JPH05190285A - エレクトロルミネッセンス表示パネル - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示パネルInfo
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- JPH05190285A JPH05190285A JP4002492A JP249292A JPH05190285A JP H05190285 A JPH05190285 A JP H05190285A JP 4002492 A JP4002492 A JP 4002492A JP 249292 A JP249292 A JP 249292A JP H05190285 A JPH05190285 A JP H05190285A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】多数の画素を備えるマトリックス形エレクトロ
ルミネッセンス表示パネルの画素間の表示光の混合や混
色を防止して表示上のコントラストを高めて画像の鮮明
度を向上する。 【構成】透明な基板１の上に、金属遮光膜20と，透明な
絶縁薄膜22と，透明なストライプ状の表面電極膜２と，
発光膜４と絶縁膜３，５を含む薄膜積層体６と，表面電
極膜と交差するストライプ状の裏面電極膜７とを順次に
積層して表示パネルを構成し、かつ遮光膜20を表面電極
膜２と裏面電極膜７の交差範囲である画素に対応する窓
を備えるパターンに形成して、各画素の表示光中の斜め
方向に出るクロス光を遮光膜で遮断して表示の画素間の
混合や混色を防止する。
ルミネッセンス表示パネルの画素間の表示光の混合や混
色を防止して表示上のコントラストを高めて画像の鮮明
度を向上する。 【構成】透明な基板１の上に、金属遮光膜20と，透明な
絶縁薄膜22と，透明なストライプ状の表面電極膜２と，
発光膜４と絶縁膜３，５を含む薄膜積層体６と，表面電
極膜と交差するストライプ状の裏面電極膜７とを順次に
積層して表示パネルを構成し、かつ遮光膜20を表面電極
膜２と裏面電極膜７の交差範囲である画素に対応する窓
を備えるパターンに形成して、各画素の表示光中の斜め
方向に出るクロス光を遮光膜で遮断して表示の画素間の
混合や混色を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示面内に多数の画素が
二次元マトリックスに配列された可変画像の表示に適す
るエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略称する）
表示パネルであって、画素間の表示光の混合ないし混色
を防止して表示のコントラストないし鮮明度を向上する
ものに関する。
二次元マトリックスに配列された可変画像の表示に適す
るエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略称する）
表示パネルであって、画素間の表示光の混合ないし混色
を防止して表示のコントラストないし鮮明度を向上する
ものに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のようにＥＬ表示パネルは薄形軽量
のいわゆるフラットパネル構造でかつ自己発光性の表示
装置である利点をもち、最近では可変画像の表示に適す
るよう画素を二次元マトリックスに配列した薄膜積層構
造のものが開発されて計算機やＯＡ機器の表示装置とし
て広く採用されるに至っている。よく知られていること
ではあるが、以下このＥＬ表示パネルの代表的な従来構
造を図３(a) を参照して簡単に説明する。
のいわゆるフラットパネル構造でかつ自己発光性の表示
装置である利点をもち、最近では可変画像の表示に適す
るよう画素を二次元マトリックスに配列した薄膜積層構
造のものが開発されて計算機やＯＡ機器の表示装置とし
て広く採用されるに至っている。よく知られていること
ではあるが、以下このＥＬ表示パネルの代表的な従来構
造を図３(a) を参照して簡単に説明する。
【０００３】図３(a) に示すようＥＬ表示パネル10は、
透明なガラスの絶縁基板１と、その上に被着したインジ
ウム錫酸化物等の透明な導電性膜を図の前後の方向に細
長いストライプ状のパターンに形成した数百条の表面電
極膜２と、その上に順次被着した絶縁膜３と発光膜４と
絶縁膜５からなる薄膜積層体６と、その上に被着したア
ルミ膜を図の左右方向に細長いストライプ状のパターン
に形成した数百条の裏面電極膜７とからなる。絶縁基板
１の周縁部に表面電極膜２と裏面電極膜７の接続部が図
では後者について7aで示すように設けられ、この接続部
から両電極膜２と７の相互間に表示電圧を与えて絶縁膜
３や５を介し発光膜４に所定の電界を掛けることにより
そのZnＳ等の母材に微量添加されたMn等の発光中心元素
をＥＬ発光させ、これを両電極膜２と７のストライプ状
のパターンの各交差範囲である画素の表示光Ldとして透
明な絶縁基板１側から取り出す。
透明なガラスの絶縁基板１と、その上に被着したインジ
ウム錫酸化物等の透明な導電性膜を図の前後の方向に細
長いストライプ状のパターンに形成した数百条の表面電
極膜２と、その上に順次被着した絶縁膜３と発光膜４と
絶縁膜５からなる薄膜積層体６と、その上に被着したア
ルミ膜を図の左右方向に細長いストライプ状のパターン
に形成した数百条の裏面電極膜７とからなる。絶縁基板
１の周縁部に表面電極膜２と裏面電極膜７の接続部が図
では後者について7aで示すように設けられ、この接続部
から両電極膜２と７の相互間に表示電圧を与えて絶縁膜
３や５を介し発光膜４に所定の電界を掛けることにより
そのZnＳ等の母材に微量添加されたMn等の発光中心元素
をＥＬ発光させ、これを両電極膜２と７のストライプ状
のパターンの各交差範囲である画素の表示光Ldとして透
明な絶縁基板１側から取り出す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＥＬ表示パネ
ルでは薄膜積層体６を形成する絶縁膜３や５はもちろん
発光膜４も絶縁性で光に対して透明なので、隣合う画素
間で表示光の混合ないし混色があるため表示のコントラ
ストや鮮明度が落ちて表示画質が低下する問題がある。
すなわち、図３(b) に示すよう発光膜４の各画素部分か
ら出るＥＬ光にはパネルの正面方向に出る正規の表示光
Ldだけでなく、図でLcで示す斜めないしはクロス方向に
出る成分があるので、画素間でこのクロス光Lcの混合な
いし混色が発生して表示のコントラストが落ちることに
なる。
ルでは薄膜積層体６を形成する絶縁膜３や５はもちろん
発光膜４も絶縁性で光に対して透明なので、隣合う画素
間で表示光の混合ないし混色があるため表示のコントラ
ストや鮮明度が落ちて表示画質が低下する問題がある。
すなわち、図３(b) に示すよう発光膜４の各画素部分か
ら出るＥＬ光にはパネルの正面方向に出る正規の表示光
Ldだけでなく、図でLcで示す斜めないしはクロス方向に
出る成分があるので、画素間でこのクロス光Lcの混合な
いし混色が発生して表示のコントラストが落ちることに
なる。
【０００５】容易にわかるように、ＥＬ表示パネルでは
発光原理がいわゆる電界発光である以上その発光膜４は
絶縁性である必要があり、従って光に対しふつう透明に
なるので上述のクロス光Lcの発生は原理上避けることは
できず、また表示画面を極力明るくするために電極膜の
配列上の図３(b) の相互間隔ｄを短くすればするほど表
示のコントラストが低下することになる。本発明はかか
る問題点を解決して、ＥＬ表示パネルの画像の鮮明度を
向上することを目的とする。
発光原理がいわゆる電界発光である以上その発光膜４は
絶縁性である必要があり、従って光に対しふつう透明に
なるので上述のクロス光Lcの発生は原理上避けることは
できず、また表示画面を極力明るくするために電極膜の
配列上の図３(b) の相互間隔ｄを短くすればするほど表
示のコントラストが低下することになる。本発明はかか
る問題点を解決して、ＥＬ表示パネルの画像の鮮明度を
向上することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明な
絶縁基板と、その上に被着した金属の遮光膜と、それを
覆う透明な絶縁薄膜と、その上に被着した透明な導電性
材料をストライプ状のパターンに形成した複数条の表面
電極膜と、その上に配設した発光膜と絶縁膜を含む薄膜
積層体と、その上に被着した金属を表面電極膜と交差す
るストライプ状のパターンに形成した複数条の裏面電極
膜とからＥＬ表示パネルを構成し、あるいは上述の遮光
膜と絶縁薄膜のかわりに絶縁基板の上に被着した金属酸
化物からなる遮光絶縁膜を設け、遮光膜ないしは遮光絶
縁膜を表面電極膜と裏面電極膜が交差する範囲に対応す
る窓を備えるパターンに形成することによって前記目的
が達成される。
絶縁基板と、その上に被着した金属の遮光膜と、それを
覆う透明な絶縁薄膜と、その上に被着した透明な導電性
材料をストライプ状のパターンに形成した複数条の表面
電極膜と、その上に配設した発光膜と絶縁膜を含む薄膜
積層体と、その上に被着した金属を表面電極膜と交差す
るストライプ状のパターンに形成した複数条の裏面電極
膜とからＥＬ表示パネルを構成し、あるいは上述の遮光
膜と絶縁薄膜のかわりに絶縁基板の上に被着した金属酸
化物からなる遮光絶縁膜を設け、遮光膜ないしは遮光絶
縁膜を表面電極膜と裏面電極膜が交差する範囲に対応す
る窓を備えるパターンに形成することによって前記目的
が達成される。
【０００７】なお、上記の構成にいう遮光膜用の金属に
はCr,Ta,Ｗ,Mo,Ti等を用いることができ、その膜厚は 5
00Å以上とするのが望ましく、絶縁薄膜にはSiO2等の通
常の絶縁膜を適宜に用いることでよい。また、遮光絶縁
膜としては酸素欠乏性のふん囲気ないしは若干還元性の
ふん囲気内でスパッタリング法等によって成膜された金
属酸化膜, 例えば酸化タンタル膜を用いるのがよく、そ
の膜厚は1000Å以上とするのが望ましい。さらに、遮光
膜や遮光絶縁膜を表示パネル面内の画素が配列される部
分を除いた絶縁基板の周縁部を遮光するパターンに形成
し、その各画素に対する窓のパターンは表面電極膜と裏
面電極膜のストライプ状パターンの交差範囲より若干小
さいめ, 例えば２〜５μｍ程度小さいめのサイズに形成
するのが表示の鮮明度を一層高める上で望ましい。
はCr,Ta,Ｗ,Mo,Ti等を用いることができ、その膜厚は 5
00Å以上とするのが望ましく、絶縁薄膜にはSiO2等の通
常の絶縁膜を適宜に用いることでよい。また、遮光絶縁
膜としては酸素欠乏性のふん囲気ないしは若干還元性の
ふん囲気内でスパッタリング法等によって成膜された金
属酸化膜, 例えば酸化タンタル膜を用いるのがよく、そ
の膜厚は1000Å以上とするのが望ましい。さらに、遮光
膜や遮光絶縁膜を表示パネル面内の画素が配列される部
分を除いた絶縁基板の周縁部を遮光するパターンに形成
し、その各画素に対する窓のパターンは表面電極膜と裏
面電極膜のストライプ状パターンの交差範囲より若干小
さいめ, 例えば２〜５μｍ程度小さいめのサイズに形成
するのが表示の鮮明度を一層高める上で望ましい。
【０００８】
【作用】本発明は前項の構成にいう金属の遮光膜または
遮光絶縁膜をＥＬ表示パネルの積層構造内に表面電極膜
と裏面電極膜の交差範囲に対応する窓を備えるパターン
で組み込んで各画素からのクロス光を遮断することによ
り、その表示をいわゆるブラックマトリックス化して鮮
明度を向上するとともに、これらの遮光膜ないし遮光絶
縁膜を表示光の出側である絶縁基板の上に配設すること
により、その上に表示パネルの薄膜構造を従来と同じ要
領の一貫した工程で積層できるようにし、かつクロス光
が絶縁基板内で混合する前に遮断してしまって表示の鮮
明度の低下を最低に抑えるようにしたものである。
遮光絶縁膜をＥＬ表示パネルの積層構造内に表面電極膜
と裏面電極膜の交差範囲に対応する窓を備えるパターン
で組み込んで各画素からのクロス光を遮断することによ
り、その表示をいわゆるブラックマトリックス化して鮮
明度を向上するとともに、これらの遮光膜ないし遮光絶
縁膜を表示光の出側である絶縁基板の上に配設すること
により、その上に表示パネルの薄膜構造を従来と同じ要
領の一貫した工程で積層できるようにし、かつクロス光
が絶縁基板内で混合する前に遮断してしまって表示の鮮
明度の低下を最低に抑えるようにしたものである。
【０００９】
【実施例】以下、図を参照して本発明によるＥＬ表示パ
ネルの実施例を説明する。図１に金属の遮光膜を用いる
実施例を断面図と平面図により示し、図２に遮光絶縁膜
を用いる実施例を一部拡大断面で示す。これらの図の前
に説明した図３と対応する部分に同じ符号が付けられて
いるので、以下では重複部分の説明を適宜省略すること
とする。
ネルの実施例を説明する。図１に金属の遮光膜を用いる
実施例を断面図と平面図により示し、図２に遮光絶縁膜
を用いる実施例を一部拡大断面で示す。これらの図の前
に説明した図３と対応する部分に同じ符号が付けられて
いるので、以下では重複部分の説明を適宜省略すること
とする。
【００１０】図１(a) に断面で示す本発明のＥＬ表示パ
ネル10では、透明な絶縁基板１上にまず金属の遮光膜20
が配設される。これ用の金属としてCrをスパッタ法によ
って1000Å程度の膜厚に全面被着し、例えば硝酸第２セ
リウムアンモンと過塩素酸の混合水溶液を用いるエッチ
ングにより図１(b) に示すように表面電極膜２と裏面電
極膜７の交差範囲である各画素に対応する窓20ａをもつ
パターンに形成する。これにより、図１(a) からわかる
ようＥＬ表示パネル10の外部との接続部である絶縁基板
１の周縁部はこの遮光膜20により遮光される。なお、こ
の遮光膜20用の金属としてCrのほかにTa,Mo,Ｗ,Ti 等を
用いてもよく、充分な遮光性を持たせるためいずれの場
合も膜厚は 500Å以上とするのがよい。次に、絶縁薄膜
22としてSiO2膜や金属酸化物膜を遮光膜20を完全に覆う
ようにスパッタ法等により1000Å程度の膜厚で全面被着
する。
ネル10では、透明な絶縁基板１上にまず金属の遮光膜20
が配設される。これ用の金属としてCrをスパッタ法によ
って1000Å程度の膜厚に全面被着し、例えば硝酸第２セ
リウムアンモンと過塩素酸の混合水溶液を用いるエッチ
ングにより図１(b) に示すように表面電極膜２と裏面電
極膜７の交差範囲である各画素に対応する窓20ａをもつ
パターンに形成する。これにより、図１(a) からわかる
ようＥＬ表示パネル10の外部との接続部である絶縁基板
１の周縁部はこの遮光膜20により遮光される。なお、こ
の遮光膜20用の金属としてCrのほかにTa,Mo,Ｗ,Ti 等を
用いてもよく、充分な遮光性を持たせるためいずれの場
合も膜厚は 500Å以上とするのがよい。次に、絶縁薄膜
22としてSiO2膜や金属酸化物膜を遮光膜20を完全に覆う
ようにスパッタ法等により1000Å程度の膜厚で全面被着
する。
【００１１】この絶縁薄膜22の上には、従来の絶縁基板
１上に対すると同じ要領でＥＬ表示パネル10の薄膜積層
構造を作り込むことでよい。この際に積層される各層の
膜厚は例えば表面電極膜２が2000Å, 絶縁膜３と５が各
3000Å, 発光膜４が5000Å,裏面電極膜７が5000Åとさ
れ、電極膜２と７および絶縁膜３と５はスパッタ法によ
り成膜するのがよく、発光膜４用には例えば黄色発光用
の発光中心元素として約 0.5wt％のMnを含むZnＳの母材
を電子ビーム蒸着法により成膜するのがよい。発光膜４
を含む薄膜積層体６の周縁部は図のように上側絶縁膜５
により覆われ、その上に裏面電極膜７が配設される。
１上に対すると同じ要領でＥＬ表示パネル10の薄膜積層
構造を作り込むことでよい。この際に積層される各層の
膜厚は例えば表面電極膜２が2000Å, 絶縁膜３と５が各
3000Å, 発光膜４が5000Å,裏面電極膜７が5000Åとさ
れ、電極膜２と７および絶縁膜３と５はスパッタ法によ
り成膜するのがよく、発光膜４用には例えば黄色発光用
の発光中心元素として約 0.5wt％のMnを含むZnＳの母材
を電子ビーム蒸着法により成膜するのがよい。発光膜４
を含む薄膜積層体６の周縁部は図のように上側絶縁膜５
により覆われ、その上に裏面電極膜７が配設される。
【００１２】表面電極膜２と裏面電極膜７は図１(b) に
示すようにストライプ状パターンに形成され、それらの
交差範囲がＥＬ表示パネル10の各画素になるのは従来と
同じであるが、遮光膜20の窓20ａはこの画素と同程度か
例えば２〜５μｍ程度小さなサイズに形成するのがよ
い。また、両電極膜２や７の端部はふつう図示のように
それぞれ上下と左右方向に交互に絶縁基板１の周縁部に
まで延長され、ＥＬ表示パネル10の接続部2aや7aとされ
る。ＥＬ表示パネル10にこれらの接続部を介して表示電
圧を与えて画像を表示させる要領は従来と同じである。
示すようにストライプ状パターンに形成され、それらの
交差範囲がＥＬ表示パネル10の各画素になるのは従来と
同じであるが、遮光膜20の窓20ａはこの画素と同程度か
例えば２〜５μｍ程度小さなサイズに形成するのがよ
い。また、両電極膜２や７の端部はふつう図示のように
それぞれ上下と左右方向に交互に絶縁基板１の周縁部に
まで延長され、ＥＬ表示パネル10の接続部2aや7aとされ
る。ＥＬ表示パネル10にこれらの接続部を介して表示電
圧を与えて画像を表示させる要領は従来と同じである。
【００１３】図２に部分拡大断面で示す実施例では遮光
性と絶縁性をもつ金属酸化物の遮光絶縁膜21が用いられ
る。ふつうは絶縁性である金属酸化物を遮光性の黒色の
膜とするには、それを酸素欠乏性ないしは弱い還元性の
ふん囲気内でスパッタ法等によって成膜するのがよく、
この実施例では遮光絶縁膜21をアルゴンふん囲気内でTa
2O5 をターゲットとするスパッタ法により TaOX ただし
ｘ＜ 2.5の組成をもつ黒色で絶縁性の酸化タンタル膜を
絶縁基板１の上に1000Å程度の膜厚で成膜した上で、CF
4 等のふっ素系ガスを用いるドライエッチングにより図
１(b) のような画素用の窓を備えるパターンに形成す
る。この遮光絶縁膜21は絶縁性なので前の実施例のよう
な絶縁薄膜22は不要であり、表面電極膜２用に透明導電
性膜を図のように遮光絶縁膜21の窓内で絶縁基板１に接
しかつそれと重なるように被着した上でストライプ状に
パターンニングする。
性と絶縁性をもつ金属酸化物の遮光絶縁膜21が用いられ
る。ふつうは絶縁性である金属酸化物を遮光性の黒色の
膜とするには、それを酸素欠乏性ないしは弱い還元性の
ふん囲気内でスパッタ法等によって成膜するのがよく、
この実施例では遮光絶縁膜21をアルゴンふん囲気内でTa
2O5 をターゲットとするスパッタ法により TaOX ただし
ｘ＜ 2.5の組成をもつ黒色で絶縁性の酸化タンタル膜を
絶縁基板１の上に1000Å程度の膜厚で成膜した上で、CF
4 等のふっ素系ガスを用いるドライエッチングにより図
１(b) のような画素用の窓を備えるパターンに形成す
る。この遮光絶縁膜21は絶縁性なので前の実施例のよう
な絶縁薄膜22は不要であり、表面電極膜２用に透明導電
性膜を図のように遮光絶縁膜21の窓内で絶縁基板１に接
しかつそれと重なるように被着した上でストライプ状に
パターンニングする。
【００１４】図２のＥＬ表示パネル11はカラー表示用な
ので、表面電極膜２を覆う絶縁膜３の上に赤色表示用の
発光膜4rと緑色表示用の発光膜4gと青色表示用の発光膜
4bが配設される。これら発光膜は例えばZnＳ母材に赤,
緑, 青の発光中心元素としてそれぞれSm, Tb, Tmを添加
した材料を電子ビーム蒸着法等により成膜してドライエ
ッチングによって各画素のパターンに形成する工程を繰
り返して配設される。以降はこれらの発光膜を絶縁膜５
で包み込み、その上にストライプ状パターンの裏面電極
膜７を配設することでよい。
ので、表面電極膜２を覆う絶縁膜３の上に赤色表示用の
発光膜4rと緑色表示用の発光膜4gと青色表示用の発光膜
4bが配設される。これら発光膜は例えばZnＳ母材に赤,
緑, 青の発光中心元素としてそれぞれSm, Tb, Tmを添加
した材料を電子ビーム蒸着法等により成膜してドライエ
ッチングによって各画素のパターンに形成する工程を繰
り返して配設される。以降はこれらの発光膜を絶縁膜５
で包み込み、その上にストライプ状パターンの裏面電極
膜７を配設することでよい。
【００１５】図２の構造のＥＬ表示パネル11では、各発
光膜4r, 4g, 4bから正面方向に出る赤, 緑, 青の表示光
Lr, Lg, Lbは遮光絶縁膜21の窓を介して絶縁基板１から
取り出されるが、斜め方向に出るクロス光Lcは画素間に
介在する黒色の遮光絶縁膜21により遮光される。各発光
膜ないしは画素のサイズは 200〜300 μｍ角程度で、絶
縁膜３の膜厚が 0.3μｍ程度とこれに比べて格段に薄い
ので、数十μｍの幅の遮光絶縁膜21によってクロス光Lc
がほぼ完全に遮光され、そのいわゆるブラックマトリッ
クス効果により画素間の混色が防止されて、ＥＬ表示パ
ネル11のカラー表示が非常に鮮明になる。なお、図１
(a) のように発光膜４が連続膜である単色表示のＥＬ表
示パネル10の場合も同様であって、その遮光膜20により
クロス光をほぼ完全に遮光して表示光の画素間の混合を
防ぎ、表示のコントラストを高めて画像を鮮明にするこ
とができる。
光膜4r, 4g, 4bから正面方向に出る赤, 緑, 青の表示光
Lr, Lg, Lbは遮光絶縁膜21の窓を介して絶縁基板１から
取り出されるが、斜め方向に出るクロス光Lcは画素間に
介在する黒色の遮光絶縁膜21により遮光される。各発光
膜ないしは画素のサイズは 200〜300 μｍ角程度で、絶
縁膜３の膜厚が 0.3μｍ程度とこれに比べて格段に薄い
ので、数十μｍの幅の遮光絶縁膜21によってクロス光Lc
がほぼ完全に遮光され、そのいわゆるブラックマトリッ
クス効果により画素間の混色が防止されて、ＥＬ表示パ
ネル11のカラー表示が非常に鮮明になる。なお、図１
(a) のように発光膜４が連続膜である単色表示のＥＬ表
示パネル10の場合も同様であって、その遮光膜20により
クロス光をほぼ完全に遮光して表示光の画素間の混合を
防ぎ、表示のコントラストを高めて画像を鮮明にするこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のとおり本発明では、絶縁基板上に
金属の遮光膜と絶縁薄膜あるいは金属酸化物の遮光絶縁
膜を配設した上でＥＬ表示パネルの薄膜積層構造を作り
込み、かつ遮光膜や遮光絶縁膜を表面電極膜と裏面電極
膜の交差範囲である各画素用に窓を備えるパターンに形
成するようにしたので、表示光中のクロス光が遮光膜や
遮光絶縁膜により遮断されて表示の画素間の混合ないし
は混色が防止され、このブラックマトリックス効果によ
りＥＬ表示パネルの表示のコントラストを高めて画像の
鮮明度を向上することができる。
金属の遮光膜と絶縁薄膜あるいは金属酸化物の遮光絶縁
膜を配設した上でＥＬ表示パネルの薄膜積層構造を作り
込み、かつ遮光膜や遮光絶縁膜を表面電極膜と裏面電極
膜の交差範囲である各画素用に窓を備えるパターンに形
成するようにしたので、表示光中のクロス光が遮光膜や
遮光絶縁膜により遮断されて表示の画素間の混合ないし
は混色が防止され、このブラックマトリックス効果によ
りＥＬ表示パネルの表示のコントラストを高めて画像の
鮮明度を向上することができる。
【００１７】また、本発明では遮光膜や遮光絶縁膜を表
示光の出射側である絶縁基板の上にまず配設するように
したので、その上にＥＬ表示パネルの薄膜構造を従来と
全く同じ要領で容易に積層することができ、かつクロス
光を絶縁基板内で混合ないし混色する以前にほぼ完全に
遮光して表示の鮮明度を一層向上することができる。な
お、本発明はカラー表示のＥＬ表示パネルに適用して画
素間の混色防止によりカラー画質を向上する効果がとく
に高い。
示光の出射側である絶縁基板の上にまず配設するように
したので、その上にＥＬ表示パネルの薄膜構造を従来と
全く同じ要領で容易に積層することができ、かつクロス
光を絶縁基板内で混合ないし混色する以前にほぼ完全に
遮光して表示の鮮明度を一層向上することができる。な
お、本発明はカラー表示のＥＬ表示パネルに適用して画
素間の混色防止によりカラー画質を向上する効果がとく
に高い。
【図１】本発明によるＥＬ表示パネルの金属の遮光膜を
用いる実施例を示し、同図(a)はその断面図、同図(b)
は平面図である。
用いる実施例を示し、同図(a)はその断面図、同図(b)
は平面図である。
【図２】本発明の遮光絶縁膜を用いる実施例を示すその
一部拡大断面図である。
一部拡大断面図である。
【図３】従来のＥＬ表示パネルの断面図である。
１ 絶縁基板 ２ 表面電極膜 ３ 絶縁膜 ４ 発光膜 4b 青表示用発光膜 4g 緑表示用発光膜 4r 赤表示用発光膜 ５ 絶縁膜 ６ 薄膜積層体 ７ 裏面電極膜 10 単色表示のＥＬ表示パネル 11 カラー表示のＥＬ表示パネル 20 金属の遮光膜 20ａ 遮光膜の窓 21 絶縁遮光膜 22 絶縁薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】透明な絶縁基板と、絶縁基板上に被着され
た金属の遮光膜と、遮光膜を覆う透明な絶縁薄膜と、絶
縁薄膜上に被着された透明な導電性材料からなりストラ
イプ状のパターンに形成された複数条の表面電極膜と、
表面電極膜上に配設された発光膜と絶縁膜からなる薄膜
積層体と、薄膜積層体上に被着された金属からなり表面
電極膜と交差するストライプ状のパターンに形成された
複数条の裏面電極膜とを備え、遮光膜を表面電極膜と裏
面電極膜が交差する範囲に対応する窓を備えるパターン
に形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示パネル。 - 【請求項２】透明な絶縁基板と、絶縁基板の上に被着さ
れた金属酸化物からなる遮光絶縁膜と、遮光膜と絶縁基
板との上に被着された透明な導電性材料からなりストラ
イプ状のパターンに形成された複数条の表面電極膜と、
表面電極膜上に配設された発光膜と絶縁膜からなる薄膜
積層体と、薄膜積層体上に被着された金属からなり表面
電極膜と交差するストライプ状のパターンに形成された
複数条の裏面電極膜とを備え、遮光絶縁膜を表面電極膜
と裏面電極膜が交差する範囲に対応する窓を備えるパタ
ーンに形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセ
ンス表示パネル。 - 【請求項３】請求項２に記載の表示パネルにおいて、遮
光絶縁膜が酸素欠乏性のふん囲気内でスパッタリングさ
れた酸化タンタルからなることを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002492A JPH05190285A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | エレクトロルミネッセンス表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002492A JPH05190285A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | エレクトロルミネッセンス表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190285A true JPH05190285A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11530865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4002492A Pending JPH05190285A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | エレクトロルミネッセンス表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190285A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004513380A (ja) * | 1998-02-17 | 2004-04-30 | サーノフ コーポレイション | 電子表示装置のコントラスト向上 |
| JP2004341196A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| WO2005098802A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2006018195A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 表示デバイス |
| JP2006065305A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-03-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器 |
| JP2006184873A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-07-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2009064745A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | 膜形成方法、光学素子の形成方法、導電膜の形成方法、光学素子及び配線 |
| JP2009117398A (ja) * | 2001-12-28 | 2009-05-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8487840B2 (en) | 2004-12-03 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2016212979A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP4002492A patent/JPH05190285A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004513380A (ja) * | 1998-02-17 | 2004-04-30 | サーノフ コーポレイション | 電子表示装置のコントラスト向上 |
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| US9450030B2 (en) | 2001-12-28 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix light-emitting device with overlapping electroluminescent layers |
| US9048203B2 (en) | 2001-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
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| WO2005098802A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
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| JP2016212979A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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