JPH02115361A - スパッタ成膜方法 - Google Patents
スパッタ成膜方法Info
- Publication number
- JPH02115361A JPH02115361A JP63270254A JP27025488A JPH02115361A JP H02115361 A JPH02115361 A JP H02115361A JP 63270254 A JP63270254 A JP 63270254A JP 27025488 A JP27025488 A JP 27025488A JP H02115361 A JPH02115361 A JP H02115361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- metal oxide
- chamber
- film
- presputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- -1 Al2O3 and SiO2 Chemical class 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、金属酸化物のスパッタ成膜方法に関し、本ス
パッタに先立つプリスパッタを少なくとも２回に分けて
行ない、ブリスパッタ間で、チャンバ内の排気を行なう
ことにより、１回目のプリスパッタによって金属酸化物
ターゲットに吸着している水分を放出させ、この水分を
排気工程においてチャンバ外部に排気し、次に２回目の
プリスパッタ及び本スパッタを行なうことにより、スパ
ッタレート及び膜組成のバラツキのない金属酸化物膜が
形成できるようにしたものである。
パッタに先立つプリスパッタを少なくとも２回に分けて
行ない、ブリスパッタ間で、チャンバ内の排気を行なう
ことにより、１回目のプリスパッタによって金属酸化物
ターゲットに吸着している水分を放出させ、この水分を
排気工程においてチャンバ外部に排気し、次に２回目の
プリスパッタ及び本スパッタを行なうことにより、スパ
ッタレート及び膜組成のバラツキのない金属酸化物膜が
形成できるようにしたものである。
〈従来の技術〉
スパッタ成膜方法は、周知のように、減圧されたアルゴ
ンガス等の雰囲気中で数百Ｖの電圧をかけて低圧気体放
電を発生させ、気体放電に伴って生じる＾「０イオンを
タゲットに衝突させ、このときターゲットから飛散した
金属や化合物を、基板の表面に蒸着させて成膜するもの
である。このスパッタ成膜方法を用いて、基板上に例え
ば＾１２０３．５ＩＯ２等の金属酸化物膜を形成する場
合、従来は、本スパッタに先立ち、プリスパッタを行な
い、チャンバ内プラズマを安定させた後、本スパッタを
行なうのが一般的であフた。
ンガス等の雰囲気中で数百Ｖの電圧をかけて低圧気体放
電を発生させ、気体放電に伴って生じる＾「０イオンを
タゲットに衝突させ、このときターゲットから飛散した
金属や化合物を、基板の表面に蒸着させて成膜するもの
である。このスパッタ成膜方法を用いて、基板上に例え
ば＾１２０３．５ＩＯ２等の金属酸化物膜を形成する場
合、従来は、本スパッタに先立ち、プリスパッタを行な
い、チャンバ内プラズマを安定させた後、本スパッタを
行なうのが一般的であフた。
第３図は従来のスパッタ成膜方法のフローチャートで、
荒引及び本排気の工程後に、チャンバ内にスパッタガス
を導入し、ガス圧を所定の圧力に調整した後、プリスパ
ッタを行ない、次に本スパッタを行なう０本スバツタ工
程の終了後に本排気を行なって、全工程を終了する９ 〈発明が解決しようとする問題点〉 し、かじ、金属酸化物ターゲットは、その表面に水分を
吸着しているのが普通である。この吸着水分は、プリス
パッタによって叩き出され、それがチャンバ内のスパッ
タガス中に水蒸気成分として残存してしまう、このため
、プリスパッタに続いて本スパッタを行なった場合、ス
パッタガス中に残フている水蒸気成分が、金属酸化物タ
ーゲットの表面に再付着し、金属酸化物膜のスパッタレ
ートや、膜組成にバラツキを生じてしまうという問題点
があった。
荒引及び本排気の工程後に、チャンバ内にスパッタガス
を導入し、ガス圧を所定の圧力に調整した後、プリスパ
ッタを行ない、次に本スパッタを行なう０本スバツタ工
程の終了後に本排気を行なって、全工程を終了する９ 〈発明が解決しようとする問題点〉 し、かじ、金属酸化物ターゲットは、その表面に水分を
吸着しているのが普通である。この吸着水分は、プリス
パッタによって叩き出され、それがチャンバ内のスパッ
タガス中に水蒸気成分として残存してしまう、このため
、プリスパッタに続いて本スパッタを行なった場合、ス
パッタガス中に残フている水蒸気成分が、金属酸化物タ
ーゲットの表面に再付着し、金属酸化物膜のスパッタレ
ートや、膜組成にバラツキを生じてしまうという問題点
があった。
く問題点を解決するための手段〉
上述する従来の問題点を解決するため、本発明は、金属
酸化物をターゲットとして基板上に釜属酸化物膜を形成
するスパッタ成膜方法において、本スパッタに先立つプ
リスパッタを少なくとも２回に分けて行ない、前記ブリ
スパッタ間でチャンバ内の排気を行なうことを特徴とす
る。
酸化物をターゲットとして基板上に釜属酸化物膜を形成
するスパッタ成膜方法において、本スパッタに先立つプ
リスパッタを少なくとも２回に分けて行ない、前記ブリ
スパッタ間でチャンバ内の排気を行なうことを特徴とす
る。
く作用〉
末スパッタに先立つプリスパッタを、少なくとも２回に
分けて行ない、ブリスパッタ間で、チャンバ内の排気を
行なうと、１回目のプリスパッタによって金属酸化物タ
ーゲットから叩き出された水分が、排気工程によって排
気される。このため、２回目のプリスパッタ及び本スパ
ッタでは、チャンバ内の水分が除去され、安定したスパ
ッタレート及び膜組成の金属酸化物膜がスパッタ形成さ
れる。
分けて行ない、ブリスパッタ間で、チャンバ内の排気を
行なうと、１回目のプリスパッタによって金属酸化物タ
ーゲットから叩き出された水分が、排気工程によって排
気される。このため、２回目のプリスパッタ及び本スパ
ッタでは、チャンバ内の水分が除去され、安定したスパ
ッタレート及び膜組成の金属酸化物膜がスパッタ形成さ
れる。
〈実施例〉
第１図はスパッタ装置の構成を概略的に示す図で、１は
チャンバ、２は例えばＡｌ２Ｏ５，５１０２等の金属酸
化物ターゲット、３は基板、４はＲＦ電源、５はシャッ
タ、６は真空ポンプ等の排気装置である。
チャンバ、２は例えばＡｌ２Ｏ５，５１０２等の金属酸
化物ターゲット、３は基板、４はＲＦ電源、５はシャッ
タ、６は真空ポンプ等の排気装置である。
第２図は本発明に係るスパッタ成膜方法のフローチャー
トである。第３図の従来工程と異なる点は、荒引工程及
び本排気工程と、本スパッタに続く本来のブリスバツタ
工程である第２回目のブリスバツタ工程との間に、スパ
ッタガス導入、ガス圧調整及び第１回目のプリスパッタ
の工程が追加されていることである。
トである。第３図の従来工程と異なる点は、荒引工程及
び本排気工程と、本スパッタに続く本来のブリスバツタ
工程である第２回目のブリスバツタ工程との間に、スパ
ッタガス導入、ガス圧調整及び第１回目のプリスパッタ
の工程が追加されていることである。
第１回目のブリスパッタ間は、チャンバ１の雰囲気を、
例えば＾ｒ９８％、０ｚ２０％、５ ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒに保って行なう、この１回目のプリスパッタによっ
て、金属酸化物ターゲット２に吸着していた水分等の不
純物が、金属酸化物と共に叩き出される。プリスパッタ
は、シャッタ５を閉じて行ない、金属酸化物ターゲット
から叩き出された金属酸化物及び水蒸気成分が基板３に
付着しないようにする。
例えば＾ｒ９８％、０ｚ２０％、５ ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒに保って行なう、この１回目のプリスパッタによっ
て、金属酸化物ターゲット２に吸着していた水分等の不
純物が、金属酸化物と共に叩き出される。プリスパッタ
は、シャッタ５を閉じて行ない、金属酸化物ターゲット
から叩き出された金属酸化物及び水蒸気成分が基板３に
付着しないようにする。
次に、本排気工程において、スパッタガスの導入を止め
、排気装置６によりチャンバ１内の排気を行なう、これ
により、第１回目のプリスパッタによりて金属酸化物と
共に叩き出されてチャンバ１内のスパッタガス中に残存
していた水蒸気成分が、チャンバ１の外部に排気される
。
、排気装置６によりチャンバ１内の排気を行なう、これ
により、第１回目のプリスパッタによりて金属酸化物と
共に叩き出されてチャンバ１内のスパッタガス中に残存
していた水蒸気成分が、チャンバ１の外部に排気される
。
この後、通常の工程に従って、スパッタガス導入、ガス
圧調整を経て、２回目のプリスパッタ、続いて本スパッ
タを行ない、基板３の表面に金属酸化物膜を成長させる
。ここで、本スパッタを行なう段階では、金属酸化物タ
ーゲット２に吸着していた水分は、１回目のプリスパッ
タによって叩き出されている。しかも１２本スパッタに
先立つ排気工程により、チャンバ１の内部には水蒸気成
分が残存していない、従って、基板３には、安定したス
パッタレートで、膜組成の良好な金属酸化物膜を形成で
きる。なお、第１回目のプリスパッタを、本スパッタに
先立つ本来のプリスパッタであるとすると、第１回目の
プリスパッタに続くスパッタガス導入、ガス圧調整及び
第２回目のプリスパッタが追加された工程であると考え
ることも可能である０本発明はバイアススパッタ等にも
適用できる。
圧調整を経て、２回目のプリスパッタ、続いて本スパッ
タを行ない、基板３の表面に金属酸化物膜を成長させる
。ここで、本スパッタを行なう段階では、金属酸化物タ
ーゲット２に吸着していた水分は、１回目のプリスパッ
タによって叩き出されている。しかも１２本スパッタに
先立つ排気工程により、チャンバ１の内部には水蒸気成
分が残存していない、従って、基板３には、安定したス
パッタレートで、膜組成の良好な金属酸化物膜を形成で
きる。なお、第１回目のプリスパッタを、本スパッタに
先立つ本来のプリスパッタであるとすると、第１回目の
プリスパッタに続くスパッタガス導入、ガス圧調整及び
第２回目のプリスパッタが追加された工程であると考え
ることも可能である０本発明はバイアススパッタ等にも
適用できる。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明は、金属酸化物をターゲット
として基板に金属酸化物膜を形成するスパッタ成膜方法
において、本スパッタに先立つプリスパッタを少なくと
も２回に分けて行ない、前記ブリスパッタ間でチャンバ
内の排気を行なう工程を設けたことを特徴とするから、
スバッタレート及び膜組成のバラツキのない金属酸化物
のスパッタ膜が形成できる。
として基板に金属酸化物膜を形成するスパッタ成膜方法
において、本スパッタに先立つプリスパッタを少なくと
も２回に分けて行ない、前記ブリスパッタ間でチャンバ
内の排気を行なう工程を設けたことを特徴とするから、
スバッタレート及び膜組成のバラツキのない金属酸化物
のスパッタ膜が形成できる。
第１図は本発明に係るスパッタ成膜方法の実施に使用さ
れるスパッタ装置の構成を概略的に示す図、第２図は本
発明に係るスパッタ成膜方法のフローチャートを示す図
、第３図は従来のスパッタ成膜方法のフローチャートを
示す図である。 １・・・チャンバ ２・・・金属酸化物ターゲット ３・・・基板 ４・・・ＲＦ電源５・・・シャッ
タ ６・・・排気装置第２図 第３図
れるスパッタ装置の構成を概略的に示す図、第２図は本
発明に係るスパッタ成膜方法のフローチャートを示す図
、第３図は従来のスパッタ成膜方法のフローチャートを
示す図である。 １・・・チャンバ ２・・・金属酸化物ターゲット ３・・・基板 ４・・・ＲＦ電源５・・・シャッ
タ ６・・・排気装置第２図 第３図
Claims (1)
- （１）金属酸化物をターゲットとして基板上に金属酸化
物膜を形成するスパッタ成膜方法において、本スパッタ
に先立つプリスパッタを少なくとも２回に分けて行ない
、前記プリスパッタ間でチャンバ内の排気を行なうこと
を特徴とする金属酸化物のスパッタ成膜方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270254A JPH02115361A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | スパッタ成膜方法 |
| KR1019890014725A KR0169095B1 (ko) | 1988-10-25 | 1989-10-14 | 전압 공급 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270254A JPH02115361A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | スパッタ成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02115361A true JPH02115361A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17483684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270254A Pending JPH02115361A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | スパッタ成膜方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02115361A (ja) |
| KR (1) | KR0169095B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8679301B2 (en) | 2007-08-01 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Repeatability for RF MgO TMR barrier layer process by implementing Ti pasting |
| US20150093583A1 (en) * | 2012-06-20 | 2015-04-02 | Tokyo Institute Of Technology | C12a7 electride thin film fabrication method and c12a7 electride thin film |
| WO2019205695A1 (zh) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5035698A (ja) * | 1973-08-04 | 1975-04-04 | ||
| JPS6012129A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-22 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | ポリシリコン膜のアニ−ル処理方法 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63270254A patent/JPH02115361A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-14 KR KR1019890014725A patent/KR0169095B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5035698A (ja) * | 1973-08-04 | 1975-04-04 | ||
| JPS6012129A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-22 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | ポリシリコン膜のアニ−ル処理方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8679301B2 (en) | 2007-08-01 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Repeatability for RF MgO TMR barrier layer process by implementing Ti pasting |
| US20150093583A1 (en) * | 2012-06-20 | 2015-04-02 | Tokyo Institute Of Technology | C12a7 electride thin film fabrication method and c12a7 electride thin film |
| US10249402B2 (en) * | 2012-06-20 | 2019-04-02 | Tokyo Institute Of Technology | C12A7 electride thin film fabrication method and C12A7 electride thin film |
| WO2019205695A1 (zh) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| CN110408905A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-11-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| CN110408905B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-01-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| US11710624B2 (en) | 2018-04-28 | 2023-07-25 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Sputtering method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0169095B1 (ko) | 1999-02-01 |
| KR900006907A (ko) | 1990-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6341013A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2006336084A (ja) | スパッタ成膜方法 | |
| JPH02115361A (ja) | スパッタ成膜方法 | |
| JP2001073131A (ja) | 銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置 | |
| JPH10298748A (ja) | ゴールデンチタンナイトライドを堆積する方法 | |
| US5961729A (en) | Vacuum arc evaporation method | |
| JPS60184676A (ja) | 有被覆基材または有被覆部材の製造法 | |
| JP2694058B2 (ja) | アーク蒸着装置 | |
| JPH08146201A (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JP3354591B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
| JPH03162571A (ja) | 対向ターゲット式スパッタ法に於ける反応性スパッタによる薄膜形成方法 | |
| JPS60228675A (ja) | タングステンのデポジシヨン方法 | |
| JP2579588Y2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS6362862A (ja) | Ｔｉ及びＴｉ合金のＴｉＮ被覆品の製造方法 | |
| JPS63176465A (ja) | 反応性スパツタリング成膜方法 | |
| JPH0397855A (ja) | スパッタリング装置 | |
| KR960015791B1 (ko) | 산화막 제거 가능한 메탈증착방법 | |
| JPH0693427A (ja) | 真空成膜方法 | |
| JPS60100661A (ja) | スパツタ蒸着方法 | |
| JPH0242897B2 (ja) | ||
| JPS619570A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPH1136069A (ja) | 成膜装置の排気方法 | |
| JPH01272766A (ja) | マグネトロンスパッタ操業方法 | |
| JPS5952526A (ja) | 金属酸化膜のスパツタリング方法 | |
| JPH01184267A (ja) | 絶縁膜コーティング方法 |