JPS62180069A - 管内面の被覆方法 - Google Patents
管内面の被覆方法Info
- Publication number
- JPS62180069A JPS62180069A JP2202386A JP2202386A JPS62180069A JP S62180069 A JPS62180069 A JP S62180069A JP 2202386 A JP2202386 A JP 2202386A JP 2202386 A JP2202386 A JP 2202386A JP S62180069 A JPS62180069 A JP S62180069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- glow discharge
- pipe
- tube
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitro-1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C2=C1 FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
パイプ内面の耐食、耐摩耗性等の改善、ダイス等各種工
具の耐摩耗性の改善、更にはマイクロ彼等波管として用
いられる各種キャビティーの電磁シールドの形成の際に
利用される。
具の耐摩耗性の改善、更にはマイクロ彼等波管として用
いられる各種キャビティーの電磁シールドの形成の際に
利用される。
［従来の技術］
従来、管の内面を被覆する方法として、第１には、電気
化学メッキ法や化学的蒸着法（ＣｖＤ）が知られている
。然しながら電気化学メッキ法においては廃液処理や有
害ガス対策などが必要であり、又化学的蒸着法では、反
応ガスの熱分解反応を利用する為、未反応ガスや反応に
より生成したガスの処理が必要であり、かつ基材の温度
が高温（約ｔｏｏｏ″Ｃ）となり、劣化が生じるなどの
問題があった。
化学メッキ法や化学的蒸着法（ＣｖＤ）が知られている
。然しながら電気化学メッキ法においては廃液処理や有
害ガス対策などが必要であり、又化学的蒸着法では、反
応ガスの熱分解反応を利用する為、未反応ガスや反応に
より生成したガスの処理が必要であり、かつ基材の温度
が高温（約ｔｏｏｏ″Ｃ）となり、劣化が生じるなどの
問題があった。
このような問題を解決する方法として、第２に物理的蒸
着法（ＰＶＤ）が知られている。
着法（ＰＶＤ）が知られている。
この物理的蒸着法には、加熱により、被覆膜を形成する
金属を蒸発させて行なう加熱蒸着法と、イオンスパッタ
によるコーティング法とが前記加熱蒸着法の例としては
第２図のような装置がある（特開昭５３−１１３９号）
。図中２１が内面を被覆される管、２２が被覆膜の蒸発
源となる芯線、２３が磁界発生用コイル、２４が芯線２
１を加熱する為の電源、２５が芯線２２と管２１の間に
電界を付与する為の電源である。この装置では芯１１！
ａ２２を加熱することにより蒸発した金属をイオン化し
、イオン化金属を前記電界を介して管内面に強力に被着
するようにしている。
金属を蒸発させて行なう加熱蒸着法と、イオンスパッタ
によるコーティング法とが前記加熱蒸着法の例としては
第２図のような装置がある（特開昭５３−１１３９号）
。図中２１が内面を被覆される管、２２が被覆膜の蒸発
源となる芯線、２３が磁界発生用コイル、２４が芯線２
１を加熱する為の電源、２５が芯線２２と管２１の間に
電界を付与する為の電源である。この装置では芯１１！
ａ２２を加熱することにより蒸発した金属をイオン化し
、イオン化金属を前記電界を介して管内面に強力に被着
するようにしている。
又、スパッタコーティング法の例としては第３図のよう
な装置がある（米国特許Ｎｏ。
な装置がある（米国特許Ｎｏ。
４２９０８７５）、図中３１がターグー２トロツド３２
がアノード３３がサポートプレート。
がアノード３３がサポートプレート。
３４．３５がコーティングの対象物である。
この装置ではターゲットロッド３１とアノード３２間で
グロー放電を越すことにより、ターゲットロッド３１を
スパッタし、スパッタ物質をコーティングの対象物３４
．３５の表面に被着するようにしている。
グロー放電を越すことにより、ターゲットロッド３１を
スパッタし、スパッタ物質をコーティングの対象物３４
．３５の表面に被着するようにしている。
［発明が解決しようとする問題点］
第２図に示した如くの加熱蒸着法では均一な蒸着速度を
得ることが難しいと共に、高融への金属膜を形成するの
に不向きであった。
得ることが難しいと共に、高融への金属膜を形成するの
に不向きであった。
又、スパッタコーティング法では■蒸着速度（成膜速度
）が遅い、■この為、被膜形成時に雰囲気からの不純物
の取り込みによる汚染が起り易い、■比較的高い圧力（
低真空）でのグロー放電を利用する為、基材（管内面）
と被膜との密着性などコーテイング膜の特性が悪い、■
グロー放電がアーク放電に移行した場合（放電距離など
のスパッタ条件による。）に被膜にピンホールが発生す
る等の問題点である。
）が遅い、■この為、被膜形成時に雰囲気からの不純物
の取り込みによる汚染が起り易い、■比較的高い圧力（
低真空）でのグロー放電を利用する為、基材（管内面）
と被膜との密着性などコーテイング膜の特性が悪い、■
グロー放電がアーク放電に移行した場合（放電距離など
のスパッタ条件による。）に被膜にピンホールが発生す
る等の問題点である。
前記第３図のスパッタ装置では高速成膜を可能としてあ
り、前記■■の問題点を解決する手段となり得るもので
あるが、ターゲットロッド３１が１００ＯＣを超える為
、ターゲットの軟化、輻射熱によるスパッタ膜への影響
等の問題点があった。
り、前記■■の問題点を解決する手段となり得るもので
あるが、ターゲットロッド３１が１００ＯＣを超える為
、ターゲットの軟化、輻射熱によるスパッタ膜への影響
等の問題点があった。
［問題点を解決するための手段］
この発明の管内面の被覆方法は、真空中に配置した被処
理管の中心軸上に棒状ターゲットを配置し、被処理管内
に平行磁場を発生させた雰囲気で、棒状ターゲットをグ
ロー放電下でスパッタし、被処理管の内面をスパッタ金
属を含む膜で被覆することを特徴としている。
理管の中心軸上に棒状ターゲットを配置し、被処理管内
に平行磁場を発生させた雰囲気で、棒状ターゲットをグ
ロー放電下でスパッタし、被処理管の内面をスパッタ金
属を含む膜で被覆することを特徴としている。
前記被処理管を配置する真空はｌ Ｘ ｌ Ｏ−２トー
ル（Ｔ ｏ ｒ ｒ）以下の高真空領域とする。
ル（Ｔ ｏ ｒ ｒ）以下の高真空領域とする。
又グロ！放電ｒま棒状ターゲットに直流（Ｄ Ｃ）又は
高周波（ＲＦ）を印加して成起させ、いわゆるＤＣスパ
ッタ又はＲＦスパッタを行なう。
高周波（ＲＦ）を印加して成起させ、いわゆるＤＣスパ
ッタ又はＲＦスパッタを行なう。
［作用］
上記の方法によるこの発明では、被処理管、内に発生さ
せた平行磁場によって放電雰囲気の電子はマグネトロン
圧動をし、イオン化効率を増大させる結果Ｉ Ｘ １０
−２ トール以下の高真空中でもグロー放電を持続する
ことができる。そしてグロー放電下では、棒状ターゲッ
ト周囲の陰のスパッタ率が上昇する。
せた平行磁場によって放電雰囲気の電子はマグネトロン
圧動をし、イオン化効率を増大させる結果Ｉ Ｘ １０
−２ トール以下の高真空中でもグロー放電を持続する
ことができる。そしてグロー放電下では、棒状ターゲッ
ト周囲の陰のスパッタ率が上昇する。
この結果、前記従来の問題点はことごとく解決され、■
成膜速度を向上する、■高真空中でのスー２バタと相俊
って、不純物の取り込みによる汚染を回避する、■被膜
の密着性などの膜特性を向上する、■グロー放電が安定
しピンホールが発生しない等の利点を得ることができる
。
成膜速度を向上する、■高真空中でのスー２バタと相俊
って、不純物の取り込みによる汚染を回避する、■被膜
の密着性などの膜特性を向上する、■グロー放電が安定
しピンホールが発生しない等の利点を得ることができる
。
［実施例］
以下この発明の詳細な説明する。第１図はこの発明を実
施する装置の概略を示し、■は真空槽、２は棒状ターゲ
ット、３は棒状ターゲット２に接する電極、４は被処理
管、５は管取付台、６は上蓋、７は加熱ヒータ、８は磁
場発生コイル、９は排気口、１０はガス導入管、１１は
絶縁材、１２は整合回路、１３はＲＦ主電源ある。
施する装置の概略を示し、■は真空槽、２は棒状ターゲ
ット、３は棒状ターゲット２に接する電極、４は被処理
管、５は管取付台、６は上蓋、７は加熱ヒータ、８は磁
場発生コイル、９は排気口、１０はガス導入管、１１は
絶縁材、１２は整合回路、１３はＲＦ主電源ある。
上記において、棒状ターゲット２の直径は、ＲＦｔ源１
３などの使用する電源の出力と棒状して決定する。例え
ばＲＦ電源１３を使用する場合、安定したグロー放電が
起こる為の条件（Ｄ −ｄ） ／ ２＞ １０ ｍｍ
［Ｄ ：被処理管の直径、ｄ：棒状ターゲットの直径］
を満足させ、かつスパッタ率に関係すパワー密度が５
ｗ ／ ｃｍ′以上となるように決定する。
３などの使用する電源の出力と棒状して決定する。例え
ばＲＦ電源１３を使用する場合、安定したグロー放電が
起こる為の条件（Ｄ −ｄ） ／ ２＞ １０ ｍｍ
［Ｄ ：被処理管の直径、ｄ：棒状ターゲットの直径］
を満足させ、かつスパッタ率に関係すパワー密度が５
ｗ ／ ｃｍ′以上となるように決定する。
この実施例では、直径２０ｍｍのチタン棒状ターゲット
を棒状ターゲット２として用い、直径６０ｍｍ、長さ３
００ｍｍの金属管を被処理管４として用い、被処理管４
の内面に窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）のコーティングを行
なった。
を棒状ターゲット２として用い、直径６０ｍｍ、長さ３
００ｍｍの金属管を被処理管４として用い、被処理管４
の内面に窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）のコーティングを行
なった。
はじめに、真空槽ｌを排気した後、ガス導入管１０より
アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、真空度をｌＸｌ０
−１トールに調整して、グロー放電を開始させて、磁場
発生コイル８を介して被処理管４の内側に平行磁場をか
けた所。
アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、真空度をｌＸｌ０
−１トールに調整して、グロー放電を開始させて、磁場
発生コイル８を介して被処理管４の内側に平行磁場をか
けた所。
棒状ターゲット２の付近に高密度プラズマが得られた。
次に混合ガスの導入量を調整して真空度をＩ Ｘ １０
−２トール以上としたがグロー放電はそのまま持続した
。即ち高真空下でグロー放電を利用したスパッタ成膜が
可能であった。
−２トール以上としたがグロー放電はそのまま持続した
。即ち高真空下でグロー放電を利用したスパッタ成膜が
可能であった。
１×１Ｏ−ｌトール程度の真空雰囲気での反応性スパッ
タは磁場の印加をしなくても安定な成１１りが可能であ
るが、窒素分圧が高い為棒状ターゲット２であるチタン
棒の表面の窒化が進行し、スパッタ率の低下（Ｔｉに比
べてＴｉＮのスパッタ率は低い）によって、成１１り速
度が極端に下がるが、実施例では窒素分圧が低い為チタ
ン棒の表面の窒化が最小限にでき、この結果、成＋＋ｑ
速度も速くすることができた。
タは磁場の印加をしなくても安定な成１１りが可能であ
るが、窒素分圧が高い為棒状ターゲット２であるチタン
棒の表面の窒化が進行し、スパッタ率の低下（Ｔｉに比
べてＴｉＮのスパッタ率は低い）によって、成１１り速
度が極端に下がるが、実施例では窒素分圧が低い為チタ
ン棒の表面の窒化が最小限にでき、この結果、成＋＋ｑ
速度も速くすることができた。
更に、高真空下でのスパッタができるので、棒状ターゲ
ット２の周囲に形成される陰極暗部の電解強度が強くな
り、この結果スパッタ率が向上して速い成膜速度を得る
ことができた。
ット２の周囲に形成される陰極暗部の電解強度が強くな
り、この結果スパッタ率が向上して速い成膜速度を得る
ことができた。
このように高真空の雰囲気で、かつ速い成膜速度で被処
理管４の内面をコーティングしたので、不純物の少ない
高純度の窒化チタン膜を被処理管４の内面に密着性良く
被覆することができた。窒化チタン膜はゴールデン・イ
エロー色を呈し、膜厚分布は±５％以下であった。
理管４の内面をコーティングしたので、不純物の少ない
高純度の窒化チタン膜を被処理管４の内面に密着性良く
被覆することができた。窒化チタン膜はゴールデン・イ
エロー色を呈し、膜厚分布は±５％以下であった。
又、加熱ヒータ７を介して被処理管４を外部加熱し、前
記と同様のコーティングをした所、更に密着性、硬度等
の膜特性を向上させることもできた。
記と同様のコーティングをした所、更に密着性、硬度等
の膜特性を向上させることもできた。
［発明の効果］
以上に説明した通り、この発明によれば高真空雰囲気（
Ｉ Ｘ １０−２ トール以下）でグロー放電によるス
パッタをこおなうので、高純度な被膜を管内面に、密着
性良く、かつ速い速度で形成できる効果がある。
Ｉ Ｘ １０−２ トール以下）でグロー放電によるス
パッタをこおなうので、高純度な被膜を管内面に、密着
性良く、かつ速い速度で形成できる効果がある。
第１図はこの発明を実施する装置の概略図、第２図は従
来の加熱蒸着法を用いた装置の概略図、第３図は従来の
スパッタコーティング法を用いた装置の断面図である。 ｌｅｅ・真空槽、２・・・棒状ターゲット。 ４・・・被処理管、８・・・磁場発生コイル、１３・・
・ＲＦ主電源 第１図 手続補正書 昭和６１年 ８月１１日
来の加熱蒸着法を用いた装置の概略図、第３図は従来の
スパッタコーティング法を用いた装置の断面図である。 ｌｅｅ・真空槽、２・・・棒状ターゲット。 ４・・・被処理管、８・・・磁場発生コイル、１３・・
・ＲＦ主電源 第１図 手続補正書 昭和６１年 ８月１１日
Claims (3)
- （１）真空中に配置した被処理管の中心軸上に棒状ター
ゲットを配置し、被処理管内に平行磁場を発生させた雰
囲気で、棒状ターゲットをグロー放電下でスパッタし、
被処理管の内面をスパッタ金属を含む膜で被覆すること
を特徴とする管内面の被覆方法。 - （２）真空は１×１０＾−＾２トール（Ｔｏｒｒ）以下
の圧力とした特許請求の範囲第（１）項記載の管内面の
被覆方法。 - （３）グロー放電は棒状ターゲットに直流（ＤＣ）又は
高周波（ＲＦ）を印加して行なう特許請求の範囲第（１
）項記載の管内面の被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202386A JPS62180069A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 管内面の被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202386A JPS62180069A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 管内面の被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62180069A true JPS62180069A (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=12071384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2202386A Pending JPS62180069A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 管内面の被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62180069A (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365863A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-17 | Toutsuu:Kk | 金属細管内壁の被覆方法 |
| JPH09235113A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-09 | Tatsuo Shiyouji | 高融点物質蒸発装置 |
| KR100784054B1 (ko) | 2004-05-29 | 2007-12-10 | 김춘식 | 강관의 內外部또는 금속 棒材 및 판재의 外部에 금속 막을 DC-Magnetron Sputtering 를 이용해서 형성시키는 장치 |
| JP2009024236A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| US9545360B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-01-17 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US9554968B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-01-31 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging |
| US9572526B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-02-21 | Sio2 Medical Products, Inc. | Apparatus and method for transporting a vessel to and from a PECVD processing station |
| US20170051393A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | Korea Institute Of Science And Technology | Apparatus and method for coating inner wall of metal tube |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US9664626B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9903782B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-02-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| US10189603B2 (en) | 2011-11-11 | 2019-01-29 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US10201660B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-02-12 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US11066745B2 (en) | 2014-03-28 | 2021-07-20 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| US11077233B2 (en) | 2015-08-18 | 2021-08-03 | Sio2 Medical Products, Inc. | Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
-
1986
- 1986-02-05 JP JP2202386A patent/JPS62180069A/ja active Pending
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365863A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-17 | Toutsuu:Kk | 金属細管内壁の被覆方法 |
| JPH09235113A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-09 | Tatsuo Shiyouji | 高融点物質蒸発装置 |
| KR100784054B1 (ko) | 2004-05-29 | 2007-12-10 | 김춘식 | 강관의 內外部또는 금속 棒材 및 판재의 外部에 금속 막을 DC-Magnetron Sputtering 를 이용해서 형성시키는 장치 |
| JP2009024236A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| US9545360B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-01-17 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US10537273B2 (en) | 2009-05-13 | 2020-01-21 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubricity layer |
| US9572526B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-02-21 | Sio2 Medical Products, Inc. | Apparatus and method for transporting a vessel to and from a PECVD processing station |
| US10390744B2 (en) | 2009-05-13 | 2019-08-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubricity layer, apparatus and method for transporting a vessel to and from a PECVD processing station, and double wall plastic vessel |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US11123491B2 (en) | 2010-11-12 | 2021-09-21 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| US10189603B2 (en) | 2011-11-11 | 2019-01-29 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US11148856B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-10-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US11724860B2 (en) | 2011-11-11 | 2023-08-15 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US11884446B2 (en) | 2011-11-11 | 2024-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| US10577154B2 (en) | 2011-11-11 | 2020-03-03 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US9664626B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| US9903782B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-02-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| US10201660B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-02-12 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US10363370B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-07-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| US11406765B2 (en) | 2012-11-30 | 2022-08-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| US10912714B2 (en) | 2013-03-11 | 2021-02-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coated pharmaceutical packaging |
| US11684546B2 (en) | 2013-03-11 | 2023-06-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coated pharmaceutical packaging |
| US10537494B2 (en) | 2013-03-11 | 2020-01-21 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated blood collection tube with low oxygen transmission rate |
| US10016338B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-07-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging |
| US11298293B2 (en) | 2013-03-11 | 2022-04-12 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coated pharmaceutical packaging |
| US11344473B2 (en) | 2013-03-11 | 2022-05-31 | SiO2Medical Products, Inc. | Coated packaging |
| US9554968B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-01-31 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging |
| US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
| US11066745B2 (en) | 2014-03-28 | 2021-07-20 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| US11077233B2 (en) | 2015-08-18 | 2021-08-03 | Sio2 Medical Products, Inc. | Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate |
| US10337099B2 (en) * | 2015-08-21 | 2019-07-02 | Korea Institute Of Science And Technology | Apparatus and method for coating inner wall of metal tube |
| US20170051393A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | Korea Institute Of Science And Technology | Apparatus and method for coating inner wall of metal tube |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62180069A (ja) | 管内面の被覆方法 | |
| US8110086B2 (en) | Method of manufacturing a process chamber component having yttrium-aluminum coating | |
| KR101499272B1 (ko) | 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 | |
| US6274014B1 (en) | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition | |
| US20030127049A1 (en) | Process chamber having component with yttrium-aluminum coating | |
| EP0583736A1 (en) | Plasma-enhanced magnetron-sputtered deposition of materials | |
| CN109797363B (zh) | 一种弧光电子源辅助离子氮化工艺 | |
| JPH0211669B2 (ja) | ||
| JPS61201769A (ja) | 酸化物、窒化物、酸化窒化物および炭化物からなる層の反応的蒸着法 | |
| JPH0791654B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Ensinger et al. | Characteristic features of an apparatus for plasma immersion ion implantation and physical vapour deposition | |
| EP1239056A1 (en) | Improvement of a method and apparatus for thin film deposition, especially in reactive conditions | |
| GB1574677A (en) | Method of coating electrically conductive components | |
| JPH08260126A (ja) | アルミニウム基材の表面溶融硬化方法 | |
| JPH02156066A (ja) | 基材のクリーニング方法 | |
| JPH0417669A (ja) | プラズマを用いた成膜方法およびｒｆイオンプレーティング装置 | |
| JP4210141B2 (ja) | 硬質窒化炭素膜の形成方法 | |
| JPS62182271A (ja) | 管内面の被覆方法 | |
| JPH031377B2 (ja) | ||
| JP3263499B2 (ja) | ダイヤモンド状被膜形成方法及び装置 | |
| JPH01168857A (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JP2567843B2 (ja) | ハイブリツドイオンプレ−テイング方法とその装置 | |
| GB2215739A (en) | Ionisation assisted chemical vapour deposition | |
| JPS63458A (ja) | 真空ア−ク蒸着装置 | |
| JP2504426B2 (ja) | ｃＢＮ薄膜の形成方法及び形成装置 |