JPH1069979A - 交流（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）粉末エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び素子構造 - Google Patents
交流（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）粉末エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び素子構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易で明るい光を発することができる
エレクトロルミネッセンス素子の構造及び製造方法を提
供する。 【解決手段】 プラスチック薄膜基板１１を用いてＥＬ
素子を製造する方法であって、プラスチック薄膜基板１
１の上に銀またはアルミニウム蒸着された金属電極層１
０を形成する過程と、金属電極層１０の上に誘電体薄膜
層４を形成する過程と、誘電体薄膜層４にＺｎＳ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体からなる発光体粉末粒子７をバ
インダー８と混合し発光層６を塗布する過程と、発光層
６の上にスピンコーティング法またはスクリーン印刷法
等の液相工程で透明電極１を形成する過程を含む。
エレクトロルミネッセンス素子の構造及び製造方法を提
供する。 【解決手段】 プラスチック薄膜基板１１を用いてＥＬ
素子を製造する方法であって、プラスチック薄膜基板１
１の上に銀またはアルミニウム蒸着された金属電極層１
０を形成する過程と、金属電極層１０の上に誘電体薄膜
層４を形成する過程と、誘電体薄膜層４にＺｎＳ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体からなる発光体粉末粒子７をバ
インダー８と混合し発光層６を塗布する過程と、発光層
６の上にスピンコーティング法またはスクリーン印刷法
等の液相工程で透明電極１を形成する過程を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、製造が容易であ
り、明るい光を発することができるＡＣ（Ａｌｔｅｒｎ
ａｔｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）粉末エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子と称する）の構造及びその製
造方法に関するものである。
り、明るい光を発することができるＡＣ（Ａｌｔｅｒｎ
ａｔｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）粉末エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子と称する）の構造及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来のＡＣ粉末ＥＬ素子の概略
的な構造を示した図面である。従来のＡＣ粉末ＥＬ素子
は、プラスチック基板１１の上に形成された金属電極層
１０と、その上に形成された誘電体薄膜層４と、誘電体
薄膜層４の上に形成された粉末性発光物質７を含む発光
層６と、発光層６の上にポリマー基板１３にＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜を真空蒸着させ
て形成した透明電極層と、を含む構造からなっている。
的な構造を示した図面である。従来のＡＣ粉末ＥＬ素子
は、プラスチック基板１１の上に形成された金属電極層
１０と、その上に形成された誘電体薄膜層４と、誘電体
薄膜層４の上に形成された粉末性発光物質７を含む発光
層６と、発光層６の上にポリマー基板１３にＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜を真空蒸着させ
て形成した透明電極層と、を含む構造からなっている。
【０００３】このような、従来のＡＣ粉末ＥＬ素子は輝
度が低いため、その用途が極めて制限されていた。特
に、多くの需要が予想されるＬＣＤ用のバックライトの
場合、一般的に画面の輝度が１００〜１５０ｃｄ／ｍ2
程度であり、ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒ ｔｗｉｓｔｅｄ ｎ
ｅｍａｔｉｃ）級に用いるためには、光の損失を考慮し
た場合、少なくとも１２０ｃｄ／ｍ2以上が要求され
る。しかし、現在のＡＣ粉末ＥＬ素子の輝度は約７０〜
８０ｃｄ／ｍ2程度に過ぎず、用途の拡大のためには高
輝度のＡＣ粉末ＥＬ素子の開発が要求されている。価格
もまたＡＣ粉末ＥＬ素子の用途を制限する重要な要因の
一つであり、素子の低価格化のためには素子構造の単純
化または工程の単純化が要求される。
度が低いため、その用途が極めて制限されていた。特
に、多くの需要が予想されるＬＣＤ用のバックライトの
場合、一般的に画面の輝度が１００〜１５０ｃｄ／ｍ2
程度であり、ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒ ｔｗｉｓｔｅｄ ｎ
ｅｍａｔｉｃ）級に用いるためには、光の損失を考慮し
た場合、少なくとも１２０ｃｄ／ｍ2以上が要求され
る。しかし、現在のＡＣ粉末ＥＬ素子の輝度は約７０〜
８０ｃｄ／ｍ2程度に過ぎず、用途の拡大のためには高
輝度のＡＣ粉末ＥＬ素子の開発が要求されている。価格
もまたＡＣ粉末ＥＬ素子の用途を制限する重要な要因の
一つであり、素子の低価格化のためには素子構造の単純
化または工程の単純化が要求される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、このような従来の問題点を解決すべくなされたもの
で、高輝度を発しながら構造の単純なＡＣ粉末ＥＬ素子
及びその製造方法を提供することを目的としている。
は、このような従来の問題点を解決すべくなされたもの
で、高輝度を発しながら構造の単純なＡＣ粉末ＥＬ素子
及びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板１
１と、前記基板上に形成された高反射性の金属電極層１
０と、前記金属電極層１０の上に形成された誘電体薄膜
層４と、前記誘電体薄膜層４の上に形成された発光層６
と、前記発光層６の上に形成され透明導伝性粉末と導電
性の高透明性バインダーとの混合からなる透明電極１
と、を含むＥＬ素子が提供される。
１と、前記基板上に形成された高反射性の金属電極層１
０と、前記金属電極層１０の上に形成された誘電体薄膜
層４と、前記誘電体薄膜層４の上に形成された発光層６
と、前記発光層６の上に形成され透明導伝性粉末と導電
性の高透明性バインダーとの混合からなる透明電極１
と、を含むＥＬ素子が提供される。
【０００６】上記の課題を解決するために、本発明によ
れば、プラスチック基板１１を用いてＡＣ粉末ＥＬ素子
を製造する方法は、前記プラスチック基板１１の上に一
方向きに光を指向させるため、高反射性の銀またはアル
ミニウム蒸着された金属電極層１０を形成する過程と、
前記金属電極層１０の上にＢａＴｉＯ3等の誘電性物質
の粉末と誘電体用バインダー（ｂｉｎｄｅｒ）とが混合
された誘電体薄膜層４を形成する過程と、前記誘電体薄
膜層４にＺｎＳ等の粉末性発光物質７を発光体用バイン
ダー８と混合した発光層６を塗布する過程と、前記発光
層６の上に、透明電極用バインダー３と混合されたＩＴ
Ｏ粉末２とを含む透明電極１を形成する過程と、を有し
ている。
れば、プラスチック基板１１を用いてＡＣ粉末ＥＬ素子
を製造する方法は、前記プラスチック基板１１の上に一
方向きに光を指向させるため、高反射性の銀またはアル
ミニウム蒸着された金属電極層１０を形成する過程と、
前記金属電極層１０の上にＢａＴｉＯ3等の誘電性物質
の粉末と誘電体用バインダー（ｂｉｎｄｅｒ）とが混合
された誘電体薄膜層４を形成する過程と、前記誘電体薄
膜層４にＺｎＳ等の粉末性発光物質７を発光体用バイン
ダー８と混合した発光層６を塗布する過程と、前記発光
層６の上に、透明電極用バインダー３と混合されたＩＴ
Ｏ粉末２とを含む透明電極１を形成する過程と、を有し
ている。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
に係る実施の形態について説明する。なお、各実施の形
態間において共通する部分、部位には同一の符号を付
し、重複する説明は省略する。
に係る実施の形態について説明する。なお、各実施の形
態間において共通する部分、部位には同一の符号を付
し、重複する説明は省略する。
【０００８】まず、図２を参照し、本発明のＡＣ粉末エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法を詳細に説明す
る。プラスチック薄膜基板１１の上に金属電極層１０を
塗布するが、光を一方向きに反射させるため、高反射性
の銀またはアルミニウムを蒸着させる。この金属電極層
１０の上には粒子径が３μｍ以下であるＢａＴｉＯ3等
の誘電性物質の粉末と、誘電体用バインダーと、を混合
した誘電体層４または可トウ性のある誘電体薄膜をコー
ティングする。ここで、例えば誘電体用バインダーとし
ては、ポリビニルアルコール（以下ＰＶＡと略記する）
ポリマーにジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を可塑材
（ｐｌａｓｔｉｃｉｚｅｒ）として混合させたものを挙
げることができる。しかしながら、当業界で知られてい
るＰＶＡ誘導体も本願発明においては用いることができ
る。塗布時には、粉末及びバインダーとが液体状態で混
合されている。従って、スピンコーティング法またはス
クリーン印刷法を用いて容易に膜をコーティングするこ
とができる。ここで、スピンコーティング法とは、液体
状態の塗布物質を回転板上に落としながら回転させて薄
く、均一な膜を塗布する方法をいう。また、スクリーン
印刷法とは、液体状態の塗布物質をシルクまたはステン
レススチールからなる網（メッシュ）上に載せ、ソフト
プラスチックバー（ｓｏｆｔ ｐｌａｓｔｉｃ ｂａ
ｒ）で擦りながら網を通過させて、塗布物質の薄く、均
一な膜を得る塗布方法である。
レクトロルミネッセンス素子の製造方法を詳細に説明す
る。プラスチック薄膜基板１１の上に金属電極層１０を
塗布するが、光を一方向きに反射させるため、高反射性
の銀またはアルミニウムを蒸着させる。この金属電極層
１０の上には粒子径が３μｍ以下であるＢａＴｉＯ3等
の誘電性物質の粉末と、誘電体用バインダーと、を混合
した誘電体層４または可トウ性のある誘電体薄膜をコー
ティングする。ここで、例えば誘電体用バインダーとし
ては、ポリビニルアルコール（以下ＰＶＡと略記する）
ポリマーにジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を可塑材
（ｐｌａｓｔｉｃｉｚｅｒ）として混合させたものを挙
げることができる。しかしながら、当業界で知られてい
るＰＶＡ誘導体も本願発明においては用いることができ
る。塗布時には、粉末及びバインダーとが液体状態で混
合されている。従って、スピンコーティング法またはス
クリーン印刷法を用いて容易に膜をコーティングするこ
とができる。ここで、スピンコーティング法とは、液体
状態の塗布物質を回転板上に落としながら回転させて薄
く、均一な膜を塗布する方法をいう。また、スクリーン
印刷法とは、液体状態の塗布物質をシルクまたはステン
レススチールからなる網（メッシュ）上に載せ、ソフト
プラスチックバー（ｓｏｆｔ ｐｌａｓｔｉｃ ｂａ
ｒ）で擦りながら網を通過させて、塗布物質の薄く、均
一な膜を得る塗布方法である。
【０００９】一方、既存の方法では、シアノレジン系バ
インダー、すなわち高誘電性バインダとしてシアノ基を
含有するポリマーを用いていたが、これは値段が高いだ
けではなく、製造工程時に長時間露出されると人体に有
害である。しかし、ＰＶＡ及びその誘導体ポリマーは値
段も安く、かつ、無害である。
インダー、すなわち高誘電性バインダとしてシアノ基を
含有するポリマーを用いていたが、これは値段が高いだ
けではなく、製造工程時に長時間露出されると人体に有
害である。しかし、ＰＶＡ及びその誘導体ポリマーは値
段も安く、かつ、無害である。
【００１０】次いで、粒子の大きさが２０〜３０μｍ程
度であるＺｎＳ等の粉末発光物質７と、ＰＶＡ系のポリ
マーと、可塑材と、を混合して形成された発光体用バイ
ンダー８が混合されている発光層６をコーティングす
る。ここで、発光層６を形成する際、発光物質にドーピ
ングを行うことで光の三原色である赤、緑及び青の３つ
の色が得られる。例えば、ＺｎＳにＳｍまたはＺｎＳに
Ｃｕ、Ｍｎ及びＣｌをドーピングさせると赤が、ＺｎＳ
にＴｂまたはＺｎＳにＣｕとＡｌをドーピングさせると
緑が、ＺｎＳにＴｍまたはＺｎＳにＣｕとＣｌをドーピ
ングさせると青の色が得られる。また、赤、緑及び青の
色を出せるドーパントが入っている３つの粉末の粒径を
互いに異なるようにし一層に充填させると白色の光が得
られ、また、ここにカラーフィルターを用いるとフルカ
ラーの表現ができる。続いて、透明電極用のバインダー
３と混合されたＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）粉末２か
らなる透明電極１をコーティングして、本発明によるＥ
Ｌ素子が製造できる。ここで１００〜２００℃の温度で
瞬間的に加熱圧着させると粒子の充填性と層間接着性が
共に向上させることができる。
度であるＺｎＳ等の粉末発光物質７と、ＰＶＡ系のポリ
マーと、可塑材と、を混合して形成された発光体用バイ
ンダー８が混合されている発光層６をコーティングす
る。ここで、発光層６を形成する際、発光物質にドーピ
ングを行うことで光の三原色である赤、緑及び青の３つ
の色が得られる。例えば、ＺｎＳにＳｍまたはＺｎＳに
Ｃｕ、Ｍｎ及びＣｌをドーピングさせると赤が、ＺｎＳ
にＴｂまたはＺｎＳにＣｕとＡｌをドーピングさせると
緑が、ＺｎＳにＴｍまたはＺｎＳにＣｕとＣｌをドーピ
ングさせると青の色が得られる。また、赤、緑及び青の
色を出せるドーパントが入っている３つの粉末の粒径を
互いに異なるようにし一層に充填させると白色の光が得
られ、また、ここにカラーフィルターを用いるとフルカ
ラーの表現ができる。続いて、透明電極用のバインダー
３と混合されたＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）粉末２か
らなる透明電極１をコーティングして、本発明によるＥ
Ｌ素子が製造できる。ここで１００〜２００℃の温度で
瞬間的に加熱圧着させると粒子の充填性と層間接着性が
共に向上させることができる。
【００１１】この場合、透明電極層１を形成するときに
用いられる透明電極用バインダー３は、液相において、
ＩｎＧａと、発光体用バインダー８と、を混合して製造
した高導電性の透明バインダーであるため、透明電極形
成時ＩＴＯを従来の蒸着等によって形成される薄膜１２
ではなく、粉末の形態であってもバインダー３と、ＩＴ
Ｏ粉末２と、が互いに接触することで、図２に示すよう
に電流経路（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐａｔｈ）すなわち導電
経路を形成する。
用いられる透明電極用バインダー３は、液相において、
ＩｎＧａと、発光体用バインダー８と、を混合して製造
した高導電性の透明バインダーであるため、透明電極形
成時ＩＴＯを従来の蒸着等によって形成される薄膜１２
ではなく、粉末の形態であってもバインダー３と、ＩＴ
Ｏ粉末２と、が互いに接触することで、図２に示すよう
に電流経路（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐａｔｈ）すなわち導電
経路を形成する。
【００１２】また、発光体粉末７粒子の表面を図３に示
したように、液相のＩｎＧａでコーティングすると粒子
の表面に導電性の更に高い膜９が形成され、このＩｎＧ
ａ導電性膜９とＩＴＯ粉末２とが互いに接触し電流経路
を形成することになる。従って、本発明は、前記二つの
場合に示すように透明電極１の形成時ＩＴＯを、従来の
様に蒸着による薄膜１２ではなく、上記ＩＴＯを粉末の
形態で用い、分散液として用いる液相工程を可能とする
ことに加え、発光体粉末粒子７には、高い電界が印加で
き、高輝度の発光を可能にする。
したように、液相のＩｎＧａでコーティングすると粒子
の表面に導電性の更に高い膜９が形成され、このＩｎＧ
ａ導電性膜９とＩＴＯ粉末２とが互いに接触し電流経路
を形成することになる。従って、本発明は、前記二つの
場合に示すように透明電極１の形成時ＩＴＯを、従来の
様に蒸着による薄膜１２ではなく、上記ＩＴＯを粉末の
形態で用い、分散液として用いる液相工程を可能とする
ことに加え、発光体粉末粒子７には、高い電界が印加で
き、高輝度の発光を可能にする。
【００１３】本発明によるＡＣ粉末ＥＬ素子の輝度を測
定した結果、従来のＥＬ素子から得られる範囲より遥か
に高い２００〜５００ｃｄ／ｍ2までの輝度が得られ
た。
定した結果、従来のＥＬ素子から得られる範囲より遥か
に高い２００〜５００ｃｄ／ｍ2までの輝度が得られ
た。
【００１４】
【発明の効果】本発明によるＥＬ素子から得られる効果
を次の通りである。
を次の通りである。
【００１５】１）本発明のＥＬ素子の製造方法を用いる
と発光体粉末粒子７に高い電界が印加されるため高輝度
の発光が可能になる。
と発光体粉末粒子７に高い電界が印加されるため高輝度
の発光が可能になる。
【００１６】２）従来、ポリマー基板１１にＩＴＯ薄膜
１２を真空蒸着させて使用していた透明電極層１を、本
発明ではＩＴＯ粉末２と、液体バインダー３と、を混
合、分散して用いることによって、金属電極層１０を除
いた全ての層をスピンコーティング法またはスクリーン
印刷法という最も簡単な方法で形成することができ、こ
のことによって極めて低コストの製作が可能となる。
１２を真空蒸着させて使用していた透明電極層１を、本
発明ではＩＴＯ粉末２と、液体バインダー３と、を混
合、分散して用いることによって、金属電極層１０を除
いた全ての層をスピンコーティング法またはスクリーン
印刷法という最も簡単な方法で形成することができ、こ
のことによって極めて低コストの製作が可能となる。
【００１７】３）ＡＣ粉末ＥＬ素子の厚さは、０．０５
ｍｍ程度と極めて薄くできるので、透明電極層１、誘電
体層４、発光層６及び透明電極層１を順次コーティング
することで０．０５ｍｍ程度と極めて薄くでき、このこ
とにより、薄い厚さの透明ＥＬ素子が得られ、この透明
ＥＬ素子を複数枚重ねて用いれば、さらに所望する高輝
度の明るい光が得られる。
ｍｍ程度と極めて薄くできるので、透明電極層１、誘電
体層４、発光層６及び透明電極層１を順次コーティング
することで０．０５ｍｍ程度と極めて薄くでき、このこ
とにより、薄い厚さの透明ＥＬ素子が得られ、この透明
ＥＬ素子を複数枚重ねて用いれば、さらに所望する高輝
度の明るい光が得られる。
【００１８】以上、本発明を好適な実施例を参照しなが
ら詳細に説明したが、本技術分野に通常の知識を持つ者
による本発明の範囲内での複数の変形実施例を行うこと
ができる。
ら詳細に説明したが、本技術分野に通常の知識を持つ者
による本発明の範囲内での複数の変形実施例を行うこと
ができる。
【図１】従来のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子
の断面図。
の断面図。
【図２】本発明に係るＥＬ素子の断面図（透明な導伝性
ポリマーを用いた場合）。
ポリマーを用いた場合）。
【図３】本発明に係るＥＬ素子の断面図（導電性膜を用
いた場合）。
いた場合）。
１…透明電極 ２…ＩＴＯ粉末（パウダー） ３…透明導電性ポリマー ４…誘電体層 ５…ポリマー保護膜 ６…発光体層 ７…発光体粉末 ８…発光体層用バインダー ９…導電性膜 １０…金属電極 １１…プラスチック基板 １２…ＩＴＯ薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 597070998 ヴァラディミィア ヴァラスキン 大韓民国，チュンチョンナンド，アサン シ，タンジョンミョン，カルサンリ 100 (72)発明者 リ ジュ ヒョン 大韓民国，チュンチョンナンド，アサン シ，タンジョンミョン，カルサンリ 100 (72)発明者 ボク ソン 大韓民国，ソウル，トクビョルシ、ソチォ グ，バンポドン，サンホ，ガーデンアパー ト ダドン 906 ホ (72)発明者 ヴァラディミィア ヴァラスキン 大韓民国，チュンチョンナンド，アサン シ，タンジョンミョン，カルサンリ 100
Claims (19)
- 【請求項１】 プラスチック薄膜基板を用いてＡＣ粉末
ＥＬ素子を製造する方法であって、 前記プラスチック薄膜基板の上に一方向に光を指向させ
るための高反射性の金属電極層を形成する過程と、 前記金属電極層の上に誘電性物質粉末と誘電体バインダ
ーを混合した誘電体薄膜層を形成する過程と、 前記誘電体薄膜層上に粉末性の発光物質を、発光体バイ
ンダーと混合した発光層を塗布する過程と、 前記発光層の上に透明導電性粉末と高導電性の透明バイ
ンダーを混合した透明電極層を形成する過程と、を含む
ことを特徴とする交流粉末ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記透明電極層の形成過程は、透明導電
性粉末と、バインダーと、の混合物を用いて液体状態で
なされることを特徴とする請求項１に記載の交流粉末Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記透明電極層は、スピンコーティング
法またはスクリーン印刷法を用いて膜を形成することを
特徴とする請求項２に記載の交流粉末ＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項４】 前記透明電極用バインダー、前記誘電体
用バインダー、及び前記発光体用バインダーは、ポリビ
ニルアルコール（ＰＶＡ）及びその誘導体ポリマーを用
いることを特徴とする請求項１に記載の交流粉末ＥＬ素
子の製造方法。 - 【請求項５】 前記透明電極層、前記誘電体薄膜層、前
記発光層、及び透明電極層を順次積層して構成した透明
ＥＬ素子を複数積層させ、所望する輝度を得ることを特
徴とする請求項１に記載の交流粉末ＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項６】 前記発光層の粉末性発光物質表面は、液
相のＩｎＧａをコーティングして、その表面に導電性膜
を形成させる過程を含むことを特徴とする請求項１に記
載の交流粉末ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記透明電極層の形成過程は、液相のＩ
ｎＧａと、前記発光体用バインダーと、を混合して製造
した液相の透明導電性バインダー組成物を用いる過程を
含むことを特徴とする請求項２に記載の交流粉末ＥＬ素
子の製造方法。 - 【請求項８】 発光素子であって、 基板と、 前記基板の上に形成された高反射性の金属電極層と、 前記金属電極層の上に形成された誘電体薄膜層と、 前記誘電体薄膜層の上に形成された発光層と、 前記発光層の上に形成され、透明導電性粉末と、導電性
の高い透明バインダーと、を混合して形成される透明電
極層と、を含む発光素子。 - 【請求項９】 前記基板は、プラスチック薄膜基板であ
ることを特徴とする請求項８に記載の発光素子。 - 【請求項１０】 前記金属電極層は、銀またはアルミニ
ウムからなることを特徴とする請求項８に記載の発光素
子。 - 【請求項１１】 前記誘電体薄膜層は、誘電性物質の粉
末と、誘電体バインダーと、を混合して形成されること
を特徴とする請求項８に記載の発光素子。 - 【請求項１２】 前記誘電性物質粉末は、ＢａＴｉＯ3
を含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。 - 【請求項１３】 前記発光層は、粉末性発光物質を発光
体バインダーに混合して形成されることを特徴とする請
求項８に記載の発光素子。 - 【請求項１４】 前記粉末性発光物質は、ＩＩ−ＶＩ族
の化合物半導体を含むことを特徴とする請求項１３に記
載の発光素子。 - 【請求項１５】 前記粉末性発光物質は、粒子状からな
り、前記粒子状の粉末性発光物質の表面に導電性膜を含
むことを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。 - 【請求項１６】 前記導電性膜は、液相のＩｎＧａをコ
ーティングして形成されることを特徴とする請求項１５
に記載の発光素子。 - 【請求項１７】 前記透明導電性粉末は、ＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含むことを特徴とす
る請求項８に記載の発光素子。 - 【請求項１８】 前記導電性の高透明性バインダーは、
液相のＩｎＧａを含むことを特徴とする請求項８に記載
の発光素子。 - 【請求項１９】 前記誘電体層、前記発光層及び前記透
明電極層等のポリマー層を１００℃〜２００℃の温度で
瞬間的に加熱圧着させる過程を更に含むことを特徴とす
る請求項１に記載の交流粉末ＥＬ素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19960017369 | 1996-05-22 | ||
| KR96-17369 | 1996-05-22 | ||
| KR97-19283 | 1997-05-19 | ||
| KR1019970019283A KR100240432B1 (ko) | 1996-05-22 | 1997-05-19 | 교류 분말 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법 및 소자 구조 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069979A true JPH1069979A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=26631855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9132277A Pending JPH1069979A (ja) | 1996-05-22 | 1997-05-22 | 交流（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）粉末エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び素子構造 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5912533A (ja) |
| JP (1) | JPH1069979A (ja) |
| KR (1) | KR100240432B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009116259A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
| US7824936B2 (en) | 2007-07-19 | 2010-11-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing dispersion type AC inorganic electroluminescent device and dispersion type AC inorganic electroluminescent device manufactured thereby |
| JP2013243005A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 無機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに発光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6406803B1 (en) * | 1997-05-19 | 2002-06-18 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent device and method for producing the same |
| US6133693A (en) * | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Alliedsignal Inc. | Interconnects and electrodes for high luminance emissive displays |
| KR20010085420A (ko) | 2000-02-23 | 2001-09-07 | 기타지마 요시토시 | 전계발광소자와 그 제조방법 |
| KR100378922B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2003-04-08 | 주식회사 휴먼앤싸이언스 | 플라스틱 박막형 전계 발광 표시소자의 제조방법 |
| KR100685917B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| ATE377257T1 (de) * | 2001-03-22 | 2007-11-15 | Lumimove Inc | Beleuchtetes anzeigesystem und prozess |
| US7001639B2 (en) * | 2001-04-30 | 2006-02-21 | Lumimove, Inc. | Electroluminescent devices fabricated with encapsulated light emitting polymer particles |
| KR100402829B1 (ko) * | 2001-07-02 | 2003-10-22 | 이엘코리아 주식회사 | 교류용 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 |
| CA2476421A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Sensys Medical, Inc. | Compact apparatus for noninvasive measurement of glucose through near-infrared spectroscopy |
| KR20030079331A (ko) * | 2002-04-03 | 2003-10-10 | 대한민국 (한밭대학총장) | 백색광 전계발광소자 및 제조방법 |
| US7029763B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-04-18 | Lumimove, Inc. | Light-emitting phosphor particles and electroluminescent devices employing same |
| US7361413B2 (en) * | 2002-07-29 | 2008-04-22 | Lumimove, Inc. | Electroluminescent device and methods for its production and use |
| KR100495899B1 (ko) * | 2002-10-19 | 2005-06-16 | 이엘코리아 주식회사 | 교류 분말형 모서리 발광 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 |
| JP2005093358A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 交流動作エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
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| US7148623B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-12-12 | Vladimir Vlaskin | Flexible electroluminescent material |
| KR100664655B1 (ko) | 2004-11-03 | 2007-01-09 | 주식회사 엘지화학 | 휘도 및 수명이 개선된 교류분말 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| US20060138948A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Quantum Paper, Inc. | Addressable and printable emissive display |
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| US20070281375A1 (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device |
| US8339040B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-12-25 | Lumimove, Inc. | Flexible electroluminescent devices and systems |
| KR101023021B1 (ko) | 2009-07-17 | 2011-03-24 | 한국과학기술원 | 인버티드 유기 태양전지 및 인버티드 유기 태양전지 제조방법 |
| KR101023020B1 (ko) | 2009-07-17 | 2011-03-24 | 한국과학기술원 | 인버티드 투명 유기 태양전지 및 인버티드 투명 유기 태양전지 제조방법 |
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| US10585482B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-03-10 | Apple Inc. | Electronic device having a hybrid conductive coating for electrostatic haptics |
| US10775890B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-09-15 | Apple Inc. | Electronic device having a piezoelectric body for friction haptics |
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| US5200277A (en) * | 1988-02-29 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Electroluminescent device |
| JPH06104089A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜発光素子 |
-
1997
- 1997-05-19 KR KR1019970019283A patent/KR100240432B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-05-22 US US08/861,540 patent/US5912533A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-22 JP JP9132277A patent/JPH1069979A/ja active Pending
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Also Published As
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|---|---|
| KR100240432B1 (ko) | 2000-01-15 |
| US5912533A (en) | 1999-06-15 |
| KR970077765A (ko) | 1997-12-12 |
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