JPH07181904A - カラー電界発光表示素子およびその製造方法 - Google Patents
カラー電界発光表示素子およびその製造方法Info
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- JPH07181904A JPH07181904A JP6290402A JP29040294A JPH07181904A JP H07181904 A JPH07181904 A JP H07181904A JP 6290402 A JP6290402 A JP 6290402A JP 29040294 A JP29040294 A JP 29040294A JP H07181904 A JPH07181904 A JP H07181904A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、素子のＲＣ時間遅延特性を改善
し、コントラストを高めることのできるカラー電界発光
表示素子およびその製造方法である。 【構成】 本発明のカラー電界発光表示素子によれば、
透明電極上に金属補助電極が形成されるが、この金属補
助電極はモリブデンのような低い電気比抵抗を有する高
融点の金属薄膜を１０００オングストローム程度の厚さ
で透明電極上に形成し、この金属薄膜が各赤、青および
緑色のカラーフィルムターの色間境界部分の上で５〜３
０μｍの線幅で残っているように選択的にエッチングし
て形成することになる。また、各フィルターが円偏光板
の上に直接形成された後、シールされ、これにより円偏
光板が金属電極で反射する外部光を吸収するようにな
る。
し、コントラストを高めることのできるカラー電界発光
表示素子およびその製造方法である。 【構成】 本発明のカラー電界発光表示素子によれば、
透明電極上に金属補助電極が形成されるが、この金属補
助電極はモリブデンのような低い電気比抵抗を有する高
融点の金属薄膜を１０００オングストローム程度の厚さ
で透明電極上に形成し、この金属薄膜が各赤、青および
緑色のカラーフィルムターの色間境界部分の上で５〜３
０μｍの線幅で残っているように選択的にエッチングし
て形成することになる。また、各フィルターが円偏光板
の上に直接形成された後、シールされ、これにより円偏
光板が金属電極で反射する外部光を吸収するようにな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカラー電界発光表示素子
およびその製造方法に関し、より詳しくは、透明電極の
高い抵抗によるＲＣ時間遅延（ｔｉｍｅ ｄｅｌａｙ）
現象を改善して表示素子のコントラストを高めることの
できるカラー電界発光表示素子およびその製造方法に関
する。
およびその製造方法に関し、より詳しくは、透明電極の
高い抵抗によるＲＣ時間遅延（ｔｉｍｅ ｄｅｌａｙ）
現象を改善して表示素子のコントラストを高めることの
できるカラー電界発光表示素子およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】平面表示素子の種類には、液晶表示（Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣ
Ｄ）素子とプラズマ表示（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ：ＰＤＰ）素子および電界発光表示素子（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｅｌｅｍｅｎｔ：ＥＬ）
等がある。高密度画像表示のためには前記の各素子の完
全なカラー化がなされなければならず、これに対する多
くの研究が行われたきた。その内で、液晶表示素子とプ
ラズマ表示素子は現在、完全なカラー化が可能になっ
た。一方、白色光を発生させ、この白色光をカラーフィ
ルターを利用してフィルタリングする方式のＥＬ表示素
子の開発に多大な研究が行われている。
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣ
Ｄ）素子とプラズマ表示（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ：ＰＤＰ）素子および電界発光表示素子（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｅｌｅｍｅｎｔ：ＥＬ）
等がある。高密度画像表示のためには前記の各素子の完
全なカラー化がなされなければならず、これに対する多
くの研究が行われたきた。その内で、液晶表示素子とプ
ラズマ表示素子は現在、完全なカラー化が可能になっ
た。一方、白色光を発生させ、この白色光をカラーフィ
ルターを利用してフィルタリングする方式のＥＬ表示素
子の開発に多大な研究が行われている。
【０００３】図３は、このように白色光を利用したカラ
ー具現方式の従来のＥＬ表示素子の断面図である。図３
のＥＬ表示素子によれば、ガラス基板（１）の上にアル
ミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ：Ａｌ）のような金属を２
０００オングストローム程度の厚さで真空蒸着（ｖａｃ
ｕｕｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）した後、フォトエッ
チング法で線エッチング（ｌｉｎｅ ｅｔｃｈｉｎｇ）
して金属電極（２）を形成する。前記金属電極（２）の
上にはＳｉＯＮ、ＢａＴａ２Ｏ６，ＳｒＴｉＯ３のよう
な誘電性物質を３０００オングストロームの厚さでスパ
ッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法で成膜して、第
１絶縁層（３）を形成する。前記第１絶縁層の上にＳｒ
Ｓ：Ｃｅ、Ｅｕ、Ｘ、ＺｎＳ：Ｐｒ、Ｚｎｓ：Ｍｎ／Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ／Ｚｎｓ：Ｍｎ等のようにＥＬ素子駆動の
際、白色光が出てくる蛍光体を真空蒸着および多重源蒸
着（ｍｕｌｔｉ−ｓｏｕｒｃｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）等の方法で、０．５〜１．５μｍの厚さで成膜して
発光層（４）を形成する。この発光層（４）上にはＳｉ
ＯＮ、ＢａＴａ２Ｏ６、ＳｒＴｉＯ３等をスパッタリン
グ法によって３０００オングストロームの厚さで成膜し
て第２絶縁層（５）を形成する。前記第２絶縁層（５）
上には、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）をスパッタリング方法で約２００
０オングストロームの厚さで成膜して透明薄膜層を形成
した後、フォトエッチング法を利用して前記金属電極
（２）と垂直になる方法に線エッチングすることにより
透明電極（６）を形成する。前記工程により製造された
板をＥＬ板（１０）と呼ぶ。
ー具現方式の従来のＥＬ表示素子の断面図である。図３
のＥＬ表示素子によれば、ガラス基板（１）の上にアル
ミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ：Ａｌ）のような金属を２
０００オングストローム程度の厚さで真空蒸着（ｖａｃ
ｕｕｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）した後、フォトエッ
チング法で線エッチング（ｌｉｎｅ ｅｔｃｈｉｎｇ）
して金属電極（２）を形成する。前記金属電極（２）の
上にはＳｉＯＮ、ＢａＴａ２Ｏ６，ＳｒＴｉＯ３のよう
な誘電性物質を３０００オングストロームの厚さでスパ
ッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法で成膜して、第
１絶縁層（３）を形成する。前記第１絶縁層の上にＳｒ
Ｓ：Ｃｅ、Ｅｕ、Ｘ、ＺｎＳ：Ｐｒ、Ｚｎｓ：Ｍｎ／Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ／Ｚｎｓ：Ｍｎ等のようにＥＬ素子駆動の
際、白色光が出てくる蛍光体を真空蒸着および多重源蒸
着（ｍｕｌｔｉ−ｓｏｕｒｃｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）等の方法で、０．５〜１．５μｍの厚さで成膜して
発光層（４）を形成する。この発光層（４）上にはＳｉ
ＯＮ、ＢａＴａ２Ｏ６、ＳｒＴｉＯ３等をスパッタリン
グ法によって３０００オングストロームの厚さで成膜し
て第２絶縁層（５）を形成する。前記第２絶縁層（５）
上には、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）をスパッタリング方法で約２００
０オングストロームの厚さで成膜して透明薄膜層を形成
した後、フォトエッチング法を利用して前記金属電極
（２）と垂直になる方法に線エッチングすることにより
透明電極（６）を形成する。前記工程により製造された
板をＥＬ板（１０）と呼ぶ。
【０００４】一方、湿気、酸素等からＥＬ板（１０）の
ＥＬ膜を保護するための透明シール板（９）上に光を選
択的に透過させることのできるカラーフィルター（８）
が形成される。即ち、金属電極の幅と透明電極の幅の大
きさで赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青色（Ｂ）の順序で各
電極と一直線になるように配置されるが、この時、透明
シール板（８）とカラーフィルター（８）は数μｍの厚
さでシールされる。このような工程により形成された板
をフィルター板（２０）と呼ぶ。
ＥＬ膜を保護するための透明シール板（９）上に光を選
択的に透過させることのできるカラーフィルター（８）
が形成される。即ち、金属電極の幅と透明電極の幅の大
きさで赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青色（Ｂ）の順序で各
電極と一直線になるように配置されるが、この時、透明
シール板（８）とカラーフィルター（８）は数μｍの厚
さでシールされる。このような工程により形成された板
をフィルター板（２０）と呼ぶ。
【０００５】前記ＥＬ板（１０）とフィルター板（２
０）の間にシリコンオイルを注入してカラーＥＬ表示素
子の製作を完了する。
０）の間にシリコンオイルを注入してカラーＥＬ表示素
子の製作を完了する。
【０００６】このように製作されたＥＬ素子において、
金属電極（２）と透明電極（６）の間に２００Ｖ程度の
交流電圧を印加してやると、前記交流電圧に対する強い
電気場によって高温電子（ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）
が生成される。前記の各高温電子は発光層（４）内のド
ーピングされた発光中心、即ち、セリウム（Ｃｅ）、プ
ラセオジウム（Ｐｒ）、マンガン（Ｍｎ）に衝突して、
前記発光中心の電子を価電子帯（ｖａｌｅｎｃｅ ｂａ
ｎｄ）より伝導帯（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ）
に励起させる。伝導体に励起された各電子は不安定であ
り、これにより前記の励起された各電子が再び価電子帯
に遷移する際に固有光が発生する。
金属電極（２）と透明電極（６）の間に２００Ｖ程度の
交流電圧を印加してやると、前記交流電圧に対する強い
電気場によって高温電子（ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）
が生成される。前記の各高温電子は発光層（４）内のド
ーピングされた発光中心、即ち、セリウム（Ｃｅ）、プ
ラセオジウム（Ｐｒ）、マンガン（Ｍｎ）に衝突して、
前記発光中心の電子を価電子帯（ｖａｌｅｎｃｅ ｂａ
ｎｄ）より伝導帯（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ）
に励起させる。伝導体に励起された各電子は不安定であ
り、これにより前記の励起された各電子が再び価電子帯
に遷移する際に固有光が発生する。
【０００７】このようにＥＬ板（１０）で発生する光
は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青色（Ｂ）の波場を均一
に含む白色光である。この白色光は、金属電極（２）と
透明電極（６）により分割発光するようになり、カラー
フィルター（８）を通じて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青
色（Ｂ）の光にフィルタリングされ、このようにフィル
タリングされた３色の組合せでカラーを示すようにな
る。
は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青色（Ｂ）の波場を均一
に含む白色光である。この白色光は、金属電極（２）と
透明電極（６）により分割発光するようになり、カラー
フィルター（８）を通じて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青
色（Ｂ）の光にフィルタリングされ、このようにフィル
タリングされた３色の組合せでカラーを示すようにな
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の白色光を利用したカラー具現方式のＥＬ表示
素子はＡｌを金属電極として使用するため、ＥＬ表示素
子の駆動の際、Ａｌ表面でユーザー側に反射されて出て
くるようになり、これにより素子のコントラストが落ち
るようになる欠点がある。
うな従来の白色光を利用したカラー具現方式のＥＬ表示
素子はＡｌを金属電極として使用するため、ＥＬ表示素
子の駆動の際、Ａｌ表面でユーザー側に反射されて出て
くるようになり、これにより素子のコントラストが落ち
るようになる欠点がある。
【０００９】また、カラーフィルター（８）と発光層
（４）の位置が遠く離れていることにより各画素間の変
位（ｐａｒａｌｌａｘ）現象が発生し、また透明電極の
高い抵抗によりＶＧＡモニター用またはＨＤＴＶ用の大
面積ＥＬ素子の駆動の際、ＲＣ時間遅延現象が発生する
ようになるので、高品質の完全なカラー具現が難しいと
いう問題点がある。
（４）の位置が遠く離れていることにより各画素間の変
位（ｐａｒａｌｌａｘ）現象が発生し、また透明電極の
高い抵抗によりＶＧＡモニター用またはＨＤＴＶ用の大
面積ＥＬ素子の駆動の際、ＲＣ時間遅延現象が発生する
ようになるので、高品質の完全なカラー具現が難しいと
いう問題点がある。
【００１０】本発明の目的は、前記の問題点を解決する
ためのものにして、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｍｕ
ｍ：Ｍｏ）のような電気比抵抗が低い高融点金属を補助
電極に形成してやることによりＥＬ素子のコントラスト
を向上させるとともに、ＲＣ時間遅延問題を解決するこ
とのできるカラーＥＬ素子およびその製造方法を提供す
るものである。
ためのものにして、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｍｕ
ｍ：Ｍｏ）のような電気比抵抗が低い高融点金属を補助
電極に形成してやることによりＥＬ素子のコントラスト
を向上させるとともに、ＲＣ時間遅延問題を解決するこ
とのできるカラーＥＬ素子およびその製造方法を提供す
るものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明の１つの特徴によれば、ガラス板と、前
記ガラス板の上に所定のパターンで形成されたアルミニ
ウム金属電極と、前記金属電極が形成された前記ガラス
基板の上に第１絶縁層を媒介して形成された発光層と、
前記発光層の上に第２絶縁層を媒介して形成され、前記
金属電極との間で発生する電気場により前記発光層が白
色光を発光するようになる透明電極と、前記透明電極の
上に所定のパターンで形成された金属補助電極と、前記
発光層で発光されて前記透明電極および前記金属補助電
極を通過した前記白色光を赤、青および緑色でフィルタ
リングし、円偏光板と前記円偏光板の上に順次形成され
た赤、青および緑色のカラーフィルターとから構成さ
れ、前記フィルターと前記金属補助電極がシリコンオイ
ルの注入によりシールされることを特徴とするカラー電
界発光表示素子が提供される。
るため、本発明の１つの特徴によれば、ガラス板と、前
記ガラス板の上に所定のパターンで形成されたアルミニ
ウム金属電極と、前記金属電極が形成された前記ガラス
基板の上に第１絶縁層を媒介して形成された発光層と、
前記発光層の上に第２絶縁層を媒介して形成され、前記
金属電極との間で発生する電気場により前記発光層が白
色光を発光するようになる透明電極と、前記透明電極の
上に所定のパターンで形成された金属補助電極と、前記
発光層で発光されて前記透明電極および前記金属補助電
極を通過した前記白色光を赤、青および緑色でフィルタ
リングし、円偏光板と前記円偏光板の上に順次形成され
た赤、青および緑色のカラーフィルターとから構成さ
れ、前記フィルターと前記金属補助電極がシリコンオイ
ルの注入によりシールされることを特徴とするカラー電
界発光表示素子が提供される。
【００１２】本発明の他の特徴によれば、ガラス基板の
上にアルミニウム金属薄膜を形成し、形成された金属薄
膜を選択的エッチングによりパターニングして金属電極
を形成する工程と、前記金属電極が形成した前記ガラス
基板の上に第１絶縁層、白色光を発光させるための発光
層および透明電極を順に形成する工程と、前記透明電極
の上に金属薄膜を所定の厚さで形成し、選択的エッチン
グによりパターニングして金属補助電極を形成する工程
と、円偏光板の上に赤、青および緑色のカラーフィルタ
ーを順次形成する段階と、前記金属補助電極と前記カラ
ーフィルターの間にシリコンオイルを注入する工程とか
らなることを特徴とするカラー電界発光表示素子の製造
方法が提供される。
上にアルミニウム金属薄膜を形成し、形成された金属薄
膜を選択的エッチングによりパターニングして金属電極
を形成する工程と、前記金属電極が形成した前記ガラス
基板の上に第１絶縁層、白色光を発光させるための発光
層および透明電極を順に形成する工程と、前記透明電極
の上に金属薄膜を所定の厚さで形成し、選択的エッチン
グによりパターニングして金属補助電極を形成する工程
と、円偏光板の上に赤、青および緑色のカラーフィルタ
ーを順次形成する段階と、前記金属補助電極と前記カラ
ーフィルターの間にシリコンオイルを注入する工程とか
らなることを特徴とするカラー電界発光表示素子の製造
方法が提供される。
【００１３】
【作用】本発明によると、各画素のＲ、ＧおよびＢカラ
ーフィルターの間に所定の幅で金属補助電極が形成され
るため高い抵抗値を有する透明電極によるＲＣ時間遅延
現象を防止する。さらに、外部より入射される光と発光
層で発生する光の内で画素面と垂直に入射されない光が
遮断されることによりＥＬ表示素子のコントラストが高
まり、かつカラーフィルターを円偏光板の上に直接製作
してシールすることにより、シール機能だけでなく反射
される外部の光を吸収するようになるのでＥＬ素子のコ
ントラストの低下を防止する。
ーフィルターの間に所定の幅で金属補助電極が形成され
るため高い抵抗値を有する透明電極によるＲＣ時間遅延
現象を防止する。さらに、外部より入射される光と発光
層で発生する光の内で画素面と垂直に入射されない光が
遮断されることによりＥＬ表示素子のコントラストが高
まり、かつカラーフィルターを円偏光板の上に直接製作
してシールすることにより、シール機能だけでなく反射
される外部の光を吸収するようになるのでＥＬ素子のコ
ントラストの低下を防止する。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明のカラーＥＬ表示素子の断面
図である。図１を参照すると、本発明のカラーＥＬ表示
素子はガラス基板（１０１）上にＡｌ金属電極（１０
２）と、第１絶縁層（１０３）、発光層（１０４）、第
２絶縁層（１０５）、透明電極（１０６）、金属補助電
極（１０７）、シリコンオイル（３０１）、カラーフィ
ルター（２０１）および円偏光板（２０２）が順に形成
された構造を有する。
図である。図１を参照すると、本発明のカラーＥＬ表示
素子はガラス基板（１０１）上にＡｌ金属電極（１０
２）と、第１絶縁層（１０３）、発光層（１０４）、第
２絶縁層（１０５）、透明電極（１０６）、金属補助電
極（１０７）、シリコンオイル（３０１）、カラーフィ
ルター（２０１）および円偏光板（２０２）が順に形成
された構造を有する。
【００１５】前記ガラス基板（１０１）、第１絶縁層
（１０３）、発光層（１０４）、第２絶縁層（１０
５）、そして透明電極（１０６）は従来のＥＬ素子と同
じ材料、構造および工程で形成される。
（１０３）、発光層（１０４）、第２絶縁層（１０
５）、そして透明電極（１０６）は従来のＥＬ素子と同
じ材料、構造および工程で形成される。
【００１６】金属電極（１０２）は、スパッタリング法
を利用して１０００〜２０００オングストロームの厚さ
でＡｌを成膜して形成するようになり、これによりＥＬ
素子の背面に向かう光が金属電極（１０２）で反射され
て、再びユーザー側に向かうようになることによりＥＬ
素子の輝度を高めるようになる。
を利用して１０００〜２０００オングストロームの厚さ
でＡｌを成膜して形成するようになり、これによりＥＬ
素子の背面に向かう光が金属電極（１０２）で反射され
て、再びユーザー側に向かうようになることによりＥＬ
素子の輝度を高めるようになる。
【００１７】また、前記金属電極（１０２）は、赤
（Ｒ）、青（Ｂ）および緑（Ｇ）色のカラー別におのお
の、ｄＢ、ｄＧ、ｄＲの幅を有するように選択エッチン
グされる。前記３つのカラー別金属電極は１つの画素に
該当する。
（Ｒ）、青（Ｂ）および緑（Ｇ）色のカラー別におのお
の、ｄＢ、ｄＧ、ｄＲの幅を有するように選択エッチン
グされる。前記３つのカラー別金属電極は１つの画素に
該当する。
【００１８】前記発光層（１０４）で電気場により発生
する白色光がディスプレーの上で完全なカラーで具現さ
れるためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、および青色（Ｂ）
の理想的輝度比率が３：６：１になるようにしなければ
ならない。従って、金属電極の幅ｄＢ、ｄＧ、ｄＲは、
前記発光層（１０４）で発生する白色光の波場別輝度比
率を考慮して設定されなければならない。
する白色光がディスプレーの上で完全なカラーで具現さ
れるためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、および青色（Ｂ）
の理想的輝度比率が３：６：１になるようにしなければ
ならない。従って、金属電極の幅ｄＢ、ｄＧ、ｄＲは、
前記発光層（１０４）で発生する白色光の波場別輝度比
率を考慮して設定されなければならない。
【００１９】ＩＴＯ透明電極（１０６）は、高い抵抗値
を有し、その幅は２００〜４００μｍと狭いため、ＥＬ
素子はコンデンサーの構造を有するようになり、これに
よりＲＣ時間遅延が発生するようになる。本発明によれ
ば、高融点金属のモリブデン（Ｍｏ）を１０００オング
ストロームの厚さでスパッタリング方法や真空蒸着法で
ＩＴＯ透明電極の上に成膜した後、図２に表示されたよ
うに各単位画素の色間境界上に５〜３０μｍの線幅（ｄ
ｍ）を残すように選択的にエッチングすることにより金
属補助電極（１０７）を形成するようになる。前記金属
補助電極（１０７）によりＩＴＯ透明電極の高い抵抗値
によるＲＣ時間遅延現象を防止する。
を有し、その幅は２００〜４００μｍと狭いため、ＥＬ
素子はコンデンサーの構造を有するようになり、これに
よりＲＣ時間遅延が発生するようになる。本発明によれ
ば、高融点金属のモリブデン（Ｍｏ）を１０００オング
ストロームの厚さでスパッタリング方法や真空蒸着法で
ＩＴＯ透明電極の上に成膜した後、図２に表示されたよ
うに各単位画素の色間境界上に５〜３０μｍの線幅（ｄ
ｍ）を残すように選択的にエッチングすることにより金
属補助電極（１０７）を形成するようになる。前記金属
補助電極（１０７）によりＩＴＯ透明電極の高い抵抗値
によるＲＣ時間遅延現象を防止する。
【００２０】一方、フィルター板（２００）は、円偏光
板（２０２）の上にカラーフィルター（２０１）を形成
して構成されるが、このカラーフィルター（２０１）は
金属電極（１０２）の幅と同じ比率でＲ、ＧおよびＢの
カラー別に線エッチングすることにより形成される。フ
ィルター板（２００）とＥＬ板（１００）の間にシリコ
ンオイルを注入して両板をシールすることによりカラー
ＥＬ表示素子の製造が完了する。
板（２０２）の上にカラーフィルター（２０１）を形成
して構成されるが、このカラーフィルター（２０１）は
金属電極（１０２）の幅と同じ比率でＲ、ＧおよびＢの
カラー別に線エッチングすることにより形成される。フ
ィルター板（２００）とＥＬ板（１００）の間にシリコ
ンオイルを注入して両板をシールすることによりカラー
ＥＬ表示素子の製造が完了する。
【００２１】このような工程で製造されたカラーＥＬ表
示素子において、外部より垂直に入射する光が円偏光板
（２０２）を通過して金属電極より反射されると、反射
された光は円偏光板を通りながら吸収されてＥＬ表示素
子のコントラストを高める。
示素子において、外部より垂直に入射する光が円偏光板
（２０２）を通過して金属電極より反射されると、反射
された光は円偏光板を通りながら吸収されてＥＬ表示素
子のコントラストを高める。
【００２２】
【発明の効果】本発明によると、各画素のＲ、Ｇおよび
Ｂカラーフィルターの間に所定の幅で金属補助電極が形
成されるため高い抵抗値を有する透明電極によるＲＣ時
間遅延現象を防止する。さらに、外部より入射される光
と発光層で発生する光の内で画素面と垂直に入射されな
い光が遮断されることによりＥＬ表示素子のコントラス
トが高まり、かつカラーフィルターを円偏光板の上に直
接製作してシールすることにより、シール機能だけでな
く反射される外部の光を吸収するようになるのでＥＬ素
子のコントラストの低下を防止する。
Ｂカラーフィルターの間に所定の幅で金属補助電極が形
成されるため高い抵抗値を有する透明電極によるＲＣ時
間遅延現象を防止する。さらに、外部より入射される光
と発光層で発生する光の内で画素面と垂直に入射されな
い光が遮断されることによりＥＬ表示素子のコントラス
トが高まり、かつカラーフィルターを円偏光板の上に直
接製作してシールすることにより、シール機能だけでな
く反射される外部の光を吸収するようになるのでＥＬ素
子のコントラストの低下を防止する。
【図１】本発明のカラー電界発光表示素子の分解斜視図
である。
である。
【図２】図１の素子の電極配置を説明するための平面図
である。
である。
【図３】従来のカラー電界発光表示素子の断面図であ
る。
る。
１００ ＥＬ板 １０１ ガラス基板 １０２ 金属電極 １０３ 第１絶縁層 １０４ 発光層 １０５ 第２絶縁層 １０６ 透明電極 １０７ 金属補助電極 ２００ フィルター板 ２０１ カラーフィルター ２０２ 円偏光板 ３０１ シリコンオイル
Claims (11)
- 【請求項１】 ガラス板と、 前記ガラス板の上に所定のパターンで形成されたアルミ
ニウム金属電極と、 前記金属電極が形成された前記ガラス基板の上に第１絶
縁層を媒介して形成された発光層と、 前記発光層の上に第２絶縁層を媒介して形成され、前記
金属電極との間で発生する電気場により前記発光層が白
色光を発光するようにしてなる透明電極と、 前記透明電極の上に所定のパターンで形成された金属補
助電極と、 前記発光層で発光され、前記透明電極および前記金属補
助電極を通過した前記白色光を赤、青および緑色でフィ
ルタリングし、円偏光板と前記円偏光の上に順次形成さ
れた赤、青および緑色のカラーフィルターとから構成さ
れ、前記カラーフィルターと前記金属補助電極がシリコ
ンオイルの注入によりシールされることを特徴とするカ
ラー電界発光表示素子。 - 【請求項２】 前記金属補助電極が１０００オングスト
ローム程度の厚さを有することを特徴とする請求項１記
載のカラー電界発光表示素子。 - 【請求項３】 前記金属補助電極がモリブデンであるこ
とを特徴とする請求項１記載のカラー電界発光表示素
子。 - 【請求項４】 前記金属補助電極が前記赤、青および緑
色のカラーフィルターの色間境界部分の上に５〜３０μ
ｍの線幅で形成されたことを特徴とする請求項１記載の
カラー電界発光表示素子。 - 【請求項５】 ガラス基板の上にアルミニウム金属薄膜
を形成し、形成された金属薄膜を選択的エッチングによ
りパターニングして金属電極を形成する工程と、 前記金属電極が形成された前記ガラス基板の上に第１絶
縁層と、白色光を発光させるための発光層および透明電
極を順に形成する工程と、 前記透明電極の上に金属薄膜を所定の厚さで形成し、選
択的エッチングによりパターニングして金属補助電極を
形成する工程と、 円偏光板の上に赤、青および緑色のカラーフィルターを
順次形成する工程と、 前記金属補助電極と前記カラーフィルターの間に、シリ
コンオイルを注入する工程とからなることを特徴とする
カラー電界発光表示素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記金属電極形成工程で前記金属電極が
スパッタリング法により１０００〜２０００オングスト
ロームの厚さで蒸着されることを特徴とする請求項５記
載のカラー電界発光表示素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記金属補助電極形成工程で前記金属補
助電極用金属薄膜がスパッタリング法により１０００オ
ングストローム程度の厚さで蒸着されることを特徴とす
る請求項５記載のカラー電界発光表示素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記金属補助電極形成工程で前記金属補
助電極用金属薄膜が真空蒸着法で形成されることを特徴
とする請求項５記載のカラー電界発光表示素子の製造方
法。 - 【請求項９】 前記金属補助電極の形成工程において、
前記金属補助電極用金属薄膜がモリブデンであることを
特徴とする請求項５記載のカラー電界発光表示素子の製
造方法。 - 【請求項１０】 前記金属補助電極の形成工程におい
て、前記金属補助電極用金属薄膜が前記カラーフィルタ
ー形成段階で形成された画素単位の前記赤、青および緑
色のカラーフィルターの色間境界部分上に５〜３０μｍ
の線幅で残っているように選択的にエッチングされるこ
とを特徴とする請求項５記載のカラー電界発光表示素子
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記カラーフィルター形成工程が、前
記円偏光板の上に順次形成された前記赤、青および緑色
のカラーフィルターが前記金属電極形成工程において、
形成された前記カラー別金属電極の幅と同じ比率で残っ
ているように線エッチングする工程を含むことを特徴と
する請求項５記載のカラー電界発光表示素子の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022820A KR970004829B1 (ko) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 컬러 전계 발광 표시소자 및 그 제작방법 |
| KR93-22820 | 1993-10-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07181904A true JPH07181904A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=19366972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6290402A Pending JPH07181904A (ja) | 1993-10-30 | 1994-10-31 | カラー電界発光表示素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5507404A (ja) |
| JP (1) | JPH07181904A (ja) |
| KR (1) | KR970004829B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004387A (ja) * | 2008-09-05 | 2009-01-08 | Sony Corp | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5664982A (en) * | 1994-10-18 | 1997-09-09 | Shipley Company, L.L.C. | Manufacturing method for a liquid crystal display |
| KR100323732B1 (ko) * | 1998-12-08 | 2002-09-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
| KR100682356B1 (ko) * | 2000-06-14 | 2007-02-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 투과 반사형 액정표시장치 |
| TWI257496B (en) * | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
| US7128631B2 (en) * | 2002-11-14 | 2006-10-31 | Surface Logix, Inc. | Soft lithographic process for fabricating integrated ITO electrode-liquid crystal alignment layers |
| JP4531341B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
| US6987355B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-01-17 | Eastman Kodak Company | Stacked OLED display having improved efficiency |
| WO2005033360A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-14 | Ifire Technology Corp. | Polysulfide thermal vapour source for thin sulfide film deposition |
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| US20060138944A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Quantum Paper | Addressable and printable emissive display |
| AU2005322072A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Quantum Paper, Inc. | Addressable and printable emissive display |
| US20060138948A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Quantum Paper, Inc. | Addressable and printable emissive display |
| JP4619186B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
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| US9425357B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-23 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Diode for a printable composition |
| US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
| US9018833B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-04-28 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
| US9534772B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-01-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting diodes |
| US8456393B2 (en) * | 2007-05-31 | 2013-06-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
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| US9343593B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-17 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
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| US8674593B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
| US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
| US8127477B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-03-06 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
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-
1993
- 1993-10-30 KR KR1019930022820A patent/KR970004829B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-10-28 US US08/331,375 patent/US5507404A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-31 JP JP6290402A patent/JPH07181904A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5507404A (en) | 1996-04-16 |
| KR970004829B1 (ko) | 1997-04-04 |
| KR950012118A (ko) | 1995-05-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980707 |