JPH10298748A - ゴールデンチタンナイトライドを堆積する方法 - Google Patents
ゴールデンチタンナイトライドを堆積する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 改善されたシート抵抗均一性を有するＴｉＮ
薄膜を提供するために、低い圧力においてゴールデンＴ
ｉＮを堆積する方法を得ることを目的とする。 【解決手段】 まず最初に大きな窒素ガス流量で窒素を
プラズマスパッタリングチャンバに充満させ、次に、堆
積する段階で窒素ガス流量を減少させてチャンバ内の圧
力を減少させることによって、均一なシート抵抗を有す
るゴールデンＴｉＮ薄膜がプラズマスパッタリングチャ
ンバで堆積される。
薄膜を提供するために、低い圧力においてゴールデンＴ
ｉＮを堆積する方法を得ることを目的とする。 【解決手段】 まず最初に大きな窒素ガス流量で窒素を
プラズマスパッタリングチャンバに充満させ、次に、堆
積する段階で窒素ガス流量を減少させてチャンバ内の圧
力を減少させることによって、均一なシート抵抗を有す
るゴールデンＴｉＮ薄膜がプラズマスパッタリングチャ
ンバで堆積される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の結晶方位に
使用される用語である“ゴールデン”チタンナイトライ
ド（ＴｉＮ、窒化チタン）をスパッタ堆積する改善され
た方法に関する。より詳細には、本発明は、改善された
シート抵抗均一性を有するＴｉＮ薄膜を提供するため
に、低い圧力においてゴールデンＴｉＮを堆積する方法
に関する。
使用される用語である“ゴールデン”チタンナイトライ
ド（ＴｉＮ、窒化チタン）をスパッタ堆積する改善され
た方法に関する。より詳細には、本発明は、改善された
シート抵抗均一性を有するＴｉＮ薄膜を提供するため
に、低い圧力においてゴールデンＴｉＮを堆積する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴｉＮはバリア材料として使用され、ア
ルミニウム配線がシリコン基板を傷つけることを防止す
る。ＴｉＮは、一般的には、ＰＶＤチャンバ内でスパッ
タリングによって堆積される。図１は、従来のスパッタ
リングチャンバ１０を示す。スパッタ堆積されるべき材
料、この場合はＴｉであるが、で作られたターゲット１
２がＤＣ電源１４に接続されている。基板支持体電極１
６は、ターゲット１２に平行にターゲット１２から一定
の間隔で配置されるように取り付けられ、被覆されるべ
き基板１８が載置される。一対の磁石２０及び２０′が
ターゲット１２の背後に取り付けられ、また、ガス吸気
口２２によって、１以上のガスをチャンバに供給するこ
とができる。ガス排気口及び真空ポンプからなるガス排
気システム２４によって、一般的には約２０ミリトル以
下の所望の圧力にまでチャンバ１０を排気することがで
きる。
ルミニウム配線がシリコン基板を傷つけることを防止す
る。ＴｉＮは、一般的には、ＰＶＤチャンバ内でスパッ
タリングによって堆積される。図１は、従来のスパッタ
リングチャンバ１０を示す。スパッタ堆積されるべき材
料、この場合はＴｉであるが、で作られたターゲット１
２がＤＣ電源１４に接続されている。基板支持体電極１
６は、ターゲット１２に平行にターゲット１２から一定
の間隔で配置されるように取り付けられ、被覆されるべ
き基板１８が載置される。一対の磁石２０及び２０′が
ターゲット１２の背後に取り付けられ、また、ガス吸気
口２２によって、１以上のガスをチャンバに供給するこ
とができる。ガス排気口及び真空ポンプからなるガス排
気システム２４によって、一般的には約２０ミリトル以
下の所望の圧力にまでチャンバ１０を排気することがで
きる。
【０００３】スパッタリング中には、電源が起動され、
アルゴンのような不活性ガス分子がチャンバに供給され
る。ＴｉＮが堆積されるときに、アルゴンと窒素との混
合ガスがチャンバに供給される。アルゴンガス分子は、
ＤＣ電源１４によってターゲットに引き付けられ、ター
ゲット１２に衝撃を与え、基板１８に堆積することので
きるターゲット材料の粒子をスパッタリングさせる。し
かしながら、ターゲット材料の粒子はランダムなあらゆ
る方向に放出されるので、高アスペクト比を有するバイ
ア／コンタクト(via/contact) におけるＴｉＮ薄膜のボ
トムカバレッジ(bottom coverage) はきわめて低い。
アルゴンのような不活性ガス分子がチャンバに供給され
る。ＴｉＮが堆積されるときに、アルゴンと窒素との混
合ガスがチャンバに供給される。アルゴンガス分子は、
ＤＣ電源１４によってターゲットに引き付けられ、ター
ゲット１２に衝撃を与え、基板１８に堆積することので
きるターゲット材料の粒子をスパッタリングさせる。し
かしながら、ターゲット材料の粒子はランダムなあらゆ
る方向に放出されるので、高アスペクト比を有するバイ
ア／コンタクト(via/contact) におけるＴｉＮ薄膜のボ
トムカバレッジ(bottom coverage) はきわめて低い。
【０００４】ボトムカバレッジを改善するために、図２
に示されるような改良されたスパッタリングチャンバが
提案されてきた。図２において、チャンバ１７０は、タ
ーゲット１７２と、ターゲット１７２から一定の間隔で
向かい合って取り付けられた基板支持体１７４とを含
む。ＤＣ電源１８０がターゲット１７２に接続され、ガ
ス吸気口１９７を介して、それぞれ容器１９２及び１９
４に貯蔵された不活性ガス及び反応ガスが流入すること
ができる。流量計１９６及び１９８がガスの流量を監視
する。さらに、チャンバ１７０は、高周波（ＲＦ）電源
１８８に接続された螺旋コイル１８６を内部に含む。こ
のコイル１８６は、起動されれば、ターゲット１７２と
基板支持体１７４との間に高密度のプラズマ領域を形成
する。ターゲット１７２からスパッタリングされた金属
粒子は、このプラズマ領域を通過してイオン化される。
これらの正に帯電した金属イオンは、（電源１８２によ
って）負にバイアスされた基板支持体１７４に引き付け
られ、基板１７５への堆積速度を向上させる。好ましい
実施の形態においては、螺旋コイル１８６はターゲット
１７２と同じ材料で製造されているので、コイル１８６
から放出される粒子はターゲット１７２の材料と同じも
のとなり、堆積される薄膜は他の材料で汚染されない。
に示されるような改良されたスパッタリングチャンバが
提案されてきた。図２において、チャンバ１７０は、タ
ーゲット１７２と、ターゲット１７２から一定の間隔で
向かい合って取り付けられた基板支持体１７４とを含
む。ＤＣ電源１８０がターゲット１７２に接続され、ガ
ス吸気口１９７を介して、それぞれ容器１９２及び１９
４に貯蔵された不活性ガス及び反応ガスが流入すること
ができる。流量計１９６及び１９８がガスの流量を監視
する。さらに、チャンバ１７０は、高周波（ＲＦ）電源
１８８に接続された螺旋コイル１８６を内部に含む。こ
のコイル１８６は、起動されれば、ターゲット１７２と
基板支持体１７４との間に高密度のプラズマ領域を形成
する。ターゲット１７２からスパッタリングされた金属
粒子は、このプラズマ領域を通過してイオン化される。
これらの正に帯電した金属イオンは、（電源１８２によ
って）負にバイアスされた基板支持体１７４に引き付け
られ、基板１７５への堆積速度を向上させる。好ましい
実施の形態においては、螺旋コイル１８６はターゲット
１７２と同じ材料で製造されているので、コイル１８６
から放出される粒子はターゲット１７２の材料と同じも
のとなり、堆積される薄膜は他の材料で汚染されない。
【０００５】排気路１９１に接続された真空ポンプ１９
０は、チャンバ１７０内の圧力を所望の圧力に維持す
る。例えば窒素の存在下においてゴールデンＴｉＮを形
成するためには、チタンをスパッタリングする圧力は、
一般的には、約３０ミリトルである。
０は、チャンバ１７０内の圧力を所望の圧力に維持す
る。例えば窒素の存在下においてゴールデンＴｉＮを形
成するためには、チタンをスパッタリングする圧力は、
一般的には、約３０ミリトルである。
【０００６】一般的には低温ポンプである真空ポンプ１
９０が調整することのできるゲートバルブ１９９を備え
ていれば、チャンバ内の圧力は、ポンプの速度を変化さ
せることによって調整することができる。もしゲートバ
ルブが全開であれば、チャンバ圧力は低いままであり約
１０ミリトルである。しかしながら、この圧力は、プラ
ズマ領域において金属を十分にイオン化するには低過ぎ
る。したがって、排気速度を減少させれば、チャンバ内
の圧力を金属粒子を十分にイオン化するより高い圧力に
維持することができる。
９０が調整することのできるゲートバルブ１９９を備え
ていれば、チャンバ内の圧力は、ポンプの速度を変化さ
せることによって調整することができる。もしゲートバ
ルブが全開であれば、チャンバ圧力は低いままであり約
１０ミリトルである。しかしながら、この圧力は、プラ
ズマ領域において金属を十分にイオン化するには低過ぎ
る。したがって、排気速度を減少させれば、チャンバ内
の圧力を金属粒子を十分にイオン化するより高い圧力に
維持することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図３は、ＤＣ電源が５
ＫＷ、高周波電源が２．５ＫＷ、そして、基板温度が２
００℃で動作する図２のチャンバへのアルゴン流量が２
５ｓｃｃｍである場合における、チャンバ圧力（ミリト
ル，ｍＴ）−窒素流量（ｓｃｃｍ）のヒステリシスを示
す線図である。この条件下でＴｉＮを得るためには、５
５ｓｃｃｍ以上の窒素流量が必要とされる。しかしなが
ら、そのような大きな窒素流量は、チャンバ圧力を約３
５〜３８ミリトルにまで増加させる。このような高い圧
力においてはガス散乱効果のために、ＴｉＮのシート抵
抗は乏しい均一性を有する。
ＫＷ、高周波電源が２．５ＫＷ、そして、基板温度が２
００℃で動作する図２のチャンバへのアルゴン流量が２
５ｓｃｃｍである場合における、チャンバ圧力（ミリト
ル，ｍＴ）−窒素流量（ｓｃｃｍ）のヒステリシスを示
す線図である。この条件下でＴｉＮを得るためには、５
５ｓｃｃｍ以上の窒素流量が必要とされる。しかしなが
ら、そのような大きな窒素流量は、チャンバ圧力を約３
５〜３８ミリトルにまで増加させる。このような高い圧
力においてはガス散乱効果のために、ＴｉＮのシート抵
抗は乏しい均一性を有する。
【０００８】図４は、圧力が３８ミリトルで堆積された
ＴｉＮ薄膜のシート抵抗の等高線を示す線図である。均
一性はきわめて乏しく、１シグマで約１８％である。
ＴｉＮ薄膜のシート抵抗の等高線を示す線図である。均
一性はきわめて乏しく、１シグマで約１８％である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】したがって、約２５ミリ
トルの低い圧力及びそれよりも低い圧力においてＴｉＮ
を堆積することができれば、きわめて望ましい。本発明
の方法によれば、チャンバ内の圧力を減少させるため
に、チャンバの排気速度が増加される。
トルの低い圧力及びそれよりも低い圧力においてＴｉＮ
を堆積することができれば、きわめて望ましい。本発明
の方法によれば、チャンバ内の圧力を減少させるため
に、チャンバの排気速度が増加される。
【００１０】均一なシート抵抗を有するゴールデンＴｉ
Ｎ薄膜は、約２５ミリトル及びそれ以下の低い圧力にお
いてＴｉＮを堆積することによって、速い堆積速度で堆
積させることができる。本発明の方法によれば、チャン
バの排気速度を増加させてチャンバ内の圧力を減少さ
せ、まず最初に、アルゴン流量に関してより大きな窒素
流量で、少なくとも５秒間だけアルゴンと窒素とがチャ
ンバに供給され、次に、ＴｉＮを形成させながら窒素流
量を減少させる。
Ｎ薄膜は、約２５ミリトル及びそれ以下の低い圧力にお
いてＴｉＮを堆積することによって、速い堆積速度で堆
積させることができる。本発明の方法によれば、チャン
バの排気速度を増加させてチャンバ内の圧力を減少さ
せ、まず最初に、アルゴン流量に関してより大きな窒素
流量で、少なくとも５秒間だけアルゴンと窒素とがチャ
ンバに供給され、次に、ＴｉＮを形成させながら窒素流
量を減少させる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
に係るゴールデンチタンナイトライドを堆積する方法の
実施形態について説明する。
に係るゴールデンチタンナイトライドを堆積する方法の
実施形態について説明する。
【００１２】プラズマスパッタリングチャンバでスパッ
タリングされる窒化チタン薄膜のシート抵抗の均一性を
改善するために、チャンバは、まず最初に、短時間の間
大きな窒素ガス流量により高い圧力で動作され、次い
で、ＴｉＮの堆積を続けながら窒素ガス流量を減少させ
る。
タリングされる窒化チタン薄膜のシート抵抗の均一性を
改善するために、チャンバは、まず最初に、短時間の間
大きな窒素ガス流量により高い圧力で動作され、次い
で、ＴｉＮの堆積を続けながら窒素ガス流量を減少させ
る。
【００１３】図５は、ＤＣ電源が５ＫＷ、高周波（Ｒ
Ｆ）電源が２．５ＫＷ、アルゴン流量が１５ｓｃｃｍ、
及び基板温度が２００℃でのチャンバ圧力−窒素ガス流
量のヒステリシス曲線を示す線図である。
Ｆ）電源が２．５ＫＷ、アルゴン流量が１５ｓｃｃｍ、
及び基板温度が２００℃でのチャンバ圧力−窒素ガス流
量のヒステリシス曲線を示す線図である。
【００１４】図５を参照すると、窒素流量が増加するに
つれてチャンバ内の圧力も一般に上昇するが、窒素流量
が６５ｓｃｃｍに近づくまでは窒素はＴｉによって十分
には捕捉されていないことが曲線Ａから分かる。曲線Ｂ
は、窒素ガス流量及び圧力が減少するにつれて、（ヒス
テリシス曲線Ａ及びＢの範囲内の）１３ミリトル程度の
低い圧力でもＴｉＮが依然として形成され得ることを示
している。
つれてチャンバ内の圧力も一般に上昇するが、窒素流量
が６５ｓｃｃｍに近づくまでは窒素はＴｉによって十分
には捕捉されていないことが曲線Ａから分かる。曲線Ｂ
は、窒素ガス流量及び圧力が減少するにつれて、（ヒス
テリシス曲線Ａ及びＢの範囲内の）１３ミリトル程度の
低い圧力でもＴｉＮが依然として形成され得ることを示
している。
【００１５】したがって、堆積された薄膜のシート抵抗
の均一性を改善しようとするとき、より低い圧力におい
てＴｉＮを形成するためには、本発明によれば、まず最
初に窒素をチャンバに充満させるために、大きな窒素ガ
ス流量で窒素がチャンバに供給される。次に、圧力を減
少させると、この窒素ガス流量も減少する。図５を参照
すると、この図は１５ｓｃｃｍの小さいアルゴン流量と
図３の場合と同一の所定のスパッタリングパラメータと
を用いた、ＴｉＮのヒステリシスを示す線図であり、窒
素ガス流量が大きければ、約１３ミリトル程度の低い圧
力においてＴｉＮは形成され得る。
の均一性を改善しようとするとき、より低い圧力におい
てＴｉＮを形成するためには、本発明によれば、まず最
初に窒素をチャンバに充満させるために、大きな窒素ガ
ス流量で窒素がチャンバに供給される。次に、圧力を減
少させると、この窒素ガス流量も減少する。図５を参照
すると、この図は１５ｓｃｃｍの小さいアルゴン流量と
図３の場合と同一の所定のスパッタリングパラメータと
を用いた、ＴｉＮのヒステリシスを示す線図であり、窒
素ガス流量が大きければ、約１３ミリトル程度の低い圧
力においてＴｉＮは形成され得る。
【００１６】図６は、基板支持体を−８５Ｖにバイアス
し、ＤＣ電源が５ＫＷ、高周波電源が２．５ＫＷ、及び
アルゴン流量が１５ｓｃｃｍにおいて堆積された薄膜に
おけるシート抵抗の均一性の等高線を示す線図である。
シート抵抗の均一性は優れており、１シグマで６％のみ
変化する。
し、ＤＣ電源が５ＫＷ、高周波電源が２．５ＫＷ、及び
アルゴン流量が１５ｓｃｃｍにおいて堆積された薄膜に
おけるシート抵抗の均一性の等高線を示す線図である。
シート抵抗の均一性は優れており、１シグマで６％のみ
変化する。
【００１７】図７は、シート抵抗の均一性−窒素流量の
関係を示す線図である。ゴールデンＴｉＮを得るために
は、窒素ガス流量は約４０〜７０ｓｃｃｍでなければな
らない。約５〜１４％の範囲にあるシート抵抗の均一性
を呈するには、ゴールデンＴｉＮは４０〜７０ｓｃｃｍ
の範囲にある窒素ガス流量で形成される。
関係を示す線図である。ゴールデンＴｉＮを得るために
は、窒素ガス流量は約４０〜７０ｓｃｃｍでなければな
らない。約５〜１４％の範囲にあるシート抵抗の均一性
を呈するには、ゴールデンＴｉＮは４０〜７０ｓｃｃｍ
の範囲にある窒素ガス流量で形成される。
【００１８】このように、窒素ガス流量と圧力とを注意
深く選択することによって、きわめて均一なシート抵抗
均一性を有するゴールデンＴｉＮ薄膜を得ることができ
ることは明らかである。
深く選択することによって、きわめて均一なシート抵抗
均一性を有するゴールデンＴｉＮ薄膜を得ることができ
ることは明らかである。
【００１９】本発明が以下の実施例によってさらに詳細
に説明されるが、本発明はここに記述される詳細な説明
に限定されるものではない。
に説明されるが、本発明はここに記述される詳細な説明
に限定されるものではない。
【００２０】
実施例 図２に示されるようなスパッタリングチャンバを用い
て、一連の動作パラメータを使用し、本発明によるゴー
ルデンＴｉＮを堆積した。
て、一連の動作パラメータを使用し、本発明によるゴー
ルデンＴｉＮを堆積した。
【００２１】まず最初に、チャンバ内のガスを安定化さ
せるために、以下の条件でチャンバを動作させた。すな
わち、ゲートバルブは中間位置、ＤＣ電源は０ＫＷ、高
周波電源は０ＫＷ、そして、アルゴン流量は１５ｓｃｃ
ｍとし、窒素がチャンバに８０ｓｃｃｍで１０秒間だけ
供給された。
せるために、以下の条件でチャンバを動作させた。すな
わち、ゲートバルブは中間位置、ＤＣ電源は０ＫＷ、高
周波電源は０ＫＷ、そして、アルゴン流量は１５ｓｃｃ
ｍとし、窒素がチャンバに８０ｓｃｃｍで１０秒間だけ
供給された。
【００２２】第１段階において、ＤＣターゲット電源は
５ＫＷ、コイルへの高周波電源は２．５ＫＷで、このゲ
ートバルブ位置とガス流量とが５秒間だけ維持され、チ
ャンバに窒素を充満させた。
５ＫＷ、コイルへの高周波電源は２．５ＫＷで、このゲ
ートバルブ位置とガス流量とが５秒間だけ維持され、チ
ャンバに窒素を充満させた。
【００２３】第２段階において、窒素ガス流量を４０ｓ
ｃｃｍまで減少させ、その他のパラメータはそのままに
し、所望の厚さのＴｉＮが堆積されるまでスパッタリン
グを継続した。
ｃｃｍまで減少させ、その他のパラメータはそのままに
し、所望の厚さのＴｉＮが堆積されるまでスパッタリン
グを継続した。
【００２４】次に、その後の堆積のために、すべての電
源及びガスが遮断され、ゲートバルブがそれの全開位置
まで開かれてチャンバを排気した。
源及びガスが遮断され、ゲートバルブがそれの全開位置
まで開かれてチャンバを排気した。
【００２５】本発明が特定の実施形態によって説明され
たが、本発明はそれに限定されるものではない。本発明
の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定され
るものである。
たが、本発明はそれに限定されるものではない。本発明
の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定され
るものである。
【図１】従来のスパッタリングチャンバを示す概略断面
図である。
図である。
【図２】チャンバ内にプラズマを生成する改良されたス
パッタリングチャンバを示す概略断面図である。
パッタリングチャンバを示す概略断面図である。
【図３】３８ミリトルの圧力においてＴｉＮをスパッタ
堆積する従来技術による方法を用いて得られるヒステリ
シス曲線を示す線図である。
堆積する従来技術による方法を用いて得られるヒステリ
シス曲線を示す線図である。
【図４】従来技術によって基板上に堆積されたＴｉＮの
シート抵抗の等高線を示す線図である。
シート抵抗の等高線を示す線図である。
【図５】低圧においてＴｉＮをスパッタ堆積する本発明
による方法を用いて得られるヒステリシス曲線を示す線
図である。
による方法を用いて得られるヒステリシス曲線を示す線
図である。
【図６】本発明によって堆積されたＴｉＮのシート抵抗
の等高線を示す線図である。
の等高線を示す線図である。
【図７】１シグマでのシート抵抗均一性（％）−窒素ガ
ス流量（ｓｃｃｍ）の関係を示す線図である。
ス流量（ｓｃｃｍ）の関係を示す線図である。
１２，１７２…ターゲット、１４，１８０…ＤＣ電源、
１６…基板支持体電極、１８…基板、２０，２０′…磁
石、２２，１９７…ガス吸気口、２４…ガス排気システ
ム、１７０…チャンバ、１７４…基板支持体、１８６…
螺旋コイル、１８８…高周波（ＲＦ）電源、１９０…真
空ポンプ、１９１…排気路、１９２，１９４…容器、１
９６，１９８…流量計、１９９…ゲートバルブ。
１６…基板支持体電極、１８…基板、２０，２０′…磁
石、２２，１９７…ガス吸気口、２４…ガス排気システ
ム、１７０…チャンバ、１７４…基板支持体、１８６…
螺旋コイル、１８８…高周波（ＲＦ）電源、１９０…真
空ポンプ、１９１…排気路、１９２，１９４…容器、１
９６，１９８…流量計、１９９…ゲートバルブ。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＤＣ電源に接続されたチタンターゲット
と、前記ターゲットに平行に一定の間隔で取り付けられ
た基板支持体電極と、高周波電源に接続された内部螺旋
コイルと、ガス吸気口と、調整することのできる排気シ
ステムとを含むプラズマスパッタリングチャンバにおい
て、均一なシート抵抗を有するゴールデンＴｉＮを堆積
する方法であって、 前記電極に電力を供給し、大きな窒素：アルゴンガス流
量で前記チャンバを窒素で充満させる工程と、及び前記
窒素ガス流量を減少させ、かつ、排気ポンプの排気速度
を増加させることによりチャンバ圧力を約２５ミリトル
以下に減少させることによって、ゴールデンＴｉＮを堆
積する工程と、 を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記窒素ガス流量は、まず最初に約８０
ｓｃｃｍであり、堆積する段階では約４０ｓｃｃｍに減
少されることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記チャンバ圧力は、堆積する段階では
約１５ミリトルに減少されることを特徴とする請求項１
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/805,181 US5919342A (en) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Method for depositing golden titanium nitride |
| US08/805181 | 1997-02-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10298748A true JPH10298748A (ja) | 1998-11-10 |
Family
ID=25190867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10089167A Withdrawn JPH10298748A (ja) | 1997-02-26 | 1998-02-26 | ゴールデンチタンナイトライドを堆積する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5919342A (ja) |
| EP (1) | EP0861920A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10298748A (ja) |
| KR (1) | KR19980071720A (ja) |
| SG (1) | SG63815A1 (ja) |
| TW (1) | TW370569B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021139970A (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-16 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランク |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627056B2 (en) | 2000-02-16 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for ionized plasma deposition |
| US6463873B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-10-15 | Plasma Quest Limited | High density plasmas |
| US7678705B2 (en) * | 2001-07-05 | 2010-03-16 | Tegal Corporation | Plasma semiconductor processing system and method |
| EP1485516B1 (en) * | 2002-02-27 | 2011-08-24 | Philippine Council For Advanced Sc. And Techn. Res. And Dev. | Method for formation of titanium nitride films |
| TWI295729B (en) * | 2005-11-01 | 2008-04-11 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Preparation of a ph sensor, the prepared ph sensor, systems comprising the same, and measurement using the systems |
| EP2222887B1 (en) * | 2007-11-30 | 2013-11-06 | Anna University - Chennai | Non-stoichiometric titanium nitride films |
| KR102069192B1 (ko) * | 2013-02-08 | 2020-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1954366C2 (de) * | 1969-10-29 | 1972-02-03 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von harten UEberzuegen aus Titan- und/oder Tantalverbindungen |
| JPS58153776A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Citizen Watch Co Ltd | 装飾部品の製造方法およびそれに用いるイオンプレ−テイング装置 |
| JPS61190070A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-23 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| JPS63152463A (ja) * | 1986-12-13 | 1988-06-24 | 豊田合成株式会社 | 顕色繊維物 |
| US5155063A (en) * | 1990-10-09 | 1992-10-13 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device including an al/tin/ti contact |
-
1997
- 1997-02-26 US US08/805,181 patent/US5919342A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-25 SG SG1998000421A patent/SG63815A1/en unknown
- 1998-02-26 JP JP10089167A patent/JPH10298748A/ja not_active Withdrawn
- 1998-02-26 EP EP98301420A patent/EP0861920A1/en not_active Ceased
- 1998-02-26 KR KR1019980006056A patent/KR19980071720A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-06-22 TW TW087102665A patent/TW370569B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021139970A (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-16 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5919342A (en) | 1999-07-06 |
| EP0861920A1 (en) | 1998-09-02 |
| TW370569B (en) | 1999-09-21 |
| SG63815A1 (en) | 1999-03-30 |
| KR19980071720A (ko) | 1998-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |