JPH09170080A - 基板を被覆する装置 - Google Patents
基板を被覆する装置Info
- Publication number
- JPH09170080A JPH09170080A JP8284437A JP28443796A JPH09170080A JP H09170080 A JPH09170080 A JP H09170080A JP 8284437 A JP8284437 A JP 8284437A JP 28443796 A JP28443796 A JP 28443796A JP H09170080 A JPH09170080 A JP H09170080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compartments
- cathode
- cathodes
- compartment
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ過程の安定性を高め、加えて、膜厚
の均等度を制御可能にする。更に、被覆装置の特別な一
実施形式により、極限的に迅速な状態調節を可能にす
る。 【解決手段】 交流電源４３の一方の極が一方の陰極５
８に、他方の極が他方の陰極５９に、それぞれ給電線４
１、４２を介して接続され、また、双方の陰極５８、５
９のそれぞれが、隣接配置された複数の分室３２〜４
０′のうちの１つの分室３２′又は４０を占有し、前記
の分室３２〜４０′が、通路６０を介して相互に接続さ
れ、共に単一の真空室３１を形成しており、更に、交流
電源４３と接続された陰極５８、５９を有する双方の分
室３２′、４０が、少なくとも部分的に各１個のスパッ
タ陰極６１〜６６を備えた１つ以上の分室３３〜３９及
び３３′〜３８′により、互いに隔離されて配置される
ようにした。
の均等度を制御可能にする。更に、被覆装置の特別な一
実施形式により、極限的に迅速な状態調節を可能にす
る。 【解決手段】 交流電源４３の一方の極が一方の陰極５
８に、他方の極が他方の陰極５９に、それぞれ給電線４
１、４２を介して接続され、また、双方の陰極５８、５
９のそれぞれが、隣接配置された複数の分室３２〜４
０′のうちの１つの分室３２′又は４０を占有し、前記
の分室３２〜４０′が、通路６０を介して相互に接続さ
れ、共に単一の真空室３１を形成しており、更に、交流
電源４３と接続された陰極５８、５９を有する双方の分
室３２′、４０が、少なくとも部分的に各１個のスパッ
タ陰極６１〜６６を備えた１つ以上の分室３３〜３９及
び３３′〜３８′により、互いに隔離されて配置される
ようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を被覆する装
置であって、交流電源が設けられていて、該交流電源
が、磁石を取り囲む２個の陰極に接続されており、該陰
極が電気的にターゲットと協働するようになっており、
該ターゲットがスパッタされ、スパッタ除去された粒子
が基板に沈積するようになっている形式のものに関す
る。
置であって、交流電源が設けられていて、該交流電源
が、磁石を取り囲む２個の陰極に接続されており、該陰
極が電気的にターゲットと協働するようになっており、
該ターゲットがスパッタされ、スパッタ除去された粒子
が基板に沈積するようになっている形式のものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜を形成するスパッタ装置は既に公知
である（ドイツ民主共和国特許第２５２２０５号明細
書）。この装置の場合、磁石システムと、このシステム
上に配置された少なくとも２個の、被スパッタ材料から
成る電極とから成り、しかも、これらの電極が、交互に
ガス放電の陰極と陽極となるように構成されている。こ
の目的のため、これらの電極は、有利には５０Ｈｚの正
弦状の交流電圧に接続されている。
である（ドイツ民主共和国特許第２５２２０５号明細
書）。この装置の場合、磁石システムと、このシステム
上に配置された少なくとも２個の、被スパッタ材料から
成る電極とから成り、しかも、これらの電極が、交互に
ガス放電の陰極と陽極となるように構成されている。こ
の目的のため、これらの電極は、有利には５０Ｈｚの正
弦状の交流電圧に接続されている。
【０００３】この公知スパッタ装置は、特に誘電層を反
応性スパッタリングにより析出するのに好適という。約
５０Ｈｚで装置を作動させることにより、陽極のところ
でのスパングル発生や、金属被覆の場合の、電気的な短
絡（いわゆるアーク）発生が防止される。
応性スパッタリングにより析出するのに好適という。約
５０Ｈｚで装置を作動させることにより、陽極のところ
でのスパングル発生や、金属被覆の場合の、電気的な短
絡（いわゆるアーク）発生が防止される。
【０００４】薄膜をスパッタリングにより成膜する別の
公知の装置の場合、異なる材料の複数の膜の付着速度を
調整可能である（ドイツ特許第３９１２５７２号）。こ
れにより、極端に薄い膜パッケージ（Schichtpaketen）
を得ることができ、少なくとも２種類の異なる対応電極
が陰極側に配置されている。
公知の装置の場合、異なる材料の複数の膜の付着速度を
調整可能である（ドイツ特許第３９１２５７２号）。こ
れにより、極端に薄い膜パッケージ（Schichtpaketen）
を得ることができ、少なくとも２種類の異なる対応電極
が陰極側に配置されている。
【０００５】更に、合金をＨＦ陰極スパッタリングによ
って析出する装置（ドイツ特許第３５４１６２１号）が
公知である。この装置の場合、２個のターゲットが交互
に起動され、しかも、これらのターゲットが、析出され
る合金の金属成分を異なる割合で含有している。基板
は、この目的のため、基板支持体上に配置され、この支
持体が、駆動ユニットによりスパッタリング過程の間に
回転せしめられる。
って析出する装置（ドイツ特許第３５４１６２１号）が
公知である。この装置の場合、２個のターゲットが交互
に起動され、しかも、これらのターゲットが、析出され
る合金の金属成分を異なる割合で含有している。基板
は、この目的のため、基板支持体上に配置され、この支
持体が、駆動ユニットによりスパッタリング過程の間に
回転せしめられる。
【０００６】加えて、公刊印刷物（ドイツ特許第３８０
２８５２号）により公知の装置の場合、２個の電極と、
少なくとも１つの被スパッタ材料とにより基板が被覆さ
れ、被覆される基板が、双方の電極の間に空間的間隔を
おいて配置され、かつ、交流電流半波が、事実上等しい
振幅の低周波の半波として選択される。
２８５２号）により公知の装置の場合、２個の電極と、
少なくとも１つの被スパッタ材料とにより基板が被覆さ
れ、被覆される基板が、双方の電極の間に空間的間隔を
おいて配置され、かつ、交流電流半波が、事実上等しい
振幅の低周波の半波として選択される。
【０００７】更に、基板を、電気絶縁材料、例えば２酸
化珪素（ＳｉＯ2）で反応被覆する装置と方法も公知で
ある（ドイツ特許出願公開第４１０６７７０号）。この
装置は、被覆チャンバ内に配置された、磁石を有する陰
極と接続された交流電源から成り、これらの陰極がター
ゲットと協働し、交流電源の２個の非接地出力部が、タ
ーゲットを保持するそれぞれ１個の陰極と接続されてお
り、更に、被覆チャンバ内の双方の陰極が、プラズマ空
間内に並置され、向かい合った基板から、それぞれほぼ
等しい空間的間隔を有するようにされている。放電電圧
の有効値は、その場合、導線を介して陰極に接続された
電圧有効値検出器により測定され、直流として導体を介
して調整器へ送られ、この調整器が、調整弁を介して、
容器から分配管への反応ガス流を制御することにより、
測定電圧が目標電圧と等化される。
化珪素（ＳｉＯ2）で反応被覆する装置と方法も公知で
ある（ドイツ特許出願公開第４１０６７７０号）。この
装置は、被覆チャンバ内に配置された、磁石を有する陰
極と接続された交流電源から成り、これらの陰極がター
ゲットと協働し、交流電源の２個の非接地出力部が、タ
ーゲットを保持するそれぞれ１個の陰極と接続されてお
り、更に、被覆チャンバ内の双方の陰極が、プラズマ空
間内に並置され、向かい合った基板から、それぞれほぼ
等しい空間的間隔を有するようにされている。放電電圧
の有効値は、その場合、導線を介して陰極に接続された
電圧有効値検出器により測定され、直流として導体を介
して調整器へ送られ、この調整器が、調整弁を介して、
容器から分配管への反応ガス流を制御することにより、
測定電圧が目標電圧と等化される。
【０００８】最後に、特に不導体層を有する基板を、反
応雰囲気内で導電性ターゲットにより被覆する装置（ド
イツ特許第４２０４９９９号）が、公知である。この装
置は、真空化可能な被覆チャンバ内に配置された、磁石
を有する陰極と接続された電源から成り、これら陰極が
ターゲットと協働する。また、互いに電気に分離され、
かつ被覆チャンバから隔離された２個の陽極が、陰極と
基板との間の平面内に配置されている。更に、中周波発
生器と接続された変圧器の２つの出力部が、それぞれ１
個の陰極に給電線を介して接続されている。また、第１
及び第２の給電線が、分岐線を介して互いに接続され、
この分岐線には、振動回路、特に１個のコイルと１個の
コンデンサとが配置されている。更に、双方の給電線の
それぞれが、直流電位を大地に対して調節する第１電気
素子を介して、被覆チャンバと、また相応の第２電気素
子を介して、被覆チャンバと、それぞれ接続されてい
る。更にまた、チョークコイルが、振動回路を第２の２
次接続部と接続する第１給電線部分に配置されている。
応雰囲気内で導電性ターゲットにより被覆する装置（ド
イツ特許第４２０４９９９号）が、公知である。この装
置は、真空化可能な被覆チャンバ内に配置された、磁石
を有する陰極と接続された電源から成り、これら陰極が
ターゲットと協働する。また、互いに電気に分離され、
かつ被覆チャンバから隔離された２個の陽極が、陰極と
基板との間の平面内に配置されている。更に、中周波発
生器と接続された変圧器の２つの出力部が、それぞれ１
個の陰極に給電線を介して接続されている。また、第１
及び第２の給電線が、分岐線を介して互いに接続され、
この分岐線には、振動回路、特に１個のコイルと１個の
コンデンサとが配置されている。更に、双方の給電線の
それぞれが、直流電位を大地に対して調節する第１電気
素子を介して、被覆チャンバと、また相応の第２電気素
子を介して、被覆チャンバと、それぞれ接続されてい
る。更にまた、チョークコイルが、振動回路を第２の２
次接続部と接続する第１給電線部分に配置されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】これら公知の装置が目
的としている点は、“アーキング”、つまり望ましくな
いアーク発生を防止し、絶縁膜の形成前のターゲット表
面を保護することであるのに対し、本発明の目的は、ス
パッタ過程の安定性を高めることに加えて、膜厚の均等
度を制御可能にすることである。更に別の目的は、特別
な一実施形式による装置により、極限的に迅速な状態調
節を可能にすることである。この目的のためには、チャ
ンバ内面、組付け部材、ターゲットが、水利用を要しな
いようにされる。
的としている点は、“アーキング”、つまり望ましくな
いアーク発生を防止し、絶縁膜の形成前のターゲット表
面を保護することであるのに対し、本発明の目的は、ス
パッタ過程の安定性を高めることに加えて、膜厚の均等
度を制御可能にすることである。更に別の目的は、特別
な一実施形式による装置により、極限的に迅速な状態調
節を可能にすることである。この目的のためには、チャ
ンバ内面、組付け部材、ターゲットが、水利用を要しな
いようにされる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の第１の構成では、交流電源の双方の出力部
を、それぞれ１つの陰極に、給電線を介して接続し、し
かも、双方の陰極のそれぞれが、隣接配置された複数の
分室のうちの１つを占有し、前記複数の分室が、通路を
介して相互に接続され、共に単一の真空室を形成するよ
うにし、更に、陰極が配置された２つの分室が、並置も
しくは１つ以上の分室を挟んで互いに離れて配置される
ようにした。
に本発明の第１の構成では、交流電源の双方の出力部
を、それぞれ１つの陰極に、給電線を介して接続し、し
かも、双方の陰極のそれぞれが、隣接配置された複数の
分室のうちの１つを占有し、前記複数の分室が、通路を
介して相互に接続され、共に単一の真空室を形成するよ
うにし、更に、陰極が配置された２つの分室が、並置も
しくは１つ以上の分室を挟んで互いに離れて配置される
ようにした。
【００１１】また、特別な一実施形式の場合には、交流
電源の一方の極が一方の陰極に、他方の極が他方の陰極
に、給電線を介して接続されるようにし、また、双方の
陰極のそれぞれが、隣接配置された複数の分室のうちの
１つを占有し、これら複数の分室が、通路を介して相互
に接続され、共に単一の真空室を形成し、更に、交流電
源と接続された陰極を有する双方の分室が、少なくとも
部分的に各１個のスパッタ陰極を備えた１つ以上の分室
によって、互いに隔離されて配置されるようにした。
電源の一方の極が一方の陰極に、他方の極が他方の陰極
に、給電線を介して接続されるようにし、また、双方の
陰極のそれぞれが、隣接配置された複数の分室のうちの
１つを占有し、これら複数の分室が、通路を介して相互
に接続され、共に単一の真空室を形成し、更に、交流電
源と接続された陰極を有する双方の分室が、少なくとも
部分的に各１個のスパッタ陰極を備えた１つ以上の分室
によって、互いに隔離されて配置されるようにした。
【００１２】本発明のこのほかの細部及び特徴は、特許
請求の範囲に記載の通りである。
請求の範囲に記載の通りである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明には、極めて種々の実施形
式が可能である。以下では、そのうちの２例を添付図面
につき説明する。
式が可能である。以下では、そのうちの２例を添付図面
につき説明する。
【００１４】図１の装置は、多数の個別分室４〜８に分
割された主真空室３から成っている。分室は、すべて、
少なくとも一部が管又は穴２６、２７により形成された
通路９；１０を介して互いに連通し、分室４〜８の最初
と最後の分室には、それぞれ１個の陰極１１又は１２が
配置されている。双方の陰極１１、１２は、給電線１
３、１４を介して、交流電源１５、例えば中周波発生器
と接続されている。第２、第３、第４の分室５、６、７
は、それぞれ固有の真空ポンプ１６、１７、１８と接続
されている。また、２つの分室４、５；７、８は、それ
ぞれ隔壁２１；２２の開口１９；２０を介して連通して
いる。分室４、６、８は、それぞれガス管２３、２
３′；２４、２４′；２５、２５′に接続されている。
これらのガス管を介して、各分室４〜８内へプロセスガ
スを供給できる。基板２は、被覆過程の間、通路９、１
０もしくは管又は穴２６、２７を通って運ばれ、双方の
陰極１１、１２の傍を通過する。更に、これら個別の分
室４〜８により、双方の陰極に対するスパッタ条件を敏
感に調節可能である。
割された主真空室３から成っている。分室は、すべて、
少なくとも一部が管又は穴２６、２７により形成された
通路９；１０を介して互いに連通し、分室４〜８の最初
と最後の分室には、それぞれ１個の陰極１１又は１２が
配置されている。双方の陰極１１、１２は、給電線１
３、１４を介して、交流電源１５、例えば中周波発生器
と接続されている。第２、第３、第４の分室５、６、７
は、それぞれ固有の真空ポンプ１６、１７、１８と接続
されている。また、２つの分室４、５；７、８は、それ
ぞれ隔壁２１；２２の開口１９；２０を介して連通して
いる。分室４、６、８は、それぞれガス管２３、２
３′；２４、２４′；２５、２５′に接続されている。
これらのガス管を介して、各分室４〜８内へプロセスガ
スを供給できる。基板２は、被覆過程の間、通路９、１
０もしくは管又は穴２６、２７を通って運ばれ、双方の
陰極１１、１２の傍を通過する。更に、これら個別の分
室４〜８により、双方の陰極に対するスパッタ条件を敏
感に調節可能である。
【００１５】陰極１１、１２は、双方とも交流電源から
給電され、分室４、８に配置されている。分室４、８
は、それぞれ開口１９、２０を介して隣接する分室５、
７と連通しており、これらの開口を介して、陰極の分室
４、８が真空化される。ガス管２３、２３′；２５、２
５′は、陰極にプロセスガス、例えばアルゴンを供給す
る。また、ガス管２４、２４′は、陰極に反応ガスを供
給する。
給電され、分室４、８に配置されている。分室４、８
は、それぞれ開口１９、２０を介して隣接する分室５、
７と連通しており、これらの開口を介して、陰極の分室
４、８が真空化される。ガス管２３、２３′；２５、２
５′は、陰極にプロセスガス、例えばアルゴンを供給す
る。また、ガス管２４、２４′は、陰極に反応ガスを供
給する。
【００１６】以上に説明した図１の装置は、特に次の利
点を有している：すなわち、 １． 別個の仕切りもしくは分室４、８内に、高い出力
の２個の標準陰極１１、１２を配置することによって、
２マグネトロン陰極装置が簡単化される。
点を有している：すなわち、 １． 別個の仕切りもしくは分室４、８内に、高い出力
の２個の標準陰極１１、１２を配置することによって、
２マグネトロン陰極装置が簡単化される。
【００１７】２． 各分室を互いに分離することによっ
て、陰極１１、１２を、異なるスパッタ雰囲気内で動作
させることができる。
て、陰極１１、１２を、異なるスパッタ雰囲気内で動作
させることができる。
【００１８】３． 前項２によって、双方の陰極１１、
１２の作用箇所を別個に調節、制御、調整することが可
能となる。
１２の作用箇所を別個に調節、制御、調整することが可
能となる。
【００１９】４． 陰極１１、１２を金属モードで、つ
まり反応ガスを全く又は少量しか用いずに、動作させる
ことができる。少量用いる場合には、反応ガスを陰極の
間の分室へ導入する。この分室内で、析出材料が、プラ
ズマの作用下で反応ガスと反応する。
まり反応ガスを全く又は少量しか用いずに、動作させる
ことができる。少量用いる場合には、反応ガスを陰極の
間の分室へ導入する。この分室内で、析出材料が、プラ
ズマの作用下で反応ガスと反応する。
【００２０】５． 陰極１１、１２を離れた位置に配置
することによって、双方の陰極の間に、極めて大きい広
がりのプラズマ区域を設けることができる。陰極の幅を
有し、数メートル長さを有するプラズマ帯が、付加的補
助手段なしで得られる。このプラズマ帯内で、基板２が
処理される（表面エッチング、窒化、活性化等）。
することによって、双方の陰極の間に、極めて大きい広
がりのプラズマ区域を設けることができる。陰極の幅を
有し、数メートル長さを有するプラズマ帯が、付加的補
助手段なしで得られる。このプラズマ帯内で、基板２が
処理される（表面エッチング、窒化、活性化等）。
【００２１】６． 陰極１１、１２の間隔を大きくする
ことによって、直接のフラッシオーバーが発生しにくく
なる。このため、処理の安定性が高まる。
ことによって、直接のフラッシオーバーが発生しにくく
なる。このため、処理の安定性が高まる。
【００２２】７． 一方の陰極１１から他方の陰極１２
までの間に、圧力段５、６、７が設けられており、これ
ら圧力段により、双方の陰極の分室４、８内のスパッタ
ガス圧に加えて、陰極１１、１２の間の中間の分室６内
のスパッタガス圧をも、それぞれ異なるように調節可能
である。
までの間に、圧力段５、６、７が設けられており、これ
ら圧力段により、双方の陰極の分室４、８内のスパッタ
ガス圧に加えて、陰極１１、１２の間の中間の分室６内
のスパッタガス圧をも、それぞれ異なるように調節可能
である。
【００２３】８． 前項７の圧力段によって、また、陰
極１１、１２を異なる種類のガス又は異なる混合ガスに
よって操作することが可能となる。
極１１、１２を異なる種類のガス又は異なる混合ガスに
よって操作することが可能となる。
【００２４】９． 管又は穴２６、２７もしくは通路
９、１０によって、基板２の搬送が可能である。この基
板搬送は、ギャップエアロック（Spaltschleuse）によ
りプラズマとは別個に行うこともできる。
９、１０によって、基板２の搬送が可能である。この基
板搬送は、ギャップエアロック（Spaltschleuse）によ
りプラズマとは別個に行うこともできる。
【００２５】１０． この装置は、大きい面積のＰＥＣ
ＶＤを行うのに適している。大きい面積のプラズマ処理
の場合、つまり、スルースに入れられた基板のエッチン
グ及びガス抜きの場合にも、この装置は効果的である。
最後に、この装置により標準ガラス装置のガス抜きする
ことも考えられる。すなわち、全装置の最初と最後のＤ
Ｃ陰極の間で、又は有利にはＴｉ−ターゲットを有する
付加陰極の間で、ポンピング中に、中周波プラズマを発
生させるのである。
ＶＤを行うのに適している。大きい面積のプラズマ処理
の場合、つまり、スルースに入れられた基板のエッチン
グ及びガス抜きの場合にも、この装置は効果的である。
最後に、この装置により標準ガラス装置のガス抜きする
ことも考えられる。すなわち、全装置の最初と最後のＤ
Ｃ陰極の間で、又は有利にはＴｉ−ターゲットを有する
付加陰極の間で、ポンピング中に、中周波プラズマを発
生させるのである。
【００２６】図２に示した装置は、多数の個別の分室３
１〜４１、３２′〜４０′に分割された主真空室３１か
ら成っている。しかも、これらの分室はすべて、少なく
とも部分的に管又は穴５４、５５．．．により形成され
た通路６０を介して、相互連通しており、最初の分室３
２と最後から２番目の分室４０には、それぞれ１個の陰
極５８；５９が配置されている。また、双方の陰極５
８、５９は、給電線４１、４２を介して、交流電源、例
えば中周波発生器の極と接続されている。第２、第４、
第６等の分室３３〜３９、４０′は、それぞれ固有の真
空ポンプ４４〜４６；６７〜７１に接続されており、し
かも、分室３２′〜４０′は、されぞれの隔壁４９、５
０．．．の開口４７、４８．．．を介して相互連通して
いる。分室３２′、３３′〜３８′、４０は、ガス管５
１、５１′、５２、５２′、５３、５３′に接続されて
いる。これらのガス管を介して、プロセスガスを個別の
分室３２′、３３′〜３８′、４０内へ供給できる。基
板３０（例えば平板ガラス）は、被覆過程の間、通路６
０に沿って管又は穴５４、５５．．．内を搬送され、双
方の陰極５８、５９のところを通過する。そのさい、個
別の分室では、双方の陰極５８、５９のスパッタ条件を
敏感に調節可能である。
１〜４１、３２′〜４０′に分割された主真空室３１か
ら成っている。しかも、これらの分室はすべて、少なく
とも部分的に管又は穴５４、５５．．．により形成され
た通路６０を介して、相互連通しており、最初の分室３
２と最後から２番目の分室４０には、それぞれ１個の陰
極５８；５９が配置されている。また、双方の陰極５
８、５９は、給電線４１、４２を介して、交流電源、例
えば中周波発生器の極と接続されている。第２、第４、
第６等の分室３３〜３９、４０′は、それぞれ固有の真
空ポンプ４４〜４６；６７〜７１に接続されており、し
かも、分室３２′〜４０′は、されぞれの隔壁４９、５
０．．．の開口４７、４８．．．を介して相互連通して
いる。分室３２′、３３′〜３８′、４０は、ガス管５
１、５１′、５２、５２′、５３、５３′に接続されて
いる。これらのガス管を介して、プロセスガスを個別の
分室３２′、３３′〜３８′、４０内へ供給できる。基
板３０（例えば平板ガラス）は、被覆過程の間、通路６
０に沿って管又は穴５４、５５．．．内を搬送され、双
方の陰極５８、５９のところを通過する。そのさい、個
別の分室では、双方の陰極５８、５９のスパッタ条件を
敏感に調節可能である。
【００２７】陰極５８、５９は、共に１つの交流電源４
３から給電されており、分室３２′、４０に配置されて
いる。これらの分室は、それぞれ開口４７、４８、７２
を介して隣接分室３３、３９、４０′と連通している。
これら隣接分室を介して陰極の分室３１′、４０は真空
化される。ガス管５１、５１′；５３、５３′は、陰極
５８、５９にプロセスガス、例えばアルゴンを供給す
る。
３から給電されており、分室３２′、４０に配置されて
いる。これらの分室は、それぞれ開口４７、４８、７２
を介して隣接分室３３、３９、４０′と連通している。
これら隣接分室を介して陰極の分室３１′、４０は真空
化される。ガス管５１、５１′；５３、５３′は、陰極
５８、５９にプロセスガス、例えばアルゴンを供給す
る。
【００２８】分室３３′、３４′〜３８′内に配置され
た陰極６１〜６６は、図面に詳細には示されていない電
源と接続されており、直流でも、交流、例えば中周波で
も動作するスパッタ陰極でよい。
た陰極６１〜６６は、図面に詳細には示されていない電
源と接続されており、直流でも、交流、例えば中周波で
も動作するスパッタ陰極でよい。
【００２９】図示の例は、平板ガラス被覆装置を略示し
たものだが、この装置の場合、ガラス板３０が、左から
矢印Ａ方向へ、すべてのステーションもしくは分室を通
過し、通路６０の右端から、矢印Ａ方向へ送出される。
その場合、もっぱらガラス板の被覆に携わるのは陰極６
１〜６６であり、他方、交流で動作する陰極５８、５９
は、被覆装置の状態調節を受持ち、本来の被覆工程時に
はオフ状態にされる。
たものだが、この装置の場合、ガラス板３０が、左から
矢印Ａ方向へ、すべてのステーションもしくは分室を通
過し、通路６０の右端から、矢印Ａ方向へ送出される。
その場合、もっぱらガラス板の被覆に携わるのは陰極６
１〜６６であり、他方、交流で動作する陰極５８、５９
は、被覆装置の状態調節を受持ち、本来の被覆工程時に
はオフ状態にされる。
【００３０】平板ガラス被覆装置は、一般に、状態調節
に約８〜１０時間を必要とする。この時間には、したが
って、生産はできない。脱着を強化するための標準グロ
ー装置も、効果を発揮しなかった。なぜなら、稼動中に
著しい汚れが発生する空間内で、付加的な電極を必要と
するからである。付加電極を用いると、スパングルやそ
の他の剥離が生じる。
に約８〜１０時間を必要とする。この時間には、したが
って、生産はできない。脱着を強化するための標準グロ
ー装置も、効果を発揮しなかった。なぜなら、稼動中に
著しい汚れが発生する空間内で、付加的な電極を必要と
するからである。付加電極を用いると、スパングルやそ
の他の剥離が生じる。
【００３１】本発明による構成の利点は、脱着を強化す
る必要のある空間内に、付加的な組付け部材が不要な点
である。その上、プラズマが、主として、搬送装置と被
覆装置底部との間の区域で発生するので、通常の清浄サ
イクルから外れる区域も包含される。
る必要のある空間内に、付加的な組付け部材が不要な点
である。その上、プラズマが、主として、搬送装置と被
覆装置底部との間の区域で発生するので、通常の清浄サ
イクルから外れる区域も包含される。
【００３２】集中的なマグネトロンプラズマにより、被
覆装置のあらゆる内面に著しい脱着が生ぜしめられる。
マグネトロンプラズマは、公知の直流グロー装置より、
電荷キャリア密度が１０倍高い。直流に特徴的なプラズ
マの収縮が、中周波の場合には発生しない。このため、
プラズマは、主真空室３１全体にくまなく充満する。こ
の装置内に直流マグネトロン放電を発生させることは、
別の補助手段なしには技術的に不可能である。中周波放
電は、これに対し、問題なしに発生させることができ
る。
覆装置のあらゆる内面に著しい脱着が生ぜしめられる。
マグネトロンプラズマは、公知の直流グロー装置より、
電荷キャリア密度が１０倍高い。直流に特徴的なプラズ
マの収縮が、中周波の場合には発生しない。このため、
プラズマは、主真空室３１全体にくまなく充満する。こ
の装置内に直流マグネトロン放電を発生させることは、
別の補助手段なしには技術的に不可能である。中周波放
電は、これに対し、問題なしに発生させることができ
る。
【００３３】直流放電の場合、更に別の問題が存在す
る。すなわち、陰極が、陽極を必要とするので、付加的
な電極を組付けるか、又は、ゲッタースパッタ区間を被
覆装置の片側にだけ配置するようにしなければならな
い。
る。すなわち、陰極が、陽極を必要とするので、付加的
な電極を組付けるか、又は、ゲッタースパッタ区間を被
覆装置の片側にだけ配置するようにしなければならな
い。
【００３４】図には、それぞれ別個の分室内に配置され
た複数の陰極を有する平板ガラス被覆装置の通常の構成
が示されている。各陰極には、ガス送入・分配装置が配
属されている。陰極の分室は、それぞれ隣接のポンプ分
室３３〜３９、４０′を介して真空化される。図２に
は、その変化形が示されている。この変化形の場合、装
置の最初と最後の陰極５８、５９が、プラズマ発生用の
陰極であり、中周波発生器に接続されている。加えて、
これらの陰極５８、５９は、所属の直流電源（図示せ
ず）から分離されている。いま、中周波電圧が陰極５
８、５９に印加されると、装置全体にプラズマ帯が形成
される。中周波を供給される双方の陰極の間に配置され
た陰極の分室のガス管を介して、各分室内のプラズマ強
度を変化させることができる。状態調節のためには、陰
極５８、５９が主真空室３１の底部にスパッタされる
が、その場合、底部の不必要な被覆を防止するため、２
つの陰極の下方には基板を配置しておき、状態調節完了
後、基板を除去するのがよい。陰極５８、５９のターゲ
ットとしては、チタンのターゲットが勧められる。
た複数の陰極を有する平板ガラス被覆装置の通常の構成
が示されている。各陰極には、ガス送入・分配装置が配
属されている。陰極の分室は、それぞれ隣接のポンプ分
室３３〜３９、４０′を介して真空化される。図２に
は、その変化形が示されている。この変化形の場合、装
置の最初と最後の陰極５８、５９が、プラズマ発生用の
陰極であり、中周波発生器に接続されている。加えて、
これらの陰極５８、５９は、所属の直流電源（図示せ
ず）から分離されている。いま、中周波電圧が陰極５
８、５９に印加されると、装置全体にプラズマ帯が形成
される。中周波を供給される双方の陰極の間に配置され
た陰極の分室のガス管を介して、各分室内のプラズマ強
度を変化させることができる。状態調節のためには、陰
極５８、５９が主真空室３１の底部にスパッタされる
が、その場合、底部の不必要な被覆を防止するため、２
つの陰極の下方には基板を配置しておき、状態調節完了
後、基板を除去するのがよい。陰極５８、５９のターゲ
ットとしては、チタンのターゲットが勧められる。
【図１】前後に配置された複数分室を有する被覆装置の
略示図である。図示の分室の最初と最後の分室に配置さ
れた陰極は、交流電源に接続されている。
略示図である。図示の分室の最初と最後の分室に配置さ
れた陰極は、交流電源に接続されている。
【図２】図１の実施例の変化形を示した略示図である。
交流電源に接続された２個の陰極の分室の間に配置され
た分室には、部分的に、固有のスパッタ陰極が備えられ
ている。
交流電源に接続された２個の陰極の分室の間に配置され
た分室には、部分的に、固有のスパッタ陰極が備えられ
ている。
２、３０ 基板 ３、３１ 主真空室 ４〜８ 分室 ９、１０ 通路 １１、１２ スパッタ陰極 １３、１４、４１、４２ 給電線 １５、４３ 交流電源 １６〜１８、４４〜４６、６７〜７１ 真空ポンプ １９、２０、４７、４８、７２ 開口 ２１、２２、４９、５０ 隔壁 ２３〜２５、２３′〜２５′、５１〜５３、５１′〜５
３′ ガス供給管 ２６、２７、５４、５５ 管又は穴 ２８、２９、５６、５７ 隔壁 ３２〜４０、３２′〜４０′ 分室 ５８、５９ 状態調節用陰極 ６１〜６６ スパッタ陰極
３′ ガス供給管 ２６、２７、５４、５５ 管又は穴 ２８、２９、５６、５７ 隔壁 ３２〜４０、３２′〜４０′ 分室 ５８、５９ 状態調節用陰極 ６１〜６６ スパッタ陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/32 Ｈ０１Ｊ 37/32 (72)発明者 ヨアヒム シュチルボフスキー ドイツ連邦共和国 ゴルトバッハ リング オーフェンシュトラーセ ５ (72)発明者 ゲッツ テシュナー ドイツ連邦共和国 ゲルンハウゼン アム フェルゼンケラー ２ (72)発明者 アントン ツメルティ ドイツ連邦共和国 ヘスバッハ バーンシ ュトラーセ 39
Claims (9)
- 【請求項１】 特に反応性（酸化性）雰囲気中で導電性
のターゲットの非導電性の層で基板を被覆する装置であ
って、交流電源（１５）が設けられていて、該交流電源
が、磁石を取り囲む２個の陰極（１１、１２）に接続さ
れており、該陰極が電気的にターゲットと協働するよう
になっており、該ターゲットがスパッタされ、スパッタ
除去された粒子が基板（２）に沈積するようになってお
り、交流電源（１５）の一方の極が、一方の陰極（１
１）に、他方の極が、他方の陰極（１２）に、それぞれ
給電線（１３、１４）を介して接続されており、両陰極
（１１、１２）がそれぞれ、互いに隣接して配置されか
つ一緒になって真空室（３）を形成する、貫通孔（９）
を介して互いに接続された多数の分室（４〜８）の固有
の分室（４，８）に設けられており、陰極（１１，１
２）を有する前記両分室（４，８）が、直接に相並んで
配置されているか、または１つまたは複数の別の分室
（５，６，７）によって互いに分離されて配置されてい
ることを特徴とする、基板を被覆する装置。 - 【請求項２】 １列に並置された複数の分室(４〜８)の
うちの第１の分室（４）と最後の分室（８）に、それぞ
れ陰極（１１；１２）が配置されていて、しかも、両分
室（４、８）に付加的にガス管路が開口しており、該ガ
ス管路を介してプロセスガスが両分室（４、８）へ導入
可能である、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 陰極を有する分室（４、８）を貫いて基
板（２）を搬送するための貫通孔（９；１０）が部分的
に、互いに整合して配置された管又は通路（２６、２
７）により形成されており、該管又は通路が、各分室を
互いに分離する個々の隔壁（２１、２８；２２、２９）
を密に貫いて案内されており、前記管又は通路（２６、
２７）が貫通している分室（５；７）が、前記隔壁（２
１；２２）に設けられた貫通孔または開口（１９；２
０）を介して、陰極（１１、１２）を有する分室（４、
８）と連通している、請求項１記載の装置。 - 【請求項４】 陰極（１１、１２）を有する分室（１
１、１２）へ、ガス管路（２３、２３′；２５、２
５′）が開口しており、該ガス管路を介して、アルゴン
が前記分室（４，８）に導入可能であり、陰極を有する
両分室（４、８）の間に配置された第３の分室（６）
に、別のガス管路（２４、２４′）が開口しており、該
ガス管路を介して反応ガスが導入可能である、請求項１
から３のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項５】 陰極（１１、１２）を有する両分室
（４、８）の間に配置された分室（５、６、７）が、そ
れぞれ真空ポンプ（１６、１７、１８）に接続されてい
るこ、請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項６】 基板（３０）を被覆する装置であって、
交流電源（４３）が設けられていて、該交流電源が、磁
石を取り囲む２個の陰極（５８，５９）に接続されてお
り、該陰極が電気的にターゲットと協働するようになっ
ており、交流電源（４３）の一方の極が一方の陰極（５
８）に、他方の極が他方の陰極（５９）に、それぞれ給
電線（４１；４２）を介して接続されており、両陰極
（５８、５９）がそれぞれ、互いに隣接して配置されか
つ一緒になって真空室（３）を形成する、貫通孔（６
０）を介して互いに接続された多数の分室（３２〜４
０′）の固有の分室（３２′，４０）に設けられてお
り、交流電源（４３）に接続された、両陰極（５８，５
９）を有する前記両分室（３２′，４０）が、少なくと
も部分的に各１つのスパッタ陰極（６１〜６６）を備え
た１つまたは複数の別の分室（３３〜３９，３３′〜３
８′）によって互いに分離されて配置されていることを
特徴とする、基板を被覆する装置。 - 【請求項７】 １列に並置された複数の分室（３２′〜
４０′）のうちの第１の分室（３２′）と最後の分室
（４０）とに、それぞれ陰極（５８；５９）が配置され
ており、前記両分室（３２′、４０）に付加的にガス管
路（５１，５１′；５３，５３′）が開口しており、該
ガス管路を介してプロセスガスが前記両分室（３２′、
４０）へ導入可能である、請求項６記載の装置。 - 【請求項８】 交流電源（４３）に接続された陰極を有
する分室（３２′、４０）を貫いて基板（３０）を搬送
するための貫通孔（６０）が部分的に、互いに整合して
配置された管又は通路（５４，５５）により形成されて
おり、該管又は通路が、各分室を互いに分離する個々の
隔壁（４９，５０；５０，５７）を密に貫いて案内され
ており、前記管又は通路が貫通している分室（３３；４
０）が、前記隔壁に設けられた貫通孔または開口（４
７，４８）を介して、陰極（５８，５９）を有する分室
(３２′，４０)と連通している、請求項６記載の装置。 - 【請求項９】 交流電源（４３）に接続された両陰極
（５８、５９）の分室（３２′、４０）のほかに、スパ
ッタ陰極（６１〜６６）が配置された別の分室（３３′
〜３８′）が設けられており、前記スパッタ陰極が第２
の電源に接続されており、スパッタ陰極を有する分室
（３３′〜３８′）が、基板（３０）のための貫通孔
（６０）に向かって開いており、基板（３０）が、前記
貫通孔（６０）を貫いて搬送されるさい、これらすべて
の陰極（６１〜６６）の作用域に突入するようになって
いる、請求項６から８のいずれか１項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19540053.4 | 1995-10-27 | ||
| DE19540053A DE19540053A1 (de) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten |
| DE19540255.3 | 1995-10-28 | ||
| DE19540255A DE19540255A1 (de) | 1995-10-28 | 1995-10-28 | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09170080A true JPH09170080A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3964951B2 JP3964951B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=26019841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28443796A Expired - Fee Related JP3964951B2 (ja) | 1995-10-27 | 1996-10-25 | 基板を被覆する装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6168698B1 (ja) |
| EP (1) | EP0783174B1 (ja) |
| JP (1) | JP3964951B2 (ja) |
| KR (1) | KR100260601B1 (ja) |
| DE (1) | DE59611403D1 (ja) |
| ES (1) | ES2279517T3 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733940C2 (de) * | 1997-08-06 | 2001-03-01 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten von plattenförmigen Substraten mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäubung |
| DE19834592A1 (de) * | 1998-07-31 | 2000-02-03 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten von plattenförmigen Substraten |
| DE10004786C2 (de) * | 1999-09-14 | 2002-11-07 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage |
| US6881269B2 (en) * | 2000-08-17 | 2005-04-19 | Novartis Ag | Lens plasma coating system |
| KR100455425B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 전원공급이 조절되는 열교환기 표면처리장치 |
| KR100486692B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2005-05-03 | 주식회사 엘지이아이 | 연속처리가 가능한 열교환기 표면처리장치 |
| KR20030078454A (ko) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 주식회사 엘지이아이 | 표면처리장치와 그 방법 및 표면처리된 제품 |
| CH696013A5 (de) * | 2002-10-03 | 2006-11-15 | Tetra Laval Holdings & Finance | Vorrichtung zur Behandlung eines bandförmigen Materials in einem Plasma-unterstützten Prozess. |
| DE10320985B4 (de) * | 2003-05-09 | 2005-03-24 | Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co.Kg | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit von der Vakuumkammer getrenntem Saugraum |
| DE10352144B8 (de) * | 2003-11-04 | 2008-11-13 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage zum Beschichten von längserstreckten Substraten |
| DE10352143B4 (de) * | 2003-11-04 | 2009-06-25 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Längserstreckte Vakuumanlage zur ein- oder beidseitigen Beschichtung flacher Substrate |
| KR20050093230A (ko) * | 2004-03-18 | 2005-09-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 스퍼터링 장비 |
| US8500965B2 (en) * | 2004-05-06 | 2013-08-06 | Ppg Industries Ohio, Inc. | MSVD coating process |
| JP4653418B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2011-03-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 真空処理装置および光ディスクの製造方法 |
| JP4653419B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2011-03-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 真空処理装置 |
| EP1698715A1 (de) * | 2005-03-03 | 2006-09-06 | Applied Films GmbH & Co. KG | Anlage zum Beschichten eines Substrats und Einschubelement |
| ES2302401B2 (es) * | 2005-06-03 | 2009-03-16 | Universidad De Alicante | Sistema de generacion micro-topografica por pulverizacion catodica. |
| KR101149169B1 (ko) | 2009-12-04 | 2012-05-30 | 주식회사 디엠에스 | 태양전지 제조용 스퍼터 증착 장치 |
| DE202011002012U1 (de) | 2011-01-27 | 2011-04-07 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage mit Pump- und Magnetronanordnung |
| US8825710B2 (en) * | 2011-05-26 | 2014-09-02 | Planet Technologies | Cloud computing method for dynamically scaling a process across physical machine boundaries |
| BR102012005847A2 (pt) * | 2012-03-15 | 2013-11-19 | Electrolux Do Brasil Sa | Aparelho condicionador de ar provido de câmara de vácuo |
| EP3118349B1 (en) * | 2015-07-14 | 2018-07-04 | Applied Materials, Inc. | Deposition source, deposition apparatus and method of operating thereof |
| CN106987822B (zh) * | 2017-05-04 | 2019-01-01 | 北京创世威纳科技有限公司 | 基于分段传送的连续式线型磁控溅射镀膜机 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE252205C (ja) | ||||
| DE2811942C2 (de) | 1977-03-23 | 1986-09-18 | Vide et Traitement S.A., Neuilly-en-Thelle | Ofen zur ionischen Nitrierbehandlung von metallischen Werkstücken |
| US4331526A (en) | 1979-09-24 | 1982-05-25 | Coulter Systems Corporation | Continuous sputtering apparatus and method |
| JPS58120860A (ja) | 1982-01-06 | 1983-07-18 | 株式会社山東鉄工所 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理装置 |
| DE3331707A1 (de) * | 1983-09-02 | 1985-03-21 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern |
| US4608943A (en) | 1984-10-24 | 1986-09-02 | Sovonics Solar Systems | Cathode assembly with localized profiling capabilities |
| US4920917A (en) | 1987-03-18 | 1990-05-01 | Teijin Limited | Reactor for depositing a layer on a moving substrate |
| DE3802582A1 (de) | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Prinzing Georg Gmbh Co Kg | Verfahren zum schneiden von betonteilen, insbesondere betonrohren, mit vorzugsweise grossem lichten durchmesser und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3912295C2 (de) | 1989-04-14 | 1997-05-28 | Leybold Ag | Katodenzerstäubungsanlage |
| DE3925536A1 (de) * | 1989-08-02 | 1991-02-07 | Leybold Ag | Anordnung zur dickenmessung von duennschichten |
| DE4106770C2 (de) * | 1991-03-04 | 1996-10-17 | Leybold Ag | Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats |
| DE4111384C2 (de) * | 1991-04-09 | 1999-11-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
| JPH04326725A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ装置 |
| US5415757A (en) * | 1991-11-26 | 1995-05-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings |
| DE4204999A1 (de) * | 1991-11-26 | 1993-08-26 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten |
| DE4237517A1 (de) * | 1992-11-06 | 1994-05-11 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten |
| DE4239843A1 (de) * | 1992-11-27 | 1994-06-01 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Erzeugung von Plasma, insbesondere zum Beschichten von Substraten |
| DE4326100B4 (de) * | 1993-08-04 | 2006-03-23 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen |
| DE4333825C1 (de) | 1993-09-28 | 1995-02-23 | Mat Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten von langgestreckten biegsamen Erzeugnissen |
| DE19540794A1 (de) * | 1995-11-02 | 1997-05-07 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats von einem elektrisch leitfähigen Target |
| DE19544584A1 (de) * | 1995-11-30 | 1997-06-05 | Leybold Ag | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material |
-
1996
- 1996-08-01 ES ES96112420T patent/ES2279517T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-01 DE DE59611403T patent/DE59611403D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-01 EP EP96112420A patent/EP0783174B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-11 KR KR1019960045212A patent/KR100260601B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-22 US US08/736,018 patent/US6168698B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-25 JP JP28443796A patent/JP3964951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE59611403D1 (de) | 2007-01-25 |
| JP3964951B2 (ja) | 2007-08-22 |
| EP0783174A2 (de) | 1997-07-09 |
| KR970021356A (ko) | 1997-05-28 |
| ES2279517T3 (es) | 2007-08-16 |
| KR100260601B1 (ko) | 2000-07-01 |
| US6168698B1 (en) | 2001-01-02 |
| EP0783174A3 (de) | 1999-02-17 |
| EP0783174B1 (de) | 2006-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3964951B2 (ja) | 基板を被覆する装置 | |
| US7166199B2 (en) | Magnetron sputtering systems including anodic gas distribution systems | |
| US9812299B2 (en) | Apparatus and method for pretreating and coating bodies | |
| US7411352B2 (en) | Dual plasma beam sources and method | |
| US6171454B1 (en) | Method for coating surfaces using a facility having sputter electrodes | |
| US7327089B2 (en) | Beam plasma source | |
| US5803973A (en) | Apparatus for coating a substrate by chemical vapor deposition | |
| US6337001B1 (en) | Process for sputter coating, a sputter coating source, and sputter coating apparatus with at least one such source | |
| US20090178920A1 (en) | Multi-cathode ionized physical vapor deposition system | |
| JP3995062B2 (ja) | 導電性ターゲットによって基板をコーティングする装置 | |
| US6277253B1 (en) | External coating of tungsten or tantalum or other refractory metal on IMP coils | |
| KR100284248B1 (ko) | 스퍼터링장치 | |
| KR100509666B1 (ko) | 벌크물질진공코팅장치 | |
| US5690796A (en) | Method and apparatus for layer depositions | |
| US6495000B1 (en) | System and method for DC sputtering oxide films with a finned anode | |
| JP2001518686A (ja) | マグネトロンプラズマ発生装置のためのデュアルフェースシャワーヘッド電極 | |
| JPH116049A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH0357191B2 (ja) | ||
| US20070039545A1 (en) | System and method for film formation | |
| JPH04228566A (ja) | スパッターイオンめっきによる導電性繊維被覆方法および装置 | |
| US6223686B1 (en) | Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition | |
| JP2984746B2 (ja) | イオンビームスパッタ装置 | |
| JP2001220668A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法、並びにそれを用いて製作された薄膜デバイス | |
| JPS58117868A (ja) | 皮膜形成装置 | |
| JPH03120720A (ja) | 薄膜形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060816 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061114 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070314 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070330 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070426 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070525 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |