CN107488828B - 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 - Google Patents

形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107488828B
CN107488828B CN201610409464.7A CN201610409464A CN107488828B CN 107488828 B CN107488828 B CN 107488828B CN 201610409464 A CN201610409464 A CN 201610409464A CN 107488828 B CN107488828 B CN 107488828B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sputtering
target
substrate
aluminum
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610409464.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107488828A (zh
Inventor
王军
董博宇
郭冰亮
耿玉洁
马怀超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201610409464.7A priority Critical patent/CN107488828B/zh
Priority to TW105124057A priority patent/TWI614359B/zh
Priority to MYPI2018002524A priority patent/MY184359A/en
Priority to SG11201810601PA priority patent/SG11201810601PA/en
Priority to PCT/CN2016/100297 priority patent/WO2017215146A1/zh
Priority to KR1020177035950A priority patent/KR102010168B1/ko
Priority to US15/547,559 priority patent/US10640862B2/en
Publication of CN107488828A publication Critical patent/CN107488828A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107488828B publication Critical patent/CN107488828B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定靶材状况的效果。本发明的形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层，以此改善氮化铝以及氮化镓层的成膜质量并达到提升电子装置效能的目的。

Description

形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种半导体工艺，特别是一种形成薄膜的方法与形成氮化铝薄膜的方法。
背景技术
物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)溅射工艺已广泛用于现今的半导体集成电路、发光二极管(light emitting diode，LED)、太阳能电池及显示器等工艺中。在PVD溅射设备的腔室中，通常是利用高功率直流电源连接至靶材，通过加载功率将腔室内的工作气体激发为等离子体(plasma)，并吸引等离子体中的离子轰击靶材，以此使靶材的材料被溅射下来而沉积在晶片等基板上。不同的应用领域通常对溅射功率、溅射速率等工艺参数的要求也有所不同，但基本上对于提升成膜质量、成膜厚度均匀性以及增加设备产能的努力方向却是非常明确的。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种形成薄膜的方法与形成氮化铝薄膜的方法，以溅射方式形成氮化铝薄膜，并在主溅射之前分别进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定成膜工艺以及改善成膜厚度均匀性的目的。
本发明的一些实施例提供一种形成薄膜的方法，包括下列步骤。首先，将基板放置于承载底座上。然后，利用设置的靶材进行第一预溅射。在第一预溅射之后，利用靶材进行第二预溅射。在第一预溅射以及第二预溅射进行时，遮蔽盘位于靶材与承载底座之间。在第二预溅射之后，将遮蔽盘移开，利用靶材对基板进行主溅射，以在基板上形成薄膜，其中第一预溅射与第二预溅射具有不同的工艺参数。
本发明的一些实施例提供一种形成氮化铝薄膜的方法，包括下列步骤。首先，将基板放置于承载底座上。然后，利用含铝靶材进行第一预溅射。在第一预溅射之后，利用含铝靶材进行第二预溅射。在第一预溅射以及第二预溅射进行时，遮蔽盘位于含铝靶材与承载底座之间。在第二预溅射之后，将遮蔽盘移开，利用含铝靶材对基板进行主溅射，以在基板上形成氮化铝薄膜，其中第一预溅射与第二预溅射具有不同的工艺参数。
在本发明的形成薄膜的方法中，在进行主溅射之前先利用同一靶材进行两次工艺参数不同的预溅射，以此可稳定靶材的状况，且可补偿以相同溅射工艺参数操作时间较久时对于成膜厚度均匀性的负面影响，故可达到改善成膜质量以及提升成膜厚度均匀性等效果。
附图说明
图1为本发明一些实施例的形成薄膜的方法的流程示意图；
图2A为本发明一些实施例的形成薄膜的方法示意图；
图2B为本发明一些实施例的形成薄膜的方法示意图；
图2C为本发明一些实施例的形成薄膜的方法示意图；以及
图3为本发明一些实施例的电子装置的示意图。
【符号说明】
20 溅射装置
21 腔室
21S 内壁
22 承载底座
23 托盘
24 遮蔽盘
25 遮蔽盘库
26 隔热环
27 覆盖环
28A 下端盖
28B 上端盖
29 磁控管
30 电子装置
31 基板
32 氮化铝缓冲层
33 氮化镓层
33N N型掺杂氮化镓层
33P P型掺杂氮化镓层
34 量子阱层
100 方法
110、121、122、130、140 步骤
SR 溅射流程
T 靶材
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明提供的形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法进行说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的形成薄膜的方法中，在进行主溅射之前是先利用同一靶材进行两次预溅射，使靶材的状况可于主溅射之前趋于稳定。此外，由于两次的预溅射具有不同的工艺参数，故可补偿以相同溅射工艺参数操作时间较久时对于成膜厚度均匀性的负面影响，故可改善成膜质量并提升成膜厚度的均匀性。
本发明的方法所形成的氮化铝薄膜具有较好的质量，对于后续形成于氮化铝薄膜上的氮化镓层的外延生长(Epitaxy)质量亦有所提升。氮化铝薄膜与氮化镓层可应用于电子装置例如发光二极管装置中，成膜质量提升的氮化镓层可用以提升电子装置的电性表现，而厚度均匀性提升的氮化铝薄膜亦对电子装置的量产产品的稳定性有正面的帮助。
图1为本发明一些实施例的形成薄膜的方法的流程示意图，如图1所示，本发明一些实施例提供一种形成薄膜的方法100，而方法100包括多个步骤。首先，进行溅射流程SR，溅射流程SR包括下列的步骤110、步骤121、步骤122、步骤130以及步骤140。在步骤110处，将基板放置于承载底座上。在步骤121处，利用设置的靶材进行第一预溅射。在步骤122处，于第一预溅射之后，利用该靶材进行第二预溅射。在步骤130处，将遮蔽盘移开并利用靶材对基板进行主溅射，以于基板上形成一薄膜。在步骤140处，将形成有薄膜的基板载出。
上述的方法100仅为示例，而本发明并不以方法100的内容为限，其他需要的额外步骤可在方法100之前、之后和/或其中进行，而方法100中所述的步骤也可于其他实施例中被取代、删除或改变其顺序。此外，本说明书中所使用的“步骤”一词并不限于单一动作，此“步骤”一词可包括单一个动作、操作或手法，或者可为由多个动作、操作和/或手法所组成的集合。并且，本发明中，每一次溅射流程SR对一批次的基板进行加工以在该批次的各基板的表面形成薄膜，其中，所谓一批次的基板，指的是每一次溅射流程所处理的全部基板，其可以是一个基板，也可以是多个基板。
图2A至图2C为本发明一些实施例的形成薄膜的方法示意图。如图2A以及图1所示，本发明一些实施例提供一种形成薄膜的方法100，而方法100包括多个步骤。首先，提供一溅射装置20。溅射装置20包括腔室21、承载底座22以及遮蔽盘24。在一些实施例中，溅射装置20还可包括存放遮蔽盘24的遮蔽盘库25、隔热环26、覆盖环27、下端盖28A、上端盖28B以及磁控管29，遮蔽盘库25穿透腔室21的内壁21S而与腔室21的内部环境连通，但并不以此为限。在本发明的其他实施例中，亦可视需要在溅射装置20之内和/或之外设置其他需要的部件。在一些实施例中，溅射装置20可包括磁控溅射装置例如射频磁控溅射装置、反应式磁控溅射装置等，用以提升溅射成膜的沉积速率以及均匀性，但并不以此为限。然后，进行溅射流程SR，溅射流程SR包括步骤110、步骤121、步骤122、步骤130以及步骤140。在步骤110处，将基板31载入腔室21内，并放置于承载底座22上。在一些实施例中，可先将一个或多个基板31放置于托盘23上，再将放置有基板31的托盘23通过例如机械手臂载入腔室21内并放置于承载底座22上。在另外一些实施例中，也可不通过托盘23而直接将基板31放置于承载底座22上。
在一些实施例中，基板31可为蓝宝石基板、碳化硅(SiC)或其它适合的材质所形成的基板，例如半导体基板、绝缘层覆硅(SOI)基板、玻璃基板或陶瓷基板，而托盘23可由例如碳化硅(SiC)或钼所制成，但并不以此为限。
然后，如图2B以及图1所示，在步骤121处，利用设置于腔室21内的靶材T进行第一预溅射，而第一预溅射时遮蔽盘24位于靶材T与承载底座22之间。在一些实施例中，遮蔽盘24在未进行第一预溅射时可先放置于遮蔽盘库25中，而要进行第一预溅射之前，遮蔽盘24自遮蔽盘库25移至腔室21中并位于靶材T与基板31之间再进行第一预溅射，且在第一预溅射进行时遮蔽盘24也位于靶材T与基板31之间，以此避免靶材T的材料通过第一预溅射形成在基板31上。接着，在步骤122处，在第一预溅射之后，利用靶材T进行第二预溅射，而第二预溅射时遮蔽盘24位于靶材T与承载底座22之间。在一些实施例中，在第二预溅射进行时，遮蔽盘24也是位于靶材T与基板31之间，以此避免靶材T的材料通过第二预溅射形成在基板31上。换句话说，遮蔽盘24可被视为一挡板，用以阻挡第一预溅射以及第二预溅射以避免基板31被影响。在一些实施例中，第一预溅射与第二预溅射是在基板31加载腔室21内之后进行，且第一预溅射与第二预溅射进行时遮蔽盘24位于靶材T与基板31之间以及靶材T与承载底座22之间，但并不以此限。在一些其他实施例中，亦可于基板31加载腔室21内之前即先进行上述的第一预溅射与第二预溅射。值得说明的是，第一预溅射与第二预溅射具有不同的工艺参数，以此可稳定腔室21内的状况以及靶材T的状况，且可补偿以相同溅射工艺参数操作时间较久时对于成膜厚度均匀性的负面影响，故可达到改善成膜质量以及提升成膜厚度均匀性等效果。
举例来说，进行第一预溅射时通入腔室21内的气体可不同于进行第二预溅射时通入腔室21的气体，但并不以此为限。在本发明的一些其他实施例中，亦可视需要调整其他的工艺参数例如对靶材T加载电源的功率大小而使得第一预溅射与第二预溅射具有不同的工艺参数。举例来说，第二预溅射时通入腔室21内的气体可与第一预溅射时通入腔室21内的气体不同，但第二预溅射时通入腔室21内的气体可与后续进行主溅射时通入腔室21内的气体相同，但并不以此为限。在一些实施例中，进行第一预溅射时对靶材T加载的溅射功率可不同于进行第二预溅射时对靶材T加载的溅射功率，例如第二预溅射时对靶材T加载的溅射功率可小于进行第一预溅射时对靶材T加载的溅射功率，但并不以此为限。此外，当第一预溅射与第二预溅射所通入腔室21中的气体不同时，在第一预溅射之后以及第二预溅射之前优选地是不对靶材T加载电源，也就是说在第一预溅射之后以及第二预溅射之前腔室21内优选地为断辉(即腔室21内不起辉)的状态，以此确保第一预溅射与第二预溅射各自的工艺状况，但并不以此为限。在一些其他实施例中，亦可视需要以不断辉的方式连续进行第一预溅射与第二预溅射。
之后，如图2C以及图1所示，在步骤130处，将遮蔽盘24移开并利用靶材T对基板31进行主溅射，以于基板31上形成薄膜。主溅射与第一预溅射和/或第二预溅射的工艺参数至少部分相同，以此使腔室21内的状况在主溅射进行之前即趋于稳定，但并不以此为限。举例来说，在一些实施例中，进行第一预溅射时对靶材T加载的溅射功率可与进行主溅射时对靶材T加载的溅射功率相同，而第二预溅射时通入腔室21内的气体可与进行主溅射时通入腔室21内的气体相同，但并不以此为限。
在一些实施例中，形成薄膜的方法100可用以形成非金属薄膜、金属薄膜或金属化合物薄膜。举例来说，当要在基板31上形成的薄膜为氮化铝(AlN)时，靶材T可为含铝的靶材，例如纯铝靶材或氮化铝靶材，这样，上述的方法100就可视为形成氮化铝薄膜的方法。
当方法100是用以形成氮化铝薄膜时，在基板31载入腔室21之后，利用设置于腔室21内的含铝靶材(也就是靶材T)进行第一预溅射与第二预溅射(例如图2B所示的状况)，其中在第一预溅射与第二预溅射进行时遮蔽盘24位于含铝靶材(也就是靶材T)与基板31之间；而在第二预溅射之后，将遮蔽盘24移开并利用含铝靶材(也就是靶材T)对基板31进行主溅射，以于基板上形成氮化铝薄膜(例如图2C所示的状况)。此外，在形成氮化铝薄膜时，上述的主溅射可包括在腔室21内通入含氮气体、含氧气体以及惰性气体例如氩(argon，Ar)，并使由惰性气体产生的离子(例如Ar离子)撞击含铝靶材(也就是靶材T)，以于基板31上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜则包括氧掺入的氮化铝薄膜。举例来说，在主溅射时，通入含氮气体例如氮气的流量范围可介于30至300每分钟标准毫升(standard cubiccentimeter per minute，sccm)之间，且优选地可介于100sccm至220sccm之间；通入惰性气体例如氩气的流量范围可介于15sccm至100sccm之间，且优选地可介于20sccm至70sccm之间；通入含氧气体例如氧气的流量范围可介于0.5sccm至10sccm之间，且优选地可介于0.5sccm至5sccm之间，但并不以此为限。此外，主溅射时，对靶材T加载的溅射功率可包括一功率范围介于2500瓦至4000瓦的脉冲直流电源，且功率范围优选地可介于2800瓦至3500瓦之间，但并不以此为限。
在一些实施例中，第一预溅射亦可包括在腔室21内通入含氮气体以及惰性气体例如氩而不通入含氧气体，并使由惰性气体产生的离子撞击含铝靶材(也就是靶材T)，以此达到清洗靶材T的效果，例如除去至少部分的因为先前工艺而在靶材T的表面所形成的氮化铝。举例来说，在第一预溅射时，通入含氮气体例如氮气的流量范围可介于30sccm至200sccm之间，且优选地可介于50sccm至150sccm之间；通入惰性气体例如氩气的流量范围可介于15sccm至100sccm之间，且优选地可介于20sccm至70sccm之间，但并不以此为限。此外，在第一预溅射时，对靶材T加载的溅射功率可介于2500瓦至4000瓦之间，且优选地可介于2800瓦至3500瓦之间，但并不以此为限。
在一些实施例中，第二预溅射可包括在腔室21内通入含氮气体、含氧气体以及惰性气体例如氩，并使由惰性气体产生的离子撞击含铝靶材(也就是靶材T)，以此对经过第一预溅射清洗后的靶材T表面进行修饰，使得靶材T表面处于氧掺入的氮化铝(亦可视为氮氧化铝，AlON)的状态。举例来说，在第二预溅射时，通入含氮气体例如氮气的流量范围可介于30sccm至300sccm之间，且优选地可介于100sccm至220sccm之间；通入惰性气体例如氩气的流量范围可介于15sccm至100sccm之间，且优选地可介于20sccm至70sccm之间；通入含氧气体例如氧气的流量范围可介于0.5sccm至10sccm之间，且优选地可介于0.5sccm至5sccm之间，但并不以此为限。此外，在第二预溅射时，对靶材T加载的溅射功率可介于200瓦至4000瓦之间，且优选地可介于500瓦至1500瓦之间，但并不以此为限。
在一些实施例中，可在第二预溅射之后以及主溅射之前停止对靶材T加载电源功率，也就是在第二预溅射之后以及主溅射之前可不对靶材T加载电源，而待基板31移至工艺位要进行主溅射时再对靶材T加载电源功率以起辉，以此可增加靶材T的使用寿命，但并不以此为限。换句话说，上述的方法100还可包括将基板31在腔室21中移至工艺位之后进行主溅射(如图2C所示的状况)，以及对靶材T加载电源以进行主溅射，其中在第二预溅射之后以及将基板31移至工艺位之前不对靶材T加载电源。
然后，在步骤140处，将形成有薄膜(例如上述的氮化铝薄膜)的基板31移出腔室21，从而完成一次上述的溅射流程SR。换句话说，在一些实施例中，一次的溅射流程SR是指将放置有一个或多个基板31(即，一批次的基板31)的托盘23加载腔室21后，进行第一预溅射、第二预溅射以及对托盘23上的一个或多个基板31(即，一批次的基板31)进行主溅射形成薄膜后将托盘23移出腔室21的流程。
本发明的方法使用具有不同工艺参数的第一预溅射与第二预溅射，可稳定腔室21内的状况以及靶材T的状况，并可补偿以相同溅射工艺参数操作时间较久时对于成膜厚度均匀性的负面影响，故可达到改善成膜质量以及提升成膜厚度均匀性等效果。举例来说，请参考下列表1与表2。表1为一对照实施例的方法(预溅射与主溅射具有相同工艺参数)形成氮化铝薄膜的厚度状况，且每一次溅射流程是对托盘上放置的五片基板(即，每一批次的基板包含5个基板)进行主溅射；而表2为以上述的方法100(进行两次具有不同工艺参数的预溅射)形成氮化铝薄膜的厚度状况，且每一次溅射流程亦是对托盘上放置的五片基板(即，每一批次的基板包含5个基板)进行主溅射。由表1与表2的结果可知，若预溅射的工艺参数与主溅射的工艺参数相同，不论是单片的基板上所形成的氮化铝薄膜的厚度的均匀性或是同一盘的五片基板(即，同一批次的基板)上的氮化铝薄膜的厚度的均匀性均明显差于以本发明的方法(本发明中进行两次具有不同工艺参数的预溅射)所形成氮化铝薄膜。此外，连续进行本发明的上述溅射流程20次，其结果显示：对于每一批次的基板而言，每个基板均具有很好的膜厚均匀性，且不同的基板之间的膜厚均匀性也很好；并且，对于不同批次的基板而言，不同批次之间的膜厚均匀性亦得到改善。换句话说，利用本发明的形成薄膜的方法，可有效地改善成膜厚度的均匀性。
表1
Figure BDA0001014749320000091
Figure BDA0001014749320000101
表2
Figure BDA0001014749320000102
此外，请参阅图1、图2C与图3，图3为本发明一些实施例的电子装置的示意图。如图1、图2C与图3所示，在一些实施例中，形成氮化铝薄膜的方法100可用于形成电子装置30例如氮化镓基发光二极管装置(GaN基LED)中的氮化铝缓冲层32。在一些实施例中，电子装置30可包括基板31、氮化铝缓冲层32以及氮化镓层33。氮化铝缓冲层32是位于基板31上，而氮化镓层33是位于氮化铝缓冲层32上。氮化铝缓冲层32可由上述的方法100形成于基板31上，而氮化镓层33则可形成于氮化铝缓冲层32上。由于氮化铝缓冲层32与基板31(例如蓝宝石基板)之间的晶格失配(lattice mismatch)以及热失配(thermal mismatch)程度相对较小，故氮化铝缓冲层32可用以改善后续于氮化铝缓冲层32上以外延生长方式形成的氮化镓层33的质量，进而达到提升电子装置30性能表现的效果。举例来说，电子装置30可包括发光二极管装置或其他适合的半导体电子装置，而当电子装置30为氮化镓基发光二极管装置时，电子装置30还可包括形成在氮化镓层33上的量子阱层34，此时氮化镓层33可经处理而成为一N型掺杂氮化镓层33N，而量子阱层34上可再形成一P型掺杂氮化镓层33P，但并不以此为限。在形成氮化铝缓冲层32的主溅射时，通入氧气可改善后续于氮化铝缓冲层32上形成的氮化镓层33的成膜质量，而电子装置30的各种电性表现可获得改善。
综上所述，本发明的形成薄膜的方法是在主溅射之前先于欲进行主溅射的同一腔室中，利用同一靶材进行两次工艺参数不同的预溅射，以此达到稳定腔室内以及靶材的状况的效果，且另一方面亦可补偿以相同溅射工艺参数操作时间较久时对于成膜厚度均匀性的负面影响，故可在改善成膜质量的同时达到改善成膜厚度均匀性的效果。当本发明的形成薄膜的方法用于形成氮化铝薄膜时，由于氮化铝薄膜的成膜质量以及厚度均匀性均有所改善，故对于后续形成于氮化铝薄膜上的氮化镓层的外延生长质量亦有所提升。
前述内容概述了一些实施方式的特征，因而本领域普通技术人员可更加理解本申请文件揭示内容的各方面。本领域普通技术人员应理解可轻易使用本申请文件揭示内容作为基础，用于设计或修饰其他工艺与结构而实现与本申请文件所述的实施方式具有相同目的和/或达到相同优点。本领域普通技术人员亦应理解此均等架构并不脱离本申请文件揭示内容的精神与范围，以及本领域普通技术人员可进行各种变化、取代与替换，而不脱离本申请文件揭示内容的精神与范围。

Claims (18)

1.一种形成薄膜的方法，其特征在于，包括：
将基板放置在承载底座上；
以靶材进行第一预溅射；
在所述第一预溅射之后，利用所述靶材进行第二预溅射；
在所述第一预溅射以及所述第二预溅射进行时，遮蔽盘位于所述靶材与所述基板之间；
在所述第二预溅射之后，将所述遮蔽盘移开；以及
利用所述靶材对所述基板进行主溅射，以在所述基板上形成薄膜，
其中，所述第一预溅射与所述第二预溅射具有不同的工艺参数，在所述第二预溅射之后以及所述主溅射之前不对所述靶材加载电源；并且，
进行所述第一预溅射时对所述靶材加载的溅射功率不同于进行所述第二预溅射时对所述靶材加载的溅射功率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时所通入的气体不同于进行所述第二预溅射时所通入的气体。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时所通入的气体与进行所述主溅射时所通入的气体相同。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时对所述靶材加载的所述溅射功率小于进行所述第一预溅射时对所述靶材加载的所述溅射功率。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时对所述靶材加载的所述溅射功率与进行所述主溅射时对所述靶材加载的溅射功率相同。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一预溅射之后以及所述第二预溅射之前不对所述靶材加载电源。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述基板移至工艺位之后进行所述主溅射；以及
对所述靶材加载电源以进行所述主溅射；
其中，在所述第二预溅射之后以及将所述基板移至所述工艺位之前不对所述靶材加载电源。
8.一种形成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，包括：
将基板放置于承载底座上；
利用含铝靶材进行第一预溅射；
在所述第一预溅射之后，利用所述含铝靶材进行第二预溅射；
其中：
在所述第一预溅射以及所述第二预溅射进行时，遮蔽盘位于所述含铝靶材与所述基板之间；
在所述第二预溅射之后，将所述遮蔽盘移开；以及
利用所述含铝靶材对所述基板进行主溅射，以在所述基板上形成氮化铝薄膜，
所述第一预溅射与所述第二预溅射具有不同的工艺参数，在所述第二预溅射之后以及所述主溅射之前不对所述含铝靶材加载电源；并且，
进行所述第一预溅射时对所述含铝靶材加载的溅射功率不同于进行所述第二预溅射时对所述含铝靶材加载的溅射功率。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时所通入的气体不同于进行所述第二预溅射时所通入的气体。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时所通入的气体包括含氮气体以及惰性气体。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时所通入的气体包括含氮气体、含氧气体以及惰性气体。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时所通入的气体与进行所述主溅射时所通入的气体相同。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率小于进行所述第一预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率。
14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率与进行所述主溅射时对所述含铝靶材加载的溅射功率相同。
15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率介于2500瓦至4000瓦之间。
16.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率介于200瓦至4000瓦之间。
17.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一预溅射之后以及所述第二预溅射之前不对所述含铝靶材加载电源。
18.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述基板移至工艺位之后进行所述主溅射；以及
对所述含铝靶材加载电源以进行所述主溅射，在所述第二预溅射之后以及将所述基板移至所述工艺位之前不对所述含铝靶材加载电源。
CN201610409464.7A 2016-06-12 2016-06-12 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 Active CN107488828B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610409464.7A CN107488828B (zh) 2016-06-12 2016-06-12 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
TW105124057A TWI614359B (zh) 2016-06-12 2016-07-29 形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法
SG11201810601PA SG11201810601PA (en) 2016-06-12 2016-09-27 Method for forming film and method for forming aluminum nitride film
PCT/CN2016/100297 WO2017215146A1 (zh) 2016-06-12 2016-09-27 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
MYPI2018002524A MY184359A (en) 2016-06-12 2016-09-27 Method for forming film and method for forming aluminum nitride film
KR1020177035950A KR102010168B1 (ko) 2016-06-12 2016-09-27 박막 형성 방법 및 질화 알루미늄 박막 형성 방법
US15/547,559 US10640862B2 (en) 2016-06-12 2016-09-27 Method for forming film and method for forming aluminum nitride film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610409464.7A CN107488828B (zh) 2016-06-12 2016-06-12 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107488828A CN107488828A (zh) 2017-12-19
CN107488828B true CN107488828B (zh) 2020-01-03

Family

ID=60641946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610409464.7A Active CN107488828B (zh) 2016-06-12 2016-06-12 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10640862B2 (zh)
KR (1) KR102010168B1 (zh)
CN (1) CN107488828B (zh)
MY (1) MY184359A (zh)
SG (1) SG11201810601PA (zh)
TW (1) TWI614359B (zh)
WO (1) WO2017215146A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11739418B2 (en) * 2019-03-22 2023-08-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for deposition of metal nitrides
CN110408905B (zh) * 2018-04-28 2021-01-08 北京北方华创微电子装备有限公司 溅射方法
CN113614274A (zh) 2019-03-22 2021-11-05 应用材料公司 用于沉积具有超导膜的多层器件的方法及装置
TWI780579B (zh) 2020-02-03 2022-10-11 美商應用材料股份有限公司 具有整合化氮化鋁晶種或波導層的超導奈米線單光子偵測器
TWI753759B (zh) 2020-02-03 2022-01-21 美商應用材料股份有限公司 具有整合化氮化鋁種晶或波導層的超導奈米線單光子偵測器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0465803A (ja) * 1990-07-06 1992-03-02 Clarion Co Ltd 酸化物誘電体薄膜作成方法
JPH04160144A (ja) * 1990-10-24 1992-06-03 Nec Corp 誘電体膜の製造方法
CN103103483A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 一种带有基片水冷加热公转台的磁控溅射系统
CN104862659A (zh) * 2015-05-22 2015-08-26 电子科技大学 一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5256266A (en) * 1991-10-31 1993-10-26 Read-Rite Corporation Alumina material useful with thin film heads
US5571603A (en) * 1994-02-25 1996-11-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Aluminum nitride film substrate and process for producing same
JP2848480B2 (ja) * 1994-03-30 1999-01-20 株式会社デンソー 薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2718471B2 (ja) 1996-02-26 1998-02-25 工業技術院長 酸化ニオブエレクトロクロミック材料の製造方法
JPH11269642A (ja) * 1998-03-23 1999-10-05 Advanced Display Inc 薄膜の形成方法および装置
JP3440873B2 (ja) * 1999-03-31 2003-08-25 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP2001176962A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Seiko Epson Corp 半導体装置及び製造方法
JP3994623B2 (ja) * 2000-04-21 2007-10-24 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
CN102251215B (zh) * 2011-07-06 2013-03-06 西南民族大学 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法
TW201419574A (zh) * 2012-11-02 2014-05-16 Fitilite S Pte Ltd 半導體裝置及其製造方法以及發光二極體用之基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0465803A (ja) * 1990-07-06 1992-03-02 Clarion Co Ltd 酸化物誘電体薄膜作成方法
JPH04160144A (ja) * 1990-10-24 1992-06-03 Nec Corp 誘電体膜の製造方法
CN103103483A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 一种带有基片水冷加热公转台的磁控溅射系统
CN104862659A (zh) * 2015-05-22 2015-08-26 电子科技大学 一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI614359B (zh) 2018-02-11
MY184359A (en) 2021-04-01
WO2017215146A1 (zh) 2017-12-21
KR102010168B1 (ko) 2019-08-12
US20180230586A1 (en) 2018-08-16
US10640862B2 (en) 2020-05-05
SG11201810601PA (en) 2018-12-28
KR20180010210A (ko) 2018-01-30
CN107488828A (zh) 2017-12-19
TW201742937A (zh) 2017-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107488828B (zh) 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
CN107492490B (zh) 半导体设备的成膜方法、氮化铝成膜方法以及电子装置
US11575071B2 (en) Oxygen controlled PVD ALN buffer for GAN-based optoelectronic and electronic devices
US11011676B2 (en) PVD buffer layers for LED fabrication
CN104428441A (zh) 由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层
CN114937721B (zh) 一种硅衬底GaN基LED外延片及其制备方法
KR20150007350A (ko) Iii족 질화물 반도체 필름을 증착하는 방법
JP2020050963A (ja) 窒化ガリウム系膜ならびにその製造方法
TWI620829B (zh) Film forming method of semiconductor device and aluminum nitride film forming method of semiconductor device
CN110534403B (zh) 硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法和硅片
US10643843B2 (en) Film forming method and aluminum nitride film forming method for semiconductor apparatus
KR20180030051A (ko) Iii족 질화물 반도체 성장 속도를 증가 및 이온 플럭스 훼손의 감소를 위한 시스템 및 방법
CN109671819A (zh) 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
JP5497301B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP5730326B2 (ja) Ｉｎ金属酸化物膜の形成方法
JP2019149429A (ja) 成膜方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
JP6532237B2 (ja) 成膜方法及び発光ダイオードの製造方法
CN109786217A (zh) 一种发光二极管外延片的制造方法
CN109616401B (zh) 一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片
CN117239028A (zh) 一种发光二极管制备方法及发光二极管
CN117845173A (zh) 工艺方法
CN109326506A (zh) AlN薄膜生长方法
JP2019147976A (ja) 窒化ガリウム薄膜の製造方法、発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant