KR950013591B1 - 연속 박막 형성방법 - Google Patents

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니찌덴 아네루바 가부시끼가이샤
야스다 스스무
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Abstract

내용 없음.

Description

연속 박막 형성방법
제 1 도는 본 발명의 실시예 장치의 구성도,
제 2 도는 적합한 실시예의 공정차트의 표시도,
제 3 도는 적합한 실시예의 기판표면상의 자속밀도 분포의 표시도,
제 4 도는 종래 장치의 구성도,
제 5 도는 기판표면상에 형성된 다층막의 1예를 나타낸 확대단면도,
제 6 도는 종래 장치의 T/S 거리비와, 막두께 분포관계를 나타내는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 진공용기 2 : 타겟
3 : 영구자석 4 : 기판홀더
6 : 기판
[산업상의 이용 분야]
본 발명은 VLSI 및 ULSI(Ultra large scale integrated) 장치의 제조에 있어서의 금속화 공정에 관한 것이다. 특히, 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 Si 기판상에 패턴화(patterning)된 형상표면에 금속장벽층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
[종래의 기술]
종래, 제 4 도에 도시한 바와 같은 마그네트론 스퍼터링 장치가 일반적으로 알려져 있다. 이 제 4 도에 도시한 마그네트론 스퍼터링 장치는 진공용기(1), 타겟(2), 영구자석(3), 기판홀더(4), 영구자석(5), 기판(6), 및 직류전원(7)으로 구성되어 있다. 타겟(2)과 영구자석(3)으로 음극이 구성되고, 기판홀더(4), 영구자석(5) 및 기판(6)으로 양극이 구성된다. 타겟(2)과 기판(6)의 대향공간에는 직류전원(7)으로 인가된 전압의 전계가 형성됨과 동시에 영구자석(3, 5)에 의한 전계와 직교하는 자계가 형성되도록 되어 있다. 진공용기(1)내를 진공배기계(18)를 거쳐 배기함과 동시에 가스도입계(19)를 거쳐 아르곤가스(Ar) 등의 프로세스가스(process gas)를 도입하고, 압력을 수 m Torr 내지 수 10m Torr로 한다. 그리고, 타겟(2)과 기판(6)의 대향공간에 방전에 의한 플라즈마(8)가 형성되고, 플라즈마 중의 이온이 타겟(2)을 스퍼터한다. 이 스퍼터된 입자가 기판(6) 표면에 퇴적하여 박막이 형성되는 것이다. 또한, 스퍼터링중, 상기 영구자석(3)은 타겟(2)과 수직인 축 주위를 회전시켜서 기판(6)에 퇴적되는 박막의 막두께 분포가 향상되도록 하고 있다.
이와 같은 스퍼터링 장치는 특히 반도체 장치의 제조에 잘 이용되고 있다. 가령 타겟(2)을 티탄(Ti)으로 구성하고, 프로세스가스를 아르곤으로 하여 티탄 박막을 형성한다. 또한, 타겟(2)을 티탄으로 구성하고 프로세스가스를 질소(N)가스, 또는 질소가스와 아르곤가스의 혼합가스로 하여 질화티탄막을 형성하는데 이용되고 있다.
상기 진공용기(1)를 복수설치한 멀티챔버 방식으로서 각 챔버내에서 각각 다른 박막을 형성하여 다층막을 기판표면에 형성할 수 있다. 이 방식으로 막의 품질을 향상시킴과 동시에 생산성 향상도 도모할 수 있다. 가령 이 멀티챔버 방식을 채용하고 있는 장치로서 ANELVA사 제품의 「ANELVA- 1051, 1052」를 들 수 있다.
Ti막과 TiN막을 연속 성막할 경우, 질화티탄막과 같은 2성분 이상의 원소로 구성된 박막을 제작하는데 이른바 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 기술을 이용하는 쪽이 편리하다. 이 반응성 스퍼터링 기술이란 타겟이 스퍼터된 것으로 타겟을 구성하는 원소가 입자로서 튀어나오고, 그 입자가 그 분위기중의 가스분자를 구성하는 입자와 반응하여 2성분 이상의 원소로 구성된 박막을 생성하는 것이다. 가령, 질화티탄 박막의 생성에 대해서는 타겟을 구성하는 티탄이 스퍼터되어 티탄입자로서 튀어나온다. 이 티탄입자가 질소가스 분자의 질소입자와 반응하여 질화티탄이 퇴적된다. 이 반응성 스퍼터링 기술에 따르면 생성막을 구성하는 원소를 가스로서 도입하기 때문에 그 가스의 유량을 제어함으로써 그 생성막 조성을 제어할 수 있다. Ti막과 TiN막의 연속성막의 경우, Ti막의 성막시에는 질소가스를 도입하지 않고, TiN막의 성막시에는 질소가스를 도입하면 각 성막마다 타겟을 바꾸지 않고도 연속성막이 가능하다. 또한, 같은 TiN막이라도 질소가스 유량의 제어로 질소 원자리치(atom-rich)의 TiN막이나 티탄원 자리치의 TiN막이 생성될 수 있다.
제 5 도에 반도체 장치 제조에서 채용되고 있는 다층막의 예를 도시한다. 제 5 도에 있어서의 9는 기판(6) 표면의 BPSG(boro-phospho silicate glass) 막(10)에 형성된 콘택트홀이다. 이와 같은 콘택트홀(9)에 대하여 제 1 층으로서 티탄막(17)과 질화티탄막(16)으로 이루어지는 Ti/TiN 다층막(multi -layer film)의 금속장벽층(11)을 성막하고, 제 2 층으로서, 알루미늄 실리콘 합금막(12)을 성막하고, 제 3 층으로서 실리콘막(13)을 성막한 것이다.
이 금속장벽층을 형성하는데 Ti막(17)의 성막과 TiN막(16)의 성막을 각각 다른 진공용기로 행할 수 있다. 그러나, 생산성 등의 관점에서 금속장벽층(11)을 구성하는 Ti/TiN의 다층막(11)의 성막은 동일 진공용기(1)내에서 프로세스가스의 가스 조성을 변화하여 성막하는 것이 바람직하다. 이 경우 Ti막의 기판(6)내에 있어서의 막두께 분포와 TiN막의 막두께 분포에 균일성을 얻는 것이 어려운 문제점이 있다. 특히 기판 지름이 커짐에 따라 중요한 문제가 된다. 반도체 장치의 제조공정에서 현재의 주류인 직경 8인치의 반도체 웨이퍼로 균일한 기판내 막두께 분포가 달성되지 않으면 안된다.
일반적인 경향으로서, 타겟(2)을 티탄으로 하고, 프로세스가스를 아르곤가스로 하여 성막한 Ti막과, 프로세스가스를 질소가스로 하여 성막한 TiN막은 동일 진공용기(1) 내에서 타겟(2)과 기판(6)의 거리 (T/S 거리라고도 함)를 동일하게 하더라도 실용적인 막두께분포(±3∼±5%)로 성막할 수 있다. 다만, 후술하는 바와 같이 이 TiN막은 특성상 금속장벽만으로서 바람직한 것은 아니다. 그러나, 프로세스가스를 아르곤가스와 질소가스의 혼합가스(조성비 1 : 1)로서 TiN막을 성막하면 실용적인 금속장벽만이 형성된다. 그러나, 실용적인 막두께 분포(±5% 이내)를 얻기 위해서는 T/S 거리를 Ti막 성막시보다 크게할 필요가 있고, 동일 진공용기(1)로 연속성막할 수가 없었다.
상기와 같이 프로세스가스의 조성에 의해 기판내의 막두께 분포가 상이한 것은 타겟 표면의 변화 정도가 미묘하게 다르기 때문이라고 지적되고 있다.
이와 같은 막두께 분포의 변화를 도면으로 표시하면 제 6 도와 같다. 수평축은 타겟과 기판간 거리(T/S 거리)를 타겟지름으로 나누어서 얻은 T/S비이고, 수직축은 기판내에 있어서의 막두께 분포이다. 타겟 지금은 300㎜로 하면 수평축에서 T/S비가 1/5, 1/3은 각각 T/S 거리가 60㎜, 100㎜가 된다.
T/S비가 1/5의 경우, Ti 박막의 막두께 분포를 5% 이하로 할 수 있으나 TiN 박막(아르곤가스와 질소가스의 조성비(이하 Ar/N₂)가 1/1)의 막두께 분포는 10%를 초과해 버린다. 한편, T/S비가 1/3의 경우, TiN 박막(Ar/N2=1/1)의 막두께 분포가 5% 이하가 되는데, Ti 박막의 막두께 분포는 반대로 10% 이상이 되어버린다. 이와 같이 양쪽 막두께 분포에 균일성을 얻기가 어려웠다. 양쪽 막두께 분포에 허용내의 균일성이 얻어지는 것은 T/S비를 약 1/4(타겟지름 300㎜에서는 T/S 거리를 약 75㎜로 한다)의 경우이나, 막두께 분포는 5%를 초과하고 있어 실용성이 없었다.
점선을 표시한 곡선은 Ar/N2=0/1의 조성비로 TiN 박막으로 성막할 경우이다. Ti 박막의 특성과 가까운 것이고, T/S비를 1/5로 함으로써 막두께 분포에 균일성을 얻을 수 있다. 그러나, 질소가스만으로 이루어지는 분위기중(Ar/N2=0/1)로 제작된 TiN 박막으로 이루어지는 금속장벽층은 Ar 가스와 N2가스의 분위기 중에서 제작된 것 보다 (a) 막질 및 (b) 전기특성의 점에서 장벽막으로서 실용성이 없다. (a) 막질의 점에서, Ar/N2=0/1로 제작된 TiN 박막으로 이루어지는 금속장벽층은 크랙이 발생하기 쉽다. 그 때문에 그 크랙이 발생한 곳에서 확산현상에 의해 금속방벽층에 의해 격리된 층의 구성원자끼리가 혼합된다. (b) 전기특성의 점에서, 가령 전극배선의 A1층의 금속장벽층의 비저항으로서 100μΩ·㎝∼250μΩ·㎝의 범위가 요구된다. 그러나, Ar/N2=0/1로 제작된 TiN 박막으로 이루어지는 금속장벽층 TiN막의 비저항은 그 범위외가 된다. 따라서, Ar 가스와 N₂가스의 분위기 중에서 성막하는 것이 필요하였다.
[발명의 개시]
본 발명은 이상과 같은 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것이다. 프로세스가스를 변화시킴으로써 상이한 박막을 연속 성막할 경우에 동일 진공용기내에서, 또한 그 용기내의 배치구성은 동일하게 유지되면서 각 박막의 기판내 막두께 분포가 각각 균일성이 얻어지도록 한 마그네트론 스퍼터링에 의한 박막형성 방법을 제공함을 목적으로 하고 있다.
이같은 목적을 해결하는 본 발명은 타겟과 기판을 대향시킨 공간의 자장의 강도변화에 의해 T/S 거리를 변화시켰을 경우와 같은 효과를 막두께 분포에 부여할 수 있다고 하는 식견에 의거하여 이루어진 것이다.
즉, 본 발명의 마그네트론 스퍼터에 의한 박막형성 방법은 타겟과 기판을 대향시킨 공간에 상호 직교하는 전계와 자계를 작용시켜서 프로세스가스를 도입하여 플라즈마를 형성한 계(系)에 상기 공간내에서 전계가 직교하는 자계의 자속밀도를 일정하게 한채로, 그 계의 외부에서 자계를 작용시킴으로써 프로세스의 조성에 따라 그 계내의 자속밀도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링에 의한 박막형성방법이다.
상기에 있어서, 자계는 타겟의 이면측에 설치한 영구자석과 기판의 이면측에 설치한 전자석으로 작용시켜 전자석의 여자전류도 자계의 자속밀도를 변화시킬 수 있도록 할 수 있다.
또, 타겟을 티탄으로 구성하고, 프로세스가스는 아르곤가스로부터 아르곤가스 및 질소가스의 혼합가스(조성비 1 : 1)로 변화시킬 수 있다.
본 발명의 마그네트론 스퍼터에 의한 박막형성 방법 및 장치에 의하여 타겟과 기판을 대향시킨 공간에 작용시킨 자계의 자속밀도를 조정하여 대향공간에 형성되는 플라즈마의 상태를 미묘하게 변화시킬 수 있으며, 이 결과, 기판표면(1)에 퇴적되는 박막의 막두께 분포를 조정할 수 있다.
실험에 의하면 상기 자속밀도를 약하게 하는 것과, Ar/N2=1/1로 한 프로세스가스에 의한 TiN막 성막시에 타겟·기판간 거리(T/S 거리)를 증가시키는 것이 막두께 분포에 관하여 동일한 결과가 얻어진다는 것이 확인되었다.
[발명의 적합한 실시예의 상세한 설명]
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 제 1 도에 실시예의 박막형성 장치의 구성도를 예시하였다. 제 4 도에 예시한 종래 장치와 대략동일 구성으로서, 진공용기(1)내에 타겟(2)과 영구자석(회전)(3)으로 이루어지는 음극과, 기판홀더(4)가 대향하여 설치되어 있고, 기판홀더(4)에 기판(6)이 부착되도록 되어 있다. 그리고, 기판홀더(4)내에는 기판(6)이 부착되도록 되어 있다. 그리고, 기판홀더(4)내에는 기판(6) 지름과 거의 같은 외경으로 한 솔레노이드 코일로 이루어지는 전자석(14)이 설치되어 있으며, 전자석(14)에 가변직류전원(15)이 접속되어 있다. 기판(6) 지름과 전자석(14) 외경이 거의 같음으로써 제 3 도에 도시한 바와 같이 기판표면상에서 자속밀도 분포가 대략 균일해진다.
음극측에는 직류전원(7)이 접속되어 있다. 영구자석(3)은 미국특허 제5,120,417호에서 개시한 배치로 구성되어 있다. 또, 진공용기(1)에는 도시하지 않은 가스도입계 및 진공배기계가 접속되어 있는 것은 종래 장치와 동일하다.
상기 실시예를 동작시키는 데는 진공용기(1)내에 아르곤가스 등의 가스를 가스도입계를 통하여 도입하면서 진공배기계를 통하여 배기하여 수 m Torr∼수 10m Torr의 압력으로 하고, 가변직류전원(15)을 통하여 전자석(14)을 여자한다. 그와 함께 직류전원(7)으로 타겟(2)에 전압을 인가한다. 이때 기판(6) 뒷면에 인접한 전자석(14)의 자극이 N극이 되도록 전류를 통전시킨다. 전자석(14)에 의해 발생하는 자력선(18)은 기판(6) 뒷면에서 기판중을 통과하여 타겟(2)과 기판(6)의 대향공간을 향한다. 타겟(2)과 기판(6)의 대향공간에서 마그네트론 방전이 일어나고, 플라즈마(8) 중의 아르곤이온(Ar+)이 타겟(2)을 스퍼터하고, 기판(6) 표면에 스퍼터된 입자의 박막이 퇴적한다. 이 동작중, 전자석(14)의 여자전류를 변화시킴으로써 타겟(2)과 기판(6)의 대향공간에 작용하고 있는 자장의 자속밀도를 변화시킬 수 있고, 기판(6)에 퇴적하는 박막의 막두께 분포에 관하여 T/S 거리를 변화시킨 것과 동등한 작용을 하게 할 수 있다.
제 2 도와 제 3 도는 타겟(2)의 재료를 티탄(Ti)으로 하고, 프로세스가스에는 아르곤가스와 질소가스를 이용하여 기판(6)에 Ti막과 질화티탄(TiN) 막을 연속 성막할때의 프로세스예를 설명하는 것이다.
먼저 Ti막과 성막을 행하고, 이어서 TiN막의 성막을 행한다. 직류전원(7)에서 투입되는 전력은 Ti막 성막시에 비해 TiN막 성막시의 투입전력을 크게 한다. 이 타겟(2)의 투입전력을 변화시키는 것은 박막의 성장속도를 제어하기 위하여 행하는 것이다. 투입전력을 크게하면 플라즈마(8) 중에서 생성한 아르곤이온(Ar+)이 타겟(2)에 충돌하는 회수가 증가되고, 그 만큼 더욱 많은 타겟을 구성하는 입자가 튀겨나온다. 그 때문에 박막의 성장속도가 크게 된다. 타겟(2)의 투입전력과 박막의 성장속도가 비례관계가 되는 것은 주지하는 바이다. TiN막 성막시에 더욱 큰 전력을 투입하는 것은 일반적으로 Ti막의 성장속도에 비해 작기 때문이다. 표 1의 조건으로 투입전력을 Ti막 성막시와 TiN막 성막시를 동일하게 했을때, 가령 TiN막 성막시를 4k 와트로 하면 Ti막 성장속도 200nm/min에 비해 TiN막의 성장속도는 60nm/min이다. 그래서 금속장벽층을 형성하는 처리시간을 짧게 하기 위하여 TiN막 성막시에 더 큰 전력을 투입한다. 단, 타겟(1)의 투입전력을 변화시키지 않더라도 기판내의 막두께 균일성은 달성된다.
프로세스 가스의 유량은 Ti막 성막시는 아르곤가스 100%로 하고, TiN막 성막시에 아르곤가스 50%, 질소가스 50%로 한다(Ar/N2=1/1).
제 3 도는 Ti막 성막시와 TiN막 성막시에 있어서의 기판(6) 표면상의 자속밀도를 측정한 것이다. 제 3 도의 수직축은 기판표면상의 자속밀도를 나타내고, 수평축은 기판의 지름을 나타낸다. 수평축의 0점은 기판중심이다. 제 3 도와 같이 Ti막 성막시에는 TiN막 성막시에 비해 기판(6) 표면상의 자속밀도가 크게 되도록 한다. 그러기 위하여는 전자석(14)을 여자하는 전류를 크게 하여 전자석(14)에서 발생하는 자속밀도를 강하게 한다. 이 경우, 전자석(14)이 기판(6) 뒷면에 인접해 있고, 또한 기판표면상의 자속밀도를 측정하고 있기 때문에 제 3 도에 도시되는 자속밀도는 전자석(14)에서 발생하는 자속밀도라 보아도 된다. 반대로 TiN막 성막시에는 전자석(14)에서 발생하는 자속밀도가 Ti막 성막시 보다 약해지도록 전자석(14)을 여자하는 전류를 작은 전류로 한다.
8인치의 반도체 웨이퍼에 대하여 Ti막과 TiN막을 연속하여 성막할 경우의 주요제원(諸元)과 결과를 표 1에 나타낸다. 이 표 1에서의 자속밀도의 값은 8인치의 반도체 웨이퍼 중심점의 표면상을 측정한 것이다.
[표 1]
이상, 본 발명의 실시예로서 기판홀더(4) 측에 전자석(14)을 설치하여 타겟(2)과 기판(6)의 대향하는 공간에 작용하는 자계의 자속밀도를 변화하게 하였다. 그러나, 그에 한하지 않고 전자석(14)을 진공용기(1) 외측에 설치하여도 좋다. 그리고, 기판홀더(4)측은 제 4 도의 종래 장치와 동일한 영구자석(5)으로 하고, 캐소드측의 회전하는 영구자석(3) 측에 전자석을 조립하여 이 전자석에 대한 여자전류를 조정하여 자속밀도를 변화시키든지 할 수도 있다. 그리고, 다시 기판홀더(4) 측 및 캐소드측에 각각 전자석을 조립하여 양쪽 전자석을 통하여 자속밀도를 변화시키도록 할 수도 있다.
[발명의 효과]
이상에 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면 타겟과 기판이 대향하는 공간에 작용시킨 자계의 자속밀도를 변화시켜서 기판표면에 퇴적하는 박막의 막두께 분포를 제어하게 했기 때문에 각 처리공정에서 성막된 각박막 모두 기판내 막두께 분포를 균일하게 할 수 있는 효과가 있다. 또한, 동일진공용기, 동일배치구성으로, 프로세스가스의 조성의 변화에 따라 자속밀도를 제어하면 되기 때문에 생산성이 향상된다. 그리고 또, 구경이 큰 웨이퍼에 대해서도 균일한 기판내 막두께 분포가 가능하기 때문에 수율 저하에도 기여할 수 있다.
따라서, VLSI 및 ULSI의 반도체 디바이스 등의 제조방법에 이용하여 생산성을 향상시키고 생산원가 절감을 도모하기가 가능하다.

Claims (12)

  1. 반도체 장치의 제조에 있어서의 금속화 처리공정은, (a) 타겟과 기판을 대향시킨 공간에 상호 직교하는 전계와 자계를 작용시키고, 적어도 1종류의 프로세스가스를 도입하여 플라즈마를 형성한 계에 외부에서 자계를 작용시켜 계내의 자속밀도를 변화시켜서 타겟에서 스퍼터된 입자를 포함하는 박막을 퇴적시키는 박막제작공정과, (b) 타겟과 기판을 대향시킨 공간에 상호 직교하는 전계와 자계를 작용시키고 적어도 2종류의 가스를 함유하는 프로세스가스를 도입하여 플라즈마를 형성한 계에 외부에서 자계를 작용시켜 계내의 자속밀도를 변화시켜서 타겟에서 스퍼터된 입자와 상기 프로세스가스 중의 1종류의 가스분자를 구성하는 입자가 반응하여 2성분 이상의 원소로 구성된 박막을 퇴적시키는 박막제작공정을 포함하고, 여기에 있어서, (i) (a) 공정과 (b) 공정은 연속되어 있고, (ii) (a) 공정과 (b) 공정중에는 동일 진공용기, 동일 타겟으로 하여 그 용기내의 배치구성은 동일하게 유지되며, (iii) (a) 공정과 (b) 공정에서 타겟과 기판을 대향시킨 공간에서의 전계에 직교하는 자계의 자속밀도는 동일하고, (iv) (a) 공정에서 플라즈마가 형성되는 계와 (b) 공정에서 플라즈마가 형성되는 계에 그 외부에서 작용시키는 자계의 자속밀도를 변화시켜서 각 계내의 자속밀도를 달리하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 타겟과 기판을 대향시킨 공간에서의 전계에 직교하는 자계는 타겟이면측에 설치한 영구자석에 의해 발생하고, 계내의 자속밀도를 변화시키는 외부로부터의 자계의 작용은 기판 이면측에 설치한 전자석으로 작용시키고, 전자석의 여자전류로 계게내의 자속밀도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 전자석의 외경과 기판의 지름을 거의 같게 함으로써 기판표면의 자속밀도 분포를 균일하게 하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서, (a) 공정의 프로세스가스와, (b) 공정의 적어도 2종류의 가스를 포함하는 프로세스가스 중의 하나의 프로세스가스가 동일한 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  5. 제 4 항에 있어서, (a) 공정과 (b) 공정을 이행할 때 프로세스가스의 조성의 변화에 따라 계내의 자속밀도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서, (a) 공정의 프로세스가스의 유량에서의 조성비가 아르곤가스 : 질소가스=1 : 0과 (b) 공정의 프로세스가스의 유량에서의 조성비가 아르곤가스 : 질소가스=1 : 1로 변화시키는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서, (a) 공정 다음에 (b) 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 타겟을 티탄원소로 구성하고, (a) 공정에서 생성된 박막을 티탄박막이고, (b) 공정에서 생성된 박막은 질화티탄 박막인 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  9. 제 8 항에 있어서, (a) 공정의 전자석의 여기 전류쪽이 (b) 공정의 전자석의 여기전류보다 큰 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  10. 제 9 항에 있어서, (a) 공정과 (b) 공정에서 각각 타겟에 투입하는 전력을 달리하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  11. 제 10 항에 있어서, (b) 공정에서 타겟에 투입되는 전력은 (a) 공정에서 타겟에 투입되는 전력보다 큰 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 기판이 8인치의 반도체 웨이퍼일때, Ti막은 타겟과 기판의 거리가 60㎜이고, 타겟지름이 14인치이고, 자속밀도가 평균 160가우스이고, 프로세스가스 및 유량이 Ar 40sccm이고, 타겟의 투입전력 4k 와트이며 ; TiN막은 타겟과 기판의 거리가 60㎜이고, 타겟지름이 14인치이고, 자속밀도가 평균 40가우스이고, 프로세스가스 및 유량이 Ar 30sccm, N₂30sccm이고, 타겟의 투입전력이 6k 와트인 조건하에서 (a) 공정과 (b) 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 연속 박막 형성방법.
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