JPS59185775A - 金属化合物の迅速反応性スパツタリング - Google Patents
金属化合物の迅速反応性スパツタリングInfo
- Publication number
- JPS59185775A JPS59185775A JP58236002A JP23600283A JPS59185775A JP S59185775 A JPS59185775 A JP S59185775A JP 58236002 A JP58236002 A JP 58236002A JP 23600283 A JP23600283 A JP 23600283A JP S59185775 A JPS59185775 A JP S59185775A
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- JP
- Japan
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- chamber
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- reactive
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0073—Reactive sputtering by exposing the substrates to reactive gases intermittently
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタンおよび類似金属化合物を基板または製作
品の上へ高速度反応性スパッタリングを行なうことに関
するものである。本発明の領域は陰極的マグネトロンス
パッタリングによる基板コーティングから成り；被覆さ
れるべき一つの基板、標的板上にのせたコーテイング物
質、ガスプラズマ粒子を標的へ打ち付けてコーテイング
物質を放出させる電極板、コーテイング物質の沈着速度
を調節する手段、および、被覆されるべき物品を運搬し
て所望部分をコーティングのために曝露させる手段、を
含んでいる。基板を金属簿膜で以てコーティングする在
来法は蒸着法、プラズマスプレー法、および陰極スパッ
タリングによって達成されてきた。
品の上へ高速度反応性スパッタリングを行なうことに関
するものである。本発明の領域は陰極的マグネトロンス
パッタリングによる基板コーティングから成り；被覆さ
れるべき一つの基板、標的板上にのせたコーテイング物
質、ガスプラズマ粒子を標的へ打ち付けてコーテイング
物質を放出させる電極板、コーテイング物質の沈着速度
を調節する手段、および、被覆されるべき物品を運搬し
て所望部分をコーティングのために曝露させる手段、を
含んでいる。基板を金属簿膜で以てコーティングする在
来法は蒸着法、プラズマスプレー法、および陰極スパッ
タリングによって達成されてきた。
製作品上に金属簿膜を形成する蒸着法はめっきされるべ
き物質を用い、これを真空あるいは不活性遮蔽ガス中の
ような適当な雰囲気の中でその物質が蒸発しフィルムと
して基板上へ沈着する程度に加熱する。プラズマスプレ
ー法は沈着されるべき物質を微粉末として供給し、これ
をプラズマアークの中に入れて粒子が溶融して基板上に
沈着させるようにする。
き物質を用い、これを真空あるいは不活性遮蔽ガス中の
ような適当な雰囲気の中でその物質が蒸発しフィルムと
して基板上へ沈着する程度に加熱する。プラズマスプレ
ー法は沈着されるべき物質を微粉末として供給し、これ
をプラズマアークの中に入れて粒子が溶融して基板上に
沈着させるようにする。
陰極スパッタリングあるいは高周波イオンスノξツタリ
ングはガス放電中にコーティングを形成する物質の標的
を含み、その中でその物質がイオン衝撃によって吹きと
ばされ；標的からとり出された粒子が基板上に沈着する
。標的は陰極となり、陽極は基板の下方に置いてよい。
ングはガス放電中にコーティングを形成する物質の標的
を含み、その中でその物質がイオン衝撃によって吹きと
ばされ；標的からとり出された粒子が基板上に沈着する
。標的は陰極となり、陽極は基板の下方に置いてよい。
酸化物、窒化物、炭化物、など心つな金属化合物の簿膜
が各種基板上に沈着されるべき場合には、反応性スパッ
タリングが用いられ、その場合、標的はめっき用化合物
のための金属から成り、アルゴンのような中性ガスが酸
素、窒素またはメタンのような反応性ガスと混合される
。標的から追い出された粒子は反応性ガスと結合して所
望化合物を生成し、これが基板または製作品上に鍍金さ
れる。
が各種基板上に沈着されるべき場合には、反応性スパッ
タリングが用いられ、その場合、標的はめっき用化合物
のための金属から成り、アルゴンのような中性ガスが酸
素、窒素またはメタンのような反応性ガスと混合される
。標的から追い出された粒子は反応性ガスと結合して所
望化合物を生成し、これが基板または製作品上に鍍金さ
れる。
スパッタリング法における主要問題は反応性ガス雰囲気
中のスパッタリング工程中における金属化合物フィルム
沈着速度の突然の減少である。反応性ガスを用いる沈着
速度は中性ガス中での純金属沈着速度の１０−２０％で
あることが見出された。窒化チタンの反応性スパッタリ
ングの沈着速度を増すことを試みる一つの方法は窒素ガ
スの脈動化によることであり、その場合には、ガスを２
秒から６秒のパルスの間室へ導入し次いで２秒がら６秒
の間遮断する。このパルス技法を用いると、窒化物フィ
ルム沈着速度は純金属沈着速度の約５０％から７０％へ
増加した。本発明はこのパルス法を発展させて純金属沈
着速度の実質的に１００襲である窒化物沈着速度を達成
することである。
中のスパッタリング工程中における金属化合物フィルム
沈着速度の突然の減少である。反応性ガスを用いる沈着
速度は中性ガス中での純金属沈着速度の１０−２０％で
あることが見出された。窒化チタンの反応性スパッタリ
ングの沈着速度を増すことを試みる一つの方法は窒素ガ
スの脈動化によることであり、その場合には、ガスを２
秒から６秒のパルスの間室へ導入し次いで２秒がら６秒
の間遮断する。このパルス技法を用いると、窒化物フィ
ルム沈着速度は純金属沈着速度の約５０％から７０％へ
増加した。本発明はこのパルス法を発展させて純金属沈
着速度の実質的に１００襲である窒化物沈着速度を達成
することである。
本発明は、沈着速度が純金属沈着速度に近いかあるいは
等しい、基板上の金属化合物の反応性スパッタリングの
ための新規方法の提供を含む。沈着速度を改善するため
には、一定流速における反応性ガスは、スパッタリング
室中の不活性な雰囲気へ反応性ガスを入れるために約０
．２−０．５秒のオン・オフ速度で迅速に脈動化させる
。
等しい、基板上の金属化合物の反応性スパッタリングの
ための新規方法の提供を含む。沈着速度を改善するため
には、一定流速における反応性ガスは、スパッタリング
室中の不活性な雰囲気へ反応性ガスを入れるために約０
．２−０．５秒のオン・オフ速度で迅速に脈動化させる
。
本発明はまた、室へ供給する不活性ガスを沈着サイクル
中に実質上一定の圧力に保つ、反応性スパッタリングの
新規方法を提供する。
中に実質上一定の圧力に保つ、反応性スパッタリングの
新規方法を提供する。
本発明のこれら以外の目的、特長、および利点は、この
方法の以下の詳細説明が付属図面に関連してなされるの
でよりよく理解される・であろう。
方法の以下の詳細説明が付属図面に関連してなされるの
でよりよく理解される・であろう。
本発明実施の一つの方法は図面を参照して以下に詳細に
説明するが、これらの図面は一つの特定具体例のみを解
説するものである。
説明するが、これらの図面は一つの特定具体例のみを解
説するものである。
第１図は本発明の方法に利用されるスパッタリング装置
の切断模型図であ゛す、 第２図は金属標的への電力と反応性ガスの流速との関係
を示すグラフである。
の切断模型図であ゛す、 第２図は金属標的への電力と反応性ガスの流速との関係
を示すグラフである。
さらに具体的に図の開示するところを参照すると、第１
図においては、基板１１の上へ窒化チタン（ＴｉＮ ）
あるいは酸化物、窒化物あるいは炭化物の形の他の周期
率表第■ｂ金属（ＺｒおよびＨｆ）の薄膜を鍍金する反
応性スパッタリング装置１０の解説的具体例が示されて
いる。この装置はド−ム付きの持込み／取出し室１４と
連通ずる一端において昇降器１６をもつ細長い部屋１２
、この昇降器によって運ばれて被覆されるべき基板１１
を受ける・ξレット１５、パレットを昇降器から受けて
中央部１９においてスパッタリングを行ナイ、そして（
または）昇降器に対して反対側の室の端１８にある台１
７の上でエツチングを行なうパレット運搬器１６を含む
。
図においては、基板１１の上へ窒化チタン（ＴｉＮ ）
あるいは酸化物、窒化物あるいは炭化物の形の他の周期
率表第■ｂ金属（ＺｒおよびＨｆ）の薄膜を鍍金する反
応性スパッタリング装置１０の解説的具体例が示されて
いる。この装置はド−ム付きの持込み／取出し室１４と
連通ずる一端において昇降器１６をもつ細長い部屋１２
、この昇降器によって運ばれて被覆されるべき基板１１
を受ける・ξレット１５、パレットを昇降器から受けて
中央部１９においてスパッタリングを行ナイ、そして（
または）昇降器に対して反対側の室の端１８にある台１
７の上でエツチングを行なうパレット運搬器１６を含む
。
チタンのような第■ｂ族金属で形成された標的２１を担
持するマグネトロン陰極２０は室１２の上壁２２の中に
とり付けられ、標的２１は（１）陰極へ接合した一般的
に矩形の形をした被沈着物質のング（これはインセット
の商標で販売されて０る）、の二つの形態のうちの一つ
である。あとで述べるングは標的周縁を取囲んで位置す
る。一つの開口あるいはシャッター６６をもつ水平可動
のシャッター板６５は標的２１の下方に位置して、室の
他の部分への物質の実質的散乱をすべて妨げ、従って物
質をシャッター下方の基板上へ向けさせる。
持するマグネトロン陰極２０は室１２の上壁２２の中に
とり付けられ、標的２１は（１）陰極へ接合した一般的
に矩形の形をした被沈着物質のング（これはインセット
の商標で販売されて０る）、の二つの形態のうちの一つ
である。あとで述べるングは標的周縁を取囲んで位置す
る。一つの開口あるいはシャッター６６をもつ水平可動
のシャッター板６５は標的２１の下方に位置して、室の
他の部分への物質の実質的散乱をすべて妨げ、従って物
質をシャッター下方の基板上へ向けさせる。
チュービンダリング２６は窒素のような反応性ガス源２
５と連通するために土壁中の入口２４へつながれている
。このガス源は質量流量計２６、それからの信号に応答
して反応性ガスの定常流を通過させる制御弁４０、およ
びタイマー４６によりオン・オフ時間を制御した脈動化
弁２７、を通して入口２４へ接続される。
５と連通するために土壁中の入口２４へつながれている
。このガス源は質量流量計２６、それからの信号に応答
して反応性ガスの定常流を通過させる制御弁４０、およ
びタイマー４６によりオン・オフ時間を制御した脈動化
弁２７、を通して入口２４へ接続される。
アルゴンのような不活性ガス源は室端１８中で入口６２
と、質量流量計２９、およびそれから出る制御信号によ
って制御される第二の制御弁６１を通して連かれる。ま
た、室１２０床６４の中の出口６６はエツチングとスパ
ッタリングに先立って室を連続的に脱気する真空系へ連
かれる。形および操作が金属質のベネシャンブラインド
゛、構造に似ているスロットル６７が出口６６の中に位
置してスロットル調節弁６８によって制御される。
と、質量流量計２９、およびそれから出る制御信号によ
って制御される第二の制御弁６１を通して連かれる。ま
た、室１２０床６４の中の出口６６はエツチングとスパ
ッタリングに先立って室を連続的に脱気する真空系へ連
かれる。形および操作が金属質のベネシャンブラインド
゛、構造に似ているスロットル６７が出口６６の中に位
置してスロットル調節弁６８によって制御される。
真空を室１２へ連続的に適用し、その真空暉はすべての
空気および他の不純物を出口６６を通して室１２から抜
出す。コーティングサイクルを開始するためには、昇降
器１３をパレット１５とともにドーム室１４の中へ持ち
上げ、その中で基板１１をパレットの上にのせ、室１４
を密閉して真空を適用する。昇降器を下げ、基板をのせ
た・ξレットを運搬器１６の上へ移す。空になった昇降
器を上げてド−ム室１４を主工程室１２からシールする
。弁３′８を次に操作してスロットル６７を閉じる。ア
ルゴンガスを次に流量計２９、制御弁６１、および入口
６２を通して導入してアルゴンの分圧で以て室を充満し
直す。運搬器１６は室端１８へ移動し基板をエッチ台１
７の上に置く。電位を基板へ適用し、アルゴンガスがイ
オン化し、基板に衝撃を加えて被覆されるべき表面を清
浄化−ｒるアルゴンイオンを供給する。
空気および他の不純物を出口６６を通して室１２から抜
出す。コーティングサイクルを開始するためには、昇降
器１３をパレット１５とともにドーム室１４の中へ持ち
上げ、その中で基板１１をパレットの上にのせ、室１４
を密閉して真空を適用する。昇降器を下げ、基板をのせ
た・ξレットを運搬器１６の上へ移す。空になった昇降
器を上げてド−ム室１４を主工程室１２からシールする
。弁３′８を次に操作してスロットル６７を閉じる。ア
ルゴンガスを次に流量計２９、制御弁６１、および入口
６２を通して導入してアルゴンの分圧で以て室を充満し
直す。運搬器１６は室端１８へ移動し基板をエッチ台１
７の上に置く。電位を基板へ適用し、アルゴンガスがイ
オン化し、基板に衝撃を加えて被覆されるべき表面を清
浄化−ｒるアルゴンイオンを供給する。
清浄化されると、電位を中断し、運搬器１６は基板を拾
い上げるために戻り基板を標的２１の下方に移動させる
。シャッター板６５をシャッター６６が標的と基板の間
に並ぶようにずらす。窒素ガスを次に入口２４とチュー
ビングリング２６を通して入れ、電位を導体４１を通し
て標的２１と接している陰極２０へ適用し、その時点で
、アルゴンガスはイオン化され、アルゴンイオンがチタ
ン標的２１にぶつかる。導体４１上の電位は負の４５０
から５００ボルトである。約−１００ボルトのバイアス
電圧を導体４２を経て基板へ適用する。
い上げるために戻り基板を標的２１の下方に移動させる
。シャッター板６５をシャッター６６が標的と基板の間
に並ぶようにずらす。窒素ガスを次に入口２４とチュー
ビングリング２６を通して入れ、電位を導体４１を通し
て標的２１と接している陰極２０へ適用し、その時点で
、アルゴンガスはイオン化され、アルゴンイオンがチタ
ン標的２１にぶつかる。導体４１上の電位は負の４５０
から５００ボルトである。約−１００ボルトのバイアス
電圧を導体４２を経て基板へ適用する。
チタン原子はシャッター６６を通過しリング２６からの
窒素と反応して清浄化された基板１１上に、そして標的
表面上でな（、窒化チタンを形成する。
窒素と反応して清浄化された基板１１上に、そして標的
表面上でな（、窒化チタンを形成する。
沈着は基板上に二つの方式でおこり得る。もし基板がシ
ャッター６６の下方で静止している場合には、窒化チタ
ン沈着はシャッター開口の一般的輪廓をとる。もう一つ
の形態として、基板が標的下をシャッターを通りすぎて
移動または走査されて基板全表面上に窒化チタンの均一
な沈着を供給してもよい。
ャッター６６の下方で静止している場合には、窒化チタ
ン沈着はシャッター開口の一般的輪廓をとる。もう一つ
の形態として、基板が標的下をシャッターを通りすぎて
移動または走査されて基板全表面上に窒化チタンの均一
な沈着を供給してもよい。
アルゴンガスの圧力は８，０ミリトールの実質的に一定
の値へ手動で調節され、そして標的へ供給する電力もま
た実質的に一定の水準を供給するよう調節される。第２
図に見られるように、オン時０．２秒とオフ時０．２秒
の脈動化速度に対して、窒素ガスの最適の流れは標的電
力とともに変動する。
の値へ手動で調節され、そして標的へ供給する電力もま
た実質的に一定の水準を供給するよう調節される。第２
図に見られるように、オン時０．２秒とオフ時０．２秒
の脈動化速度に対して、窒素ガスの最適の流れは標的電
力とともに変動する。
このように、５．０キロワツトの標的電力においては窒
素の流れは毎分２５．４標準状態立方センナメートルで
あるべきである。尺度の上端の方へ向うと、１１ＫＷの
標的電力は５６．０標準状態立方センナメートルの窒素
流を必要とする。異なる脈動化速度を用いる場合には、
別の直線関係がグラフ中に示す直線に平行して確立され
る。
素の流れは毎分２５．４標準状態立方センナメートルで
あるべきである。尺度の上端の方へ向うと、１１ＫＷの
標的電力は５６．０標準状態立方センナメートルの窒素
流を必要とする。異なる脈動化速度を用いる場合には、
別の直線関係がグラフ中に示す直線に平行して確立され
る。
純金属沈着速度の９０％から実質的に１００％である窒
化チタンの沈着速度を達成するには、窒素ガスをオンお
よびオフで０．２秒から０．５秒の間隔で脈動化させる
。弁４０を通る窒素の流は一定であり、弁２７の脈動−
すなわち、オンおよびオフの時間の設定−はタイマー４
６によって制御され、これは弁２７の「オン」時を設定
する第一の調節つまみ４３ａと「オフ」時を設定する第
二の調節つまみ４３ｂを含んでいる。窒素ガス０．２秒
間入れる場合には、一般的には次の０．２秒間の間遮断
するが、オンおよびオフの時間が等しくある必要はない
。これは５０％の使用率であり、最良の結果はオンおよ
びオフ時間が０．２から０．５秒の範囲にある場合に達
成された。窒化チタンの所望の厚さが達成されてしまう
と、標的への電位を中断し、パレット１５、運搬器１６
、および基板１１を昇降器へ戻して被覆された基板をド
ーム室１４を通して取出せるようにする。明らかに、ス
パッタリング室の両端における適切な持込み室と取出し
室とによって、上に挙げた回分式１程は一つのラインに
おいて数多（の基板または製作品の反応性スパッタリン
グを行なう連続式１程へ容易に変換することができる。
化チタンの沈着速度を達成するには、窒素ガスをオンお
よびオフで０．２秒から０．５秒の間隔で脈動化させる
。弁４０を通る窒素の流は一定であり、弁２７の脈動−
すなわち、オンおよびオフの時間の設定−はタイマー４
６によって制御され、これは弁２７の「オン」時を設定
する第一の調節つまみ４３ａと「オフ」時を設定する第
二の調節つまみ４３ｂを含んでいる。窒素ガス０．２秒
間入れる場合には、一般的には次の０．２秒間の間遮断
するが、オンおよびオフの時間が等しくある必要はない
。これは５０％の使用率であり、最良の結果はオンおよ
びオフ時間が０．２から０．５秒の範囲にある場合に達
成された。窒化チタンの所望の厚さが達成されてしまう
と、標的への電位を中断し、パレット１５、運搬器１６
、および基板１１を昇降器へ戻して被覆された基板をド
ーム室１４を通して取出せるようにする。明らかに、ス
パッタリング室の両端における適切な持込み室と取出し
室とによって、上に挙げた回分式１程は一つのラインに
おいて数多（の基板または製作品の反応性スパッタリン
グを行なう連続式１程へ容易に変換することができる。
第１図は本発明の方法に用いるスパッタリング装置の断
面模型図であり、 第２図は金属標的への電力と反応性ガスの流速との関係
を示すグラフである。 １１：基板（被覆されるべき）、 ２１：標的。 ２０：マグネトロン陰極、 １５：パレット。 １７：エツチ台、 ２６：多数開口をもつチュービン
グ、 ６５：シャッター板、 １４：持込み／取出
し室、 １６：昇降装置、 １６：運搬器。
面模型図であり、 第２図は金属標的への電力と反応性ガスの流速との関係
を示すグラフである。 １１：基板（被覆されるべき）、 ２１：標的。 ２０：マグネトロン陰極、 １５：パレット。 １７：エツチ台、 ２６：多数開口をもつチュービン
グ、 ６５：シャッター板、 １４：持込み／取出
し室、 １６：昇降装置、 １６：運搬器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、室０渇を脱気して不活性ガスで以て充満させ、被覆
されるべき基板αυを被沈着金属の標的（２Ｉ）の下方
で室中に置き、標的の金属と反応するよう適合させた第
二ガスを室中に導入し、標的へ電位を適用して不活性ガ
スをイオン化し標的にガスイオンの衝撃を加えてスパッ
タリングを開始させ、そして該室への前記反応ガス添加
を迅速に脈動化させる、ことを含む周期率表の第■ｂ中
の金属からの金属化合物の効果的な迅速反応性沈着方法
。 ２、不活性ガスを実質上一定の圧力に保持する、特許請
求の範囲第１項に記載の方法。 ３、反応性ガスを０．２から０．５秒の間隔で流入し０
．２から０．５秒の間隔で遮断して脈動化させる、特許
請求の範囲第１項に記載の方法。 ４、反応性ガスを実質上一定の流れで供給し、標的への
電力を実質的に一定に保持する、特許請求の範囲第３項
に記載の方法。 ５、 目標（２υと基板との間にシャッター（３６）を
挿入することを含む、特許請求の範囲第１項に記載の方
法。 ６、基板０υをシャッター（３６）の下方で走査させる
工程を含む、特許請求の範囲第５項に記載の方法。 ７、不活性ガスがアルゴンであり、反応性ガスが窒素、
酸素およびメタンの群から選ばれる、特許請求の範囲第
１項に記載の方法。 ８、標的（２υがチタンから形成され、反応性ガスが窒
素である、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ９、時間間隔を相互に独立に調節する、特許請求の範囲
第３項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/481,954 US4428812A (en) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | Rapid rate reactive sputtering of metallic compounds |
| US481954 | 1983-04-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59185775A true JPS59185775A (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=23914052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58236002A Pending JPS59185775A (ja) | 1983-04-04 | 1983-12-14 | 金属化合物の迅速反応性スパツタリング |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4428812A (ja) |
| EP (1) | EP0121625B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59185775A (ja) |
| AT (1) | ATE27467T1 (ja) |
| AU (1) | AU562107B2 (ja) |
| CA (1) | CA1198085A (ja) |
| DE (1) | DE3371797D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016509134A (ja) * | 2013-02-20 | 2016-03-24 | ユニヴァーシティ オブ ウェスト ボヘミア イン ピルゼンＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｗｅｓｔ Ｂｏｈｅｍｉａ ｉｎ Ｐｉｌｓｅｎ | 誘電性化学量論薄膜の高速反応性スパッタリング |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4588667A (en) * | 1984-05-15 | 1986-05-13 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member and process comprising sputtering titanium on substrate |
| JP2619351B2 (ja) * | 1984-08-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | ガス流量制御方法 |
| GB8504458D0 (en) * | 1985-02-21 | 1985-03-27 | Gen Eng Radcliffe Ltd | Producing multi-layered coatings |
| US4670172A (en) * | 1985-03-29 | 1987-06-02 | Borg-Warner Corporation | Process and kit for working metals |
| DE3521053A1 (de) * | 1985-06-12 | 1986-12-18 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein substrat |
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