JPH0322394A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH0322394A JPH0322394A JP1157767A JP15776789A JPH0322394A JP H0322394 A JPH0322394 A JP H0322394A JP 1157767 A JP1157767 A JP 1157767A JP 15776789 A JP15776789 A JP 15776789A JP H0322394 A JPH0322394 A JP H0322394A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 薄型で表示の視認性が優れているた＆ Ｏ
Ａ機器等の端末ディスプレイとして最適である薄膜ＥＬ
素子に関するものであり、更に詳しくはコントラストの
良い薄膜ＥＬバネルに関するものであム 従来の技術 従来より薄膜ＥＬ素子をＸ−Ｙマトリックス構或にした
薄膜ＥＬディスプレイパネルが知られていも このパネ
ルは第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電体層の積層薄膜
の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群とを互いに直
交するように配置獣それぞれの電極群に接続された給電
線により、切り換え装置を通して信号を加えて両電極の
交点部分の蛍光体層を発光させ（この交点の発光部分面
を絵素と称する）、発光した絵素の組み合わせによって
文字記俵 図形等を表示させるものであも上記薄膜ＥＬ
ディスプレイパネルζ上 通常ガラス製の透光性基板上
に スズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）薄膜か
らなる透明な平行電極群を形或し その上に下部絶縁体
層、 蛍光体鳳上部絶縁体層を順次形威し さらにその
上に一般にＡｌ金属からなる背面平行電極群を前記透明
平行電極群に直交する配置で積層して作製すも蛍光体層
は一般にＺｎＳ母体に発光センターとしてＭｎや希土類
元素等をドーブしたもＱ あるいはＣａＳやＳｒＳ母体
に発光センターとしてＣａ， Ｅｕ等をドーブしたも
のが用いられも 上臥 及び下部誘電体層にはＹｅｓｓＳ Ｓｉｎｓ、Ａ
ｌａｒｍ、Ｔａ象Ｏｓ％ Ｓ＋＋ｎＯｓ，Ｓｉ参ＮａＪ
ａＴｉＯｓ，ＳｒＴｉ．Ｏ零、Ｐ ｂＴ ｉｏ 宴、お
よび１３ａＴａ＊Ｑ＠等から選ばれた絶縁体簿膜が用い
られも これらの第ｌ、第２誘電体層と蛍光体層は透光性の薄膜
であるた八 従来のＡ１背面電極は上記のような絵素に
給電する役割を担うだけでなく蛍光体層の内部で生じた
光を効率よく外部へ取り出す為の反射板の役割も果たし
ていｈ しかし 実際のＥＬディスブｌ／イバネルでは
前記Ａ１背面電極が外部の光に対しても反射板として働
くた＆ ＥＬディスブレイパネルが鏡面となり、パネ
ルのコントラストが低下する問題があム コントラスト
を改善ずるた吹 通象 円偏向フィルターや光吸収性の
フィルターをガラス基板前面設けも あるいは第２誘電
体層の一部または全部を黒色の光吸収性の薄膜で構戊す
るなどの工夫がなされていも発明が解決しようとする課
題 しかし 前者の場合で（上 フィルターにかかるコスト
が高い問題戟 また後者の場合で（上 一般的に光吸収
層が高い電気絶縁性を持ちにくいたべ電極のピッチを５
本／ ｍ ｍ程度にした高精細のＥＬディスプレイパネ
ルでζ上 発光させた絵素の周りの絵素にも電荷が流れ
高い電圧で高輝度に発光させた場合、電圧を印加しな
い絵素も発光するいわゆるクロストーク現象が生じ易い
問題と、上記光吸収層を蛍光体層に接した場合にはＥ
Ｌ素子の発光特怯 特に寿命特性が劣化する間玖 さら
に絵素の容量と絵素を発光させるための回路中の抵抗で
決定される回路全体の時定数が大きくなり、絵素に十分
な電荷が蓄積されないために高輝度且つ大面積のＥＬデ
ィスプレイパネルを得ることが困難になる問題があり、
ＥＬパネルの実用化を妨げていも 本発明（上 前記従来の課題を解決ヒ コストの安く、
クロストーク現象の生じないライフ特性の優れた高コン
トラストのＥＬディスプレイパネルを提供することを目
的とすも 課題を解決するための手段 本発明ζ上 透光性基板上に 透明電凰 第１誘電体層
、 蛍光体層、 第２誘電体鳳 および背面電極を順次
積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記背面電極の少
なくとも第２誘電体層に接する側を光吸収性のホウ化物
薄風 たとえば電気良導体のＴｉＢａとする。
Ａ機器等の端末ディスプレイとして最適である薄膜ＥＬ
素子に関するものであり、更に詳しくはコントラストの
良い薄膜ＥＬバネルに関するものであム 従来の技術 従来より薄膜ＥＬ素子をＸ−Ｙマトリックス構或にした
薄膜ＥＬディスプレイパネルが知られていも このパネ
ルは第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電体層の積層薄膜
の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群とを互いに直
交するように配置獣それぞれの電極群に接続された給電
線により、切り換え装置を通して信号を加えて両電極の
交点部分の蛍光体層を発光させ（この交点の発光部分面
を絵素と称する）、発光した絵素の組み合わせによって
文字記俵 図形等を表示させるものであも上記薄膜ＥＬ
ディスプレイパネルζ上 通常ガラス製の透光性基板上
に スズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）薄膜か
らなる透明な平行電極群を形或し その上に下部絶縁体
層、 蛍光体鳳上部絶縁体層を順次形威し さらにその
上に一般にＡｌ金属からなる背面平行電極群を前記透明
平行電極群に直交する配置で積層して作製すも蛍光体層
は一般にＺｎＳ母体に発光センターとしてＭｎや希土類
元素等をドーブしたもＱ あるいはＣａＳやＳｒＳ母体
に発光センターとしてＣａ， Ｅｕ等をドーブしたも
のが用いられも 上臥 及び下部誘電体層にはＹｅｓｓＳ Ｓｉｎｓ、Ａ
ｌａｒｍ、Ｔａ象Ｏｓ％ Ｓ＋＋ｎＯｓ，Ｓｉ参ＮａＪ
ａＴｉＯｓ，ＳｒＴｉ．Ｏ零、Ｐ ｂＴ ｉｏ 宴、お
よび１３ａＴａ＊Ｑ＠等から選ばれた絶縁体簿膜が用い
られも これらの第ｌ、第２誘電体層と蛍光体層は透光性の薄膜
であるた八 従来のＡ１背面電極は上記のような絵素に
給電する役割を担うだけでなく蛍光体層の内部で生じた
光を効率よく外部へ取り出す為の反射板の役割も果たし
ていｈ しかし 実際のＥＬディスブｌ／イバネルでは
前記Ａ１背面電極が外部の光に対しても反射板として働
くた＆ ＥＬディスブレイパネルが鏡面となり、パネ
ルのコントラストが低下する問題があム コントラスト
を改善ずるた吹 通象 円偏向フィルターや光吸収性の
フィルターをガラス基板前面設けも あるいは第２誘電
体層の一部または全部を黒色の光吸収性の薄膜で構戊す
るなどの工夫がなされていも発明が解決しようとする課
題 しかし 前者の場合で（上 フィルターにかかるコスト
が高い問題戟 また後者の場合で（上 一般的に光吸収
層が高い電気絶縁性を持ちにくいたべ電極のピッチを５
本／ ｍ ｍ程度にした高精細のＥＬディスプレイパネ
ルでζ上 発光させた絵素の周りの絵素にも電荷が流れ
高い電圧で高輝度に発光させた場合、電圧を印加しな
い絵素も発光するいわゆるクロストーク現象が生じ易い
問題と、上記光吸収層を蛍光体層に接した場合にはＥ
Ｌ素子の発光特怯 特に寿命特性が劣化する間玖 さら
に絵素の容量と絵素を発光させるための回路中の抵抗で
決定される回路全体の時定数が大きくなり、絵素に十分
な電荷が蓄積されないために高輝度且つ大面積のＥＬデ
ィスプレイパネルを得ることが困難になる問題があり、
ＥＬパネルの実用化を妨げていも 本発明（上 前記従来の課題を解決ヒ コストの安く、
クロストーク現象の生じないライフ特性の優れた高コン
トラストのＥＬディスプレイパネルを提供することを目
的とすも 課題を解決するための手段 本発明ζ上 透光性基板上に 透明電凰 第１誘電体層
、 蛍光体層、 第２誘電体鳳 および背面電極を順次
積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記背面電極の少
なくとも第２誘電体層に接する側を光吸収性のホウ化物
薄風 たとえば電気良導体のＴｉＢａとする。
作用
ＥＬディスプレイパネルのコントラストの改善｛上 絵
素の発光輝度に対して、ＥＬディスプレイパネルの背景
、即ち非発光時の絵素の明るさを十分暗くすることによ
ってなされも 背面電極の少なくとも第２誘電体層に接
する側に 光吸収性の薄膜を設けることによって外部光
の反射率を低減して非発光時の反射光による明るさを落
し コントラストが高く、クロストークの生じないＥＬ
ディスプレイパネルを得ることができも また 本発明
によれば ＥＬ素子の発光特咀 特に素子の寿命に関し
て重要な役割を担う蛍光体層と誘電体層との界面を変化
させることもなく、実用化の為の条件をすべて満たして
いも 一般に 遷移金属ホウ化物は熱伝導度が高く、電気の良
導体が多（１ たとえばＴｉＢ＊は１８μΩ・Ｃｍの低
抵抗を持つ。したがって、電気の良導体であるホウ化物
を用いた場合でｉ！ これ自身が電極となり得るため
従来の技術で記した時定数の問題は生じ得なｌ，％
ＴｉＢｓは抵抗率が上記のように低く、対にして設けら
れるＩＴＯ透明電極より約１桁低賎 しかも黒色といっ
た特徴がある光吸収性の電極となん 以上の説明のよう＋．：，ＥＩ，ディスプレイパネルの
背面電極を少なくとも第２誘電体層に接する側に光吸収
凰 たとえばＴａＢｅや’ＴｉＢｔ薄膜で構或すること
によって、コントラストや信頼性に優れたＥＬディスプ
レイパネルを製作できも実施例 以下阪 本発明の実施例について図面を参照Ｉ２ながら
説明すも 実施例１ 図は本発明にかかる薄膜ＥＬ素子の断面構造を示す。図
において、 １はガラス基板であり、その上に合金ター
ゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スバッター法で形或し
ピッチ０．２ｍｍｓ幅０．１６ｍｍの多数のストライ
プ状にエッチング加工して透明電極２とし魅 その上に
第１誘電体層としてＳｒ （Ｚｒｓ．２Ｔｉｓ．ｓ）
Ｏｓ薄膜３を形或した 薄膜の厚さは３００ｎｍであも
製膜には上記組或のセラミックをターゲットにした高
周波マグネトロンスバッター法を用いｔら その後ＥＢ蒸着法でＺｎＳ： Ｍｎ蛍光体薄膜４を５
００ｎｒｎの厚さに形戒した。発光センターのＭｎの含
量は０．８原子％にしｆ：． ＺｎＳ： Ｍｎ蛍光
体薄膜を形或する前後に 同じ＜ＥＢ蒸着法により同一
チャンバー中でＣａＳ薄膜５を各々５０ｎｍ形戒した
これは駆動時における輝度・電圧特性の安定化を図るた
めの拡散にたいするバッファ一層となａ 蛍光体薄膜形或後輝度アップのため真空雰囲気中で５５
０ｔ．， １時間の熱処理を行ったつぎに第２誘電体
層６をバッファ一層５の上に第２誘電体層と全く同じ手
法でＢａＴａｅＱｅ薄膜を３００ｎｍの厚さに形或した
最後にＴｉｌ３＊背面電極７をＴｉＢｅ化合物をター
ゲットにして６×１０−”ＴｏｒｒのＡ『ガス中で高周
波スパツター法で２ ０ ０ ｎｍの厚さに形或しｔ４
この時基板温度は２００℃とし？．，ＩＴＯ電極と
同じ０．２ｍｍピッチ、０．１６ｍｍ幅のストライブ状
電極にエッヂング加工し薄膜ＥＬ素子を完或しｔもさら
に比較のために 以上説明したＥＬ素子構或と全く同じ
であるカｔ 背面電極のみＡＩ金属とした従来のＥＬ素
子も作製しｔも 本発明の一実施例にかかる上記薄膜ＥＬ素子において、
コントラストについて調べた まず暗所で素子の平均輝
度が５０ｃｄ／ｍ”になる駆動電圧を測定しｔも つ
ぎに蛍光灯によりＥＬ素子の表面照度を１０００ルック
スとし 素子表面から蛍光灯の明るさを拡散反射させた
上記駆動電圧をオン及びオフした時の素子の輝度比を
求めコントラストとしｆ， その結果 従来の素子で
はコントラストは１３： １であったｈｔ 本発明のＴ
ｉＢ象薄膜を背面電極にしたものは７０： １のコント
ラストが得られ５倍強の改善がなされ？Ｑ， また輝
度・電圧特性の経時特性は従来と同様で何ら変わりはな
かっ九 実施例２ 実施例１と全く同じＥＬ素子を構或し１， ただし背
面電極のみをＴａＢ＊薄膜とし？．，ＴａＢ＊薄膜はＴ
ａＢ＊化合物をターゲットにして、高周波マグネトロン
スパッター法を用いてＴｉＢ＊薄膜と同じ条件で作製し
？，，．ＴａＢ２薄膜の比抵抗はＴｉＢ２薄膜に比較し
やや高く、約７０μΩ・ｃｍであったが電極として十分
な導電性を有しており、必要に応じて膜厚をコントロー
ルして電極抵抗を調節すればよ鶏 実施例１と同様なコ
ントラストの測定で同じ（７０：１の従来に比較して約
５倍強のコントラストがえらｔも 実施例３ 実施例１と全く同様のＥＬ素子を構或しｔも ただし
背面電極のみＷＢ薄膜とし丸 ＷＢ化合物をターゲット
とし高周波マグネトロンスバッター法を用いて２００ｎ
ｍの厚さの薄膜を形或した このＫＡｒのガス圧はＴａ
ＢｅやＴｉＩ３＊の場合と同じである戟 付着力を高め
るため基板温度をやや高めの３５０℃とし九 比抵抗は
ＴｉＢｇ膜と殆ど同一で２０μΩ・ｃｍであっｔ４
素子のコントラストは実施例１と同じ測定条件で６５：
ｌの値かえられた 実施例４ 実施例１と同様のＥＬ素子を構或し九 ただし背面電極
のみＣｒＢｓ薄膜とし７’，．ＣｒＢ２化合物をターゲ
ットとして高周波マグネトロンスバッター法を用いて２
０ ０ ｎｍの厚さの薄膜を形或したこの隊Ａｒのガ
ス圧及び基板温度は実施例３のＷＢの場合と同一とし１
， 薄膜の比抵抗は２５μΩ・ｃｍであっ１， 素
子のコントラストは実施例１と同じ測定条件で８０：
１と高い値が得られ九以上実施例で明かなよう？Ｑ
ＴｉＢ＊化合物と類似の性質を持つＺｒＢ＊化合￥！ｙ
Ｊ．ＴａＢｔと類似のＮ ｂＢ ＊化合惧 更にＷＢと
類似のＭｏＢ化合物においてもまた同様な効果を持った
薄膜ＥＬ素子が得られること（友 原理的に明かであも
更に 背面電極の内第２誘電体層に接する部分のみを
ホウ化物薄膜にし その上に他の金属薄膜、たとえばＡ
Ｉ金属をさらに重ねても外光反射が問題であるので本発
明の原理から考えて、一向に差し支えな鶏誘電体ならび
に蛍光体の種類も限定されるものではな（１ 発明の効果 以上のように本発明によれば コントラストに優れ か
つ長時間の駆動によっても輝度・電圧特性の変動が少な
い薄膜ＥＬ素子を製造でき、コンピュータ端末などの薄
瓢 高品位ディスプレイとして広く利用で叡 実用的価
値は犬き鶏
素の発光輝度に対して、ＥＬディスプレイパネルの背景
、即ち非発光時の絵素の明るさを十分暗くすることによ
ってなされも 背面電極の少なくとも第２誘電体層に接
する側に 光吸収性の薄膜を設けることによって外部光
の反射率を低減して非発光時の反射光による明るさを落
し コントラストが高く、クロストークの生じないＥＬ
ディスプレイパネルを得ることができも また 本発明
によれば ＥＬ素子の発光特咀 特に素子の寿命に関し
て重要な役割を担う蛍光体層と誘電体層との界面を変化
させることもなく、実用化の為の条件をすべて満たして
いも 一般に 遷移金属ホウ化物は熱伝導度が高く、電気の良
導体が多（１ たとえばＴｉＢ＊は１８μΩ・Ｃｍの低
抵抗を持つ。したがって、電気の良導体であるホウ化物
を用いた場合でｉ！ これ自身が電極となり得るため
従来の技術で記した時定数の問題は生じ得なｌ，％
ＴｉＢｓは抵抗率が上記のように低く、対にして設けら
れるＩＴＯ透明電極より約１桁低賎 しかも黒色といっ
た特徴がある光吸収性の電極となん 以上の説明のよう＋．：，ＥＩ，ディスプレイパネルの
背面電極を少なくとも第２誘電体層に接する側に光吸収
凰 たとえばＴａＢｅや’ＴｉＢｔ薄膜で構或すること
によって、コントラストや信頼性に優れたＥＬディスプ
レイパネルを製作できも実施例 以下阪 本発明の実施例について図面を参照Ｉ２ながら
説明すも 実施例１ 図は本発明にかかる薄膜ＥＬ素子の断面構造を示す。図
において、 １はガラス基板であり、その上に合金ター
ゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スバッター法で形或し
ピッチ０．２ｍｍｓ幅０．１６ｍｍの多数のストライ
プ状にエッチング加工して透明電極２とし魅 その上に
第１誘電体層としてＳｒ （Ｚｒｓ．２Ｔｉｓ．ｓ）
Ｏｓ薄膜３を形或した 薄膜の厚さは３００ｎｍであも
製膜には上記組或のセラミックをターゲットにした高
周波マグネトロンスバッター法を用いｔら その後ＥＢ蒸着法でＺｎＳ： Ｍｎ蛍光体薄膜４を５
００ｎｒｎの厚さに形戒した。発光センターのＭｎの含
量は０．８原子％にしｆ：． ＺｎＳ： Ｍｎ蛍光
体薄膜を形或する前後に 同じ＜ＥＢ蒸着法により同一
チャンバー中でＣａＳ薄膜５を各々５０ｎｍ形戒した
これは駆動時における輝度・電圧特性の安定化を図るた
めの拡散にたいするバッファ一層となａ 蛍光体薄膜形或後輝度アップのため真空雰囲気中で５５
０ｔ．， １時間の熱処理を行ったつぎに第２誘電体
層６をバッファ一層５の上に第２誘電体層と全く同じ手
法でＢａＴａｅＱｅ薄膜を３００ｎｍの厚さに形或した
最後にＴｉｌ３＊背面電極７をＴｉＢｅ化合物をター
ゲットにして６×１０−”ＴｏｒｒのＡ『ガス中で高周
波スパツター法で２ ０ ０ ｎｍの厚さに形或しｔ４
この時基板温度は２００℃とし？．，ＩＴＯ電極と
同じ０．２ｍｍピッチ、０．１６ｍｍ幅のストライブ状
電極にエッヂング加工し薄膜ＥＬ素子を完或しｔもさら
に比較のために 以上説明したＥＬ素子構或と全く同じ
であるカｔ 背面電極のみＡＩ金属とした従来のＥＬ素
子も作製しｔも 本発明の一実施例にかかる上記薄膜ＥＬ素子において、
コントラストについて調べた まず暗所で素子の平均輝
度が５０ｃｄ／ｍ”になる駆動電圧を測定しｔも つ
ぎに蛍光灯によりＥＬ素子の表面照度を１０００ルック
スとし 素子表面から蛍光灯の明るさを拡散反射させた
上記駆動電圧をオン及びオフした時の素子の輝度比を
求めコントラストとしｆ， その結果 従来の素子で
はコントラストは１３： １であったｈｔ 本発明のＴ
ｉＢ象薄膜を背面電極にしたものは７０： １のコント
ラストが得られ５倍強の改善がなされ？Ｑ， また輝
度・電圧特性の経時特性は従来と同様で何ら変わりはな
かっ九 実施例２ 実施例１と全く同じＥＬ素子を構或し１， ただし背
面電極のみをＴａＢ＊薄膜とし？．，ＴａＢ＊薄膜はＴ
ａＢ＊化合物をターゲットにして、高周波マグネトロン
スパッター法を用いてＴｉＢ＊薄膜と同じ条件で作製し
？，，．ＴａＢ２薄膜の比抵抗はＴｉＢ２薄膜に比較し
やや高く、約７０μΩ・ｃｍであったが電極として十分
な導電性を有しており、必要に応じて膜厚をコントロー
ルして電極抵抗を調節すればよ鶏 実施例１と同様なコ
ントラストの測定で同じ（７０：１の従来に比較して約
５倍強のコントラストがえらｔも 実施例３ 実施例１と全く同様のＥＬ素子を構或しｔも ただし
背面電極のみＷＢ薄膜とし丸 ＷＢ化合物をターゲット
とし高周波マグネトロンスバッター法を用いて２００ｎ
ｍの厚さの薄膜を形或した このＫＡｒのガス圧はＴａ
ＢｅやＴｉＩ３＊の場合と同じである戟 付着力を高め
るため基板温度をやや高めの３５０℃とし九 比抵抗は
ＴｉＢｇ膜と殆ど同一で２０μΩ・ｃｍであっｔ４
素子のコントラストは実施例１と同じ測定条件で６５：
ｌの値かえられた 実施例４ 実施例１と同様のＥＬ素子を構或し九 ただし背面電極
のみＣｒＢｓ薄膜とし７’，．ＣｒＢ２化合物をターゲ
ットとして高周波マグネトロンスバッター法を用いて２
０ ０ ｎｍの厚さの薄膜を形或したこの隊Ａｒのガ
ス圧及び基板温度は実施例３のＷＢの場合と同一とし１
， 薄膜の比抵抗は２５μΩ・ｃｍであっ１， 素
子のコントラストは実施例１と同じ測定条件で８０：
１と高い値が得られ九以上実施例で明かなよう？Ｑ
ＴｉＢ＊化合物と類似の性質を持つＺｒＢ＊化合￥！ｙ
Ｊ．ＴａＢｔと類似のＮ ｂＢ ＊化合惧 更にＷＢと
類似のＭｏＢ化合物においてもまた同様な効果を持った
薄膜ＥＬ素子が得られること（友 原理的に明かであも
更に 背面電極の内第２誘電体層に接する部分のみを
ホウ化物薄膜にし その上に他の金属薄膜、たとえばＡ
Ｉ金属をさらに重ねても外光反射が問題であるので本発
明の原理から考えて、一向に差し支えな鶏誘電体ならび
に蛍光体の種類も限定されるものではな（１ 発明の効果 以上のように本発明によれば コントラストに優れ か
つ長時間の駆動によっても輝度・電圧特性の変動が少な
い薄膜ＥＬ素子を製造でき、コンピュータ端末などの薄
瓢 高品位ディスプレイとして広く利用で叡 実用的価
値は犬き鶏
図は本発明の一実施例にかかる薄膜ＥＬ素子の構或を示
す断面図であも
す断面図であも
Claims (2)
- （１）透光性基板上に、透明電極、第１誘電体層、蛍
光体層、第２誘電体層および背面電極が順次積層されて
なる薄膜ＥＬ素子において、前記背面電極の全部、もし
くは少なくとも第２誘電体層に接する側が光吸収性のＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷのホウ化物か
ら選ばれた材料の薄膜であることを特徴とする薄膜ＥＬ
素子。 - （２）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、ＭｏまたはＷ
のホウ化物薄膜を、その元素のホウ化物をターゲットと
しＡｒガスを用いたスパッタリング法で作製したことを
特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157767A JPH0322394A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157767A JPH0322394A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322394A true JPH0322394A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15656867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1157767A Pending JPH0322394A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7151340B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display device with reduced deterioration of emission layer |
| US20110169117A1 (en) * | 2009-04-30 | 2011-07-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Cross-Talk Suppression in Geiger-Mode Avalanche Photodiodes |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP1157767A patent/JPH0322394A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7151340B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display device with reduced deterioration of emission layer |
| US20110169117A1 (en) * | 2009-04-30 | 2011-07-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Cross-Talk Suppression in Geiger-Mode Avalanche Photodiodes |
| US10361334B2 (en) | 2009-04-30 | 2019-07-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Cross-talk suppression in Geiger-mode avalanche photodiodes |
| US10636929B2 (en) * | 2009-04-30 | 2020-04-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Cross-talk suppression in Geiger-mode avalanche photodiodes |
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