JPH04160144A - 誘電体膜の製造方法 - Google Patents
誘電体膜の製造方法Info
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- JPH04160144A JPH04160144A JP28615290A JP28615290A JPH04160144A JP H04160144 A JPH04160144 A JP H04160144A JP 28615290 A JP28615290 A JP 28615290A JP 28615290 A JP28615290 A JP 28615290A JP H04160144 A JPH04160144 A JP H04160144A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 53
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｔａの酸化物から成る誘電体層（以下、Ｔａ
酸化膜層と略称する）の製法に関するものである。
酸化膜層と略称する）の製法に関するものである。
Ｔａ酸化膜層は、従来より、種々のデバイスの保護膜層
として用いられているが、近年、樹脂基板との密着性が
高い゛ことから光ディスクの保護層や干渉層として注目
されている。
として用いられているが、近年、樹脂基板との密着性が
高い゛ことから光ディスクの保護層や干渉層として注目
されている。
Ｔａ酸化膜層の製法としては、Ｔａターゲットに対して
、アルゴンＡｒと酸素０２の混合ガスをスパッタガスと
し、電源として高周波ＲＦ電源を用いた、ＲＦ反応性ス
パッタが知られている。そして、スパッタ放電を安定に
するため、基板上への本スパッタに先立ち、通常は、タ
ーゲットと基板の間にシャッタを介在させた状態で、本
スパッタとほぼ同一のスパッタカス及びＲＦ投入パワー
条件でプリスパッタを行う。
、アルゴンＡｒと酸素０２の混合ガスをスパッタガスと
し、電源として高周波ＲＦ電源を用いた、ＲＦ反応性ス
パッタが知られている。そして、スパッタ放電を安定に
するため、基板上への本スパッタに先立ち、通常は、タ
ーゲットと基板の間にシャッタを介在させた状態で、本
スパッタとほぼ同一のスパッタカス及びＲＦ投入パワー
条件でプリスパッタを行う。
しかし、発明者等の実験によれば、プリスパッタとして
、いきなり、アルゴンＡｒと酸素０２の混合ガスをスパ
ッタガスとした反応性スパッタをしようとすると、ＲＦ
電源を投入した初期に於て、異常放電が発生することが
ある。この異常放電は、Ｔａターゲットを大気に曝した
直後や、また、スパッタ放電を、長時間停止後再開しよ
うとした時に著しい。このため、スパッタ放電が停止し
たり、ＲＦ電源を損傷したり、またＴａ酸化膜層の膜質
に再現性がなく、ばらつくと言った問題があった。
、いきなり、アルゴンＡｒと酸素０２の混合ガスをスパ
ッタガスとした反応性スパッタをしようとすると、ＲＦ
電源を投入した初期に於て、異常放電が発生することが
ある。この異常放電は、Ｔａターゲットを大気に曝した
直後や、また、スパッタ放電を、長時間停止後再開しよ
うとした時に著しい。このため、スパッタ放電が停止し
たり、ＲＦ電源を損傷したり、またＴａ酸化膜層の膜質
に再現性がなく、ばらつくと言った問題があった。
本発明の目的は、この異常放電をなくし、Ｔａの酸化物
から成る誘電体層の安定な製造方法を提供することにあ
る。
から成る誘電体層の安定な製造方法を提供することにあ
る。
本発明のＴａの酸化物から成る誘電体層の製造方法は、
Ｔａターゲットに対して、Ａｒと０２の混合ガスをスパ
ッタガスとした反応性スパッタにより、基板上に成膜さ
れるＴａの酸化物から成る誘電体層の製法に於いて、本
スパッタ前に行うプリスパッタが、２段階から成り、第
１のプリスパッタとして、Ａｒのみをスパッタガスとし
たスパッタを行い、第２のプリスパッタとして、Ａｒと
０□の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパッタを
行う事を特徴とする。
Ｔａターゲットに対して、Ａｒと０２の混合ガスをスパ
ッタガスとした反応性スパッタにより、基板上に成膜さ
れるＴａの酸化物から成る誘電体層の製法に於いて、本
スパッタ前に行うプリスパッタが、２段階から成り、第
１のプリスパッタとして、Ａｒのみをスパッタガスとし
たスパッタを行い、第２のプリスパッタとして、Ａｒと
０□の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパッタを
行う事を特徴とする。
°〔実施例〕
第１図及び第２図は、本発明に係るＴａ酸化膜層の成膜
手順及び従来のＴａ酸化膜層の成膜手順を、それぞれ、
時間経過に対して、模式的に示した図である。
手順及び従来のＴａ酸化膜層の成膜手順を、それぞれ、
時間経過に対して、模式的に示した図である。
第１図によれば、プリスパッタが２段階から成る。まず
、第１ブリスパツタとして、時刻ｔ０に於て、スパッタ
室内に、Ａｒガスだけを導入すると同時に、ＲＦパワー
を投入し、ｔ１迄、Ａｒのみをスパッタガスとしたスパ
ッタを行う。次に、第２ブリスパツタとして、ｔｌに於
て、Ａｒガスに加え０２ガスも導入し、ｔ２迄、Ａｒと
０２の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパッタを
行う。
、第１ブリスパツタとして、時刻ｔ０に於て、スパッタ
室内に、Ａｒガスだけを導入すると同時に、ＲＦパワー
を投入し、ｔ１迄、Ａｒのみをスパッタガスとしたスパ
ッタを行う。次に、第２ブリスパツタとして、ｔｌに於
て、Ａｒガスに加え０２ガスも導入し、ｔ２迄、Ａｒと
０２の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパッタを
行う。
そして、ｔ２に於て、シャッタを開き、ｔ、迄、本スパ
ッタを行う。この成膜手順の特徴は、第２図に示した従
来の成膜手順に比べて、Ａｒのみをスパッタガスとした
第１のプリスパッタが、Ａｒと０２の混合ガスをスパッ
タガスとした反応性スパッタから成る従来のプリスパッ
タの前に設けられていることである。
ッタを行う。この成膜手順の特徴は、第２図に示した従
来の成膜手順に比べて、Ａｒのみをスパッタガスとした
第１のプリスパッタが、Ａｒと０２の混合ガスをスパッ
タガスとした反応性スパッタから成る従来のプリスパッ
タの前に設けられていることである。
実施例として、マグネトロンカソードに装着した、直径
８インチのＴａターゲットを用い、ポリカーボネイト基
板上に、次の条件で、スパッタを、数回行い、その時の
異常放電の有無、及び得られるＴａ酸化膜層の膜質の再
現性を調べた。
８インチのＴａターゲットを用い、ポリカーボネイト基
板上に、次の条件で、スパッタを、数回行い、その時の
異常放電の有無、及び得られるＴａ酸化膜層の膜質の再
現性を調べた。
ＲＦ投入パワー ３ ＫＷＡｒガス流量
７０５ＣＣＭＯ２ガス流量
３０５ＣＣＭスパッタガス圧 ０．２５Ｐ
ａターゲツト・基板間距離 １５０ ｍｍ第１プリス
パッタ時間 ３−０ 冠第２プリスパッタ時間
６０ ｓｅｃ本スパッタ時間 １２０
ｓｅｃその結果、従来のような異常放電が発生する事
なく、スパッタ装置の安定稼働が実現出来た。また、Ｔ
ａ酸化膜層として、厚さ３００Ａ、屈折率が、２．０７
〜２．１の透明な膜が、再現性良く得られた。
７０５ＣＣＭＯ２ガス流量
３０５ＣＣＭスパッタガス圧 ０．２５Ｐ
ａターゲツト・基板間距離 １５０ ｍｍ第１プリス
パッタ時間 ３−０ 冠第２プリスパッタ時間
６０ ｓｅｃ本スパッタ時間 １２０
ｓｅｃその結果、従来のような異常放電が発生する事
なく、スパッタ装置の安定稼働が実現出来た。また、Ｔ
ａ酸化膜層として、厚さ３００Ａ、屈折率が、２．０７
〜２．１の透明な膜が、再現性良く得られた。
第３図は、本発明に係るＴａ酸化膜層の成膜手順の第２
の実施例を示す図である。第３図では、第１の実施例と
比べて、第１と第２のプリスパッタの間（１＋〜ｔｚ）
にスパッタ休止時間が設けられている点が異なる。これ
は、例えば、予め、第１プリスパツタだけを実施した後
、数分間スパッタを休止して、本番用基板をセットし、
第２ブリスパツタから始める様な場合に用いられる。こ
の場合も、第一の実施例と同様、異常放電を生じる事な
く、良好なＴａ酸化層膜を得る事が出来る。
の実施例を示す図である。第３図では、第１の実施例と
比べて、第１と第２のプリスパッタの間（１＋〜ｔｚ）
にスパッタ休止時間が設けられている点が異なる。これ
は、例えば、予め、第１プリスパツタだけを実施した後
、数分間スパッタを休止して、本番用基板をセットし、
第２ブリスパツタから始める様な場合に用いられる。こ
の場合も、第一の実施例と同様、異常放電を生じる事な
く、良好なＴａ酸化層膜を得る事が出来る。
以上述べたように、本発明によれば、従来のような異常
放電が発生する事なく、スパッタ装置の安定稼働が実現
でき、良好なＴａ酸化膜層を再現性良く、得る事が出来
る。
放電が発生する事なく、スパッタ装置の安定稼働が実現
でき、良好なＴａ酸化膜層を再現性良く、得る事が出来
る。
第１図及び第３図は、本発明の実施例を示す図であり、
Ｔａ酸化膜層の成膜手順を、時間経過に対して、模式的
に示したものである。第２図は、従来例を示す図である
。 代理人 弁理士 内 原 音 第７区 第２ 図
Ｔａ酸化膜層の成膜手順を、時間経過に対して、模式的
に示したものである。第２図は、従来例を示す図である
。 代理人 弁理士 内 原 音 第７区 第２ 図
Claims (1)
- Ｔａターゲットに対して、ＡｒとＯ＿２の混合ガスを
スパッタガスとした反応性スパッタにより、基板上に成
膜されるＴａの酸化物から成る誘電体層の製法に於て、
本スパッタ前に行うプリスパッタが、２段階から成り、
第１のプリスパッタとして、Ａｒのみをスパッタガスと
したスパッタを行い、第２のプリスパッタとして、Ａｒ
とＯ＿２の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパッ
タを行うことを特徴とする誘電体層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286152A JP2581300B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 誘電体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286152A JP2581300B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 誘電体膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160144A true JPH04160144A (ja) | 1992-06-03 |
| JP2581300B2 JP2581300B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17700612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286152A Expired - Fee Related JP2581300B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 誘電体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581300B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000138215A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の形成方法及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP2013181223A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Panasonic Corp | 金属化合物層の製造方法とその製造装置 |
| JP2015093996A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
| CN107488828A (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| WO2019205695A1 (zh) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| US11384421B2 (en) * | 2018-03-16 | 2022-07-12 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | High temperature sputtered stoichiometric amorphous aluminum oxide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290256A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP2286152A patent/JP2581300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290256A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000138215A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の形成方法及び半導体発光素子の製造方法 |
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| US10640862B2 (en) | 2016-06-12 | 2020-05-05 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Method for forming film and method for forming aluminum nitride film |
| WO2017215146A1 (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| KR20180010210A (ko) * | 2016-06-12 | 2018-01-30 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 박막 형성 방법 및 질화 알루미늄 박막 형성 방법 |
| CN107488828B (zh) * | 2016-06-12 | 2020-01-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| CN107488828A (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
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| WO2019205695A1 (zh) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| CN110408905A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-11-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| CN110408905B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-01-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| US11710624B2 (en) | 2018-04-28 | 2023-07-25 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Sputtering method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2581300B2 (ja) | 1997-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |