JPS6341013A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS6341013A JPS6341013A JP61185741A JP18574186A JPS6341013A JP S6341013 A JPS6341013 A JP S6341013A JP 61185741 A JP61185741 A JP 61185741A JP 18574186 A JP18574186 A JP 18574186A JP S6341013 A JPS6341013 A JP S6341013A
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Classifications
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- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、化合物薄膜と非化合物薄膜を連続的に形成す
る場合に使用して好適な薄膜形成装置に関する。
る場合に使用して好適な薄膜形成装置に関する。
従来、この種の薄膜形成装置は第８図に示すように構成
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１はその内部に反応室２を有するスパッタ
装置用の筐体、３および４はこの筐体１の反応室２内に
収納され各々が互いに所定の間隔を隔てて対向する陽極
（基板ホルダ）と陰極（薄膜形成用ターゲット）、５は
これら画電極３．４に接続され気体放電によって薄膜形
成領域６を形成するための高電圧電源である。また、７
は前記陽極３上に載置され薄膜が堆積される基板である
。なお、前記筺体ｌには、前記反応室２を高真空に排気
するための高真空ポンプ・ユニット（クライオ・ポンプ
）８と真空排気バルブ９゜前記画電極３．４間に気体放
電を起こすために希ガスを導入する希ガス導入バルブ９
および反応性スパッタによって前記基板７上に化合物薄
膜を形成するための反応性ガス導入バルブ１０が接続さ
れている。
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１はその内部に反応室２を有するスパッタ
装置用の筐体、３および４はこの筐体１の反応室２内に
収納され各々が互いに所定の間隔を隔てて対向する陽極
（基板ホルダ）と陰極（薄膜形成用ターゲット）、５は
これら画電極３．４に接続され気体放電によって薄膜形
成領域６を形成するための高電圧電源である。また、７
は前記陽極３上に載置され薄膜が堆積される基板である
。なお、前記筺体ｌには、前記反応室２を高真空に排気
するための高真空ポンプ・ユニット（クライオ・ポンプ
）８と真空排気バルブ９゜前記画電極３．４間に気体放
電を起こすために希ガスを導入する希ガス導入バルブ９
および反応性スパッタによって前記基板７上に化合物薄
膜を形成するための反応性ガス導入バルブ１０が接続さ
れている。
次に、このように構成された薄膜形成装置による薄膜形
成方法について説明する。
成方法について説明する。
先ず、高真空ポンプユニット８によって反応室２内を１
／１０’ 〜１／１０’ Ｔｏ ｒ ｒ程度の高真空領
域となるまで真空排気する。次いで、希ガス導入バルブ
９を開放してネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリ
プトン（Ｋｒ）あるいはキセノン（Ｘｅ）等の希ガスを
反応室２内に導入する。
／１０’ 〜１／１０’ Ｔｏ ｒ ｒ程度の高真空領
域となるまで真空排気する。次いで、希ガス導入バルブ
９を開放してネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリ
プトン（Ｋｒ）あるいはキセノン（Ｘｅ）等の希ガスを
反応室２内に導入する。
このとき、希ガス流量および排気量を調整して反応室２
内を数〜数±ｍＴｏｒｒの圧力に保持する。
内を数〜数±ｍＴｏｒｒの圧力に保持する。
−なお、希ガスとしては、通常スパッタ効率が比較的高
く安価なアルゴン（Ａｒ）が用いられる。しかる後、高
電圧電源５によって画電極３，４″間に直流高電圧を印
加することにより気体放電させる。
く安価なアルゴン（Ａｒ）が用いられる。しかる後、高
電圧電源５によって画電極３，４″間に直流高電圧を印
加することにより気体放電させる。
このとき、気体放電中で生じた希ガス・イオンが陰極４
の表面に衝突するため、この陰極４を構成する元素がス
パッタ粒子として真空中に飛び出し基板７上に薄膜とし
て堆積する。
の表面に衝突するため、この陰極４を構成する元素がス
パッタ粒子として真空中に飛び出し基板７上に薄膜とし
て堆積する。
このようにして基板７上に薄膜を形成することができる
。
。
なお、前記した薄膜形成装置によって酸化物や窒化物等
の化合物薄膜を得たい場合には、反応性スパッタ法と呼
ばれる薄膜形成方法が用いられる。
の化合物薄膜を得たい場合には、反応性スパッタ法と呼
ばれる薄膜形成方法が用いられる。
すなわち、薄膜形成時に希ガス導入バルブ９および反応
性ガス導入バルブ１０を開放してアルゴン（Ａｒ＞等の
希ガスと酸素（０）、窒素（Ｎ）等の反応性ガスを導入
し、薄膜形成領域６で陰極４の表面から飛び出したスパ
ッタ粒子と反応性ガスを反応させ、基板７上に化合物薄
膜を堆積させるものである。
性ガス導入バルブ１０を開放してアルゴン（Ａｒ＞等の
希ガスと酸素（０）、窒素（Ｎ）等の反応性ガスを導入
し、薄膜形成領域６で陰極４の表面から飛び出したスパ
ッタ粒子と反応性ガスを反応させ、基板７上に化合物薄
膜を堆積させるものである。
ところで、従来の薄膜形成装置においては、化合物薄膜
を形成する際に用いる反応性ガスを反応室２内の薄膜形
成領域６から離間する領域に供給する構造であるため、
化合物薄膜から非化合物薄膜を連続的に形成する場合、
化合物薄膜の形成後に反応室２内を１／１０ｂ〜１／１
０’ Ｔｏ ｒ ｒＯ高真空領域になるまで一旦真空排
気しなければならなかった。すなわち、前述した反応性
ガスが反応室２内に残留ガスとして残ると、これが化合
物膜上の非化合物薄膜中に取り込まれその膜質を変えて
しまうからである。この結果、薄膜を形成する作業を煩
雑にするばかりか、その作業に多大の時間を費やし、生
産性が低下するという問題があった。
を形成する際に用いる反応性ガスを反応室２内の薄膜形
成領域６から離間する領域に供給する構造であるため、
化合物薄膜から非化合物薄膜を連続的に形成する場合、
化合物薄膜の形成後に反応室２内を１／１０ｂ〜１／１
０’ Ｔｏ ｒ ｒＯ高真空領域になるまで一旦真空排
気しなければならなかった。すなわち、前述した反応性
ガスが反応室２内に残留ガスとして残ると、これが化合
物膜上の非化合物薄膜中に取り込まれその膜質を変えて
しまうからである。この結果、薄膜を形成する作業を煩
雑にするばかりか、その作業に多大の時間を費やし、生
産性が低下するという問題があった。
また、化合物薄膜表面が長時間真空中に曝されることは
、それだけ化合物薄膜と非化合物薄膜の界面の不安定さ
が増大し、化合物薄膜上で非化合物薄膜が剥離したり膨
らんだりするという問題もあった。
、それだけ化合物薄膜と非化合物薄膜の界面の不安定さ
が増大し、化合物薄膜上で非化合物薄膜が剥離したり膨
らんだりするという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、化合物
薄膜から非化合物薄膜を連続的に形成する場合、その作
業を簡単かつ迅速に行うことができ、もって生産性を向
上させることができる薄膜形成装置を提供するものであ
る。
薄膜から非化合物薄膜を連続的に形成する場合、その作
業を簡単かつ迅速に行うことができ、もって生産性を向
上させることができる薄膜形成装置を提供するものであ
る。
本発明に係る薄膜形成装置は、その薄膜形成領域で気体
放電によって薄膜を形成するための第１反応室およびこ
の反応室にオリフィスによって連通ずる第２反応室を有
する筐体を備え、この筐体の第２反応室内に化合物ター
ゲットを含有する陰極およびこの陰極に所定の間隔を隔
てて対向する陽極を収納し、これら両電極間および薄膜
形成領域の近傍にオリフィスが位置付けられているもの
である。
放電によって薄膜を形成するための第１反応室およびこ
の反応室にオリフィスによって連通ずる第２反応室を有
する筐体を備え、この筐体の第２反応室内に化合物ター
ゲットを含有する陰極およびこの陰極に所定の間隔を隔
てて対向する陽極を収納し、これら両電極間および薄膜
形成領域の近傍にオリフィスが位置付けられているもの
である。
本発明においては、第２反応室から第１反応室内の薄膜
形成領域に供給する反応性ガスの流量を制御することが
できる。
形成領域に供給する反応性ガスの流量を制御することが
できる。
第１図は本発明に係る薄膜形成装置を示す断面図で、同
図以下において第８図と同一の部材については同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。
図以下において第８図と同一の部材については同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号１１で示すものはスパッタ装置（薄
膜形成装置）用の筐体で、その内部が仕切板１２によっ
て薄膜形成用の第１反応室１３と固定反応性原子供給用
の第２反応室１４に画成されている。この筐体１１の第
２反応室１４内には、反応性原子を成分とする化合物タ
ーゲットを含有する陰極１５およびこの陰極１５に所定
の間隔を隔てて対向する陽極１６を有する固体反応性原
子供給′ａ１７が収納されている。また、筺体１１には
、前記両反応室１３．１４内を各々真空状態に形成する
高真空ポンプ・ユニット１８．１９と真空排気バルブ２
０．２１が接続されている。２２は前記第１反応室１３
および前記第２反応室１４に開口するオリフィスで、前
記画電極３．４問および前記薄膜形成領域６の近傍に位
置し前記仕切板１２の中央部に設けられている。２３は
高電圧印加用の高周波電源で、前記陽極１６と前記陰極
１５に接続されており、これら画電極１５．１６間に気
体放電によって反応性原子発生領域２４を形成するよう
に構成されている。なお、２５は前記高周波電源２３と
前記陰極１５との間に接続され導電性の化合物ターゲッ
トを用いた場合でも陰極１５からスパッタ作用によって
反応性原子を飛び出せるための自己バイアスコンデンサ
である。
膜形成装置）用の筐体で、その内部が仕切板１２によっ
て薄膜形成用の第１反応室１３と固定反応性原子供給用
の第２反応室１４に画成されている。この筐体１１の第
２反応室１４内には、反応性原子を成分とする化合物タ
ーゲットを含有する陰極１５およびこの陰極１５に所定
の間隔を隔てて対向する陽極１６を有する固体反応性原
子供給′ａ１７が収納されている。また、筺体１１には
、前記両反応室１３．１４内を各々真空状態に形成する
高真空ポンプ・ユニット１８．１９と真空排気バルブ２
０．２１が接続されている。２２は前記第１反応室１３
および前記第２反応室１４に開口するオリフィスで、前
記画電極３．４問および前記薄膜形成領域６の近傍に位
置し前記仕切板１２の中央部に設けられている。２３は
高電圧印加用の高周波電源で、前記陽極１６と前記陰極
１５に接続されており、これら画電極１５．１６間に気
体放電によって反応性原子発生領域２４を形成するよう
に構成されている。なお、２５は前記高周波電源２３と
前記陰極１５との間に接続され導電性の化合物ターゲッ
トを用いた場合でも陰極１５からスパッタ作用によって
反応性原子を飛び出せるための自己バイアスコンデンサ
である。
また、２６および２７は前記両反応室１３．１４内に各
々希ガスを導入する希ガス導入バルブである。
々希ガスを導入する希ガス導入バルブである。
次に、このように構成された薄膜形成装置を使用し、例
えば窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜とチタン（Ｔｉ）薄膜を
連続的に形成する薄膜形成方法について説明する。
えば窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜とチタン（Ｔｉ）薄膜を
連続的に形成する薄膜形成方法について説明する。
先ず、高真空ボンブユニッ）１８．１９および真空排気
バルブ２０．２１によって１／１０’〜１／１０’Ｔｏ
ｒｒ程度の高真空領域となるまで第１反応室１３．第２
反応室１４内を真空排気する。次に、希ガス導入バルブ
２６．２７を開放してアルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ
）、クリプトン（Ｋｒ）あるいはキセノン（Ｘｅ）等の
希ガスを第１反応室１３．第２反応室１４内に導入する
。
バルブ２０．２１によって１／１０’〜１／１０’Ｔｏ
ｒｒ程度の高真空領域となるまで第１反応室１３．第２
反応室１４内を真空排気する。次に、希ガス導入バルブ
２６．２７を開放してアルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ
）、クリプトン（Ｋｒ）あるいはキセノン（Ｘｅ）等の
希ガスを第１反応室１３．第２反応室１４内に導入する
。
そして、第１反応室１３内の画電極３，４問および第２
反応室１４内の両極１５．１６間に各々直流高電圧と高
周波電力を印加する。この場合、陰極４，１５として各
々チタン（Ｔ ｉ ）と窒化シリコン（Ｓ ｉ Ｎ）を
含有するものを用いると、第１反応室１３．第２反応室
１４内の気体放電によって生じる希ガス・イオンが陰極
４，１５の表面に衝突し、これら陰極４，１５を構成す
る各元素がスパッタ粒子として第１反応室１３．第２反
応室１４内に飛び出す。このうち第２反応室１４内のス
パッタ粒子すなわちシリコン（Ｓｔ）は、希ガス原子に
よる散乱を受けながらそのまま陽極１６上に堆積したり
、あるいは同じくスパッタ粒子として飛び出した窒素（
Ｎ）原子の一部と反応して窒化シリコン（ＳｉＮ）粒子
として陽極１６上に堆積したりする。そして、多くの窒
素（Ｎ）原子は、反応性原子発生領域２４内に止まり、
反応性ガスとしてオリフィス２２を通過して第１反応室
１３内の薄膜形成領域６に拡散する。これら窒素（Ｎ）
原子が、第１反応室１３内のスパッタ粒子すなわちチタ
ン（Ｔｉ）原子と反応し、窒化チタン（ＴｉＮ）粒子を
形成して基板７上に薄膜として堆積する。
反応室１４内の両極１５．１６間に各々直流高電圧と高
周波電力を印加する。この場合、陰極４，１５として各
々チタン（Ｔ ｉ ）と窒化シリコン（Ｓ ｉ Ｎ）を
含有するものを用いると、第１反応室１３．第２反応室
１４内の気体放電によって生じる希ガス・イオンが陰極
４，１５の表面に衝突し、これら陰極４，１５を構成す
る各元素がスパッタ粒子として第１反応室１３．第２反
応室１４内に飛び出す。このうち第２反応室１４内のス
パッタ粒子すなわちシリコン（Ｓｔ）は、希ガス原子に
よる散乱を受けながらそのまま陽極１６上に堆積したり
、あるいは同じくスパッタ粒子として飛び出した窒素（
Ｎ）原子の一部と反応して窒化シリコン（ＳｉＮ）粒子
として陽極１６上に堆積したりする。そして、多くの窒
素（Ｎ）原子は、反応性原子発生領域２４内に止まり、
反応性ガスとしてオリフィス２２を通過して第１反応室
１３内の薄膜形成領域６に拡散する。これら窒素（Ｎ）
原子が、第１反応室１３内のスパッタ粒子すなわちチタ
ン（Ｔｉ）原子と反応し、窒化チタン（ＴｉＮ）粒子を
形成して基板７上に薄膜として堆積する。
一方、基板７上にチタン（Ｔｉ）を形成するには、薄膜
形成時に希ガス導入バルブ２７を開放してアルゴン（Ａ
ｒ）等の希ガスを導入し、気体放電によって薄膜形成領
域６で陰極４の表面から飛び出したスパッタ粒子を基板
７上に堆積させることにより行う。
形成時に希ガス導入バルブ２７を開放してアルゴン（Ａ
ｒ）等の希ガスを導入し、気体放電によって薄膜形成領
域６で陰極４の表面から飛び出したスパッタ粒子を基板
７上に堆積させることにより行う。
このようにして窒化チタン（ＴｉＮ）！膜とチタン（Ｔ
ｉ）薄膜を連続的に形成することができる。
ｉ）薄膜を連続的に形成することができる。
なお、陰極１５として窒化シリコン（ＳｉＮ）を含有す
るものを用いたが、この他室化タンタル（ＴａＮ）ある
いは窒化アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）を含有する陰極１
５を用いても窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜を得ることがで
きる。
るものを用いたが、この他室化タンタル（ＴａＮ）ある
いは窒化アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）を含有する陰極１
５を用いても窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜を得ることがで
きる。
このような薄膜形成方法によれば、窒素（Ｎ）原子は固
体反応性原子供給源１７の画電極１５゜１６間に高周波
電力を印加した場合のみ発生するため、その発生量は高
周波電力の大きさによって簡単に制御することができ、
微量の窒素（Ｎ）不純物原子を含有する薄膜でも確実に
形成することができる。また、オリフィス２２が薄膜形
成領域６の近傍に位置付けられているから、第２反応室
１４内に生じる少量の反応性ガスを薄膜形成領域６に効
率良（供給することができる。さらに、固体反応性原子
供給源１７への高周波電力を遮断すれば、高真空ポンプ
・ユニット１９と真空排気バルブ２１の圧力制御によっ
て、第２反応室１４内の窒素（Ｎ）残留ガス分圧を数秒
で１／１０６〜１／１０’Ｔｏｒｒ以下のレベルまで急
激に減少させることができる。
体反応性原子供給源１７の画電極１５゜１６間に高周波
電力を印加した場合のみ発生するため、その発生量は高
周波電力の大きさによって簡単に制御することができ、
微量の窒素（Ｎ）不純物原子を含有する薄膜でも確実に
形成することができる。また、オリフィス２２が薄膜形
成領域６の近傍に位置付けられているから、第２反応室
１４内に生じる少量の反応性ガスを薄膜形成領域６に効
率良（供給することができる。さらに、固体反応性原子
供給源１７への高周波電力を遮断すれば、高真空ポンプ
・ユニット１９と真空排気バルブ２１の圧力制御によっ
て、第２反応室１４内の窒素（Ｎ）残留ガス分圧を数秒
で１／１０６〜１／１０’Ｔｏｒｒ以下のレベルまで急
激に減少させることができる。
したがって、本考案においては、良質の窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）等の化合物薄膜とチタン（Ｔｉ）等の非化合物薄
膜を連続的に形成することができるのである。
ｉＮ）等の化合物薄膜とチタン（Ｔｉ）等の非化合物薄
膜を連続的に形成することができるのである。
なお、本実施例においては、薄膜形成装置用の筐体とし
てスパッタ装置用の筐体１１である場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、例えば第２図に
示すようにイオン・プレーティング装置用の筐体であっ
ても実施例と同様の効果を奏する。同図において、符号
３１は基板ホルダー（陰極）、３２は蒸発用るつぼ、３
３はるつぼ加熱用ヒータ、３４は蒸発材料である。
てスパッタ装置用の筐体１１である場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、例えば第２図に
示すようにイオン・プレーティング装置用の筐体であっ
ても実施例と同様の効果を奏する。同図において、符号
３１は基板ホルダー（陰極）、３２は蒸発用るつぼ、３
３はるつぼ加熱用ヒータ、３４は蒸発材料である。
この他、第３図〜第７図に各々示すように薄膜形成装置
用の筐体が真空蒸着装置用の筺体３５゜イオンビーム・
スパッタ装置用の筐体３６．イオンビーム蒸着装置用の
筐体３７．クラスター・イオンビーム蒸着装置用の筐体
３８１分子線エピタキシャル装置用の筐体３９として使
用することも勿論可能である。この場合、第３図におい
て、符号４０は基板ホルダーである。第４図において、
符号４１はイオン源、４２はイオン生成室、４３はイオ
ンを引き出すための加速電極、４４は前記イオン源４１
から引き出された希ガス・イオンビーム、４５は薄膜形
成用ターゲット、４６は前記希ガス・イオンビーム４４
が薄膜形成用ターゲット４５に衝突することにより発生
するスパッタ粒子である。第５図において、符号４７は
前記イオン源４１から引き出されたイオンビームである
。
用の筐体が真空蒸着装置用の筺体３５゜イオンビーム・
スパッタ装置用の筐体３６．イオンビーム蒸着装置用の
筐体３７．クラスター・イオンビーム蒸着装置用の筐体
３８１分子線エピタキシャル装置用の筐体３９として使
用することも勿論可能である。この場合、第３図におい
て、符号４０は基板ホルダーである。第４図において、
符号４１はイオン源、４２はイオン生成室、４３はイオ
ンを引き出すための加速電極、４４は前記イオン源４１
から引き出された希ガス・イオンビーム、４５は薄膜形
成用ターゲット、４６は前記希ガス・イオンビーム４４
が薄膜形成用ターゲット４５に衝突することにより発生
するスパッタ粒子である。第５図において、符号４７は
前記イオン源４１から引き出されたイオンビームである
。
第６図において、符号４８は電子シャワー、４９はこの
電子シャワー４８による電子の衝撃でイオン化したクラ
スター・イオンブーム、５０は前記蒸発用るつぼ３２の
開口部３２ａより飛び出したクラスター・ビームである
。第７図において、符号５１は蒸発用るつぼ３２の開口
部３２ａから飛び出したモレキュラー・ビームである。
電子シャワー４８による電子の衝撃でイオン化したクラ
スター・イオンブーム、５０は前記蒸発用るつぼ３２の
開口部３２ａより飛び出したクラスター・ビームである
。第７図において、符号５１は蒸発用るつぼ３２の開口
部３２ａから飛び出したモレキュラー・ビームである。
以上説明したように本発明によれば、その薄膜形成領域
で気体放電によって薄膜を形成するための第１反応室お
よびこの第１反応室にオリフィスによって連通ずる第２
反応室を有する筐体を備え、この筐体の第２反応室内に
化合物ターゲットを含有する陰極およびこの陰極に所定
の間隔を隔てて対向する陽極を収納し、これら両電極間
および薄膜形成領域の近傍にオリフィスが位置付けられ
ているので、第２反応室から第１反応室内の薄膜形成領
域に供給する反応性ガスの流量を制御することができる
。したがって、化合物薄膜から非化合物薄膜を連続的に
形成する場合、その作業を簡単かつ迅速に行うことがで
きるから、生産性を確実に向上させることができる。ま
た、再反応室を別々に真空排気することができるから、
従来のように化合物薄膜表面が長時間真空中に曝される
ことがなくなり、安定性が高い多層薄膜を形成すること
ができる。
で気体放電によって薄膜を形成するための第１反応室お
よびこの第１反応室にオリフィスによって連通ずる第２
反応室を有する筐体を備え、この筐体の第２反応室内に
化合物ターゲットを含有する陰極およびこの陰極に所定
の間隔を隔てて対向する陽極を収納し、これら両電極間
および薄膜形成領域の近傍にオリフィスが位置付けられ
ているので、第２反応室から第１反応室内の薄膜形成領
域に供給する反応性ガスの流量を制御することができる
。したがって、化合物薄膜から非化合物薄膜を連続的に
形成する場合、その作業を簡単かつ迅速に行うことがで
きるから、生産性を確実に向上させることができる。ま
た、再反応室を別々に真空排気することができるから、
従来のように化合物薄膜表面が長時間真空中に曝される
ことがなくなり、安定性が高い多層薄膜を形成すること
ができる。
第１図は本発明に係る薄膜形成装置を示す断面図、第２
図〜第７図は他の実施例を示す断面図、第８図は従来の
薄膜形成装置を示す断面図である。 ３・・・・陽極、４・・・・陰極、６・・・・薄膜形成
領域、１１・・・・スパッタ装置用の筐体、１３・・・
・第１反応室、１４・・・・第２反応室、１５・・・・
陰極、１６・・・・陽極、２２・・・・オリフィス、２
６．２７・・・・希ガス導入バルブ、１８．１９・・・
・高真空ポンプ・ユニット、２０．２１・・・・真空排
気バルブ。 代 理 人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 昭和 年 月 日 １、事件の表示 特願昭１．／−／３５フ＋６３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号６
、補正の内容 （１１明細書中、下記の箇所のｒｌ／１０６〜１／１ｏ
７Ｊをｒｌｏ−’〜１０−’Ｊと補正する。 ３頁１６行、５頁９行、８頁１８行〜１９行、１１頁゛
１５行〜１６行。 （２）同書８頁９行の「自己バイアス」を「自己バイア
ス」と補正する。 以 上
図〜第７図は他の実施例を示す断面図、第８図は従来の
薄膜形成装置を示す断面図である。 ３・・・・陽極、４・・・・陰極、６・・・・薄膜形成
領域、１１・・・・スパッタ装置用の筐体、１３・・・
・第１反応室、１４・・・・第２反応室、１５・・・・
陰極、１６・・・・陽極、２２・・・・オリフィス、２
６．２７・・・・希ガス導入バルブ、１８．１９・・・
・高真空ポンプ・ユニット、２０．２１・・・・真空排
気バルブ。 代 理 人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 昭和 年 月 日 １、事件の表示 特願昭１．／−／３５フ＋６３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号６
、補正の内容 （１１明細書中、下記の箇所のｒｌ／１０６〜１／１ｏ
７Ｊをｒｌｏ−’〜１０−’Ｊと補正する。 ３頁１６行、５頁９行、８頁１８行〜１９行、１１頁゛
１５行〜１６行。 （２）同書８頁９行の「自己バイアス」を「自己バイア
ス」と補正する。 以 上
Claims (8)
- （１）その薄膜形成領域で気体放電によって薄膜を形成
するための第１反応室およびこの反応室にオリフィスに
よって連通する第２反応室を有する薄膜形成装置用の筐
体を備え、この筐体の第２反応室内に化合物ターゲット
を含有する陰極およびこの陰極に所定の間隔を隔てて対
向する陽極を収納し、これら両電極間および前記薄膜形
成領域の近傍に前記オリフィスが位置付けられているこ
とを特徴とする薄膜形成装置。 - （２）筐体はスパッタ装置用の筐体である特許請求の範
囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （３）筐体はイオン・プレーティング装置用の筐体であ
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （４）筐体は真空蒸着装置用の筐体である特許請求の範
囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （５）筐体はイオンビーム・スパッタ装置用の筐体であ
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （６）筐体はイオンビーム蒸着装置用の筐体である特許
請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （７）筐体はクラスター・イオンビーム蒸着装置用の筐
体である特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （８）筐体は分子線エピタキシャル装置用の筐体である
特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61185741A JPH0763056B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 薄膜形成装置 |
| US07/081,450 US4867859A (en) | 1986-08-06 | 1987-08-04 | Apparatus for forming a thin film |
| DE19873726006 DE3726006A1 (de) | 1986-08-06 | 1987-08-05 | Vorrichtung zur herstellung von duennfilmen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61185741A JPH0763056B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6341013A true JPS6341013A (ja) | 1988-02-22 |
| JPH0763056B2 JPH0763056B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=16176046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61185741A Expired - Lifetime JPH0763056B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 薄膜形成装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4867859A (ja) |
| JP (1) | JPH0763056B2 (ja) |
| DE (1) | DE3726006A1 (ja) |
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1987
- 1987-08-04 US US07/081,450 patent/US4867859A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-05 DE DE19873726006 patent/DE3726006A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59148329A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Fujitsu Ltd | 高融点金属窒化膜の形成方法 |
| JPS6191918A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Futaba Corp | 化合物薄膜の製造装置 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101229664B1 (ko) | 2008-08-29 | 2013-02-04 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 2 단자형 반도체 센서 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4867859A (en) | 1989-09-19 |
| JPH0763056B2 (ja) | 1995-07-05 |
| DE3726006C2 (ja) | 1990-08-02 |
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