JPH06252059A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
成膜方法及び成膜装置Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 堆積膜の層厚方向で濃度や組成を連続的に変
化させることが可能で、且つ安定して高品質の膜質が得
られる成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 化学的気相成長を起こし且つターゲット材を
スパッタリングするガスの導入口を有する密閉容器と、
該容器内に設けられた少なくとも２つの電極と、該電極
の内第１及び第２の電極にそれぞれターゲット材及び基
体を保持するための手段と、第１及び第２の電極に接続
され、異なる周波数を有する２つの高周波電源とからな
る成膜装置、並びに該容器内に前記ガスを導入し、第１
及び第２の電極にそれぞれ異なる周波数の高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、ターゲットの直流電位を
制御しつつ成膜を行うことにより、ターゲット材の構成
原子の少なくとも１種以上と前記ガスの構成原子の少な
くとも１種以上とを含有した堆積膜を基体上に形成する
ことを特徴とする成膜方法。
化させることが可能で、且つ安定して高品質の膜質が得
られる成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 化学的気相成長を起こし且つターゲット材を
スパッタリングするガスの導入口を有する密閉容器と、
該容器内に設けられた少なくとも２つの電極と、該電極
の内第１及び第２の電極にそれぞれターゲット材及び基
体を保持するための手段と、第１及び第２の電極に接続
され、異なる周波数を有する２つの高周波電源とからな
る成膜装置、並びに該容器内に前記ガスを導入し、第１
及び第２の電極にそれぞれ異なる周波数の高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、ターゲットの直流電位を
制御しつつ成膜を行うことにより、ターゲット材の構成
原子の少なくとも１種以上と前記ガスの構成原子の少な
くとも１種以上とを含有した堆積膜を基体上に形成する
ことを特徴とする成膜方法。
Description
【０００１】本発明は成膜装置に係る。より詳細には化
学的気相成長とスパッタリングを同時に行なって成膜す
る成膜方法及び成膜装置に関する。
学的気相成長とスパッタリングを同時に行なって成膜す
る成膜方法及び成膜装置に関する。
【０００２】
【背景技術】部品や素子の表面に薄膜をコーティングし
て所定の機能を付与することは、電気部品電子部品、工
具や機械部品等を始めとして非常に広い分野で盛んに行
なわれている。集積回路等の半導体デバイスはこの代表
的なもので、成膜と微細加工を繰り返してデバイスが作
製されるため、製造プロセスにおける成膜装置はたいへ
ん重要な役割を担っている。
て所定の機能を付与することは、電気部品電子部品、工
具や機械部品等を始めとして非常に広い分野で盛んに行
なわれている。集積回路等の半導体デバイスはこの代表
的なもので、成膜と微細加工を繰り返してデバイスが作
製されるため、製造プロセスにおける成膜装置はたいへ
ん重要な役割を担っている。
【０００３】さらに、集積回路においては、デバイスの
微細化と共に、より高機能化、高品質化も要求されてお
り、そのためにデバイスを構成する堆積膜中で不純物分
布を設計通りに形成可能な成膜方法が強く望まれてい
る。例えば、パイポーラトランジスタの場合、高速演算
素子、メモリー、デジタル・アナログ変換機等高速性を
要求されるＬＳＩや、ディスクリート素子として極めて
多く用いられている素子の高速性はいかに速く電子がベ
ース層を通過するかで決まるため、ベース層の厚みを薄
くして通過距離を短くすることと共に薄いベース層に不
純物濃度の傾斜をつけて内部電界を形成し電子を加速で
き且つ界面でシャープな不純物濃度変化を示す構造、例
えば図９に示すような勾配をもつ濃度分布にすることが
素子の性能向上の点で有効となる。
微細化と共に、より高機能化、高品質化も要求されてお
り、そのためにデバイスを構成する堆積膜中で不純物分
布を設計通りに形成可能な成膜方法が強く望まれてい
る。例えば、パイポーラトランジスタの場合、高速演算
素子、メモリー、デジタル・アナログ変換機等高速性を
要求されるＬＳＩや、ディスクリート素子として極めて
多く用いられている素子の高速性はいかに速く電子がベ
ース層を通過するかで決まるため、ベース層の厚みを薄
くして通過距離を短くすることと共に薄いベース層に不
純物濃度の傾斜をつけて内部電界を形成し電子を加速で
き且つ界面でシャープな不純物濃度変化を示す構造、例
えば図９に示すような勾配をもつ濃度分布にすることが
素子の性能向上の点で有効となる。
【０００４】従来の成膜装置は、成膜方法から原理的に
２つに大別される。即ち、蒸着、スパッタリング等の物
理的方法を用いた成膜装置と、成膜材料ガスの化学反
応、いわゆる化学的気相成長法（ＣＶＤ）とを用いた成
膜装置に分類される。これらの装置は、操作性、メンテ
ナンスの容易性、高稼働率、品質の安定性が優れている
ことから幅広く用いられているが、先に述べた堆積膜の
濃度や成分の比率を変えるのが難しく、またシャープな
濃度変化を形成することが難しいという問題がある。
２つに大別される。即ち、蒸着、スパッタリング等の物
理的方法を用いた成膜装置と、成膜材料ガスの化学反
応、いわゆる化学的気相成長法（ＣＶＤ）とを用いた成
膜装置に分類される。これらの装置は、操作性、メンテ
ナンスの容易性、高稼働率、品質の安定性が優れている
ことから幅広く用いられているが、先に述べた堆積膜の
濃度や成分の比率を変えるのが難しく、またシャープな
濃度変化を形成することが難しいという問題がある。
【０００５】例えば、蒸着やスパッタにより、堆積膜の
濃度あるいは成分の比率を変える場合、堆積する膜の濃
度や成分の比率に応じて蒸着材料やターゲット材料自身
の濃度や成分の比率を変えなければならない。また、半
導体集積回路の配線材料に用いられるアルミシリサイド
をスパッタで成膜する場合は、ターゲットは構成するア
ミルニウムとシリコンを適切に組み合わせたものが必要
である。さらに、組成比の異なる堆積膜を形成する場合
には、その度毎に堆積膜の組成に見合ったターゲットを
つけかえる必要がある。しかし、通常の成膜装置で堆積
した膜の深さ方向の濃度あるいは成分の比率は、図８
（ａ）のようになり、深さ方向に一定となる。
濃度あるいは成分の比率を変える場合、堆積する膜の濃
度や成分の比率に応じて蒸着材料やターゲット材料自身
の濃度や成分の比率を変えなければならない。また、半
導体集積回路の配線材料に用いられるアルミシリサイド
をスパッタで成膜する場合は、ターゲットは構成するア
ミルニウムとシリコンを適切に組み合わせたものが必要
である。さらに、組成比の異なる堆積膜を形成する場合
には、その度毎に堆積膜の組成に見合ったターゲットを
つけかえる必要がある。しかし、通常の成膜装置で堆積
した膜の深さ方向の濃度あるいは成分の比率は、図８
（ａ）のようになり、深さ方向に一定となる。
【０００６】これを、深さ方向の濃度や成分の比率を、
例えば図８（ｂ）の様に深さ方向の連続関数（図では直
線関係）に制御しようとすると、蒸着法、スパッタ法で
は非常に難しく、例えば近似策として図８（ｃ）に示す
ように、深さをｎ分割（図では、ｎ＝４）して、濃度や
成分の比率をステップ状に変化させる方法が採用せざる
を得ない。このためには、前述したように予め適切な蒸
着材料やターゲットを必要な数だけ準備しておき、一定
膜厚ごとにこれらを交換して成膜することになるが、分
離の数を増加させると手間がかかり、現実的な方法では
ない。
例えば図８（ｂ）の様に深さ方向の連続関数（図では直
線関係）に制御しようとすると、蒸着法、スパッタ法で
は非常に難しく、例えば近似策として図８（ｃ）に示す
ように、深さをｎ分割（図では、ｎ＝４）して、濃度や
成分の比率をステップ状に変化させる方法が採用せざる
を得ない。このためには、前述したように予め適切な蒸
着材料やターゲットを必要な数だけ準備しておき、一定
膜厚ごとにこれらを交換して成膜することになるが、分
離の数を増加させると手間がかかり、現実的な方法では
ない。
【０００７】また、ＣＶＤ法では、堆積膜形成時に原料
ガスの流量比を連続的に変えることによって、堆積膜中
に不純物の濃度分布を形成する試みがなされているが、
例えばｐ型シリコン層を形成する場合、通常Ｂ2Ｈ6ガス
はその安定性を維持するため１００ｐｐｍ〜２％程度に
希釈されているため、堆積膜中で不純物濃度を変えるた
めにはＳｉＨ4ガスとの流量比を大きく変える必要があ
り、その結果（全流量変わり）放電状態が変化し、層厚
方向で堆積膜の品質が変化してしまうという問題があ
る。
ガスの流量比を連続的に変えることによって、堆積膜中
に不純物の濃度分布を形成する試みがなされているが、
例えばｐ型シリコン層を形成する場合、通常Ｂ2Ｈ6ガス
はその安定性を維持するため１００ｐｐｍ〜２％程度に
希釈されているため、堆積膜中で不純物濃度を変えるた
めにはＳｉＨ4ガスとの流量比を大きく変える必要があ
り、その結果（全流量変わり）放電状態が変化し、層厚
方向で堆積膜の品質が変化してしまうという問題があ
る。
【０００８】さらに、従来のＣＶＤ法で高品質の堆積膜
を形成するためには、例えば単結晶シリコンの場合９０
０〜１１００℃の高温で成膜する必要があり、また多結
晶シリコンでも減圧ＣＶＤ法では５５０〜６００℃で膜
を形成するため、不純物原子の熱拡散による再分布が起
こってしまい所望の不純物濃度分布が得られないのが現
状である。また、ＰＣＶＤ法で堆積膜を形成する試みも
なされているが、高品質な膜にするためには７００℃程
度のアニールが必要となり、結局不純物原子の再分布が
起こってしまうという問題がある。
を形成するためには、例えば単結晶シリコンの場合９０
０〜１１００℃の高温で成膜する必要があり、また多結
晶シリコンでも減圧ＣＶＤ法では５５０〜６００℃で膜
を形成するため、不純物原子の熱拡散による再分布が起
こってしまい所望の不純物濃度分布が得られないのが現
状である。また、ＰＣＶＤ法で堆積膜を形成する試みも
なされているが、高品質な膜にするためには７００℃程
度のアニールが必要となり、結局不純物原子の再分布が
起こってしまうという問題がある。
【０００９】以上述べたように、従来の成膜方法及び装
置では、堆積膜の品質を維持しながら、堆積膜の深さの
方向の濃度や組成を正確に制御することは非常に難しい
のが現状である。
置では、堆積膜の品質を維持しながら、堆積膜の深さの
方向の濃度や組成を正確に制御することは非常に難しい
のが現状である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】かかる状況に鑑み、本
発明は、堆積膜の層厚方向で濃度や組成を連続的に変化
させることが可能で、且つ安定して高品質の膜質が得ら
れる成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とす
る。
発明は、堆積膜の層厚方向で濃度や組成を連続的に変化
させることが可能で、且つ安定して高品質の膜質が得ら
れる成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の成膜方法は、密
閉容器内に設けられた第１及び第２の電極にそれぞれタ
ーゲット材及び基体を配置し、該密閉容器内に化学的気
相成長を起こし且つ前記ターゲット材をスパッタリング
するガスを導入し、前記第１及び第２の電極にそれぞれ
異なる周波数の高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、基体上に堆積膜を形成する成膜方法であって、前記
ターゲットの直流電位を制御しつつ成膜を行うことによ
り、前記ターゲット材の構成原子の少なくとも１種以上
と前記ガスの構成原子の少なくとも１種以上とを含有し
た堆積膜を前記基体上に形成することを特徴とする。
閉容器内に設けられた第１及び第２の電極にそれぞれタ
ーゲット材及び基体を配置し、該密閉容器内に化学的気
相成長を起こし且つ前記ターゲット材をスパッタリング
するガスを導入し、前記第１及び第２の電極にそれぞれ
異なる周波数の高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、基体上に堆積膜を形成する成膜方法であって、前記
ターゲットの直流電位を制御しつつ成膜を行うことによ
り、前記ターゲット材の構成原子の少なくとも１種以上
と前記ガスの構成原子の少なくとも１種以上とを含有し
た堆積膜を前記基体上に形成することを特徴とする。
【００１２】該方法において、前記化学的気相成長を起
こし且つ前記ターゲット材をスパッタリングするガス
は、プラズマ励起により化学的気相成長するガスと不活
性ガスを含むことが好ましく、さらにそれぞれの流量比
を変化させながら堆積膜を形成するのが望ましい。
こし且つ前記ターゲット材をスパッタリングするガス
は、プラズマ励起により化学的気相成長するガスと不活
性ガスを含むことが好ましく、さらにそれぞれの流量比
を変化させながら堆積膜を形成するのが望ましい。
【００１３】また、前記ターゲット材の直流電位は、前
記第１の電極に印加する高周波電力の周波数を変えるこ
とにより制御するか、または／及び前記ターゲット材の
直流電位は、該ターゲット材に接続された直流電源によ
り制御するのが好ましい。
記第１の電極に印加する高周波電力の周波数を変えるこ
とにより制御するか、または／及び前記ターゲット材の
直流電位は、該ターゲット材に接続された直流電源によ
り制御するのが好ましい。
【００１４】さらに、前記基体温度は、４００℃以下が
好ましい。
好ましい。
【００１５】本発明の成膜装置は、化学的気相成長を起
こし且つターゲット材をスパッタリングするガスの導入
口を有する密閉容器と、該密閉容器内に設けられた少な
くとも２つの電極と、該電極の内第１及び第２の電極に
それぞれターゲット材及び基体を保持するための手段
と、該第１及び第２の電極に接続され、異なる周波数を
有する２つの高周波電源とからなる。
こし且つターゲット材をスパッタリングするガスの導入
口を有する密閉容器と、該密閉容器内に設けられた少な
くとも２つの電極と、該電極の内第１及び第２の電極に
それぞれターゲット材及び基体を保持するための手段
と、該第１及び第２の電極に接続され、異なる周波数を
有する２つの高周波電源とからなる。
【００１６】さらには前記第１の電極に接続された高周
波電源は、周波数を可変することができることを特徴と
する、または／及び前記ターゲット材に、その直流電位
を制御することができる直流電源を接続したことを特徴
とする。
波電源は、周波数を可変することができることを特徴と
する、または／及び前記ターゲット材に、その直流電位
を制御することができる直流電源を接続したことを特徴
とする。
【００１７】
【作用】本発明は、第１の電極にターゲットを配置し、
該第１の電極に高周波電力を加えて密閉容器に導入した
化学的気相成長を起こし且つターゲット材をスパッタす
る成膜ガスをプラズマ励起させて、化学的気相成長とス
パッタリングを同時に行うことにより、第２の電極上に
保持した基体上に成膜ガスとターゲット材との構成原子
を所望の濃度分布で含有する堆積膜を形成するものであ
る。
該第１の電極に高周波電力を加えて密閉容器に導入した
化学的気相成長を起こし且つターゲット材をスパッタす
る成膜ガスをプラズマ励起させて、化学的気相成長とス
パッタリングを同時に行うことにより、第２の電極上に
保持した基体上に成膜ガスとターゲット材との構成原子
を所望の濃度分布で含有する堆積膜を形成するものであ
る。
【００１８】異なる周波数の高周波電力を、第１及び第
２の電極に印加することにより低温で高品質の単結晶膜
や多結晶膜を形成することができ、また低温処理のため
膜中成分原子の熱拡散を防止でき、所望の濃度分布の膜
を形成することができる。
２の電極に印加することにより低温で高品質の単結晶膜
や多結晶膜を形成することができ、また低温処理のため
膜中成分原子の熱拡散を防止でき、所望の濃度分布の膜
を形成することができる。
【００１９】さらに、直流電源から直流電位を直接基体
に与えることにより、または／及び第１の電極に印加す
る高周波電力の周波数を変化させることにより、ターゲ
ットに衝突するイオンのエネルギーを制御してスパッタ
リングレートを可変とすることができる。また、成膜ガ
ス中の化学的気相成長する成分の流量を変化させること
により、化学的気相成長速度を制御することができる。
ただし、この場合成膜ガスの全流量は一定とするのが望
ましい。その結果、堆積膜中のターゲット成分の濃度を
自由に連続的に変化させることが可能となる。
に与えることにより、または／及び第１の電極に印加す
る高周波電力の周波数を変化させることにより、ターゲ
ットに衝突するイオンのエネルギーを制御してスパッタ
リングレートを可変とすることができる。また、成膜ガ
ス中の化学的気相成長する成分の流量を変化させること
により、化学的気相成長速度を制御することができる。
ただし、この場合成膜ガスの全流量は一定とするのが望
ましい。その結果、堆積膜中のターゲット成分の濃度を
自由に連続的に変化させることが可能となる。
【００２０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００２１】（実施例１）図１は、本発明の第一の実施
例を示す装置の断面図である。
例を示す装置の断面図である。
【００２２】図１において、１０９は減圧可能な密閉容
器であり、例えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電
界研磨及び酸化不動態処理されており、一辺が３００ｍ
ｍ中空立方箱体状に形成されたものである。１０４は密
閉容器１０９を真空に引くための真空排気口であり、真
空排気装置と接続されている。真空排気装置には、ター
ボ分子ポンプを用いた。
器であり、例えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電
界研磨及び酸化不動態処理されており、一辺が３００ｍ
ｍ中空立方箱体状に形成されたものである。１０４は密
閉容器１０９を真空に引くための真空排気口であり、真
空排気装置と接続されている。真空排気装置には、ター
ボ分子ポンプを用いた。
【００２３】１０１は例えば２００ＭＨｚの周波数を有
する高周波発生装置であり上部電極１０５に接続されて
いる。１０２はその高周波マッチング回路である。
する高周波発生装置であり上部電極１０５に接続されて
いる。１０２はその高周波マッチング回路である。
【００２４】１０３は成膜ガスのガス導入口であり、例
えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電界研磨及び酸
化不動態処理されており、口径は１／４インチである。
えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電界研磨及び酸
化不動態処理されており、口径は１／４インチである。
【００２５】なお成膜ガスは、アルゴンガスとモノシラ
ンガスを用い、それぞれ不図示のガス供給源からガス供
給配管を通り途中で混合されガス導入口１０３に導かれ
る。
ンガスを用い、それぞれ不図示のガス供給源からガス供
給配管を通り途中で混合されガス導入口１０３に導かれ
る。
【００２６】１０５及び１０７はそれぞれ上部及び下部
電極であり例えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで表面が複合電
界研磨及び不動態処理されており、本実施例では直径６
インチのものを用いた。１０６は上部電極１０５に保持
されたターゲットであり、直径が５インチのｎ型シリコ
ンウエハーを用いた。１０８は下部電極１０７に保持し
た基板で、直径が５インチのｐ型シリコンウエハーを用
いた。
電極であり例えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで表面が複合電
界研磨及び不動態処理されており、本実施例では直径６
インチのものを用いた。１０６は上部電極１０５に保持
されたターゲットであり、直径が５インチのｎ型シリコ
ンウエハーを用いた。１０８は下部電極１０７に保持し
た基板で、直径が５インチのｐ型シリコンウエハーを用
いた。
【００２７】１１１は、３５ＭＨｚの周波数を有する高
周波発生装置であり、下部電極１０７に接続されてい
る。１１０はその高周波マッチング回路である。１１３
は、コイルとコンデンサーから成るバンドパスフィルタ
ーであり、上部電極１０５に加えられる高周波電力の周
波数２００ＭＨｚに対し下部電極１０７を高周波的に短
絡させている。１１２もコイルとコンデンサーから成る
バンドパスフィルターであり、下部電極１０７に加えら
れる高周波電力の周波数３５ＭＨｚに対し上部電極１０
５を高周波的に短絡させている。１１４はターゲット１
０６に接続されており、その直流電位を制御することが
できる直流電源である。１１７は基板１０８に接続され
ており、その直流電位を制御することができる直流電源
である。１１５はコイルとコンデンサーから成るローパ
スフィルターであり、ターゲット１０６にかかる高周波
電力が直流電源１１４に伝搬しないようにするため装置
である。又１１６もコイルとコンデンサーから成るロー
パスフィルターであり、基板１０８にかかる高周波電力
が直流電源１１７に伝わらないようにする装置である。
周波発生装置であり、下部電極１０７に接続されてい
る。１１０はその高周波マッチング回路である。１１３
は、コイルとコンデンサーから成るバンドパスフィルタ
ーであり、上部電極１０５に加えられる高周波電力の周
波数２００ＭＨｚに対し下部電極１０７を高周波的に短
絡させている。１１２もコイルとコンデンサーから成る
バンドパスフィルターであり、下部電極１０７に加えら
れる高周波電力の周波数３５ＭＨｚに対し上部電極１０
５を高周波的に短絡させている。１１４はターゲット１
０６に接続されており、その直流電位を制御することが
できる直流電源である。１１７は基板１０８に接続され
ており、その直流電位を制御することができる直流電源
である。１１５はコイルとコンデンサーから成るローパ
スフィルターであり、ターゲット１０６にかかる高周波
電力が直流電源１１４に伝搬しないようにするため装置
である。又１１６もコイルとコンデンサーから成るロー
パスフィルターであり、基板１０８にかかる高周波電力
が直流電源１１７に伝わらないようにする装置である。
【００２８】次に、この成膜装置を用いて堆積した膜に
おいて深さ方向に対するドーパント濃度を制御した例を
説明する。
おいて深さ方向に対するドーパント濃度を制御した例を
説明する。
【００２９】まず、密閉容器１０９と連設した密閉容器
（不図示）からゲートバルブ（不図示）を介して搬送
し、ｐ型シリコンウエハー１０８を下部電極１０７にセ
ットする。そしてガス導入口１０３からアルゴンガスと
モノシランガスを密閉容器１０９に導入し、高周波発生
装置１０１により２００ＭＨｚの周波数を有する高周波
電力２００Ｗを上部電極１０５に加えて密閉容器１０９
内にプラズマを発生させる。このとき上部電極１０５に
保持したｎ型シリコン１０６に発生した自己バイアスは
接地に対して−１０Ｖ程度となり、この状態ではアルゴ
ンイオンの照射エネルギーが小さいためにｎ型シリコン
１０６はスパッタリングされない。
（不図示）からゲートバルブ（不図示）を介して搬送
し、ｐ型シリコンウエハー１０８を下部電極１０７にセ
ットする。そしてガス導入口１０３からアルゴンガスと
モノシランガスを密閉容器１０９に導入し、高周波発生
装置１０１により２００ＭＨｚの周波数を有する高周波
電力２００Ｗを上部電極１０５に加えて密閉容器１０９
内にプラズマを発生させる。このとき上部電極１０５に
保持したｎ型シリコン１０６に発生した自己バイアスは
接地に対して−１０Ｖ程度となり、この状態ではアルゴ
ンイオンの照射エネルギーが小さいためにｎ型シリコン
１０６はスパッタリングされない。
【００３０】また、ｐ型シリコンウエハー１０８はヒー
ター（不図示）により例えば３００℃に加熱されてい
る。このような低温において高品質な膜を得るには、ア
ルゴンイオンの照射エネルギーにより基板表面を活性化
し、基板表面に到達した成膜原子を十分マイグレーショ
ンさせる必要がある。この時、アルゴンイオンの照射エ
ネルギーが大きすぎると基板表面の結晶性を破壊して高
品質な膜を得ることができなくなり、また小さすぎても
基板表面に到達した成膜原子を十分マイグレーションさ
せることができず、高品質な膜を得ることができない。
本実施例では低温において高品質な膜を得るために高周
波発生装置１１１により３５ＭＨｚの周波数を有する高
周波電力２０Ｗを下部電極１０７に加えｐ型シリコンウ
エハー１０８に接地に対して＋１０Ｖの自己バイアスを
かけて適切なイオン照射エネルギーが得られるようにし
た。
ター（不図示）により例えば３００℃に加熱されてい
る。このような低温において高品質な膜を得るには、ア
ルゴンイオンの照射エネルギーにより基板表面を活性化
し、基板表面に到達した成膜原子を十分マイグレーショ
ンさせる必要がある。この時、アルゴンイオンの照射エ
ネルギーが大きすぎると基板表面の結晶性を破壊して高
品質な膜を得ることができなくなり、また小さすぎても
基板表面に到達した成膜原子を十分マイグレーションさ
せることができず、高品質な膜を得ることができない。
本実施例では低温において高品質な膜を得るために高周
波発生装置１１１により３５ＭＨｚの周波数を有する高
周波電力２０Ｗを下部電極１０７に加えｐ型シリコンウ
エハー１０８に接地に対して＋１０Ｖの自己バイアスを
かけて適切なイオン照射エネルギーが得られるようにし
た。
【００３１】本実施例においてプラズマによりモノシラ
ンガスを分解してｐ型シリコンウエハー１０８上にシリ
コンを堆積させる際に、上部電極１０５に保持したｎ型
シリコンウエハー１０６に接続された直流電源１１４を
用いてｎ型シリコンウエハー１０６の直流電位を図２の
ように変化させていくとプラズマ中のアルゴンイオンに
よりｎ型シリコンウエハー１０６がスパッタリングされ
て、化学的気相成長による成膜とスパッタリングによる
成膜とが同時に起こり、ｐ型シリコンウエハー１０８上
にはｎ型不純物原子を含む膜が形成されることになる。
ンガスを分解してｐ型シリコンウエハー１０８上にシリ
コンを堆積させる際に、上部電極１０５に保持したｎ型
シリコンウエハー１０６に接続された直流電源１１４を
用いてｎ型シリコンウエハー１０６の直流電位を図２の
ように変化させていくとプラズマ中のアルゴンイオンに
よりｎ型シリコンウエハー１０６がスパッタリングされ
て、化学的気相成長による成膜とスパッタリングによる
成膜とが同時に起こり、ｐ型シリコンウエハー１０８上
にはｎ型不純物原子を含む膜が形成されることになる。
【００３２】このとき得られた堆積膜は、反射型高速電
子線回折法による測定の結果から、単結晶であることが
確認され、その表面から深さ方向に対するドーパント濃
度を２次イオン質量分析法で測定した結果は図３のよう
になり、深さ方向に対して濃度勾配をもつことが確認さ
れた。
子線回折法による測定の結果から、単結晶であることが
確認され、その表面から深さ方向に対するドーパント濃
度を２次イオン質量分析法で測定した結果は図３のよう
になり、深さ方向に対して濃度勾配をもつことが確認さ
れた。
【００３３】ここで、本実施例において堆積した膜の深
さ方向に対する濃度分布を制御することが出来る理由を
簡単に説明する。一般にプラズマは正の電位Ｖpを持っ
ている。これをプラズマポテンシャルという。上部電極
１０５に保持したｎ型シリコンウエハー１０６に係る直
流電位をＶdcとするとプラズマ中のアルゴンイオンは
（Ｖp−Ｖdc）ｅＶのエネルギーでｎ型シリコンウエハ
ー１０６に衝突する。このエネルギーが大きいほど、衝
突によって放出されるｎ型シリコンウエハー１０６の構
成原子の数は多くなり、したがって下部電極１０７に保
持したｐ型シリコンウエハー１０８上に堆積するｎ型シ
リコンの堆積速度は大きくなる。一般にプラズマポテン
シャルＶpはあまり変化しないので、Ｖdcを制御するこ
とによりスパッタリングによる堆積速度を制御すること
が可能である。
さ方向に対する濃度分布を制御することが出来る理由を
簡単に説明する。一般にプラズマは正の電位Ｖpを持っ
ている。これをプラズマポテンシャルという。上部電極
１０５に保持したｎ型シリコンウエハー１０６に係る直
流電位をＶdcとするとプラズマ中のアルゴンイオンは
（Ｖp−Ｖdc）ｅＶのエネルギーでｎ型シリコンウエハ
ー１０６に衝突する。このエネルギーが大きいほど、衝
突によって放出されるｎ型シリコンウエハー１０６の構
成原子の数は多くなり、したがって下部電極１０７に保
持したｐ型シリコンウエハー１０８上に堆積するｎ型シ
リコンの堆積速度は大きくなる。一般にプラズマポテン
シャルＶpはあまり変化しないので、Ｖdcを制御するこ
とによりスパッタリングによる堆積速度を制御すること
が可能である。
【００３４】一方、本実施例においてプラズマによりモ
ノシランガスを分解してｐ型シリコンウエハー１０８上
にシリコンを堆積させる、化学的気相成長法において
は、その堆積速度はモノシランガスの流量により決ま
る。
ノシランガスを分解してｐ型シリコンウエハー１０８上
にシリコンを堆積させる、化学的気相成長法において
は、その堆積速度はモノシランガスの流量により決ま
る。
【００３５】また、ある不純物濃度を持ったｎ型シリコ
ン１０６に接続された直流電源１１４によってその直流
電位を制御することによりスパッタリングによるｎ型シ
リコンの堆積速度を制御しながら成膜を行うことにより
堆積膜の深さ方向に対するドーパント濃度を自由に制御
できる。
ン１０６に接続された直流電源１１４によってその直流
電位を制御することによりスパッタリングによるｎ型シ
リコンの堆積速度を制御しながら成膜を行うことにより
堆積膜の深さ方向に対するドーパント濃度を自由に制御
できる。
【００３６】なお、本実施例では、成膜ガス流量を一定
としたが、要求される膜質によっては、成膜ガス中のガ
ス流量比を変化させ、化学的気相成長する成分の流量比
を変化させることで、堆積膜中の組成を分布させること
も可能である。また、ターゲットの直流電位と流量とを
２つを組み合わせて変化させても良いことは言うまでも
ない。
としたが、要求される膜質によっては、成膜ガス中のガ
ス流量比を変化させ、化学的気相成長する成分の流量比
を変化させることで、堆積膜中の組成を分布させること
も可能である。また、ターゲットの直流電位と流量とを
２つを組み合わせて変化させても良いことは言うまでも
ない。
【００３７】また、本実施例において、スパッタリング
による堆積速度を制御するために、上部電極１０５に保
持したｎ型シリコンウエハー１０６に接続された直流電
源１１４によりＶdcを制御したが、上部電極１０５に加
える高周波電力の周波数によってもＶdcは変化するた
め、この周波数を制御することによりＶdcを制御してス
パッタリングによる堆積速度を制御してもよい。特にタ
ーゲット１０６が絶縁性材料の場合は、直流電源１１４
によるＶdcの制御が出来ないため上部電極１０５に加え
る高周波電力の周波数による制御が有効である。
による堆積速度を制御するために、上部電極１０５に保
持したｎ型シリコンウエハー１０６に接続された直流電
源１１４によりＶdcを制御したが、上部電極１０５に加
える高周波電力の周波数によってもＶdcは変化するた
め、この周波数を制御することによりＶdcを制御してス
パッタリングによる堆積速度を制御してもよい。特にタ
ーゲット１０６が絶縁性材料の場合は、直流電源１１４
によるＶdcの制御が出来ないため上部電極１０５に加え
る高周波電力の周波数による制御が有効である。
【００３８】さらに、ガス導入口１０３から導入するガ
スとして、本実施例では不活性ガスとしてアルゴンガ
ス、化学的気相成長するガスとしてモノシランガスを用
い、それぞれ混合した後導入口から容器内に導入した
が、不活性ガスとしては他にＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅな
どのガスを用いてもよく、また化学的気相成長するガス
としてはＳｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8などのＳｉ原子を持つ水素
化物やＳｉ原子を持つ有機物でもよい。要はプラズマに
より励起され化学的気相成長により成膜することがで
き、かつターゲットをスパッタできるガスであれば何で
もよい。また、導入口をガス毎に設けても良い。
スとして、本実施例では不活性ガスとしてアルゴンガ
ス、化学的気相成長するガスとしてモノシランガスを用
い、それぞれ混合した後導入口から容器内に導入した
が、不活性ガスとしては他にＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅな
どのガスを用いてもよく、また化学的気相成長するガス
としてはＳｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8などのＳｉ原子を持つ水素
化物やＳｉ原子を持つ有機物でもよい。要はプラズマに
より励起され化学的気相成長により成膜することがで
き、かつターゲットをスパッタできるガスであれば何で
もよい。また、導入口をガス毎に設けても良い。
【００３９】さらに本実施例では一種類の材料、例えば
ｎ型シリコンウエハーを用いて成膜を行なったが、必要
に応じて密閉容器１０９に連設する密閉容器からゲート
バルブを介して異なる組成の材料を搬送して材料を交換
した後、成膜を行ってもよい。これにより堆積した膜に
おいて制御可能な組成範囲を自由に変えることができ
る。
ｎ型シリコンウエハーを用いて成膜を行なったが、必要
に応じて密閉容器１０９に連設する密閉容器からゲート
バルブを介して異なる組成の材料を搬送して材料を交換
した後、成膜を行ってもよい。これにより堆積した膜に
おいて制御可能な組成範囲を自由に変えることができ
る。
【００４０】本実施例では低温において高品質な膜を得
るために高周波発生装置１１１により３５ＭＨｚの周波
数を有する高周波電力を下部電極１０７に加えｐ型シリ
コンウエハー１０８に、接地に対して＋１０Ｖの自己バ
イアスをかけて適切なイオン照射エネルギーが得られる
ようにしたが、適切なイオン照射エネルギーが得られる
ならば他の周波数を用いてもよい。又基板１０８が導電
性材料の場合には高周波電力を用いずに、基板１０８に
接続された直流電源１１７を用いて適切なイオン照射エ
ネルギーが得られるようにしてもよい。
るために高周波発生装置１１１により３５ＭＨｚの周波
数を有する高周波電力を下部電極１０７に加えｐ型シリ
コンウエハー１０８に、接地に対して＋１０Ｖの自己バ
イアスをかけて適切なイオン照射エネルギーが得られる
ようにしたが、適切なイオン照射エネルギーが得られる
ならば他の周波数を用いてもよい。又基板１０８が導電
性材料の場合には高周波電力を用いずに、基板１０８に
接続された直流電源１１７を用いて適切なイオン照射エ
ネルギーが得られるようにしてもよい。
【００４１】また、本実施例では密閉容器１０９、ガス
導入口１０３、上部電極１０５及び下部電極１０７は例
えばその材質ＳＵＳ３１６Ｌで内面又は表面の複合電解
研磨及び酸化不動態処理されているものを用いたがこれ
は真空容器内表面がプラズマに曝されてもイオンにより
スパッタリングや腐蝕などの損傷を受けにくいようにす
るためであり、用途によってはその他の材質及び形状の
ものを用いてもよい。その他の材質として、例えばＳＵ
Ｓ３１６Ｌ又はアルミニウムに例えばニッケル−リンメ
ッキを行ない表面にフッ化処理したもの等が挙げられ
る。
導入口１０３、上部電極１０５及び下部電極１０７は例
えばその材質ＳＵＳ３１６Ｌで内面又は表面の複合電解
研磨及び酸化不動態処理されているものを用いたがこれ
は真空容器内表面がプラズマに曝されてもイオンにより
スパッタリングや腐蝕などの損傷を受けにくいようにす
るためであり、用途によってはその他の材質及び形状の
ものを用いてもよい。その他の材質として、例えばＳＵ
Ｓ３１６Ｌ又はアルミニウムに例えばニッケル−リンメ
ッキを行ない表面にフッ化処理したもの等が挙げられ
る。
【００４２】真空排気装置には、ターボ分子ポンプを用
いたが用途によってはその他の真空ポンプを用いてもよ
いことはいうまでもない。又、ターゲット１０６には直
径５インチのｎ型シリコンウエハーを、基板１０８には
直径５インチのｐ型シリコンウエハーを用いたが用途に
よってはその他の材料及び形状のものを用いてもよい。
いたが用途によってはその他の真空ポンプを用いてもよ
いことはいうまでもない。又、ターゲット１０６には直
径５インチのｎ型シリコンウエハーを、基板１０８には
直径５インチのｐ型シリコンウエハーを用いたが用途に
よってはその他の材料及び形状のものを用いてもよい。
【００４３】また本実施例において上部電極１０５に加
える高周波電力の周波数は２００ＭＨｚを用いたが、タ
ーゲット１０６に接続した直流電源１１４により、又
は、上部電極１０５に加える高周波電力の周波数により
ターゲット１０６にかかる直流電位も制御して上部電極
１０５に保持したターゲット１０６のスパッタリングに
よる堆積速度を制御することができればその他の周波数
を用いてもよい。
える高周波電力の周波数は２００ＭＨｚを用いたが、タ
ーゲット１０６に接続した直流電源１１４により、又
は、上部電極１０５に加える高周波電力の周波数により
ターゲット１０６にかかる直流電位も制御して上部電極
１０５に保持したターゲット１０６のスパッタリングに
よる堆積速度を制御することができればその他の周波数
を用いてもよい。
【００４４】本実施例において、堆積膜はモノシランガ
スをプラズマ励起した化学的気相成長と上部電極１０５
に保持したｎ型シリコンウエハー１０６のスパッタリン
グとを同時に行なって成膜を行なったが、例えば初めは
化学的気相成長のみにより成膜した後、化学的気相成長
とスパッタリングを同時に行ない、さらにスパッタリン
グのみにより成膜を行なう等、成膜方法を組合わせて行
っても良い。
スをプラズマ励起した化学的気相成長と上部電極１０５
に保持したｎ型シリコンウエハー１０６のスパッタリン
グとを同時に行なって成膜を行なったが、例えば初めは
化学的気相成長のみにより成膜した後、化学的気相成長
とスパッタリングを同時に行ない、さらにスパッタリン
グのみにより成膜を行なう等、成膜方法を組合わせて行
っても良い。
【００４５】また、本実施例では基板の直流電位を制御
して適切なイオン照射エネルギーが得られるようにして
低温において単結晶化を行ったが、用途によっては堆積
膜は単結晶でなくてもかまわない。
して適切なイオン照射エネルギーが得られるようにして
低温において単結晶化を行ったが、用途によっては堆積
膜は単結晶でなくてもかまわない。
【００４６】さらに本実施例では上部電極１０５に保持
したｎ型シリコンウエハー１０６のスパッタリングとモ
ノシランガスをプラズマ励起して化学的気相成長法とを
とをを同時に行い下部電極１０７に保持したｐ型シリコ
ンウエハーに成膜を行ったが、用途によっては成膜時に
さらに１種以上のガスを密閉容器１０９に導入し、これ
をプラズマ励起してプラズマ中でスパッタリングされて
放出された原子と反応させてこれを堆積すること、材料
ガスをプラズマ励起して化学的気相成長法による成膜と
を同時に行って成膜しても良い。
したｎ型シリコンウエハー１０６のスパッタリングとモ
ノシランガスをプラズマ励起して化学的気相成長法とを
とをを同時に行い下部電極１０７に保持したｐ型シリコ
ンウエハーに成膜を行ったが、用途によっては成膜時に
さらに１種以上のガスを密閉容器１０９に導入し、これ
をプラズマ励起してプラズマ中でスパッタリングされて
放出された原子と反応させてこれを堆積すること、材料
ガスをプラズマ励起して化学的気相成長法による成膜と
を同時に行って成膜しても良い。
【００４７】（実施例２）次に本発明の第２の実施例を
示す。
示す。
【００４８】本実施例は、実施例１において、ガス導入
口１０３から密閉容器１０９に導入したモノシランガス
の流量を図４のように、又、上部電極１０５に保持した
ｎ型シリコンウエハー１０６に接続された直流電源１１
４によりｎ型シリコンウエハー１０６の直流電位を図５
のように制御した（なお、ガスの全流量は一定とし
た）。その他の構成は第１実施例と同様であるので重複
した説明は省略する。このとき、深さ方向に対するドー
パント濃度が図６のような矩形となった単結晶シリコン
膜が得られた。
口１０３から密閉容器１０９に導入したモノシランガス
の流量を図４のように、又、上部電極１０５に保持した
ｎ型シリコンウエハー１０６に接続された直流電源１１
４によりｎ型シリコンウエハー１０６の直流電位を図５
のように制御した（なお、ガスの全流量は一定とし
た）。その他の構成は第１実施例と同様であるので重複
した説明は省略する。このとき、深さ方向に対するドー
パント濃度が図６のような矩形となった単結晶シリコン
膜が得られた。
【００４９】（実施例３）本発明の第３の実施例を以下
に示す。
に示す。
【００５０】本実施例は実施例１において、上部電極１
０６に保持した材料１０６にアルミニウムを用いた例で
ある。その他の構成は第１実施例と同様であるので重複
した説明は省略する。このとき堆積した膜の深さ方向に
対するアルミニウム中のシリコンの濃度を２次イオン質
量分析法で測定したところ図７のように濃度分布を持っ
たＡｌＳｉ膜が得られた。
０６に保持した材料１０６にアルミニウムを用いた例で
ある。その他の構成は第１実施例と同様であるので重複
した説明は省略する。このとき堆積した膜の深さ方向に
対するアルミニウム中のシリコンの濃度を２次イオン質
量分析法で測定したところ図７のように濃度分布を持っ
たＡｌＳｉ膜が得られた。
【００５１】
【発明の効果】本発明により、堆積膜を構成する成分の
分布を自由に設計通りに変化させることが可能となり、
例えば高速バイポーラトランジスタ等のような高機能素
子を作製することが可能となる。
分布を自由に設計通りに変化させることが可能となり、
例えば高速バイポーラトランジスタ等のような高機能素
子を作製することが可能となる。
【図１】実施例１に係わる成膜装置の密閉容器部概略模
式図である。
式図である。
【図２】実施例１に係わり、成膜時のｎ型シリコンウエ
ハーにかけた直流電位を表すグラフである。
ハーにかけた直流電位を表すグラフである。
【図３】実施例１に係わり、堆積膜のドーパント濃度を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】実施例２に係わり、堆積時のモノシラン流量を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図５】実施例２に係わり、堆積時のｎ型シリコンウエ
ハーにかけた直流電位を示すグラフである。
ハーにかけた直流電位を示すグラフである。
【図６】実施例２に係わり、堆積膜のドーパント濃度を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図７】実施例３に係わり、堆積膜のアルミニウム中の
シリコンの濃度を示すグラフである。
シリコンの濃度を示すグラフである。
【図８】堆積膜中の不純物濃度の分布を示すグラフであ
る。
る。
【図９】エミッタ、ベース、コレクタにおける不純物濃
度の分布を示すグラフである。
度の分布を示すグラフである。
１０１ 第１の高周波電源、 １０２ 第１の高周波マッチング回路、 １０３ ガス導入口、 １０４ 真空排気口、 １０５ 上部電極、 １０６ ターゲット、 １０７ 下部電極、 １０８ 基板、 １０９ 密閉容器、 １１０ 第２の高周波マッチング回路、 １１１ 第２の高周波発生装置、 １１２，１１３ バンドパスフィルター、 １１４，１１７ 直流電源、 １１５，１１６ ローパスフィルター。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮下 和久 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉東北大学工 学部電子工学科内
Claims (9)
- 【請求項１】 密閉容器内に設けられた第１及び第２の
電極にそれぞれターゲット材及び基体を配置し、該密閉
容器内に化学的気相成長を起こし且つ前記ターゲット材
をスパッタリングするガスを導入し、前記第１及び第２
の電極にそれぞれ異なる周波数の高周波電力を印加して
プラズマを発生させ、基体上に堆積膜を形成する成膜方
法であって、前記ターゲットの直流電位を制御しつつ成
膜を行うことにより、前記ターゲット材の構成原子の少
なくとも１種以上と前記ガスの構成原子の少なくとも１
種以上とを含有した堆積膜を前記基体上に形成すること
を特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 前記ターゲット材の直流電位は、前記第
１の電極に印加する高周波電力の周波数を変えることに
より制御することを特徴とする請求項１に記載の成膜方
法。 - 【請求項３】 前記ターゲット材の直流電位は、該ター
ゲット材に接続された直流電源により制御することを特
徴とする請求項１または２に記載の成膜方法。 - 【請求項４】 前記化学的気相成長を起こし且つ前記タ
ーゲット材をスパッタリングするガスは、プラズマ励起
により化学的気相成長するガスと不活性ガスを含むこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜
方法。 - 【請求項５】 前記化学的気相成長するガスと前記不活
性ガスとの流量比を変化させることを特徴とする請求項
４に記載の成膜方法。 - 【請求項６】 前記基体の温度は４００℃以下であるこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の成
膜方法。 - 【請求項７】 化学的気相成長を起こし且つターゲット
材をスパッタリングするガスの導入口を有する密閉容器
と、該密閉容器内に設けられた少なくとも２つの電極
と、該電極の内第１及び第２の電極にそれぞれターゲッ
ト材及び基体を保持するための手段と、該第１及び第２
の電極に接続され、異なる周波数を有する２つの高周波
電源とからなる成膜装置。 - 【請求項８】 前記第１の電極に接続された高周波電源
は、周波数を可変することができることを特徴とする請
求項７に記載の成膜装置。 - 【請求項９】 前記ターゲット材に、その直流電位を制
御することができる直流電源を接続したことを特徴とす
る請求項７または８に記載の成膜装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03576293A JP3351843B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 成膜方法 |
| US08/505,247 US5660694A (en) | 1993-02-24 | 1994-02-24 | Film forming method |
| EP94907677A EP0686708A4 (en) | 1993-02-24 | 1994-02-24 | METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A LAYER ------------------- |
| PCT/JP1994/000293 WO1994019509A1 (en) | 1993-02-24 | 1994-02-24 | Film forming method and film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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