KR930021814A - 연속 박막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

동일한 진공용기내에서, 또한, 그 용기내의 배치구성은 동일하게 유지되면서 프로세스 가스를 변화시킴으로써 상이한 박막을 연속 성막할 경우에 각 박막의 기판내 막두께 분포간에 균일성이 얻어지게한 마그네트론 스퍼터링에 의한 박막 형성 방법이다.
타겟(2)과 기판(6)을 대향시킨 공간에 직교하는 전계와 자계를 작용시킴과 동시에 프로세스가스를 도입하여 플라즈마를 형성하고, 타겟(2)에서 스퍼터된 입자를 함유하는 박막을 기판(6)표면에 퇴적시키는 마그네트론 스퍼터링에 있어서, 상기 자계를 작용시키기 위한 자계형성 수단(3,14)을 상기 대향공간의 자속밀도가 조정되도록 구성하고, 진공용기(1)에 도입되는 프로세스가스의 조성에 따라 자속밀도를 변화시킨다.

Description

연속 박막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시에 장치의 구성도.
제2도는 적합한 실시예의 공정차트의 표시도.
제3도는 적합한 실시예의 기판표면상의 자속밀도 분포의 표시도.

Claims (12)

  1. 반도체 디바이스 제조에 있어서의 메탈라이제이션 처리공정이, (a)타겟과 기판을 대향시킨 공간에 상호 직교하는 전계와 자계를 작용시키고, 적어도 1종류의 프로세스가스를 도입하여 플라즈마를 형성한 계에 외부에서 자계를 작용시켜 계내의 자속밀도를 변화시켜서 타겟에서 스퍼터된 입자를 함유하는 박막을 퇴적시키는 박막제작공정과, (b)타겟과 기판을 대향시킨 공간에 상호 직교하는 전계와 자계를 작용시키고 2종류의 가스를 함유하는 프로세스가스를 도입하여 플라즈마를 형성한 계에 외부에서 자계를 작용시켜 계내의 자속밀도를 변화시켜서 타겟에서 스퍼터된 입자와 상기 프로세스가스 중의 1종류의 가스분자를 구성하는 입자가 반응하여 2성분 이상의 원소로 구성된 박막을 퇴적시키는 박막제작공정을 포함하고, 여기에 있어서, (i)(a)공정과 (b)공정은 연속되어 있고, (ii)(a)공정과 (b)공정중에는 동일 진공용기, 동일 타겟으로 하여 그 용기내의 배치구성은 동일하게 유지되며, (iii)(a)공정과 (b)공정에서 타겟과 기판을 대향시킨 공간에서의 전계에 직교하는 자계의 자속밀도를 동일하고, (iv)(a)공정에서 플라즈마가 형성되는 계와 (b)공정에서 플라즈마가 형성되는 계에 그 외부에서 작용시키는 자계의 자속밀도를 변화시켜서 각 계내의 자속밀도를 달리하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서 타겟과 기판을 대향시킨 공간에서의 전계에 직교하는 자계는 타겟 이면측에 설치한 영구자석에 의해 발생되고, 계내의 자속밀도를 변화시키는 외부로 부터의 자계의 작용은 기판 이면측에 설치한 전자석으로 작용시키고, 전자석의여자 전류로 계내의 자속밀도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 전자석의 외경과 기판의 지름을 거의 같게함으로써 기판표면의 자속밀도 분포를 균일하게 하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, (a)공정의 프로세스가스와, (b)공정의 적어도 2종류의 가스를 함유하는 프로세스가스 중의 하나의 프로세스가스가 동일한 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, (a)공정과 (b)공정을 이행할때 프로세스가스의 조성의 변화에 따라 계내의 자속밀도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, (a)공정의 프로세스가스의 유량에서의 조성비가 아르곤가스: 질소가스=1:0과 (b)공정의 프로세스가스의 유량에서의 조성비가 아르곤가스:질소가스=1:1로 변환시키는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, (a)공정 다음에 (b)공정을 행하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 타겟을 티탄원소로 구성하고 (a)공정에서 생성된 박막은 티탄 박막이고, (b)공정에서 생성된 박막은 질화티탄 박막인 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, (a)공정의 전자석의 여기 전류쪽이 (b)공정의 전자석의 여기 전류보다 큰 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, (a)공정과 (b)공정에서 각각 타겟에 투입하는 전력을 달리하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서, (b)공정에서 타겟에 투입되는 전력은 (a)공정에서 타겟에 투입되는 전력보다 큰 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 기판이 8인치의 반도체 웨이퍼일때, 아래의 조건으로 (a)공정과 (b)공정을 행하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101414812B1 (ko) * 2012-07-13 2014-07-01 한밭대학교 산학협력단 소수성 증착막을 포함하는 전철용 폴리머 애자 및 그 제조방법

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3586899B2 (ja) * 1994-09-22 2004-11-10 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5725740A (en) * 1995-06-07 1998-03-10 Applied Materials, Inc. Adhesion layer for tungsten deposition
US5972178A (en) * 1995-06-07 1999-10-26 Applied Materials, Inc. Continuous process for forming improved titanium nitride barrier layers
JP3827758B2 (ja) * 1995-09-22 2006-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜作製方法及び薄膜作製装置
US6254747B1 (en) * 1996-12-25 2001-07-03 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Magnetron sputtering source enclosed by a mirror-finished metallic cover
GB9700158D0 (en) 1997-01-07 1997-02-26 Gencoa Limited Versatile coating deposition system
US5873983A (en) * 1997-01-13 1999-02-23 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers
JP4355036B2 (ja) * 1997-03-18 2009-10-28 キヤノンアネルバ株式会社 イオン化スパッタリング装置
KR100444011B1 (ko) * 1997-05-06 2004-11-03 삼성전자주식회사 마그네틱을이용한실리사이드제조방법
JPH111770A (ja) * 1997-06-06 1999-01-06 Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法
TW399245B (en) * 1997-10-29 2000-07-21 Nec Corp Sputtering apparatus for sputtering high melting point metal and method for manufacturing semiconductor device having high melting point metal
US6174811B1 (en) 1998-12-02 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Integrated deposition process for copper metallization
JPH11168071A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Sony Corp Ｔｉ／ＴｉＮ膜の連続形成方法
US6579421B1 (en) 1999-01-07 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Transverse magnetic field for ionized sputter deposition
US6537428B1 (en) * 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
US10047430B2 (en) 1999-10-08 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US8696875B2 (en) * 1999-10-08 2014-04-15 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6458251B1 (en) * 1999-11-16 2002-10-01 Applied Materials, Inc. Pressure modulation method to obtain improved step coverage of seed layer
US6312568B2 (en) 1999-12-07 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Two-step AIN-PVD for improved film properties
KR20020033988A (ko) * 2000-10-31 2002-05-08 이창남 철콘 구조의 고급화 방안
ATE536628T1 (de) 2001-04-20 2011-12-15 Gen Plasma Inc Dipol-ionenquelle
US20030207093A1 (en) * 2001-12-03 2003-11-06 Toshio Tsuji Transparent conductive layer forming method, transparent conductive layer formed by the method, and material comprising the layer
DE10159907B4 (de) * 2001-12-06 2008-04-24 Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co. Beschichtungsverfahren
KR100421293B1 (ko) * 2001-12-21 2004-03-09 동부전자 주식회사 반도체 소자용 금속막 증착장치
US6683425B1 (en) * 2002-02-05 2004-01-27 Novellus Systems, Inc. Null-field magnetron apparatus with essentially flat target
US7438955B2 (en) * 2002-02-27 2008-10-21 Philippine Council For Advanced Science And Technology Research And Development Titanium nitride thin film formation on metal substrate by chemical vapor deposition in a magnetized sheet plasma source
FR325790A (fr) * 2002-03-28 1903-05-08 Kempshall Eleazer Balle perfectionnée pour le jeu de golf
US7504006B2 (en) * 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
JP4470429B2 (ja) * 2002-09-30 2010-06-02 日本ビクター株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
WO2004076705A2 (en) * 2003-02-24 2004-09-10 University Of South Florida Reactive physical vapor deposition with sequential reactive gas injection
DE10336422A1 (de) * 2003-08-08 2005-03-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
WO2005028697A1 (en) 2003-09-12 2005-03-31 Applied Process Technologies, Inc. Magnetic mirror plasma source and method using same
US20050274610A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-15 Victor Company Of Japan, Limited Magnetron sputtering apparatus
JP2006147130A (ja) * 2004-10-21 2006-06-08 Showa Denko Kk 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体
CN1778731B (zh) * 2004-11-26 2011-02-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 模造玻璃模仁及其制造方法
US9856558B2 (en) * 2008-03-14 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition method with a source of isotropic ion velocity distribution at the wafer surface
JP2013001965A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Ulvac Japan Ltd スパッタリング方法
CN106591783A (zh) * 2016-11-23 2017-04-26 中国科学院合肥物质科学研究院 一种磁约束真空离子镀膜装置
CN108690962B (zh) * 2017-04-06 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射设备及磁控溅射沉积方法
KR20200089789A (ko) * 2019-01-17 2020-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11469096B2 (en) * 2019-05-03 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Method and chamber for backside physical vapor deposition
CN115354283B (zh) * 2022-09-30 2023-08-29 广东鼎泰高科技术股份有限公司 靶材预处理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4525262A (en) * 1982-01-26 1985-06-25 Materials Research Corporation Magnetron reactive bias sputtering method and apparatus
US4428811A (en) * 1983-04-04 1984-01-31 Borg-Warner Corporation Rapid rate reactive sputtering of a group IVb metal
US4500408A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Apparatus for and method of controlling sputter coating
US4657654A (en) * 1984-05-17 1987-04-14 Varian Associates, Inc. Targets for magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4661228A (en) * 1984-05-17 1987-04-28 Varian Associates, Inc. Apparatus and method for manufacturing planarized aluminum films
US4627904A (en) * 1984-05-17 1986-12-09 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets and magnetically enhanced R.F. bias
JPS63230872A (ja) * 1984-05-17 1988-09-27 バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド タ−ゲツト及び磁気的に強められたｒ．ｆ．バイアスを分離する分離制限磁場を有するマグネトロン・スパツタ装置
JPS61158032A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Fujitsu Ltd 垂直磁気記録媒体の製造方法
JPS61207574A (ja) * 1985-03-08 1986-09-13 Toshiba Corp スパツタ装置
JPS637364A (ja) * 1986-06-25 1988-01-13 Hitachi Ltd バイアススパツタ装置
US4971674A (en) * 1986-08-06 1990-11-20 Ube Industries, Ltd. Magnetron sputtering method and apparatus
JPS63183181A (ja) * 1987-01-23 1988-07-28 Anelva Corp マグネトロンスパツタエツチング装置
US4783248A (en) * 1987-02-10 1988-11-08 Siemens Aktiengesellschaft Method for the production of a titanium/titanium nitride double layer
US4753851A (en) * 1987-05-29 1988-06-28 Harris Multiple layer, tungsten/titanium/titanium nitride adhesion/diffusion barrier layer structure for gold-base microcircuit interconnection
JPH01283372A (ja) * 1988-05-10 1989-11-14 Fujitsu Ltd マグネトロンスパッタリング装置
JP2537993B2 (ja) * 1988-09-26 1996-09-25 松下電器産業株式会社 薄膜超電導体およびその製造方法および製造装置
US5126028A (en) * 1989-04-17 1992-06-30 Materials Research Corporation Sputter coating process control method and apparatus
US5108569A (en) * 1989-11-30 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for forming stoichiometric layer of a metal compound by closed loop voltage controlled reactive sputtering
KR950000011B1 (ko) * 1990-02-28 1995-01-07 니찌덴 아네루바 가부시끼가이샤 마그네트론 스패터링장치 및 박막형성방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101414812B1 (ko) * 2012-07-13 2014-07-01 한밭대학교 산학협력단 소수성 증착막을 포함하는 전철용 폴리머 애자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR950013591B1 (ko) 1995-11-13
JP3343620B2 (ja) 2002-11-11
JPH05287523A (ja) 1993-11-02
US5439574A (en) 1995-08-08
TW357397B (en) 1999-05-01

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