と、を具備し、前記第一電
極と前記第二電極との間に電圧を印加して前記発光層を
発光させるようにする薄膜ＥＬ表示装置であって、前記
第一電極及び前記第二電極の対向する部位の平面方向の
角部に所定半径以上の丸みが形成されているという技術
的手段を採用するものである。
基板と、第一電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層、
及び第二電極をこの順序に積層形成してなり、且つ前記
基板上に形成された発光素子と、を具備し、前記第一電
極と前記第二電極との間に電圧を印加して前記発光層を
発光させるようにする薄膜ＥＬ表示装置であって、前記
第一電極及び前記第二電極の対向する部位の平面方向の
角部に所定半径以上の丸みが形成されているという技術
的手段を採用するものである。
【０００６】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、前記角部の所定以上の半径は、少なくとも１０μｍ
であるという技術的手段を採用するものである。請求項
３記載の発明は、請求項１において、前記第一電極又は
前記第二電極に接続される電極接続部を有しており、前
記電極接続部と前記電極との接続部分が、前記電極接続
部の幅より広く形成されているという技術的手段を採用
するものである。
て、前記角部の所定以上の半径は、少なくとも１０μｍ
であるという技術的手段を採用するものである。請求項
３記載の発明は、請求項１において、前記第一電極又は
前記第二電極に接続される電極接続部を有しており、前
記電極接続部と前記電極との接続部分が、前記電極接続
部の幅より広く形成されているという技術的手段を採用
するものである。
【０００７】請求項４記載の発明は、請求項１におい
て、前記第一電極と第二電極とにおける１つの表示像を
形成する部分が、複数に分割して形成されているという
技術的手段を採用するものである。請求項５記載の発明
は、請求項１乃至４何れか一つにおいて、前記ＥＬ表示
装置は、前記発光素子が位置する表示部と、該発光素子
が位置しない非表示部とを有しており、前記電極接続線
部は前記非表示部まで引き出されており、該電極接続部
の内、前記非表示部に位置する領域上には該電極接続部
に比較して低抵抗の金属導電部が形成されているという
技術的手段を採用するものである。
て、前記第一電極と第二電極とにおける１つの表示像を
形成する部分が、複数に分割して形成されているという
技術的手段を採用するものである。請求項５記載の発明
は、請求項１乃至４何れか一つにおいて、前記ＥＬ表示
装置は、前記発光素子が位置する表示部と、該発光素子
が位置しない非表示部とを有しており、前記電極接続線
部は前記非表示部まで引き出されており、該電極接続部
の内、前記非表示部に位置する領域上には該電極接続部
に比較して低抵抗の金属導電部が形成されているという
技術的手段を採用するものである。
【０００８】請求項６記載の発明は、第一基板と、第一
電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層、及び第二電極
をこの順序に積層形成してなり、且つ前記第一基板上に
形成された第一発光素子と、第二基板と、第一電極、第
一絶縁層、発光層、第二絶縁層、及び第二電極をこの順
序に積層形成してなり、且つ前記第二基板上に形成され
た第二発光素子と、を具備し、前記第一基板と前記第二
基板とを、その両者の間に形成される内部空間内に前記
第一発光素子と前記第二発光素子とが対向状態で配置さ
れるよう互いに向かい合わせに配置するとともに、該両
基板を封止部により前記内部空間を外部に対して封止し
てなり、前記第一発光素子及び前記第二発光素子の両者
における、前記第一電極と前記第二電極との間に電圧を
印加して前記各発光層を発光させるようにする薄膜ＥＬ
表示装置であって、前記第一発光素子及び前記第二発光
素子の両者における、前記第一電極及び前記第二電極の
対向する部位の平面方向の角部に所定半径以上の丸みが
形成されているという技術的手段を採用するものであ
る。
電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層、及び第二電極
をこの順序に積層形成してなり、且つ前記第一基板上に
形成された第一発光素子と、第二基板と、第一電極、第
一絶縁層、発光層、第二絶縁層、及び第二電極をこの順
序に積層形成してなり、且つ前記第二基板上に形成され
た第二発光素子と、を具備し、前記第一基板と前記第二
基板とを、その両者の間に形成される内部空間内に前記
第一発光素子と前記第二発光素子とが対向状態で配置さ
れるよう互いに向かい合わせに配置するとともに、該両
基板を封止部により前記内部空間を外部に対して封止し
てなり、前記第一発光素子及び前記第二発光素子の両者
における、前記第一電極と前記第二電極との間に電圧を
印加して前記各発光層を発光させるようにする薄膜ＥＬ
表示装置であって、前記第一発光素子及び前記第二発光
素子の両者における、前記第一電極及び前記第二電極の
対向する部位の平面方向の角部に所定半径以上の丸みが
形成されているという技術的手段を採用するものであ
る。
【０００９】請求項７記載の発明は、請求項６におい、
て前記角部の所定以上の半径は、少なくとも１０μｍで
あるという技術的手段を採用するものである。請求項８
記載の発明は、請求項６又は７において、前記第一発光
素子及び前記第二発光素子の両者における、前記第一電
極又は前記第二電極に接続される電極接続部を、前記各
第一及び前記第二基板が有しているという技術的手段を
採用するものである。
て前記角部の所定以上の半径は、少なくとも１０μｍで
あるという技術的手段を採用するものである。請求項８
記載の発明は、請求項６又は７において、前記第一発光
素子及び前記第二発光素子の両者における、前記第一電
極又は前記第二電極に接続される電極接続部を、前記各
第一及び前記第二基板が有しているという技術的手段を
採用するものである。
【００１０】請求項９記載の発明は請求項１乃至８にお
いて、前記基板が透明であるという技術的手段を採用す
るものである。請求項１０記載の発明は、請求項８記載
の薄膜ＥＬ表示装置を製造する方法であって、前記第一
基板と前記第二基板との間に、該両基板の間に形成され
る内部空間内に絶縁性流体を充填する注入口を有するよ
うにして前記封止部を形成する際、前記接続端子部を除
く位置に前記注入口を配置させること、前記注入口から
前記絶縁性流体を前記内部空間内に注入すること、該注
入後、前記注入口を封止するという技術的手段を採用す
るものである。
いて、前記基板が透明であるという技術的手段を採用す
るものである。請求項１０記載の発明は、請求項８記載
の薄膜ＥＬ表示装置を製造する方法であって、前記第一
基板と前記第二基板との間に、該両基板の間に形成され
る内部空間内に絶縁性流体を充填する注入口を有するよ
うにして前記封止部を形成する際、前記接続端子部を除
く位置に前記注入口を配置させること、前記注入口から
前記絶縁性流体を前記内部空間内に注入すること、該注
入後、前記注入口を封止するという技術的手段を採用す
るものである。
【００１１】請求項１１記載の発明は、請求項１０記載
の発明において、前記基板は透明であるという技術的手
段を採用するものである。
の発明において、前記基板は透明であるという技術的手
段を採用するものである。
【００１２】
【発明の作用・効果】請求項１乃至９記載の発明によれ
ば、何れも第一及び第二電極の対向する部位の平面方向
の角部に所定半径以上の丸みを形成した構成であるか
ら、該角部における電界集中を回避することができ、従
って該電極間に位置する絶縁層、発光層の絶縁破壊を抑
制することができる。
ば、何れも第一及び第二電極の対向する部位の平面方向
の角部に所定半径以上の丸みを形成した構成であるか
ら、該角部における電界集中を回避することができ、従
って該電極間に位置する絶縁層、発光層の絶縁破壊を抑
制することができる。
【００１３】請求項３記載の発明によれば、電極接続部
と電極との接続部分が該電極接続部の幅より広く形成し
てあるから、前記従来例（特公平３−８０３１４号公
報）のように幅の狭い電極接続部が電極に直接接続され
る構成に比較してその接続部分の電界分布を平均化する
ことができて電界集中が発生しにくくなる。従って、従
来、図１０に示す如く、第一電極３１の端部Ｅと、段差
を有する第二電極３５との間、或いは第二電極の端部Ｅ
と、段差を有する第一電極３１の電極接続部との間の電
界集中集中を回避することができる。
と電極との接続部分が該電極接続部の幅より広く形成し
てあるから、前記従来例（特公平３−８０３１４号公
報）のように幅の狭い電極接続部が電極に直接接続され
る構成に比較してその接続部分の電界分布を平均化する
ことができて電界集中が発生しにくくなる。従って、従
来、図１０に示す如く、第一電極３１の端部Ｅと、段差
を有する第二電極３５との間、或いは第二電極の端部Ｅ
と、段差を有する第一電極３１の電極接続部との間の電
界集中集中を回避することができる。
【００１４】請求項４記載の発明によれば、第一電極と
第二電極における１つの表示像を形成する部分を複数に
分割して形成したから、各電極の面積が小さくなり、こ
の電極の縮小によって電極間の静電容量が減少し、静電
容量の減少によって電極に流れる駆動電流が減少する。
このため、駆動回路の電流容量を低減でき、駆動回路を
小形化することができる。また、電極間の絶縁破壊が発
生した際には、その絶縁破壊を最小面積に抑制すること
ができる。
第二電極における１つの表示像を形成する部分を複数に
分割して形成したから、各電極の面積が小さくなり、こ
の電極の縮小によって電極間の静電容量が減少し、静電
容量の減少によって電極に流れる駆動電流が減少する。
このため、駆動回路の電流容量を低減でき、駆動回路を
小形化することができる。また、電極間の絶縁破壊が発
生した際には、その絶縁破壊を最小面積に抑制すること
ができる。
【００１５】請求項５記載の発明によれば、電極接続部
の内、非表示部に位置する領域には該電極接続部に比較
して低抵抗の金属導電部を形成したから、電極接続線部
の抵抗値が実質的に低減され、その非表示部分に位置す
る電極接続部の電圧降下を少なくすることができる。従
って、各電極までに到る電極接続線部の長さの相違によ
る電圧降下の差を小さくすることができるため、電極に
よって形成される表示部の発光輝度のムラを解消するこ
とができる。
の内、非表示部に位置する領域には該電極接続部に比較
して低抵抗の金属導電部を形成したから、電極接続線部
の抵抗値が実質的に低減され、その非表示部分に位置す
る電極接続部の電圧降下を少なくすることができる。従
って、各電極までに到る電極接続線部の長さの相違によ
る電圧降下の差を小さくすることができるため、電極に
よって形成される表示部の発光輝度のムラを解消するこ
とができる。
【００１６】請求項１１記載の発明によれば、注入口を
接続端子部を除く位置に形成したから、該接続端子部に
リード線を接続する際に、該注入口の封止部がその接続
作業性に悪影響を与えることがない。
接続端子部を除く位置に形成したから、該接続端子部に
リード線を接続する際に、該注入口の封止部がその接続
作業性に悪影響を与えることがない。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１乃至図９は本発明を適用した時計表示器の各
部品構成を示している。そして、図１は本発明の要部で
ある第一電極及び第２電極の正面図を示している。な
お、図１では第一電極のみが示されている。図２は時計
表示の正面図、図３は図２の概略断面図、図４は数字表
示部分を、図５は秒針表示部分を、それぞれ示す正面図
である。図６は図４の要部拡大図、図７は図５の要部拡
大図、図８は数字表示部分及び秒針表示部分における薄
膜ＥＬ表示素子を示す概略断面図である。
する。図１乃至図９は本発明を適用した時計表示器の各
部品構成を示している。そして、図１は本発明の要部で
ある第一電極及び第２電極の正面図を示している。な
お、図１では第一電極のみが示されている。図２は時計
表示の正面図、図３は図２の概略断面図、図４は数字表
示部分を、図５は秒針表示部分を、それぞれ示す正面図
である。図６は図４の要部拡大図、図７は図５の要部拡
大図、図８は数字表示部分及び秒針表示部分における薄
膜ＥＬ表示素子を示す概略断面図である。
【００１８】この時計表示器は、図３の概略断面図に示
すように、主に数字を表示する第一薄膜ＥＬ表示素子１
（図４）と、主に秒針を表示する第二薄膜ＥＬ表示素子
２（図５）とを後述する如く重ね合せるように接着封止
し、その周囲に枠体３を取着して構成される。ところ
で、数字と分表示用のドットを表示する第一薄膜ＥＬ表
示素子１は次のように構成されている。即ち、図８の概
略断面図に示すように、ガラス基板１０上にＩＴＯから
なる第一透明電極１１を成膜形成し、第一透明電極１１
の上に第一絶縁層１２を形成し、その第一絶縁層１２上
にＺｎＳ−Ｍｎからなる発光層１３を形成し、その発光
層１３の上に第二絶縁層１４を形成した後、第二絶縁層
１４上にＩＴＯからなる第二透明電極１５を形成して構
成される。なお、上記第一絶縁層１２は、ＳｉＯＮから
なる絶縁層１２１と、Ｔａ2 Ｏ5 及びＡｌ2 Ｏ3 の混合
物からなる絶縁層１２２とから構成されている。又、第
二絶縁層１４はＳｉＯＮからなる絶縁層１４１と、Ｔａ
2 Ｏ5 及びＡｌ2 Ｏ3 の混合物からなる絶縁層１４２
と、ＳｉＯＮからなる絶縁層１４３とから構成されてい
る。なお、透明電極１１、１５、発光層３、及び絶縁層
１２、１４により発光素子を構成する。
すように、主に数字を表示する第一薄膜ＥＬ表示素子１
（図４）と、主に秒針を表示する第二薄膜ＥＬ表示素子
２（図５）とを後述する如く重ね合せるように接着封止
し、その周囲に枠体３を取着して構成される。ところ
で、数字と分表示用のドットを表示する第一薄膜ＥＬ表
示素子１は次のように構成されている。即ち、図８の概
略断面図に示すように、ガラス基板１０上にＩＴＯから
なる第一透明電極１１を成膜形成し、第一透明電極１１
の上に第一絶縁層１２を形成し、その第一絶縁層１２上
にＺｎＳ−Ｍｎからなる発光層１３を形成し、その発光
層１３の上に第二絶縁層１４を形成した後、第二絶縁層
１４上にＩＴＯからなる第二透明電極１５を形成して構
成される。なお、上記第一絶縁層１２は、ＳｉＯＮから
なる絶縁層１２１と、Ｔａ2 Ｏ5 及びＡｌ2 Ｏ3 の混合
物からなる絶縁層１２２とから構成されている。又、第
二絶縁層１４はＳｉＯＮからなる絶縁層１４１と、Ｔａ
2 Ｏ5 及びＡｌ2 Ｏ3 の混合物からなる絶縁層１４２
と、ＳｉＯＮからなる絶縁層１４３とから構成されてい
る。なお、透明電極１１、１５、発光層３、及び絶縁層
１２、１４により発光素子を構成する。
【００１９】第一薄膜ＥＬ表示素子１は、図４、図６に
示すように、第一透明電極１１と第二透明電極１５を、
それぞれ表示しようとする文字とドットの形状に形成
し、さらにその文字は２〜４個に分割して形成される。
分割された部分の面積は、例えば、約１００ｍｍ2 以下
となるように分割され、分割部の隙間は、表示した際に
判別できないようにするため、８０μｍ以下としてあ
る。分割された各第一、第二透明電極１１、１５には同
じ材料（ＩＴＯ、ＺｎＯ等）によって電極接続線部１１
ａ，１５ａが一体に延設され、それらの電極接続線部１
１ａ，１５ａの先端は、ガラス基板１０の縁部に設けら
れた接続端子部１７の各端子に接続される。
示すように、第一透明電極１１と第二透明電極１５を、
それぞれ表示しようとする文字とドットの形状に形成
し、さらにその文字は２〜４個に分割して形成される。
分割された部分の面積は、例えば、約１００ｍｍ2 以下
となるように分割され、分割部の隙間は、表示した際に
判別できないようにするため、８０μｍ以下としてあ
る。分割された各第一、第二透明電極１１、１５には同
じ材料（ＩＴＯ、ＺｎＯ等）によって電極接続線部１１
ａ，１５ａが一体に延設され、それらの電極接続線部１
１ａ，１５ａの先端は、ガラス基板１０の縁部に設けら
れた接続端子部１７の各端子に接続される。
【００２０】なお、各第一、第二透明電極１１、１５と
各電極接続線部１１ａ，１５ａとの接続部分１１ｂ，１
５ｂは、図６に示すように、その電極接続線部１１ａ，
１５ａの幅より広く形成される。第一透明電極１１、第
二透明電極１５、電極接続線部１１ａ，１５ａの角部は
図１に示すように、例えば半径２０μｍ以上の丸みが形
成されている。
各電極接続線部１１ａ，１５ａとの接続部分１１ｂ，１
５ｂは、図６に示すように、その電極接続線部１１ａ，
１５ａの幅より広く形成される。第一透明電極１１、第
二透明電極１５、電極接続線部１１ａ，１５ａの角部は
図１に示すように、例えば半径２０μｍ以上の丸みが形
成されている。
【００２１】ところで、薄膜ＥＬ表示装置としての時計
表示器は前述の発光素子が位置する表示部と、該発光素
子が位置しない非表示部（枠体３）とから構成されてい
るが、上記電極接続線部１１ａ，１５ａの内、枠体３
（図２及び図３参照）により隠れて表示部に現われない
枠体３に囲まれている部分、即ち上記非表示部に位置す
る部分の表面部分上には、低電気抵抗の金属導電部１６
が形成されている。ここで、金属導電部１６としては、
Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｃｕ等の、
第一透明電極１１、第二透明電極１５の材質であるＩＴ
Ｏ又はＺｎＯより電気抵抗の小さい金属材料により構成
されている。
表示器は前述の発光素子が位置する表示部と、該発光素
子が位置しない非表示部（枠体３）とから構成されてい
るが、上記電極接続線部１１ａ，１５ａの内、枠体３
（図２及び図３参照）により隠れて表示部に現われない
枠体３に囲まれている部分、即ち上記非表示部に位置す
る部分の表面部分上には、低電気抵抗の金属導電部１６
が形成されている。ここで、金属導電部１６としては、
Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｃｕ等の、
第一透明電極１１、第二透明電極１５の材質であるＩＴ
Ｏ又はＺｎＯより電気抵抗の小さい金属材料により構成
されている。
【００２２】図５及び図７に示した、秒針と数字上のド
ットを表示する第二薄膜ＥＬ表示素子２は、前述の第一
薄膜ＥＬ表示素子１と同様に、ガラス基板２０上にＩＴ
Ｏからなる第一透明電極２１を成膜形成し、第一透明電
極２１の上に第一絶縁層２２を形成し、その第一絶縁層
２２上にＺｎＳ−ＴｂＯＦからなる発光層２３を形成
し、その発光層２３の上に第二絶縁層２４を形成した
後、第二絶縁層２４上にＩＴＯからなる第二透明電極２
５を形成して構成される。なお、上記第一絶縁層２２
は、ＳｉＯＮからなる絶縁層２２１と、Ｔａ2 Ｏ5 及び
Ａｌ2 Ｏ3 の混合物からなる絶縁層２２２とから構成さ
れている。又、第二絶縁層２４は、ＳｉＯＮからなる絶
縁層２４１と、Ｔａ2 Ｏ5 及びＡｌ2 Ｏ3 の混合物から
なる絶縁層２４２と、ＳｉＯＮからなる絶縁層２４３と
から構成されている。なお、透明電極２１、２５、発光
層２３、及び絶縁層２２、２４により発光素子を構成す
る。
ットを表示する第二薄膜ＥＬ表示素子２は、前述の第一
薄膜ＥＬ表示素子１と同様に、ガラス基板２０上にＩＴ
Ｏからなる第一透明電極２１を成膜形成し、第一透明電
極２１の上に第一絶縁層２２を形成し、その第一絶縁層
２２上にＺｎＳ−ＴｂＯＦからなる発光層２３を形成
し、その発光層２３の上に第二絶縁層２４を形成した
後、第二絶縁層２４上にＩＴＯからなる第二透明電極２
５を形成して構成される。なお、上記第一絶縁層２２
は、ＳｉＯＮからなる絶縁層２２１と、Ｔａ2 Ｏ5 及び
Ａｌ2 Ｏ3 の混合物からなる絶縁層２２２とから構成さ
れている。又、第二絶縁層２４は、ＳｉＯＮからなる絶
縁層２４１と、Ｔａ2 Ｏ5 及びＡｌ2 Ｏ3 の混合物から
なる絶縁層２４２と、ＳｉＯＮからなる絶縁層２４３と
から構成されている。なお、透明電極２１、２５、発光
層２３、及び絶縁層２２、２４により発光素子を構成す
る。
【００２３】第二薄膜ＥＬ表示素子２における第一透明
電極２１と第二透明電極２５とは、図５及び図７に示す
如く、表示しようとする秒針（放射状に配置された曲
線）とドットの形状に形成されている。第一、第二透明
電極２１、２５には電極接続線部２１ａ，２５ａが一体
に延設され、それらの電極接続線部２１ａ，２５ａの先
端は、ガラス基板２０の縁部に設けられた接続端子部２
７の各端子に電気的に接続される。
電極２１と第二透明電極２５とは、図５及び図７に示す
如く、表示しようとする秒針（放射状に配置された曲
線）とドットの形状に形成されている。第一、第二透明
電極２１、２５には電極接続線部２１ａ，２５ａが一体
に延設され、それらの電極接続線部２１ａ，２５ａの先
端は、ガラス基板２０の縁部に設けられた接続端子部２
７の各端子に電気的に接続される。
【００２４】電極接続線部２１ａ，２５ａの内、枠体３
により隠れて表示部に現われない部分の上には、前述の
第一ＥＬ表示素子１と同様の材質から構成された低電気
抵抗の金属導電部２６が形成されている（図７、図
８）。ここで、第一薄膜ＥＬ表示素子１と第二薄膜ＥＬ
表示素子２の接着封止は次のようにして行う。即ち、こ
れら各表示素子１、２のガラス基板１０、２０の何れか
一方の基板の内側周縁部に封止部としての樹脂接着剤５
（図３）を付与する。
により隠れて表示部に現われない部分の上には、前述の
第一ＥＬ表示素子１と同様の材質から構成された低電気
抵抗の金属導電部２６が形成されている（図７、図
８）。ここで、第一薄膜ＥＬ表示素子１と第二薄膜ＥＬ
表示素子２の接着封止は次のようにして行う。即ち、こ
れら各表示素子１、２のガラス基板１０、２０の何れか
一方の基板の内側周縁部に封止部としての樹脂接着剤５
（図３）を付与する。
【００２５】そして、各表示素子１、２の対向する内部
空間７において、各表示素子１、２の第２絶縁層１４、
２４の間に多数のガラスビーズや多数の粒状硬質プラス
チック等の間隔保持部材６（図３）を配置して上記ガラ
ス基板１０、２０の間の間隔を一定に保持しながら、各
接続端子部１７、２７を交互に異なる方向に位置させる
ようにガラス基板１０、２０を重ね合せて上記樹脂接着
剤５により両ガラス基板１０、２０を接着封止する。こ
のとき、両素子１、２の接続端子部１７、２７を外した
位置に上記樹脂接着剤５を付さないことによって、絶縁
性流体としてのシリコンオイル８を上記内部空間７内に
封入する注入口９（図４、図５）を形成する。次に、上
記内部空間７内に注入口９を経てシリコンオイル８を真
空注入し、該注入後、上記注入口９を樹脂接着剤５によ
り封止する。
空間７において、各表示素子１、２の第２絶縁層１４、
２４の間に多数のガラスビーズや多数の粒状硬質プラス
チック等の間隔保持部材６（図３）を配置して上記ガラ
ス基板１０、２０の間の間隔を一定に保持しながら、各
接続端子部１７、２７を交互に異なる方向に位置させる
ようにガラス基板１０、２０を重ね合せて上記樹脂接着
剤５により両ガラス基板１０、２０を接着封止する。こ
のとき、両素子１、２の接続端子部１７、２７を外した
位置に上記樹脂接着剤５を付さないことによって、絶縁
性流体としてのシリコンオイル８を上記内部空間７内に
封入する注入口９（図４、図５）を形成する。次に、上
記内部空間７内に注入口９を経てシリコンオイル８を真
空注入し、該注入後、上記注入口９を樹脂接着剤５によ
り封止する。
【００２６】このように、接続端子部１７、２７を外し
た位置に注入口９が設けられるため、接続端子部１７、
２７にリード線（図示しない）を電気的に接続する際、
注入口９の、樹脂接着剤による封止部がその接続に悪影
響を与えることはない。又、注入口９は前述の説明から
理解されるように、時計表示器本体の厚さ方向に形成し
てあるため、該本体の表面や裏面に注入口の封止部が現
われず、外観上の美観が損なわれることがない。
た位置に注入口９が設けられるため、接続端子部１７、
２７にリード線（図示しない）を電気的に接続する際、
注入口９の、樹脂接着剤による封止部がその接続に悪影
響を与えることはない。又、注入口９は前述の説明から
理解されるように、時計表示器本体の厚さ方向に形成し
てあるため、該本体の表面や裏面に注入口の封止部が現
われず、外観上の美観が損なわれることがない。
【００２７】次に、第一薄膜ＥＬ表示素子１及び第二薄
膜ＥＬ表示素子２を製造する際の具体例を説明する。 ［第２工程］先ず、ガラス基板１０、２０上に第一透明
電極１１、２１、及び電極接続線部１１ａ、２１ａを、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を用いて
真空蒸着法により形成する。
膜ＥＬ表示素子２を製造する際の具体例を説明する。 ［第２工程］先ず、ガラス基板１０、２０上に第一透明
電極１１、２１、及び電極接続線部１１ａ、２１ａを、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を用いて
真空蒸着法により形成する。
【００２８】ここで、蒸着材料としては、例えば酸化イ
ンジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）中に酸化錫（ＳｎＯ2 ）をＩｎ
原子に対してＳｎ原子が５％となるように混合成形し焼
成してなるペレット状のものを用いた。そして、電子ビ
ーム蒸着装置内にガラス基板１０、２０と上記ペレット
とを配置して、ガラス基板１０、２０を２５０℃に保持
したまま該蒸着装置の真空槽内を３×１０-4Ｐａまで排
気した。
ンジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）中に酸化錫（ＳｎＯ2 ）をＩｎ
原子に対してＳｎ原子が５％となるように混合成形し焼
成してなるペレット状のものを用いた。そして、電子ビ
ーム蒸着装置内にガラス基板１０、２０と上記ペレット
とを配置して、ガラス基板１０、２０を２５０℃に保持
したまま該蒸着装置の真空槽内を３×１０-4Ｐａまで排
気した。
【００２９】［第２工程］次に、６．７×１０-2Ｐａま
でＯ2 ガスを導入し、蒸着速度が０．１〜０．３ｎｍ／
ｓｅｃとなるように、電子ビームの出力を調整しながら
ＩＴＯ透明導電膜を２００ｍｎの厚さに成膜した。 ［第３工程］次に、このＩＴＯ透明導電膜をフォトリソ
グラフィの手法を用いて、塩酸（ＨＣＩ）等のウェット
エッチングにより、図４乃至図７に示すような形状の第
一透明電極１１、２１、電極接続線部１１ａ、２１ａ、
及びその接続部１１ｂ、２１ｂを同時に形成した。
でＯ2 ガスを導入し、蒸着速度が０．１〜０．３ｎｍ／
ｓｅｃとなるように、電子ビームの出力を調整しながら
ＩＴＯ透明導電膜を２００ｍｎの厚さに成膜した。 ［第３工程］次に、このＩＴＯ透明導電膜をフォトリソ
グラフィの手法を用いて、塩酸（ＨＣＩ）等のウェット
エッチングにより、図４乃至図７に示すような形状の第
一透明電極１１、２１、電極接続線部１１ａ、２１ａ、
及びその接続部１１ｂ、２１ｂを同時に形成した。
【００３０】［第４工程］次に、上記第一透明電極１
１、２１、電極接続線部１１ａ、２１ａ、及びその接続
部１１ｂ、２１ｂが形成されたガラス基板１０、２０に
酸化窒化珪素絶縁層（ＳｉＯＮ）１２１、２２１と五酸
化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）と酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3 ）の混合物よりなる絶縁層１２２、２２２から構成
される第一絶縁層１２、２２を高周波スパッタ法にて成
膜した。
１、２１、電極接続線部１１ａ、２１ａ、及びその接続
部１１ｂ、２１ｂが形成されたガラス基板１０、２０に
酸化窒化珪素絶縁層（ＳｉＯＮ）１２１、２２１と五酸
化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）と酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3 ）の混合物よりなる絶縁層１２２、２２２から構成
される第一絶縁層１２、２２を高周波スパッタ法にて成
膜した。
【００３１】具体的には、上記第一透明電極１１、２１
が形成されたガラス基板１０、２０をスパッタ装置内に
セットし、２００℃に３０分保持した後、その真空層内
を３×１０-4Ｐａまで排気した。 ［第５工程］その後、Ａｒガスを１０５ｃｃ／ｍｉｎ、
Ｏ2 ガスを５ｃｃ／ｍｉｎ、Ｎ2 ガスを４００ｃｃ／ｍ
ｉｎの割合で真空槽内に導入しつつ、排気バルブを調整
し、スパッタ装置の真空槽内の圧力を０．５Ｐａに設定
した。ターゲットとしては、シリコン（Ｓｉ）からなる
ターゲットを用い、高周波電力をターゲット単位面積当
たり３．２Ｗ／ｃｍ2 投入し、プリスパッタを１０分間
行った後、１００ｎｍの厚さに成膜した。この後、ター
ゲットとして、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）と酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の混合物からなる焼成ターゲ
ットを用い、Ａｒガスを１４０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｏ2 ガス
を６０ｃｃ／ｍｉｎの割合で真空槽内に導入しつつ、排
気バルブを調整し真空槽内の圧力を０．６Ｐａに設定
し、高周波電力をターゲット単位面積あたり４．２Ｗ／
ｃｍ2 投入し、プリスパッタを１０分間行った後、３０
０ｎｍの厚さに連続成膜して第一絶縁層１２、２２を形
成した。
が形成されたガラス基板１０、２０をスパッタ装置内に
セットし、２００℃に３０分保持した後、その真空層内
を３×１０-4Ｐａまで排気した。 ［第５工程］その後、Ａｒガスを１０５ｃｃ／ｍｉｎ、
Ｏ2 ガスを５ｃｃ／ｍｉｎ、Ｎ2 ガスを４００ｃｃ／ｍ
ｉｎの割合で真空槽内に導入しつつ、排気バルブを調整
し、スパッタ装置の真空槽内の圧力を０．５Ｐａに設定
した。ターゲットとしては、シリコン（Ｓｉ）からなる
ターゲットを用い、高周波電力をターゲット単位面積当
たり３．２Ｗ／ｃｍ2 投入し、プリスパッタを１０分間
行った後、１００ｎｍの厚さに成膜した。この後、ター
ゲットとして、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）と酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の混合物からなる焼成ターゲ
ットを用い、Ａｒガスを１４０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｏ2 ガス
を６０ｃｃ／ｍｉｎの割合で真空槽内に導入しつつ、排
気バルブを調整し真空槽内の圧力を０．６Ｐａに設定
し、高周波電力をターゲット単位面積あたり４．２Ｗ／
ｃｍ2 投入し、プリスパッタを１０分間行った後、３０
０ｎｍの厚さに連続成膜して第一絶縁層１２、２２を形
成した。
【００３２】［第６工程］次に、第一薄膜ＥＬ表示素子
１では、第一絶縁層１２上に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母
体材料とし、発光中心として、黄橙色発光のマンガン
（Ｍｎ）を０．８重量％の割合で添加した硫化亜鉛：マ
ンガン（ＺｎＳ：Ｍｎ）を、蒸着により６００ｎｍの厚
さに第一絶縁層１２上に成膜し、発光層１３を形成し
た。具体的には、ガラス基板１０の温度を２００℃に保
持し、電子ビーム蒸着装置内を５×１０ -4Ｐａに維持
し、堆積速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件で電子
ビーム蒸着を行った。
１では、第一絶縁層１２上に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母
体材料とし、発光中心として、黄橙色発光のマンガン
（Ｍｎ）を０．８重量％の割合で添加した硫化亜鉛：マ
ンガン（ＺｎＳ：Ｍｎ）を、蒸着により６００ｎｍの厚
さに第一絶縁層１２上に成膜し、発光層１３を形成し
た。具体的には、ガラス基板１０の温度を２００℃に保
持し、電子ビーム蒸着装置内を５×１０ -4Ｐａに維持
し、堆積速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件で電子
ビーム蒸着を行った。
【００３３】［第７工程］又、第二薄膜ＥＬ表示素子２
では、第一絶縁層２２上に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母体
材料とし、発光中心として、緑色発光の弗化酸化テルビ
ウム（ＴｂＯＦ）を３．６重量％の割合で添加した混合
物の焼成ターゲットを用い高周波スパッタ法により７０
０ｎｍの厚さに成膜し、発光層２３を形成した。
では、第一絶縁層２２上に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母体
材料とし、発光中心として、緑色発光の弗化酸化テルビ
ウム（ＴｂＯＦ）を３．６重量％の割合で添加した混合
物の焼成ターゲットを用い高周波スパッタ法により７０
０ｎｍの厚さに成膜し、発光層２３を形成した。
【００３４】具体的には、ガラス基板２０の温度を２５
０℃に保持し、４Ｐａのガス圧を有するＡｒとＨｅの混
合ガス雰囲気中で、上記スパッタリングターゲットに２
Ｗ／ｃｍ2 の高周波電力を供給し成膜を行った。 ［第８工程］次に、その発光層１３、２３上に、第一絶
縁層１２、２２と同じ要領でＳｉＯＮ絶縁層１４１、２
４１を１００ｎｍの厚さ、Ｔａ2 Ｏ5 ・Ａｌ2 Ｏ3 絶縁
層１４２、２４２を３００ｎｍの厚さで連続成膜し、そ
の上に更にＳｉＯＮ絶縁層１４３、２４３を１００ｎｍ
の厚さで成膜して第二絶縁層１４、２４を形成した。こ
こで、第一、第二絶縁層はともに成膜条件は同じであ
り、膜厚は基板の搬送速度と、繰り返し成膜回数により
調整した。
０℃に保持し、４Ｐａのガス圧を有するＡｒとＨｅの混
合ガス雰囲気中で、上記スパッタリングターゲットに２
Ｗ／ｃｍ2 の高周波電力を供給し成膜を行った。 ［第８工程］次に、その発光層１３、２３上に、第一絶
縁層１２、２２と同じ要領でＳｉＯＮ絶縁層１４１、２
４１を１００ｎｍの厚さ、Ｔａ2 Ｏ5 ・Ａｌ2 Ｏ3 絶縁
層１４２、２４２を３００ｎｍの厚さで連続成膜し、そ
の上に更にＳｉＯＮ絶縁層１４３、２４３を１００ｎｍ
の厚さで成膜して第二絶縁層１４、２４を形成した。こ
こで、第一、第二絶縁層はともに成膜条件は同じであ
り、膜厚は基板の搬送速度と、繰り返し成膜回数により
調整した。
【００３５】［第９工程］次に、第二絶縁層１４、２４
上に第二透明電極１５、２５、及び電極接続線部１５
ａ、２５ａとその接続部１５ｂ、２５ｂを、を形成し
た。即ち、第一透明電極１１、２１、及び電極接続線部
１１ａ、２１ａとを、第一透明電極１１、２１、及び電
極接続線部１１ａ、２１ａとその接続部１１ｂ、２１ｂ
と同様に成膜し、ウエットエッチングにより、所望なパ
ターンのガラスマスクを用いて形成した。
上に第二透明電極１５、２５、及び電極接続線部１５
ａ、２５ａとその接続部１５ｂ、２５ｂを、を形成し
た。即ち、第一透明電極１１、２１、及び電極接続線部
１１ａ、２１ａとを、第一透明電極１１、２１、及び電
極接続線部１１ａ、２１ａとその接続部１１ｂ、２１ｂ
と同様に成膜し、ウエットエッチングにより、所望なパ
ターンのガラスマスクを用いて形成した。
【００３６】［第１０工程］次に、時計の枠体３により
隠れ、外部から見えない領域の第一透明電極１１、２１
及び第二透明電極１５、２５の電極接続線部１１ａ，１
５ａ、２１ａ，２５ａ上に、低電気抵抗の金属導電部１
６、２６を形成した。この金属導電部１６、２６の材料
としては、高純度の金属ニッケル（Ｎｉ）を用いた。
隠れ、外部から見えない領域の第一透明電極１１、２１
及び第二透明電極１５、２５の電極接続線部１１ａ，１
５ａ、２１ａ，２５ａ上に、低電気抵抗の金属導電部１
６、２６を形成した。この金属導電部１６、２６の材料
としては、高純度の金属ニッケル（Ｎｉ）を用いた。
【００３７】具体的には、上記電極接続線部１１ａ，１
５ａ、２１ａ，２５ａを形成したガラス基板１０及び２
０と蒸着材料（金属ニッケル）とを電子ビーム蒸着装置
内にセットし、その真空槽内を６．７×１０-4Ｐａ以下
まで排気した後、成膜速度が３ｎｍ／ｓｅｃ以上となる
ように、電子ビームの出力を調整し、５００ｎｍの厚さ
に堆積させた。そして、フォトリソグラフィを用いて、
硝酸（Ｈ2 ＮＯ3 ）等のウエットエッチングにより、所
定形状の金属導電部１６、２６を電極接続線部１１ａ，
１５ａ、２１ａ，２５ａの表面上に形成した。
５ａ、２１ａ，２５ａを形成したガラス基板１０及び２
０と蒸着材料（金属ニッケル）とを電子ビーム蒸着装置
内にセットし、その真空槽内を６．７×１０-4Ｐａ以下
まで排気した後、成膜速度が３ｎｍ／ｓｅｃ以上となる
ように、電子ビームの出力を調整し、５００ｎｍの厚さ
に堆積させた。そして、フォトリソグラフィを用いて、
硝酸（Ｈ2 ＮＯ3 ）等のウエットエッチングにより、所
定形状の金属導電部１６、２６を電極接続線部１１ａ，
１５ａ、２１ａ，２５ａの表面上に形成した。
【００３８】［第１１工程］次に、外部の駆動回路と接
続するための接続端子部１７、２７を金属導電部１６、
２６の周端に形成した。この接続端子部１７、２７の材
料としては、高純度の金（Ａｕ）を用いた。具体的に
は、上記金属導電部１６、２６を形成したガラス基板１
０及び２０と蒸着材料とを電子ビーム蒸着装置内にセッ
トし、その真空槽内を６．７×１０-4Ｐａ以下まで排気
した後、成膜速度が３ｎｍ／ｓｅｃ以上となるように、
電子ビームの出力を調整し、１５０ｎｍの厚さに堆積さ
せた。そして、フォトリソグラフィを用いて、沃化アン
モニウム水溶液（ＮＨ4 Ｉ）等のウエットエッチングに
より、所定形状の接続端子部１７、２７を形成した。
続するための接続端子部１７、２７を金属導電部１６、
２６の周端に形成した。この接続端子部１７、２７の材
料としては、高純度の金（Ａｕ）を用いた。具体的に
は、上記金属導電部１６、２６を形成したガラス基板１
０及び２０と蒸着材料とを電子ビーム蒸着装置内にセッ
トし、その真空槽内を６．７×１０-4Ｐａ以下まで排気
した後、成膜速度が３ｎｍ／ｓｅｃ以上となるように、
電子ビームの出力を調整し、１５０ｎｍの厚さに堆積さ
せた。そして、フォトリソグラフィを用いて、沃化アン
モニウム水溶液（ＮＨ4 Ｉ）等のウエットエッチングに
より、所定形状の接続端子部１７、２７を形成した。
【００３９】かくして、このように構成された時計表示
器は、その接続端子部１７、２７をリード線を介して図
示しない駆動回路に接続されており、その駆動回路が時
計回路からの制御信号を受けて第一ＥＬ表示素子１の第
一、第二透明電極１１、１５間、及び第二ＥＬ表示素子
１の第一、第二透明電極２１、２５間に２５０Ｖの高周
波交流電圧を印加する。これにより、電圧を印加された
電極間の発光層１３、２３が発光し、時刻を示す文字、
分を示すドットが橙黄色に光り、秒を示す秒針が緑色に
光り、時刻を表示する。
器は、その接続端子部１７、２７をリード線を介して図
示しない駆動回路に接続されており、その駆動回路が時
計回路からの制御信号を受けて第一ＥＬ表示素子１の第
一、第二透明電極１１、１５間、及び第二ＥＬ表示素子
１の第一、第二透明電極２１、２５間に２５０Ｖの高周
波交流電圧を印加する。これにより、電圧を印加された
電極間の発光層１３、２３が発光し、時刻を示す文字、
分を示すドットが橙黄色に光り、秒を示す秒針が緑色に
光り、時刻を表示する。
【００４０】図９は、上述の方法にて製造された図１乃
至図８の時計表示器において、第一薄膜ＥＬ表示素子１
の第一及び第二電極１１、１５の角部の丸みの半径に対
する絶縁破壊の発生確率を示す特性図であり、同図から
理解される如く、角部の半径が１０μｍにすることによ
り、周波数６２５Ｈｚで発光開始電圧（発光輝度が１ｃ
ｄ／ｍ2 の電圧）２００Ｖに１００Ｖを加えたときの角
部での絶縁破壊の発生確率が減少している。そして、１
０μｍ以上では更に絶縁破壊を防止することができる。
ところで、角部の上限値としては、第一電極及び第二電
極のデザイン上の観点で決定されるものであり、１００
０μｍが望ましい。
至図８の時計表示器において、第一薄膜ＥＬ表示素子１
の第一及び第二電極１１、１５の角部の丸みの半径に対
する絶縁破壊の発生確率を示す特性図であり、同図から
理解される如く、角部の半径が１０μｍにすることによ
り、周波数６２５Ｈｚで発光開始電圧（発光輝度が１ｃ
ｄ／ｍ2 の電圧）２００Ｖに１００Ｖを加えたときの角
部での絶縁破壊の発生確率が減少している。そして、１
０μｍ以上では更に絶縁破壊を防止することができる。
ところで、角部の上限値としては、第一電極及び第二電
極のデザイン上の観点で決定されるものであり、１００
０μｍが望ましい。
【００４１】なお、上記実施例の時計表示器における薄
膜ＥＬ表示素子の各構成層は、上記材料に限定されるこ
となく、また、上記以外の成膜方法により成膜すること
もできる。又、各絶縁層は二層、三層としてあるが、単
層でも勿論よい。
膜ＥＬ表示素子の各構成層は、上記材料に限定されるこ
となく、また、上記以外の成膜方法により成膜すること
もできる。又、各絶縁層は二層、三層としてあるが、単
層でも勿論よい。
【図１】本発明を適用した一実施例の時計表示器におけ
る電極を示す正面図である。
る電極を示す正面図である。
【図２】時計表示器の正面図である。
【図３】同時計表示器の概略断面図である。
【図４】第一薄膜ＥＬ表示素子１の正面図である。
【図５】第二薄膜ＥＬ表示素子２の正面図である。
【図６】第一薄膜ＥＬ表示素子１の部分拡大正面図であ
る。
る。
【図７】第二薄膜ＥＬ表示素子２の部分拡大正面図であ
る。
る。
【図８】第一薄膜ＥＬ表示素子１と第二薄膜ＥＬ表示素
子２の概略断面図である。
子２の概略断面図である。
【図９】電極の丸みの半径に対する絶縁破壊の発生確立
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１０】従来の薄膜ＥＬ表示素子の部分概略断面図で
ある。
ある。
【図１１】従来の薄膜ＥＬ素子の部分概略正面図であ
る。
る。
１ 第一薄膜ＥＬ表示素子 ２ 第二薄膜ＥＬ表示素子 ３ 枠体 ５ 接着剤 １０ ガラス基板 １１ 第一電極 １１ａ 電極接続線部 １１ｂ 接続部 １２ 第一絶縁層 １３ 発光層 １４ 第二絶縁層 １５ 第二電極 １５ａ 電極接続線部 １５ｂ 接続部 １６ 金属導電部 １７ 接続端子部 ２０ ガラス基板 ２１ 第一電極 ２１ａ 電極接続線部 ２２ 第一絶縁層 ２３ 発光層 ２４ 第二絶縁層 ２５ 第二電極 ２５ａ 電極接続線部 ２６ 金属導電部 ２７ 接続端子部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−55896（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−268092（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−54972（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−288396（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−20697（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−157096（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−186397（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/06
Claims (11)
- 【請求項１】 基板と、第一電極、第一絶縁層、発光
層、第二絶縁層、及び第二電極をこの順序に積層形成し
てなり、且つ前記基板上に形成された発光素子と、を具
備し、前記第一電極と前記第二電極との間に電圧を印加
して前記発光層を発光させるようにする薄膜ＥＬ表示装
置であって、 前記第一電極及び前記第二電極の対向する部位の平面方
向の角部に所定半径以上の丸みが形成されていることを
特徴とする薄膜ＥＬ表示装置。 - 【請求項２】 前記角部の所定以上の半径は、少なくと
も１０μｍであることを特徴とする請求項１記載の薄膜
ＥＬ表示装置。 - 【請求項３】 前記第一電極又は前記第二電極に接続さ
れる電極接続部を有しており、前記電極接続部と前記電
極との接続部分が前記電極接続部の幅より広く形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ表示装
置。 - 【請求項４】 前記第一電極と第二電極とにおける１つ
の表示像を形成する部分が、複数に分割して形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ表示装
置。 - 【請求項５】 前記ＥＬ表示装置は、前記発光素子が位
置する表示部と、該発光素子が位置しない非表示部とを
有しており、前記電極接続線部は前記非表示部まで引き
出されており、該電極接続部の内、前記非表示部に位置
する領域上には該電極接続部に比較して低抵抗の金属導
電部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４
何れか一つに記載の薄膜ＥＬ表示装置。 - 【請求項６】 第一基板と、第一電極、第一絶縁層、発
光層、第二絶縁層、及び第二電極をこの順序に積層形成
してなり、且つ前記第一基板上に形成された第一発光素
子と、第二基板と、第一電極、第一絶縁層、発光層、第
二絶縁層、及び第二電極をこの順序に積層形成してな
り、且つ前記第二基板上に形成された第二発光素子と、
を具備し、前記第一基板と前記第二基板とを、その両者
の間に形成される内部空間内に前記第一発光素子と前記
第二発光素子とが対向状態で配置されるよう互いに向か
い合わせに配置するとともに、該両基板を封止部により
前記内部空間を外部に対して封止してなり、前記第一発
光素子及び前記第二発光素子の両者における、前記第一
電極と前記第二電極との間に電圧を印加して前記各発光
層を発光させるようにする薄膜ＥＬ表示装置であって、 前記第一発光素子及び前記第二発光素子の両者におけ
る、前記第一電極及び前記第二電極の対向する部位の平
面方向の角部に所定半径以上の丸みが形成されているこ
とを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置。 - 【請求項７】 前記角部の所定以上の半径は、少なくと
も１０μｍであることを特徴とする請求項６記載の薄膜
ＥＬ表示装置。 - 【請求項８】 前記第一発光素子及び前記第二発光素子
の両者における、前記第一電極又は前記第二電極に接続
される電極接続部を、前記各第一及び前記第二基板が有
していることを特徴とする請求項６又は７記載の薄膜Ｅ
Ｌ表示装置。 - 【請求項９】 前記基板は透明であることを特徴とする
請求項１乃至８記載の薄膜ＥＬ表示装置。 - 【請求項１０】 請求項８記載の薄膜ＥＬ表示装置を製
造する方法であって、前記第一基板と前記第二基板との
間に、該両基板の間に形成される内部空間内に絶縁性流
体を充填する注入口を有するようにして前記封止部を形
成する際、前記接続端子部を除く位置に前記注入口を配
置させること、前記注入口から前記絶縁性流体を前記内
部空間内に注入すること、該注入後、前記注入口を封止
部により封止すること、を特徴とする薄膜ＥＬ表示装置
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記基板は透明であることを特徴とす
る請求項１０記載の薄膜ＥＬ表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7017074A JP2848480B2 (ja) | 1994-03-30 | 1995-02-03 | 薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US08/413,109 US5691738A (en) | 1994-03-30 | 1995-03-29 | Thin-film electroluminescent display and method of fabricating same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-61417 | 1994-03-30 | ||
| JP6141794 | 1994-03-30 | ||
| JP7017074A JP2848480B2 (ja) | 1994-03-30 | 1995-02-03 | 薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320870A JPH07320870A (ja) | 1995-12-08 |
| JP2848480B2 true JP2848480B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=26353543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7017074A Expired - Lifetime JP2848480B2 (ja) | 1994-03-30 | 1995-02-03 | 薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2848480B2 (ja) |
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| JP2001110575A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2003168557A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネル |
| US7595775B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting display device with reverse biasing circuit |
| CN100369277C (zh) * | 2004-12-28 | 2008-02-13 | 中华映管股份有限公司 | 发光二极管 |
| JP5021701B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2012-09-12 | リンテック株式会社 | 発光シート |
| KR101188747B1 (ko) * | 2012-07-18 | 2012-10-10 | 지스마트 주식회사 | 투명전광판 및 그 제조방법 |
| JP5917593B2 (ja) * | 2014-04-28 | 2016-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 携帯情報端末、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーションシステム |
| CN107488828B (zh) * | 2016-06-12 | 2020-01-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| CN114340073A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 湖南鼎一致远科技发展有限公司 | 一种双面发光电致发光薄膜、制备方法及电致发光标识牌 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3350506A (en) * | 1967-10-31 | Image forming screen utilizing electroluminescent, ferroelectric and photcconductive materials | ||
| US4227193A (en) * | 1977-07-26 | 1980-10-07 | National Research Development Corporation | Method and apparatus for matrix addressing opto-electric displays |
| JPS57136675A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-23 | Fujitsu Ltd | Indicator |
| JPS62212693A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-18 | 関西日本電気株式会社 | セグメント型ｅｌの駆動方法 |
| JPH0380314A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 電源供給回路 |
| JPH03100397A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 圧縮機 |
| JPH03133093A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Toshiba Corp | Ｅｌ素子 |
| JPH03225794A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-04 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌパネルの電極 |
| JP2837013B2 (ja) * | 1992-01-17 | 1998-12-14 | 株式会社デンソー | Ｅｌ表示装置 |
-
1995
- 1995-02-03 JP JP7017074A patent/JP2848480B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-29 US US08/413,109 patent/US5691738A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07320870A (ja) | 1995-12-08 |
| US5691738A (en) | 1997-11-25 |
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