JPH0322395A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH0322395A JPH0322395A JP1157797A JP15779789A JPH0322395A JP H0322395 A JPH0322395 A JP H0322395A JP 1157797 A JP1157797 A JP 1157797A JP 15779789 A JP15779789 A JP 15779789A JP H0322395 A JPH0322395 A JP H0322395A
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明１１ 薄型で表示の視認性が優れているた＆
ＯＡ機器等の端末ディスプレイとして最適である薄膜
ＥＬ素子に関するものであり、更に詳しくはコントラス
トの良い薄膜ＥＬパネルに関するものであも 従来の技術 従来より薄膜ＥＬ素子をＸ−Ｙマトリックス構戒にした
薄ＭＥＬディスプレイパネルが知られていも このパネ
ルは第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電体層の積層薄膜
の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群とを互いに直
交するように配置しそれぞれの電極群に接続された給電
線により、切り換え装置を通して信号を加えて両電極の
交点部分の蛍光体層を発光させ（この交点の発光部分面
を絵素と称する）、発光した絵素の組み合わせによって
文字記残 図形等を表示させるものである。
ＯＡ機器等の端末ディスプレイとして最適である薄膜
ＥＬ素子に関するものであり、更に詳しくはコントラス
トの良い薄膜ＥＬパネルに関するものであも 従来の技術 従来より薄膜ＥＬ素子をＸ−Ｙマトリックス構戒にした
薄ＭＥＬディスプレイパネルが知られていも このパネ
ルは第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電体層の積層薄膜
の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群とを互いに直
交するように配置しそれぞれの電極群に接続された給電
線により、切り換え装置を通して信号を加えて両電極の
交点部分の蛍光体層を発光させ（この交点の発光部分面
を絵素と称する）、発光した絵素の組み合わせによって
文字記残 図形等を表示させるものである。
上記薄膜ＥＬディスプレイパネルＧＥＬ 通常ガラス
製の透光性基板上に スズをドープした酸化インジウム
（ＩＴ○）薄膜からなる透明な平行電極群を形或し そ
の上に下部絶縁体層、 蛍光体層、上部絶縁体層を順次
形威し さらにその上に一般にＡ１金属からなる背面平
行電極群を前記透明平行電極群に直交する配置で積層し
て作製すも蛍光体層は一般にＺｎＳ母体に発光センター
としてＭｎや希土類元素等をドーブしたもの、あるいは
ＣａＳやＳｒＳ母体に発光センターとしてＣｅ， Ｅｕ
等をドープしたものが用いられも 上敵 及び下部誘電体層にはＹｅｓｓ Ｓｓｉｏｓ，
Ａｌｔｏｓ、Ｔａｇ’ｓ， Ｓｍ２０ｓ、ＳｉｓＮｉ、
ＢａＴｉＯｓ．．ＳｒＴｉＯｓ， ＰｂＴｉＯｓ、およ
びＢａＴａａ Ｏｓ等から選ばれた絶縁体薄膜が用いら
れも これらの第１、第２誘電体層と蛍光体層は透光性の薄膜
であるたム 従来のＡＩ背面電極は上記のような絵素に
給電する役割を担うだけでなく蛍光体層の内部で生じた
光を効率よく外部へ取り出す為の反射板の役割も果たし
ていも しかし 実際のＥＬディスプレイパネルでは前
記ＡＩ背面電極が外部の光に対しても反射板として働く
た＆ ＥＬディスプレイパネルが鏡面となり、パネル
のコントラストが低下する問題があも コントラストを
改善するた敗 通家 円偏向フィルターや光吸収性のフ
ィルターをガラス基板前面設けも あるいは第２誘電体
層の一部または全部を黒色の光吸収性の薄膜で構或する
などの工夫がなされていも発明が解決しようとする課題 しかし 前者の場合では フィルターにかかるコストが
高い問題力丈 また後者の場合で（九 一般的に光吸収
層が高い電気絶縁性を持ちにくいた吹電極のピッチを５
本／ｍｍ程度にした高精細のＥＬディスプレイパネルで
（よ 発光させた絵素の周りの絵素にも電荷が流れ 高
い電圧で高輝度に発光させた場合、電圧を印加しない絵
素も発光するいわゆるクロストーク現象が生じ易い問題
と、上記光吸収層を蛍光体層に接した場合にはＥＬ素子
の発光特怯 特に寿命特性が劣化する問題 さらに絵素
の容量と絵素を発光させるための回路中の抵抗で決定さ
れる回路全体の時定数が大きくなり、絵素に十分な電荷
が蓄積されないために高輝度且つ大面積のＥＬディスプ
レイパネルを得ることが困難になる問題があり、ＥＬバ
ネルの実用化を妨げていも 本発明は 前記従来の課題を解決し コストの安く、ク
ロストーク現象の生じないライフ特性の優れた高コント
ラストのＥＬディスプレイパネルを提供することを目的
とすも 課題を解決するための手段 本発明は 透光性基板上に 透明電極、 第１誘電体層
、 蛍光体層、 第２誘電体層、 および背面電極を順
次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記背面電極の
少なくとも第２誘電体層に接する側を光吸収性のケイ化
物薄風 たとえば電気良導体のＴｉＳｉ２とすも 作用 ＥＬディスプレイパネルのコントラストの改善｛友 絵
素の発光輝度に対して、ＥＬディスプレイパネルの背景
、即ち非発光時の絵素の明るさを十分暗くすることによ
ってなされも 背面電極の少なくとも第２誘電体層に接
する側に 光吸収性の薄膜を設けることによって外部光
の反射率を低減して非発光時の反射光による明るさを落
し コントラストが高く、クロストークの生じないＥＬ
ディスプレイパネルを得ることができも また 本発明
によれ＋ｉＥＬ素子の発光特怯 特に素子の寿命に関し
て重要な役割を担う蛍光体層と誘電体層との界面を変化
させることもなく、実用化の為の条件をすべて満たして
いも 一般に 遷移金属ケイ化物は熱伝導度が高く、電気の良
導体が多鶏 たとえばＴａＳｉａは１ｏμΩ・ｃｍの低
抵抗を持つ。したがって、電気の良導体であるケイ化物
を用いた場合で（上 これ自身が電極となり得るため従
来の技術で記した時定数の問題は生じ得なＬｙ Ｔａ
ｃｉｔは抵抗率が上記のように低く、対にして設けられ
るＩＴ○透明電極より約ｌ桁以上低（１ しかも黒色と
いった特徴がある光吸収性の電極となん 以上の説明のように ＥＬディスプレイパネルの背面電
極を少なくとも第２誘電体層に接する側に光吸収凰 た
とえばＴａＳｉ２やＴｉＳｉｚ薄膜で構或することによ
って、コントラストや信頼性に優れたＥＬディスプレイ
パネルを製作できも 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも 実施例１ 図は本発明にかかる薄膜ＥＬ素子の断面構造を示す。図
において、 １はガラス基板であり、その上に合金ター
ゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スバッター法で形或し
、ピッチ０．２ｍｍ，幅０．１６ｍｍの多数のストライ
プ状にエッチング加工して透明電極２としｔも その
上に第１誘電体層としてＳｒ （Ｚｒ＊．ａＴｉ＊．ｓ
）０３薄膜３を形或した 薄膜の厚さは３ ０ ０ ｎ
ｍであも 製膜には上記組或のセラミックをターゲット
にした高周波マグネトロンスバッター法を用いた その後ＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体薄膜４を５００
ｎｍの厚さに形戊しｔも 発光センターのＭｎの含量
は０．８原子％にしｆ：，， ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体薄
膜を形或する前後に 同じ＜ＥＢ蒸着法により同一チャ
ンバー中でＣａＳ薄膜５を各々５０ｎｍ形戒した これ
は駆動時における輝度・電圧特性の安定化を図るための
拡散にたいするバッファ一層となん蛍光体薄膜形戊後輝
度アップのため真空雰囲気中で５５０族 １時間の熱処
理を行っ？Ｑ，つぎに第２誘電体層６をバッフ７一層５
の上に第２誘電体層と全く同じ手法でＢａＴａ＊ Ｏ●
薄膜を３００ｎｍの厚さに形或しｆ， 最後にＴａｃ
ｉｔ背面電極７をＴａｘｉｓ化合物をターゲットにして
６Ｘ１０−”ＴｏｒｒのＡｒガス中で高周波スバッター
法で２００ｎｍの厚さに形戊した この時基板温度は３
００℃とし？＝ＩＴＯ電極と同じ０．２ｍｍピッチ、０
．１６ｍｍ幅のストライブ状電極にエッチング加工し薄
膜ＥＬ素子を完或し九 さらに比較のために 以上説明したＥＬ素子構戒と全く
同じであるバ 背面電極のみＡＩ金属とした従来のＥＬ
素子も作製し？， 本発明の一実施例にかかる上記薄膜ＥＬ素子において、
コントラストについて調べ氾 まず暗所で素子の平均輝
度が５０ｃｄ／ｍ”になる駆動電圧を測定しｔ４ つ
ぎに蛍光灯によりＥＬ素子の表面照度を１０００ルック
スとし 素子表面から蛍光灯の明るさを拡散反射させｔ
も 上記駆動電圧をオン及びオフした時の素子の輝度
比を求めコントラストとし九 その結粂 従来の素子で
はコントラストは１３： １であった力交 本発明のＴ
ａＳ ｉ ｅ薄膜を背面電極にしたものは７５： １の
コントラストが得られ約６倍の改善がなされ九 また輝
度・電圧特性の経時特性は従来と同様で何ら変わりはな
かつｔら 実施例２ 実施例１と全く同じＥＬ素子を構或しｔラ ただし背
面電極のみをＴｉＳｉ２薄膜とした ＴｉＳｉｓ薄膜は
ＴｉＳｉ２化合物をターゲットにして、高周波マグネト
ロンスパッター法を用いてＴａｃｉｔ薄膜と同じ条件で
作製し？．， Ｔ ｉ Ｓ ｉ ａ薄膜の比抵抗はＴ
ａＳｉｔ薄膜に比較し１桁高く、約１１０μΩ・ｃｍで
あったが電極として十分な導電性を有しており、必要に
応じて膜厚をコントロールして電極抵抗を調節すればよ
鶏 実施例ｌと同様なコントラストの測定でほぼ同じ７
３： １の従来に比較して約５倍強のコントラストかえ
られｔも 実施例３ 実施例ｌと全く同様のＥＬ素子を構戒しｔラ ただし
背面電極のみＷＳｉｉ薄膜としｆ．− ＷＳ ｉ ｅ
化合物をターゲットとし高周波マグネトロンスバッター
法を用いて２００ｎｍの厚さの薄膜を形或しｔラ こ
のＫ Ａｒのガス圧はＴａＳｉａやＴｉＳｉａの場合
と同じである力交 付着力を高めるため基板温度をやや
高めの３５０℃とした 比抵抗はＴａＳｉ２膜より幾分
高い４０μΩ・Ｃｍであっ？， 素子のコントラスト
は実施例１と同じ測定条件で８０： １の値かえられた 以上実施例で明かなようＩＱ ＴｉＳｉ２化合物と類
似の性質を持ツＺｒＳｉ２化合＃’Ｊ． Ｔａｘｉｓ
と類似のＮｂＳＬ２化合糎 更にＷＳｉｉと類似のＭｏ
Ｓｉａ、ＣｒＳｉｇ化合物においてもまた同様な効果を
持った薄膜ＥＬ素子が得られること（よ 原理的に明か
であも 更に 背面電極の内第２誘電体層に接する部分
のみをケイ化物薄膜にし その上に他の金属薄風 たと
えばＡ１金属をさらに重ねても外光反射が問題であるの
で本発明の原理から考えて、一向に差し支えな〜１誘電
体ならびに蛍光体の種類も限定されるものではなＩＩ１ 発明の効果 以上のように本発明によれば コントラストに優れ か
つ長時間の駆動によっても輝度・電圧特性の変動が少な
い薄膜ＥＬ素子を製造でき、コンピュータ端末などの薄
瓢 高品位ディスプレイとして広く利用でき、実用的価
値は大き鶏
製の透光性基板上に スズをドープした酸化インジウム
（ＩＴ○）薄膜からなる透明な平行電極群を形或し そ
の上に下部絶縁体層、 蛍光体層、上部絶縁体層を順次
形威し さらにその上に一般にＡ１金属からなる背面平
行電極群を前記透明平行電極群に直交する配置で積層し
て作製すも蛍光体層は一般にＺｎＳ母体に発光センター
としてＭｎや希土類元素等をドーブしたもの、あるいは
ＣａＳやＳｒＳ母体に発光センターとしてＣｅ， Ｅｕ
等をドープしたものが用いられも 上敵 及び下部誘電体層にはＹｅｓｓ Ｓｓｉｏｓ，
Ａｌｔｏｓ、Ｔａｇ’ｓ， Ｓｍ２０ｓ、ＳｉｓＮｉ、
ＢａＴｉＯｓ．．ＳｒＴｉＯｓ， ＰｂＴｉＯｓ、およ
びＢａＴａａ Ｏｓ等から選ばれた絶縁体薄膜が用いら
れも これらの第１、第２誘電体層と蛍光体層は透光性の薄膜
であるたム 従来のＡＩ背面電極は上記のような絵素に
給電する役割を担うだけでなく蛍光体層の内部で生じた
光を効率よく外部へ取り出す為の反射板の役割も果たし
ていも しかし 実際のＥＬディスプレイパネルでは前
記ＡＩ背面電極が外部の光に対しても反射板として働く
た＆ ＥＬディスプレイパネルが鏡面となり、パネル
のコントラストが低下する問題があも コントラストを
改善するた敗 通家 円偏向フィルターや光吸収性のフ
ィルターをガラス基板前面設けも あるいは第２誘電体
層の一部または全部を黒色の光吸収性の薄膜で構或する
などの工夫がなされていも発明が解決しようとする課題 しかし 前者の場合では フィルターにかかるコストが
高い問題力丈 また後者の場合で（九 一般的に光吸収
層が高い電気絶縁性を持ちにくいた吹電極のピッチを５
本／ｍｍ程度にした高精細のＥＬディスプレイパネルで
（よ 発光させた絵素の周りの絵素にも電荷が流れ 高
い電圧で高輝度に発光させた場合、電圧を印加しない絵
素も発光するいわゆるクロストーク現象が生じ易い問題
と、上記光吸収層を蛍光体層に接した場合にはＥＬ素子
の発光特怯 特に寿命特性が劣化する問題 さらに絵素
の容量と絵素を発光させるための回路中の抵抗で決定さ
れる回路全体の時定数が大きくなり、絵素に十分な電荷
が蓄積されないために高輝度且つ大面積のＥＬディスプ
レイパネルを得ることが困難になる問題があり、ＥＬバ
ネルの実用化を妨げていも 本発明は 前記従来の課題を解決し コストの安く、ク
ロストーク現象の生じないライフ特性の優れた高コント
ラストのＥＬディスプレイパネルを提供することを目的
とすも 課題を解決するための手段 本発明は 透光性基板上に 透明電極、 第１誘電体層
、 蛍光体層、 第２誘電体層、 および背面電極を順
次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記背面電極の
少なくとも第２誘電体層に接する側を光吸収性のケイ化
物薄風 たとえば電気良導体のＴｉＳｉ２とすも 作用 ＥＬディスプレイパネルのコントラストの改善｛友 絵
素の発光輝度に対して、ＥＬディスプレイパネルの背景
、即ち非発光時の絵素の明るさを十分暗くすることによ
ってなされも 背面電極の少なくとも第２誘電体層に接
する側に 光吸収性の薄膜を設けることによって外部光
の反射率を低減して非発光時の反射光による明るさを落
し コントラストが高く、クロストークの生じないＥＬ
ディスプレイパネルを得ることができも また 本発明
によれ＋ｉＥＬ素子の発光特怯 特に素子の寿命に関し
て重要な役割を担う蛍光体層と誘電体層との界面を変化
させることもなく、実用化の為の条件をすべて満たして
いも 一般に 遷移金属ケイ化物は熱伝導度が高く、電気の良
導体が多鶏 たとえばＴａＳｉａは１ｏμΩ・ｃｍの低
抵抗を持つ。したがって、電気の良導体であるケイ化物
を用いた場合で（上 これ自身が電極となり得るため従
来の技術で記した時定数の問題は生じ得なＬｙ Ｔａ
ｃｉｔは抵抗率が上記のように低く、対にして設けられ
るＩＴ○透明電極より約ｌ桁以上低（１ しかも黒色と
いった特徴がある光吸収性の電極となん 以上の説明のように ＥＬディスプレイパネルの背面電
極を少なくとも第２誘電体層に接する側に光吸収凰 た
とえばＴａＳｉ２やＴｉＳｉｚ薄膜で構或することによ
って、コントラストや信頼性に優れたＥＬディスプレイ
パネルを製作できも 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも 実施例１ 図は本発明にかかる薄膜ＥＬ素子の断面構造を示す。図
において、 １はガラス基板であり、その上に合金ター
ゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スバッター法で形或し
、ピッチ０．２ｍｍ，幅０．１６ｍｍの多数のストライ
プ状にエッチング加工して透明電極２としｔも その
上に第１誘電体層としてＳｒ （Ｚｒ＊．ａＴｉ＊．ｓ
）０３薄膜３を形或した 薄膜の厚さは３ ０ ０ ｎ
ｍであも 製膜には上記組或のセラミックをターゲット
にした高周波マグネトロンスバッター法を用いた その後ＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体薄膜４を５００
ｎｍの厚さに形戊しｔも 発光センターのＭｎの含量
は０．８原子％にしｆ：，， ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体薄
膜を形或する前後に 同じ＜ＥＢ蒸着法により同一チャ
ンバー中でＣａＳ薄膜５を各々５０ｎｍ形戒した これ
は駆動時における輝度・電圧特性の安定化を図るための
拡散にたいするバッファ一層となん蛍光体薄膜形戊後輝
度アップのため真空雰囲気中で５５０族 １時間の熱処
理を行っ？Ｑ，つぎに第２誘電体層６をバッフ７一層５
の上に第２誘電体層と全く同じ手法でＢａＴａ＊ Ｏ●
薄膜を３００ｎｍの厚さに形或しｆ， 最後にＴａｃ
ｉｔ背面電極７をＴａｘｉｓ化合物をターゲットにして
６Ｘ１０−”ＴｏｒｒのＡｒガス中で高周波スバッター
法で２００ｎｍの厚さに形戊した この時基板温度は３
００℃とし？＝ＩＴＯ電極と同じ０．２ｍｍピッチ、０
．１６ｍｍ幅のストライブ状電極にエッチング加工し薄
膜ＥＬ素子を完或し九 さらに比較のために 以上説明したＥＬ素子構戒と全く
同じであるバ 背面電極のみＡＩ金属とした従来のＥＬ
素子も作製し？， 本発明の一実施例にかかる上記薄膜ＥＬ素子において、
コントラストについて調べ氾 まず暗所で素子の平均輝
度が５０ｃｄ／ｍ”になる駆動電圧を測定しｔ４ つ
ぎに蛍光灯によりＥＬ素子の表面照度を１０００ルック
スとし 素子表面から蛍光灯の明るさを拡散反射させｔ
も 上記駆動電圧をオン及びオフした時の素子の輝度
比を求めコントラストとし九 その結粂 従来の素子で
はコントラストは１３： １であった力交 本発明のＴ
ａＳ ｉ ｅ薄膜を背面電極にしたものは７５： １の
コントラストが得られ約６倍の改善がなされ九 また輝
度・電圧特性の経時特性は従来と同様で何ら変わりはな
かつｔら 実施例２ 実施例１と全く同じＥＬ素子を構或しｔラ ただし背
面電極のみをＴｉＳｉ２薄膜とした ＴｉＳｉｓ薄膜は
ＴｉＳｉ２化合物をターゲットにして、高周波マグネト
ロンスパッター法を用いてＴａｃｉｔ薄膜と同じ条件で
作製し？．， Ｔ ｉ Ｓ ｉ ａ薄膜の比抵抗はＴ
ａＳｉｔ薄膜に比較し１桁高く、約１１０μΩ・ｃｍで
あったが電極として十分な導電性を有しており、必要に
応じて膜厚をコントロールして電極抵抗を調節すればよ
鶏 実施例ｌと同様なコントラストの測定でほぼ同じ７
３： １の従来に比較して約５倍強のコントラストかえ
られｔも 実施例３ 実施例ｌと全く同様のＥＬ素子を構戒しｔラ ただし
背面電極のみＷＳｉｉ薄膜としｆ．− ＷＳ ｉ ｅ
化合物をターゲットとし高周波マグネトロンスバッター
法を用いて２００ｎｍの厚さの薄膜を形或しｔラ こ
のＫ Ａｒのガス圧はＴａＳｉａやＴｉＳｉａの場合
と同じである力交 付着力を高めるため基板温度をやや
高めの３５０℃とした 比抵抗はＴａＳｉ２膜より幾分
高い４０μΩ・Ｃｍであっ？， 素子のコントラスト
は実施例１と同じ測定条件で８０： １の値かえられた 以上実施例で明かなようＩＱ ＴｉＳｉ２化合物と類
似の性質を持ツＺｒＳｉ２化合＃’Ｊ． Ｔａｘｉｓ
と類似のＮｂＳＬ２化合糎 更にＷＳｉｉと類似のＭｏ
Ｓｉａ、ＣｒＳｉｇ化合物においてもまた同様な効果を
持った薄膜ＥＬ素子が得られること（よ 原理的に明か
であも 更に 背面電極の内第２誘電体層に接する部分
のみをケイ化物薄膜にし その上に他の金属薄風 たと
えばＡ１金属をさらに重ねても外光反射が問題であるの
で本発明の原理から考えて、一向に差し支えな〜１誘電
体ならびに蛍光体の種類も限定されるものではなＩＩ１ 発明の効果 以上のように本発明によれば コントラストに優れ か
つ長時間の駆動によっても輝度・電圧特性の変動が少な
い薄膜ＥＬ素子を製造でき、コンピュータ端末などの薄
瓢 高品位ディスプレイとして広く利用でき、実用的価
値は大き鶏
図は本発明の一実施例にかかる薄膜ＥＬ素子の構戊を示
す断面図であも
す断面図であも
Claims (2)
- （１）透光性基板上に、透明電極、第１誘電体層、蛍
光体層、第２誘電体層および背面電極が順次積層されて
なる薄膜ＥＬ素子において、前記背面電極の全部、もし
くは少なくとも第２誘電体層に接する側が光吸収性のＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷのケイ化
物から選ばれた材料の薄膜であることを特徴とする薄膜
ＥＬ素子。 - （２）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ又は
Ｗのケイ化物薄膜を、その元素のケイ化物をターゲット
としＡｒガスを用いたスパッタリング法で作製したこと
を特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157797A JPH0322395A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157797A JPH0322395A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322395A true JPH0322395A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15657499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1157797A Pending JPH0322395A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322395A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511395U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-12 | 竹松 良行 | 照明用ライト回路 |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP1157797A patent/JPH0322395A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511395U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-12 | 竹松 良行 | 照明用ライト回路 |
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